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晶体管参数大全
晶体管参数大全晶体管是一种能够对电流进行控制的电子器件，广泛应用于电子电路中。
根据其工作原理的不同，可以分为三极管和场效应管两种类型。
一、三极管参数1.最大允许电压（VCEO）：三极管的集电极-发射极间最大允许电压。
在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。
2.最大允许集电极电流（IC）：三极管的集电极电流的最大值。
在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。
3.最大功耗（Pd）：三极管透过的功率最大值。
在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。
4.直流电流倍数（hFE）：表示三极管输入电流和输出电流之间的比例关系。
它决定了三极管的放大能力，一般越大越好，常见的值为几十到几百。
5. 饱和压降（VCEsat）：当三极管处于饱和区时，集电极与发射极之间的电压降。
6. 输入电阻（Rin）：三极管的输入电阻，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。
一般来说，输入电阻越大，对输入信号的影响越小。
7. 输出电阻（Rout）：三极管的输出电阻，表示输出电压变化与输出电流变化之间的比例关系。
一般来说，输出电阻越小，输出信号的失真越小。
8.动态电阻（rπ）：三极管的动态电阻，与输入电阻类似，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。
一般来说，动态电阻越小，对输入信号的影响越小。
9.最小输入电流（IB）：三极管正常工作所需要的最小基极电流。
二、场效应管参数1.最大允许栅源电压（VGS）：场效应管的栅源电压的最大值。
在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。
2.最大允许漏极电流（ID）：场效应管的漏极电流的最大值。
在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。
3.最大功耗（Pd）：场效应管透过的功率最大值。
在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。
4. 转导（gm）：表示输入电压变化时输出电流变化的比例关系。
转导越大，场效应管的放大能力越强。
双极型晶体管参数符号及其意义
RL---负载电阻（外电路参数）
RG---信号源内阻
Rth---热阻
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---最大允许结温
Tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---下降时间
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
V n---噪声电压
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
常用场效应管及晶体管参数
常用场效应管及晶体管参数场效应管（FET）和晶体管（BJT）是现代电子设备中广泛使用的两种主要的电子器件。
他们在放大、开关和电路控制等方面起着重要作用。
下面将详细介绍常用场效应管和晶体管的参数。
一、场效应管（FET）的参数1. 空载传导（Idss）：空载传导是指当栅极-源电压为零时的最大漏极-源极电流。
这个参数表示了当栅极完全封闭时，通过FET的最大电流。
2. 门源截止电压（VGS(off)）：当栅极-源电压为零时，FET将完全关闭，不传导漏极电流。
这个参数可以用来确定FET的静态工作点。
3. 饱和电压（VDS(sat)）：饱和电压是指，在给定的栅极-源极电压和栅极电压下，漏极-源极电流达到饱和状态时的漏极-源极电压。
在这个电压下，FET可以传导最大电流。
4. 输入电容（Ciss）：输入电容是指当栅极电压变化时，所需的输入电荷的数量，单位为法拉。
这个参数表示了栅极电压对FET的效果。
5. 输出电导（Drain-to-Source On-Resistance，RDS(on)）：输出电导是指当FET完全开启时，漏极-源极电阻的值。
值越小，FET的效果越好。
二、晶体管（BJT）的参数1. 最大集电极电流（Ic(max)）：最大集电极电流是指晶体管能够承受的最大电流值。
超过这个电流值会导致晶体管损坏。
2. 饱和电流（Ic(sat)）：饱和电流是指当基极电流大到一定程度时，集电极-发射极电流稳定在最大值的状态。
此时，晶体管工作在饱和区，可以作为开关使用。
3. 直流增益（DC Current Gain，hFE）：直流增益是指当基极电流增大时，集电极电流相对于基极电流的放大倍数。
该参数用来描述晶体管的放大能力。
4. 射极漏电流（Iceo）：射极漏电流是指当基极电流为零时，集电极-发射极间的非控制电流。
此时，晶体管处于关闭状态。
5. 输入电容（Cbe）：输入电容是指当基极电压变化时，所需的输入电荷的数量。
这个参数表示了基极电压对晶体管的效果。
晶体管的参数
晶体管的参数晶体管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视以及各种电子仪器仪表中。
在电子技术领域，晶体管的参数是评估其性能与特性的重要指标。
本文将介绍晶体管的一些常见参数及其相关参考内容。
1. 器件类型：晶体管根据其结构和工作原理可以分为多种类型，包括普通二极管、NPN型和PNP型晶体管、场效应晶体管等。
对于不同类型的晶体管，其参数也会有所不同。
2. 极间电容（Cj）：晶体管的结构中存在着不同电势的极之间的电容，极间电容即指的是这种电容。
它会对高频特性产生影响。
Cj的值越小，晶体管的高频性能越好。
可以参考不同型号晶体管的数据手册，寻找其Cj值。
3. 最大耗散功率（Pd）：晶体管的最大耗散功率是指器件能承受的最大功率，过多的耗散功率会导致晶体管工作不稳定，甚至损毁器件。
因此，选择一个适合工作条件的晶体管时，必须注意其最大耗散功率的额定值。
可以在晶体管的数据手册中查找相关信息。
4. 比输入电容（Cin）：晶体管接收输入信号时的输入电容，其值与晶体管的增益、频率响应等有关。
较大的输入电容会导致信号源与晶体管之间的不匹配，影响信号的输入和输出。
数据手册中可以找到晶体管的输入电容值。
5. 最大搜线速度（fT）：最大搜线速度是指晶体管的最高工作频率。
它是晶体管的一个重要参数，直接影响到晶体管在高频电路中的应用能力。
查阅数据手册可以找到晶体管的最大搜线速度。
6. 饱和电流（Isat）：在晶体管的饱和区工作时，其主电流达到的最大值。
饱和电流取决于晶体管的材料和结构，并直接影响晶体管的功耗和工作特性。
可以在晶体管数据手册中找到相应的饱和电流值。
7. 最大集电极电流（Icmax）：晶体管集电极能承受的最大电流。
超过最大集电极电流时，晶体管可能会烧毁或损坏。
因此，在使用晶体管时，需要根据实际需求选择合适的最大集电极电流值。
8. 失真参数：晶体管在工作过程中会引入一定的失真，如基极电流的非线性变化导致的失真。
双极型晶体管参数符号及其意义
双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cieo---共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）Co---输出电容Cob---共基极输出电容。
在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Cre---共发射极反馈电容Cic---集电结势垒电容CL---负载电容（外电路参数）Cp---并联电容（外电路参数）BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压D---占空比fT---特征频率fmax---最高振荡频率。
当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---共发射极静态电流放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导h RE---共发射极静态电压反馈系数hie---共发射极小信号短路输入阻抗hre---共发射极小信号开路电压反馈系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hoe---共发射极小信号开路输出导纳IB---基极直流电流或交流电流的平均值Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IE---发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
常用晶体管参数大全查询
常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。
它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。
以下是一些常用晶体管参数的详细说明。
1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。
NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。
2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。
超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。
3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。
4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。
超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。
5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。
hFE的值越高，晶体管放大能力越强。
6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。
通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。
7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。
饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。
8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。
输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。
9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。
输出电容越小，晶体管的输出速度越快。
10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。
射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。
11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。
这是指晶体管可以正常工作的最高频率。
12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。
噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。
以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。
常用晶体管参数查询
常用晶体管参数查询晶体管是一种用于放大、开关和调整电信号的电子元件，广泛应用于电子设备和通信系统中。
晶体管的各种参数对其性能影响很大，因此对于设计和选择晶体管的工程师来说，了解和查询常用晶体管参数非常重要。
下面将介绍几个常用的晶体管参数。
1. 最大工作频率（fmax）：晶体管可以工作的最高频率。
这个参数对于高频通信和雷达应用非常重要，通常以GHz为单位。
2. 最大功率（Pmax）：晶体管能够承受的最大功率。
这个参数通常以瓦特（W）为单位，并且与晶体管的封装和散热系统有关。
3.最大工作电压（VCEO）：晶体管可以承受的最大集电极至发射极电压。
这个参数对于功率放大应用非常重要。
4. 最大工作电流（ICmax）：晶体管可以承受的最大集电极电流。
这个参数对于功率放大和开关应用非常重要。
5. 饱和压降（VCEsat）：晶体管在饱和状态下的集电极至发射极压降。
这个参数对于开关应用和数字逻辑电路非常重要。
6. 放大倍数（hfe或β）：晶体管的放大倍数，即集电极电流与基极电流的比值。
这个参数对于放大应用非常重要。
7. 输入电阻（Rin）：晶体管输入电阻，即基极电阻。
这个参数对于信号输入和电路匹配非常重要。
8. 输出电阻（Rout）：晶体管输出电阻，即集电极电阻。
这个参数对于信号输出和电路匹配非常重要。
9.噪声系数（NF）：晶体管的噪声性能，表示增益下降的程度。
这个参数对于接收机和低噪声放大器应用非常重要。
10.温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率。
这个参数对于在高温环境下的应用非常重要。
晶体管的电路符号
晶体管的电路符号
晶体管是发明于1947年的，它是一种可以控制电流方向的分立器件，可以对电流进行放大或者阻断。
随着计算机和电子产品的发展，晶体管在电路中的应用越来越广泛，同时晶体管的电路符号也逐渐成型并被业界普遍接受。
晶体管的电路符号可以分为NPN和PNP两种，NPN分为一极晶体管、二极和三极，他们的符号分别为：
一极晶体管电路符号：由三条直线和一条弧线组成，分别表示收集极、基极和控制极，弧线表示栅极，代码为2N4401。
二极晶体管电路符号：由四条直线和一条弧线组成，分别表示收集极、基极、控制极和栅极，代码为2N1111；
三极晶体管电路符号：由五条直线和一条弧线组成，分别表示收集极、基极、控制极、栅极和负栅极，代码为2N3553。
PNP晶体管电路符号的形式与NPN晶体管类似，但是其中的三个直线的顺序相反，代表了晶体管的流向不同，代码为2N5671。
晶体管的电路符号是非常重要的，可以帮助建立图形模型，使维护者更好的理解电路结构，节省调试时间。
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常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
晶体管参数大全
晶体管参数大全晶体管是一种重要的电子元件，包括三极管和场效应管两种类型。
以下是关于晶体管参数的详细介绍。
1.三极管参数：(1)直流参数：- 静态放大倍数（hfe）：表示输入电流和输出电流之间的放大倍数；- 饱和电流（Isat）：在基极电流最大的情况下，由集电极和发射极之间的饱和电流；- 集电极-发射极饱和电压（Vce_sat）：集电极和发射极之间的饱和电压；- 输入电阻（Rin）：表示三极管的输入端电阻；- 输出电阻（Rout）：表示三极管的输出端电阻。
(2)动态参数：- 最大切换频率（ft）：表示三极管可以切换的最高频率；- 输入电容（Cin）：表示三极管的输入电容；- 输出电容（Cout）：表示三极管的输出电容；- 开关时间（ts/tf）：分别表示三极管的上升和下降时间。
2.场效应管参数：(1)直流参数：- 静态放大倍数（gm）：表示输出电流和输入电压之间的增益；- 饱和电流（Idss）：在栅压为零时，漏极电流最大的情况下，由源极和漏极之间的饱和电流；- 开启电压（Vgs_th）：栅极电压与源极电压之间的临界电压，开始导通的电压；- 漏极-源极饱和电压（Vds_sat）：漏极电压与源极电压之间的饱和电压；- 输入电阻（Rin）：表示场效应管的输入端电阻；- 输出电阻（Rout）：表示场效应管的输出端电阻。
(2)动态参数：- 最大切换频率（ft）：表示场效应管可以切换的最高频率；- 输入电容（Cin）：表示场效应管的输入电容；- 输出电容（Cout）：表示场效应管的输出电容；- 开关时间（ts/tf）：分别表示场效应管的上升和下降时间。
以上是晶体管参数的一些常见指标，不同型号的晶体管具体参数可能会有所不同。
在实际应用中，根据具体电路设计和需求，选择合适的晶体管参数非常重要。
同时，要注意不同厂家制造的晶体管参数可能存在差异，需要仔细查阅相关型号的数据手册。
常用场效应管及晶体管参数66681
常用场效应管及晶体管参数66681场效应管（Field-Effect Transistor，FET）和晶体管（Transistor）是现代电子学中最常用的两种电子元件。
它们广泛应用于电子设备中的放大、开关和数码电子电路等方面。
本文将对常用的场效应管和晶体管参数进行介绍。
1.场效应管的参数1.1耐压（VDSS）:表示场效应管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
1.2额定电流（ID）:表示场效应管的最大额定电流，单位为安培（A）。
1.3 漏极-源极导通电阻（RDS(on)）: 表示在漏极-源极之间，当场效应管处于导通状态时的阻值，单位为欧姆（Ω）。
1.4 阈值电压（VGS(th)）: 表示在栅极和源极之间，场效应管刚开始导通时所需的栅极-源极电压，单位为伏特（V）。
1.5 输入电容（Ciss）: 表示场效应管的输入电容，单位为法拉（F）。
1.6 输出电容（Coss）: 表示场效应管的输出电容，单位为法拉（F）。
1.7 开关时间（ton、toff）: 表示场效应管从导通到截止以及从截止到导通的时间，单位为纳秒（ns）。
2.晶体管的参数2.1最大耐压（VCEO）:表示晶体管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
2.2最大额定电流（IC）:表示晶体管的最大额定电流，单位为安培（A）。
2.3 饱和压降（VCE(sat)）: 表示晶体管在饱和区时，集电极和发射极之间的电压降，单位为伏特（V）。
2.4 开路电流放大倍数（hfe）: 表示晶体管的直流电流放大倍数。
2.5 输入电阻（hie）: 表示晶体管的输入电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.6 输出电阻（hoe）: 表示晶体管的输出电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.7 动态电阻（rce、Rce）: 表示晶体管在放大区时，集电极和发射极间的动态电阻，单位为欧姆（Ω）。
3.总结场效应管和晶体管是现代电子设备中非常重要的元件，具有各自独特的特性和参数。
在实际应用中，我们需要根据具体情况选择适合的场效应管或晶体管，并合理使用其参数进行设计和调整。
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管参数大全-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(1)-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管和晶体管参数大全IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF230 200V 9A 79W * * NMOS场效应IRF130 100V 14A 79W * * NMOS场效应BUZ20 100V 12A 75W * * NMOS场效应BUZ11A 50V 25A 75W * * NMOS场效应BS170 60V 0.3A 0.63W * * NMOS场效应4n60F 600V 4A 33W * * N-CHANNELSSP4N60 4A 600VSSP4N90 4A 900V 140WSSP5N90 5A 900V 150W6N60 6A 600V 125W7N90 7A 900V 150W-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(2)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC4582 600V 15A 75W * * NPN2SC4517 550V 3A 30W * * NPN2SC4429 1100V 8A 60W * * NPN2SC4297 500V 12A 75W * * NPN2SC4288 1400V 12A 200W * * NPN2SC4242 450V 7A 40W * * NPN2SC4231 800V 2A 30W * * NPN2SC4119 1500V 15A 250W * * NPN2SC4111 1500V 10A 250W * * NPN2SC4106 500V 7A 50W * 20MHZ NPN2SC4059 600V 15A 130W * * NPN2SC4038 50V 0.1A 0.3W * 180MHZ NPN2SC4024 100V 10A 35W * * NPN2SC3998 1500V 25A 250W * * NPN2SC3997 1500V 15A 250W * * NPN2SC3987 50V 3A 20W 1000 * NPN(达林顿)2SC3953 120V 0.2A 1.3W * 400MHZ NPN2SC3907 180V 12A 130W * 30MHZ NPN2SC3893 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3886 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3873 500V 12A 75W * 30MHZ NPN2SC3866 900V 3A 40W * * NPN2SC3858 200V 17A 200W * 20MHZ NPN2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN2SC3783 900V 5A 100W * * NPN2SC3720 1200V 10A 200W * * NPN2SC3680 900V 7A 120W * * NPN2SC3679 900V 5A 100W * * NPN2SC3595 30V 0.5A 1.2W 90 * NPN2SC3527 500V 15A 100W 13 * NPN2SC3505 900V 6A 80W 12 * NPN2SC3460 1100V 6A 100W 12 * NPN2SC3457 1100V 3A 50W 12 * NPN2SC3358 20V 0.15A * * 7000MHZ NPN2SC3355 20V 0.15A * * 6500MHZ NPN2SC3320 500V 15A 80W * * NPN2SC3310 500V 5A 40W 20 * NPN2SC3300 100V 15A 100W * * NPN2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN2SC1507 300V 0.2A 15W * * NPN------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(3)------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 100MHZ NPN2SC1162 35V 1.5A 10W * * NPN2SC1008 80V 0.7A 0.8W * 50MHZ NPN2SC900 30V 0.03A 0.25W * 100MHZ NPN2SC828 45V 0.05A 0.25W * * NPN2SC815 60V 0.2A 0.25W * * NPN2SC380 35V 0.03A 0.25W * * NPN2SC106 60V 1.5A 15W * * NPN2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿）2SB1429 180V 15A 150W * * PNP2SB1400 120V 6A 25W 1000-20000 * PNP(达林顿）2SB1375 60V 3A 2W * * PNP2SB1335 80V 4A 30W * * PNP2SB1317 180V 15A 150W * * PNP2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿）2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿）2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿）2SB834 60V 3A 30W * * PNP2SB817 160V 12A 100W * * PNP2SB772 40V 3A 10W * * PNP2SB744 70V 3A 10W * * PNP2SB734 60V 1A 1W * * PNP2SB688 120V 8A 80W * * PNP2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP2SA1943 230V 15A 150W * * PNP2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP2SA1302 200V 15A 150W * * PNP2SA1301 200V 10A 100W * * PNP2SA1295 230V 17A 200W * * PNP2SA1265 140V 10A 30W * * PNP2SA1216 180V 17A 200W * * PNP----------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(4)-----------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP2SA1009 350V 2A 15W * * PNP2N6678 650V 15A 175W * * NPN2N5685 60V 50A 300W * * NPN2N6277 180V 50A 300W * * NPN2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP2N3773 160V 16A 150W * * NPN2N3440 450V 1A 1W * * NPN2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN9018 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPNTIP147 100V 10A 125W * * PNPTIP142 100V 10A 125W * * NPNTIP127 100V 8A 65W * * PNPTIP122 100V 8A 65W * * NPNTIP102 100V 8A 2W * * NPNTIP42C 100V 6A 65W * * PNPTIP41C 100V 6A 65W * * NPNTIP36C 100V 25A 125W * * PNPTIP35C 100V 25A 125W * * NPNTIP32C 100V 3A 40W * * PNPTIP31C 100V 3A 40W * * NPNMJE13007 1500V 2.5A 60W * * NPNMJE13005 400V 4A 60W * * NPNMJE13003 400V 1.5A 14W * * NPNMJE2955T 60V 10A 75W * * NPNMJE350 300V 0.5A 20W * * NPNMJE340 300V 0.5A 20W * * NPNMJ13333 400V 20A 175W * * NPNMJ11033 120V 50A 300W * * NPNMJ11032 120V 50A 300W * * NPNMJ10025 850V 20A 250W * * NPNMJ10016 500V 50A 200W * * NPN------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(5)-----------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型BUS13A 1000V 15A 175W * * NPNBUH515 1500V 10A 80W * * NPNBU2532 1500V 15A 150W * * NPNBU2527 1500V 15A 150W * * NPNBU2525 1500V 12A 150W * * NPNBU2522 1500V 11A 150W * * NPNBU2520 800V 10A 150W * * NPNBU2508 700V 8A 125W * * NPNBU2506 1500V 7A 50W * * NPNBU932R 500V 15A 150W * * NPNBU806 400V 8A 60W * * NPNBU406 400V 7A 60W * * NPNBU323 450V 10A 125W * * NPN(达林顿)BF458 250V 0.1A 10W * * NPNBD682 100V 4A 40W * * PNPMJ10015 400V 50A 200W * * NPNMJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿)MJ4502 90V 30A 200W * * PNPMJ3055 60V 15A 115W * * NPNMJ2955 60V 15A 115W * * PNPMN650 1500V 6A 80W * * NPNBUX98A 400V 30A 210W * * NPNBUX84 800V 2A 40W * * NPNBUW13A 1000V 15A 150W * * NPNBUV48A 450V 15A 150W * * NPNBUV28A 225V 10A 65W * * NPNBUV26 90V 14A 65W * * NPNBUT12A 450V 10A 125W * * NPNBD681 100V 4A 40W * * NPNBD244 45V 6A 65W * * PNPBD243 45V 6A 65W * * NPNBD238 100V 2A 25W * * PNPBD237 100V 2A 25W * * NPNBD138 60V 1.5A 12.5W * * PNPBD137 60V 1.5A 12.5W * * NPNBD136 45V 1.5A 12.5W * * PNPBD135 45V 1.5A 12.5W * * NPNBC547 50V 0.2A 0.5W * 300MHZ NPNBC546 80V 0.2A 0.5W * * NPNBC338 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC337 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC327 50V 0.8 0.6W * * PNPBC307 50V 0.2AA 0.3W * * PNP-------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(6)-------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SDK55 400V 4A 60W * * NPN2SD2445 1500V 12.5A 120W * * NPN2SD2388 90V 3A 1.2W * * NPN(达林顿)2SD2335 1500V 7A 100W * * NPN2SD2334 1500V 5A 80W * * NPN2SD2156 120V 25A 125W 2000-20000 * NPN(达林顿)2SD2155 180V 15A 150W * * NPN2SD2036 60V 1A 1.2W * * NPN2SD2012 60V 3A 2W * * NPN2SD2008 80V 1A 1.5W * * NPN2SD1997 40V 3A 1.5W * 100MHZ NPN2SD1994 60V 1A 1W * * NPN2SD1993 50V 0.1A 0.4W * * NPN2SD1980 100V 2A 10W 1000-10000 * NPN(达林顿)2SD1978 120V 1.5A 1W 30000 * NPN(达林顿)2SD1975 180V 15A 150W * * NPN2SD1930 100V 2A 1.2W 1000 * NPN(达林顿)2SD1847 50V 1A 1W * * NPN(低噪)2SD1762 60V 3A 25W * 90MHZ NPN2SD1718 180V 15A 3.2W * 20MHZ NPN2SD1640 120V 2A 1.2W 4000-40000 * NPN(达林顿)2SD1590 150V 8A 25W 15000 * NPN(达林顿)2SD1559 100V 20A 20W 5000 * NPN(达林顿)2SD1415 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1416 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1302 25V 0.5A 0.5W * 200MHZ NPN2SD1273 80V 3A 40W * 50MHZ NPN2SD1163A 350V 7A 40W * 60MHZ NPN2SD1047 160V 12A 100W * * NPN2SD1037 150V 30A 180W * * NPN2SD1025 200V 8A 50W * * NPN(达林顿)2SD789 100V 1A 0.9W * * NPN2SD774 100V 1A 1W * * NPN2SD669 180V 1.5A 1W * 140MHZ NPN2SD667 120V 1A 0.9W * 140MHZ NPN( 达林顿)2SD560 150V 5A 30W * * NPN( 达林顿)2SD547 600V 50A 400W * * NPN2SD438 500V 1A 0.75W * 100MHZ NPN2SD415 120V 0.8A 5W * * NPN2SD385 100V 7A 30W * * NPN( 达林顿)2SD325 50V 3A 25W * * NPN2SD40C 40V 0.5A 40W * * NPN( 达林顿)2SC5252 1500V 15A 100W * * NPN2SC5251 1500V 12A 50W * * NPN2SC5250 1000V 7A 100W * * NPN------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(7)------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC5244 1500V 15A 200W * * NPN2SC5243 1500V 15A 200W * * NPN2SC5207 1500V 10A 50W * * NPN2sc5200 230V 15A 150W * * NPN2sc5132 1500V 16A 50W * * NPN2sc5088 1500V 10A 50W * * NPN2sc5086 1500V 10A 50W * * NPN2sc5068 1500V 10A 50W * * NPN2sc5020 1000V 7A 100W * * NPN2sc4953 500V 2A 25W * * NPN2sc4941 1500V 6A 65W * * NPN2sc4927 1500V 8A 50W * * NPN2sc4924 800V 10A 70W * * NPN2sc4913 2000V 0.2A 35W * * NPN2sc4769 1500V 7A 60W * * NPN( 带阻尼)2sc4747 1500V 10A 50W * * NPN2sc4745 1500V 6A 50W * * NPN2sc4742 1500V 6A 50W * * NPN( 带阻尼)2sc4706 900V 14A 130W * 6MH NPN2SD1887 1500V 10A 70W * * NPN2SD1886 1500V 8A 70W * * NPN2SD1885 1500V 6A 60W * * NPN2SD1884 1500V 5A 60W * * NPN2SD1883 1500V 4A 50W * * NPN2SD1882 1500V 3A 50W * * NPN2SD1881 1500V 10A 70W * * NPN2SD1880 1500V 8A 70W * * NPN2SD1879 1500V 6A 60W * * NPN2SD1878 1500V 5A 60W * * NPN2SD1876 1500V 3A 50W * * NPN2SD1739 1500V 6A 100W * * NPN2SD1738 1500V 5A 100W * * NPN2SD1737 1500V 3.5A 60W * * NPN2SD1732 1500V 7A 120W * * NPN2SD1731 1500V 6A 100W * * NPN2SD1730 1500V 5A 100W * * NPN2SD1729 1500V 3.5A 60W * * NPN2SD1711 1500V 7A 100W * * NPN2SD1710 1500V 6A 100W * * NPN2SD1656 1500V 6A 60W * * NPN2SD1655 1500V 5A 60W * * NPN2SD1654 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1653 1500V 2.5A 50W * * NPN2SD1652 1500V 6A 60W * * NPN2SD1651 1500V 5A 60W * * NPN------------------------------------------------------------------ 常用场效应管及晶体管参数(8)------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1650 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1635 1500V 5A 100W * * NPN2SD1632 1500V 4A 70W * * NPN2SD1577 1500V 5A 80W * * NPN2SD1554 1500V 3.5A 40W * * NPN2SD1548 1500V 10A 50W * * NPN2SD1547 1500V 7A 50W * * NPN2SD1546 1500V 6A 50W * * NPN2SD1545 1500V 5A 50W * * NPN2SD1456 1500V 6A 50W * * NPN2SD1455 1500V 5A 50W * * NPN2SD1454 1700V 4A 50W * * NPN2SD1434 1700V 5A 80W * * NPN2SD1431 1500V 5A 80W * * NPN2SD1426 1500V 3.5A 80W * * NPN2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN2SD995 2500V 3A 50W * * NPN2SD994 1500V 8A 50W * * NPN2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN2SD954 1500V 5A 95W * * NPN2SD952 1500V 3A 70W * * NPN2SD904 1500V 7A 60W * * NPN2SD903 1500V 7A 50W * * NPN2SD871 1500V 6A 50W * * NPN2SD870 1500V 5A 50W * * NPN2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD838 2500V 3A 50W * * NPN2SD822 1500V 7A 50W * * NPN2SD821 1500V 6A 50W * * NPN------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(9)------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN2SC3687 1500V 8A 150W * * NPN2SC3686 1500V 7A 120W * * NPN2SC3685 1500V 6A 120W * * NPN2SC3486 1500V 6A 120W * * NPN2SC3485 1500V 5A 120W * * NPN2SC3484 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC3482 1500V 6A 120W * * NPN2SC3481 1500V 5A 120W * * NPN2SC3480 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC2125 2200V 5A 50W * * NPN2SC2027 1500V 5A 50W * * NPNBUY71 2200V 2A 40W * * NPNBU508A 1500V 7.5A 75W * * NPNBU500 1500V 6A 75W * * NPNBU308 1500V 5A 12.5W * * NPNBU209A 1700V 5A 12.5W * * NPNBU208D 1500V 5A 12.5W * * NPNBU208A 1500V 5A 12.5W * * NPNBU108 1500V 5A 12.5W * * NPN2SD1585 60V 3A 15W * * NPN2SC403 50V 0.1A 0.1W * * NPN2SD1246 30V 2A 0.75W * * NPN2SC2570A 25V 0.07A 0.6W * * NPN2SC1047 30V 0.015A 0.15W * * NPN2SC3114 60V 0.15A 0.2W * * NPN2SD400 25V 1A 0.75W * * NPN2SC1923 40V 0.02A 0.1W * * NPN2SC2621 300V 0.2A 10W * * NPN2SC2568 300V 0.2A 10W * * NPN2SC2216 50V 0.05A 0.3W * * NPN2SC1674 30V 0.02A 0.1W * * NPN2SC536F 40V 0.1A 0.25W * * NPN2SA608F 30V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1271A 130V 7A 40W * * NPN2SD1133 70V 4A 40W * * NPN---------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(10)---------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1890A 120V 0.05A 0.3W * * NPN2SC1360 50V 0.05A 0.5W * * NPN2SA1304 150V 1.5A 25W * * PNP2SD1274A 150V 5A 40W * * NPN2SC2371 300V 0.1A 10W * * NPN2SA966Y 30V 1.5A 0.9W * * PNP2SD1378 80V 0.7A 10W * * NPN2SD553Y 70V 7A 40W * * NPNRN1204 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SD1405Y 50V 3A 30W * * NPN2SC2878 50V 0.3A 0.4W * * NPN2SC1959 30V 0.4A 0.5W * * NPN2SC1569 300V 0.15A 1.5W * * NPN2SC2383Y 160V 1A 0.9W * * NPN2SA1299 50V 0.5A 0.3W * * PNP2SB564A 45V 0.05 0.25W * * PNP2SD1877 800V 4A 50W * * NPNBU508A 1500V 8A 125W * * NPN2SD906 1400V 8A 50W * * NPN2SD905 1400V 8A 50W * * NPN2SC1942 1500V 3A 100W * * NPN2SD1397 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1396 1500V 2.5A 50W * * NPN2SC3153 900V 6A 100W * * NPN2SD1403 1500V 6A 50W * * NPN2SD1410 1500V 3.5A 80W * * NPN2SD2057 1500V 5A 100W * * NPN2SD2027 1500V 5A 50W * * NPN2SD953 1500V 7A 95W * * NPN2SD951 1500V 3A 65W * * NPN2SD950 1500V 3.5A 80W * * NPN2SD852 1500V 5A 70W * * NPN2SD850 1500V 3A 25W * * NPN2SD900B 1500V 5A 50W * * NPN2SD899A 1500V 4A 50W * * NPN2SD898B 1500V 3A 50W * * NPN2SD871 1500V 6A 50W * * NPN2SD870 1500V 5A 50W * * NPN2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1433 1500V 7A 80W * * NPN2SD1432 1500V 6A 80W * * NPN2SD1431 1500V 5A 80W * * NPN2SD820 1500V 5A 50W * * NPN-------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(11)-------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD819 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1497 1500V 6A 50W * * NPN2SD1398 1500V 5A 50W * * NPN2SD1427 1500V 5A 80W * * NPN2SD1428 1500V 6A 80W * * NPN2SD1426 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC2068 70V 0.2A 0.62W * * NPN2SC1627Y 80V 0.3A 0.6W * * NPN2SB686 100V 6A 60W * * PNP2SA940 150V 1.5A 1.5W * * PNP2SC2120Y 30V 0.8A 0.6W * * NPN2SD1555 1500V 5A 50W * * NPN2SD8806 60V 3A 30W * * NPN2SC2456 300V 0.1A 10W * * NPN2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP2SC304CD 60V 0.5A 0.8W * * NPN2SC2238 160V 1.5A 25W * * NPN2SC3328 80V 2A 0.9W * * NPN2SC2190 450V 5A 100W * * NPN2SA968Y 160V 1.5A 25W * * PNP2SC3402 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SC2168 200V 2A 30W * * NPN2SC3198G 60V 0.15A 0.4W * * NPN2SC2655Y 60V 2A 0.9W * * NPN2SC1827 80V 4A 30W * * NPN2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP2SD880 60V 3A 30W * * NPN2SC1906 30V 0.05A 0.3W * * NPN2SC945 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3279 30V 2A 0.75W * * NPN2SC2229 200V 0.05A 0.8W * * NPN2SC2236 30V 1.5A 0.9W * * NPN2SC383 20V 0.05A 0.2W * * NPN2SA950Y 150V 0.8A 0.6W * * PNPBC548B 30V 0.2A 0.5W * * NPN2SC3399 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SD1455 1500V 5A 50W * * NPN2SC1983R 80V 3A 30W * * NPN2SC227 300V 0.1A 0.75W * * NPN2SC1213D 50V 0.5A 0.4W * * NPN2SA778AK 180V 0.05A 0.2W * * PNPDTC114ES 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3413C 40V 0.1A 0.5W * * NPN------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(12)------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN2SC1514 300V 0.1A 1.25W * * NPNDTC124ES 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1078 50V 2A 20W * * NPN2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP2SD788 20V 2A 0.9W * * NPN2SD882 40V 3A 10W * * NPN2SD787 20V 2A 0.9W * * NPN2SD401AK 200V 2A 25W * * NPN2SC2610 300V 0.1A 0.8W * * NPN2SC2271N 300V 0.1A 0.75W * * NPN2SC1740 50V 0.3A 0.3W * * NPN2SC1214C 50V 0.5A 0.6W * * NPN2SC458D 30V 0.1A 0.2W * * NPN2SA673 50V 0.5A 0.4W * * PNP2SD1556 1500V 6A 50W * * NPN2SD1499 100V 5A 40W * * NPN2SD1264A 200V 2A 30W * * NPN2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN2SD966 60V 5A 1W * * NPN2SD601AR 60V 0.1A 0.2W * * NPN2SC3265Y 30V 0.8A 0.2W * * NPN2SC3063 300V 0.1A 1.2W * * NPN2SC2594 40V 5A 10W * * NPN2SC1317-R 30V 0.5A 0.4W * * NPN2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP2SD1226 60V 3A 35W * * NPN2SC2636Y 30V 0.05A 0.4W * * NPN2SB940 200V 2A 30W * * PNP2SA720-Q 50V 0.5A 0.4W * * PNP2SD1391 1500V 5A 80W * * NPN2SC2188 45V 0.05A 0.6W * * NPN2SK301-R * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管2SD1266 60V 3A 35W * * NPN2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN2SD973 30V 1A 1W * * NPN2SC2923 300V 0.2A 15W * * NPN2SC2653H 250V 0.2A 15W * * NPN2SC2377C 30V 0.15A 0.2W * * NPN2SC1685Q 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SB642-R 60V 0.2A 0.4W * * PNP2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP2SA564A 25V 0.1A 0.25W * * PNP------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(13)------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SK301-Q * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管2SD1541 1500V 3A 50W * * NPN2SC1685 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNPUN4213 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4211 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4212 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4111 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1541 1500V 3A 50W * * NPN2SD965 40V 5A 0.75W * * NPN2SC2839 30V 0.1A 0.1W * * NPN2SC2258 250V 0.1A 1W * * NPN2SC1846 45V 1A 1.2W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SD1544 1500V 3.5A 40W * * NPN2SD802 900V 6A 50W * * NPN2SC2717 35V 0.8A 7.5W * * NPN2SC2482 150V 0.1A 0.9W * * NPN2SC2073 150V 1.5A 25W * * NPN2SC1815Y 60V 0.15A 0.4W * * NPN2SB774T 30V 0.01A 0.25W * * PNP2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP2SA904 90V 0.05A 0.2W * * PNP2SA562T 30V 0.4A 0.3W * * PNP。
二极管晶体管类电子符号大全
二极管晶体管类电子符号大全肖特基二极管(Schottky Diode)Symbol Parameter 中文VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压VRWM Working peak reverse voltage 方向工作峰值电压VR DC Blocking Voltage 反向直流电压VR(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值IF(AV) Average Rectified Forward Current 正向平均电流IR Reverse Current 反向电流IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流VF Forward Voltage 正向直流电压Cj Typical Junction Capactiance 结电容PD Power Dissipation 耗散功率Tj Operating Junction Temperature 工作结温Tstg Storage Temperature Range 存储温度Rth(j-a) Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻Pin二极管(Pin Diode)Symbol Parameter 中文VR Continuous reverse voltage 反向直流电压IF Continuous forward current 正向直流电流VF Forward voltage 正向电压IR Reverse current 反向电流Cd diode capacitance 二极管电容rd diode forward resistance 二极管正向电阻Ptot total power dissipation 总的功率损耗Tj Junction Temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度TVS二极管(TVS Diode)Symbol Parameter 中文IPP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流VC Clampling voltage 钳位电压IR Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流VBR Breakdown voltage 击穿电压VRWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压VF Forward voltage 正向电压IF Forward current 正向电流IT Test current 测试电流可控硅(SCR)Symbol Parameter 中文VDRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压VRRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压IT(RMS) RMS On-state current 额定通态电流ITSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流IGM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流VTM peak forward on-state voltage 通态峰值电压IGT Gate trigger current 控制极触发直流电流VGT Gate trigger voltage 控制极出发电压IH Holding current 维持电流IDRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流IRRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流PG(AV) Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg Tstg storage temperature range 存储温度三端稳压管(Three T erminal Voltage Regulator)Symbol Parameter 中文VI input voltage 输入电压Vo output voltage 输出电压△Vo Load regulation 输出调整率△Vo Line regulation 输入调整率Iq quiescent current 偏置电流△Iq q uiescent current change 偏置电流变化量VN Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripple rejection 纹波抑制比Vd dropout voltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peak current 峰值输出电流Topr operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)Symbol Parameter 中文VKA Cathode voltage 阴极电压IK Cathode current range(continous) 阴极电流Iref Reference input current range,continous 基准输入电流PD Power dissipation 耗散功率Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Topr operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度Vref Reference input voltage 基准输入电压△Vref(dev) Deviation of reference input voltage over full temperature range 全温度范围内基准输入电压的偏差△Vref/△VKA Ratio of change in reference input v oltage to the change in cathode voltage 基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比△Iref(dev) Deviation of reference input current over full temperature range 全温度范围内基准输入电流的偏差Imin Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流Ioff Off-state cathode current 关断状态阴极电流|ZKA|Dynamic impedance 动态阻抗普通晶体管(Transistor)Symbol Parameter 中文VCBO Collector-Base voltage 发射极开路,集电极-基极电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极电压IC Collector current 集电极电流PC Collector power dissipation 集电极耗散功率Tj Junction temperature 结温Tstg storage temperature 存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压ICBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流IEBO Emitter cut-off current 集电极开路,发射极-基极截止电流ICEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流hFE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值VCEsat Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压VBEsat Base-emitter saturation voltage 基极-发射极饱和电压VBE Base-emitter voltage 基极-发射极电压fT Transition frequency 特征频率Cobo Collector output capacitance 共基极输出电容Cibo Collector input capacitance 共基极输入电容F Noise figure 噪声系数ton Turn-on time 开通时间toff Turn-off time 关断时间tr Rise time 上升时间ts Storage time 存储时间tf Fall time 下降时间td Delay time 延迟时间数字晶体管(Digital Transistor）Symbol Parameter 中文VCC Supply voltage 直流电压VIN input voltage 输入电压IO output current 输出电流PD Power dissipation 功率损耗VI(off) Input-off voltage 输入截止电压VI(on) Input-on voltage 输入开启电压VO(on) output voltage 输出电压II input current 输入电流IO(off) output current 输出截止电流GI DC current gain 直流增益R1 Input resistance 输入电阻R2/R1 Resistance ratio 电阻率fT Transition frequency 传输频率Tj junction temperature 结温Tstg storage temperature range 存储温度VCBO Collector-base voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压VCEO Collector-emitter voltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压VEBO Emitter-base voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压场效应管(MOSFET)Symbol Parameter 中文ID Continous drain current 漏极直流电流VGS Gate-source voltage 栅-源电压VDS Drain-source voltage 漏-源电压EAS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻Rth(j-c) Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压IGSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流IDSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流rDS(on) Drain-source on-resistance 漏源通态电阻gfs Forward transconductance 跨导VSD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降Ciss Input capacitance 栅-源电容Coss Output capacitance 漏-源电容Crss Reverse transfer capacitance 反向传输电容Rg Gate resistance 栅极电阻td(on) Turn-on delay time 开通延迟时间tr Rise time 上升时间td(off) Turn-off delay time 关断延迟时间tf Fall time 下降时间IDM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流PD Power dissipation 耗散功率Tj operating junction temperature range 结温Tstg storage temperature range 存储温度。
常用场效应管及晶体管参数
常用场效应管及晶体管参数场效应管（FET）和晶体管（BJT）是现代电子设备中常见的两种半导体器件。
它们广泛应用于放大器、开关和逻辑电路等各种电子设备中。
下面将介绍常用的场效应管和晶体管的参数。
一、场效应管参数1. 栅极截止电压（VGS(off)）：当栅极、源极之间的电压低于这个截止电压时，场效应管处于截止状态，不导电。
2. 栅极漏极饱和电压（VGS(sat)）：当栅极、源极之间的电压高于这个饱和电压时，场效应管处于饱和状态，完全导通。
3. 输出导通电阻（RDS(on)）：当场效应管处于导通状态时，源极、漏极之间的电阻。
这个电阻越小，场效应管的导通性能越好。
4. 最大漏源电压（VDS(max)）：场效应管允许的最大漏源电压。
超过这个电压，场效应管可能被击穿损坏。
5. 最大漏极电流（ID(max)）：场效应管允许的最大漏极电流。
超过这个电流，场效应管可能被烧毁。
6.负温度系数（TC）：场效应管的温度特性参数。
它表示场效应管的电流与温度的关系。
一般来说，希望它越小越好，以保证工作温度下的稳定性。
7. 栅源电容（Cgs）：栅极与源极之间的电容。
它会影响场效应管的频率特性。
1.基极开路电流（ICBO）：当集电极、基极之间没有连接负载时，基极开路电流就会通过晶体管。
它可以看作是一个小的反向饱和电流。
2.发射极开路电流（IEBO）：当基极、发射极之间没有连接负载时，发射极开路电流就会通过晶体管。
它也可以看作是一个小的反向饱和电流。
3.饱和电流增益（hFE）：晶体管的放大倍数。
它表示晶体管的集电极电流与基极电流之间的比例关系。
4.最大集电极电压（VCEO）：晶体管允许的最大集电极电压。
超过这个电压，晶体管可能被击穿损坏。
5. 最大集电极功耗（PC(max)）：晶体管允许的最大功耗。
超过这个功耗，晶体管可能被烧毁。
6. 最大结温（Tj(max)）：晶体管允许的最大结温。
超过这个温度，晶体管可能出现热敏失效。
7. 输入电阻（Rin）：晶体管的输入电阻。
常用晶体管参数表
常用晶体管参数表数据来自互联网，01mcu整理，仅供参考索引晶体管型号反压Vbeo电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型90901150V0.03A0.4W*150MHZ NPN 901250V0.5A0.6W**PNP901350V0.5A0.6W**NPN901450V0.1A0.4W*150MHZ NPN901550V0.1A0.4W*150MHZ PNP901830V0.05A0.4W*1GHZ NPN 2N2N222260V0.8A0.5W45*NPN 2N236940V0.5A0.3W*800MHZ NPN2N290760V0.6A0.4W200*NPN2N3055100V15A115W**NPN2N3440450V1A1W**NPN2N3773160V16A150W**NPN2N5401160V0.6A0.6W*100MHZ PNP2N5551160V0.6A0.6W*100MHZ NPN2N568560V50A300W**NPN2N6277180V50A300W**NPN2N6678650V15A175W**NPN 2SA2SA1009350V2A15W**PNP 2SA1012Y60V5A25W**PNP2SA1013R160V1A0.9W**PNP2SA1015R50V0.15A0.4W**PNP2SA1018150V0.07A0.75W**PNP2SA102050V2A0.9W**PNP2SA1123150V0.05A0.75W**PNP2SA116250V0.15A0.15W**PNP2SA1175H50V0.1A0.3W**PNP2SA1216180V17A200W**PNP2SA1265140V10A30W**PNP2SA1266Y50V0.15A0.4W**PNP2SA1295230V17A200W**PNP2SA129950V0.5A0.3W**PNP2SA130020V2A0.7W**PNP2SA1301200V10A100W**PNP2SA1302200V15A150W**PNP2SA1304150V 1.5A25W**PNP2SA1309A25V0.1A0.3W**PNP2SA1358120V1A10W*120MHZ PNP2SA139035V0.5A0.3W**PNP2SA1444100V 1.5A2W*80MHZ PNP2SA1494200V17A200W*20MHZ PNP2SA1516180V12A130W*25MHZ PNP2SA1785400V1A1W*140MHZ PNP2SA1943230V15A150W**PNP2SA562T30V0.4A0.3W**PNP2SA564A25V0.1A0.25W**PNP2SA608F30V0.1A0.25W**PNP2SA67350V0.5A0.4W**PNP2SA720-Q50V0.5A0.4W**PNP2SA778AK180V0.05A0.2W**PNP2SA90490V0.05A0.2W**PNP2SA933S50V0.1A0.9W**PNP2SA940150V 1.5A 1.5W**PNP2SA950Y150V0.8A0.6W**PNP2SA966Y30V 1.5A0.9W**PNP2SA968Y160V 1.5A25W**PNP2SB2SB1013A30V0.5A0.3W**PNP 2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿）2SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿）2SB118560V3A25W*75MHZ PNP2SB123880V0.7A1W*100MHZ PNP2SB124040V2A1W*100MHZ PNP2SB124340V3A1W*70MHZ PNP2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿）2SB1317180V15A150W**PNP2SB133580V4A30W**PNP2SB137560V3A2W**PNP2SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿）2SB1429180V15A150W**PNP2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿）2SB44950V 3.5A22W**PNP2SB564A45V0.05A0.25W**PNP2SB642-R60V0.2A0.4W**PNP2SB647120V1A0.9W*140MHZ PNP2SB649180V 1.5A1W**PNP2SB66970V4A40W**PNP(达林顿）2SB67560V7A40W**PNP(达林顿）2SB686100V6A60W**PNP2SB688120V8A80W**PNP2SB73460V1A1W**PNP2SB74470V3A10W**PNP2SB77240V3A10W**PNP2SB774T30V0.01A0.25W**PNP2SB817160V12A100W**PNP2SB83460V3A30W**PNP2SB88260V- 1.7W**PNP2SB940200V2A30W**PNP2SC2SC100880V0.7A0.8W*50MHZ NPN 2SC104730V0.015A0.15W**NPN2SC116235V 1.5A10W**NPN 2SC1213D50V0.5A0.4W**NPN 2SC1214C50V0.5A0.6W**NPN 2SC122260V0.1A0.25W*100MHZ NPN 2SC1317-R30V0.5A0.4W**NPN 2SC136050V0.05A0.5W**NPN 2SC149436V6A40W*175MHZ NPN 2SC1507300V0.2A15W**NPN 2SC1514300V0.1A 1.25W**NPN 2SC1569300V0.15A 1.5W**NPN 2SC1573A250V0.07A0.6W**NPN 2SC1627Y80V0.3A0.6W**NPN 2SC167430V0.02A0.1W**NPN 2SC168530V0.1A0.25W**NPN 2SC1685Q30V0.1A0.25W**NPN 2SC174050V0.3A0.3W**NPN 2SC1815Y60V0.15A0.4W**NPN 2SC182780V4A30W**NPN 2SC184645V1A 1.2W**NPN 2SC185520V0.02A0.25W*550MHZ NPN 2SC187550V0.15A0.4W**NPN 2SC1890A120V0.05A0.3W**NPN 2SC190630V0.05A0.3W**NPN 2SC192340V0.02A0.1W**NPN 2SC19421500V3A100W**NPN 2SC195930V0.4A0.5W**NPN 2SC1983R80V3A30W**NPN 2SC20271500V5A50W**NPN 2SC206870V0.2A0.62W**NPN 2SC2073150V 1.5A25W**NPN 2SC2120Y30V0.8A0.6W**NPN 2SC21252200V5A50W**NPN 2SC2168200V2A30W**NPN 2SC218845V0.05A0.6W**NPN 2SC2190450V5A100W**NPN 2SC221650V0.05A0.3W**NPN 2SC2229200V0.05A0.8W**NPN 2SC223630V 1.5A0.9W**NPN 2SC2238160V 1.5A25W**NPN 2SC2258250V0.1A1W**NPN 2SC227300V0.1A0.75W**NPN 2SC2271N300V0.1A0.75W**NPN 2SC2371300V0.1A10W**NPN 2SC237720V0.015A0.2W**NPN 2SC2377C30V0.15A0.2W**NPN 2SC2383Y160V1A0.9W**NPN 2SC2456300V0.1A10W**NPN2SC2568300V0.2A10W**NPN 2SC2570A25V0.07A0.6W**NPN 2SC259440V5A10W**NPN 2SC2610300V0.1A0.8W**NPN 2SC2611300V0.1A 1.25W**NPN 2SC2621300V0.2A10W**NPN 2SC2636Y30V0.05A0.4W**NPN 2SC2653H250V0.2A15W**NPN 2SC2655Y60V2A0.9W**NPN 2SC2688300V0.2A10W**NPN 2SC271735V0.8A7.5W**NPN 2SC278560V0.1A0.3W**NPN 2SC283930V0.1A0.1W**NPN 2SC287850V0.3A0.4W**NPN 2SC2923300V0.2A15W**NPN 2SC304CD60V0.5A0.8W**NPN 2SC3063300V0.1A 1.2W**NPN 2SC311460V0.15A0.2W**NPN 2SC3153900V6A100W**NPN 2SC3198G60V0.15A0.4W**NPN 2SC3265Y30V0.8A0.2W**NPN 2SC3271300V0.1A5W**NPN 2SC327930V2A0.75W**NPN 2SC3300100V15A100W**NPN 2SC3310500V5A40W20*NPN 2SC3320500V15A80W**NPN 2SC332880V2A0.9W**NPN 2SC335520V0.15A**6500MHZ NPN 2SC335820V0.15A**7000MHZ NPN 2SC339950V0.1A0.3W**NPN 2SC340250V0.1A0.3W**NPN 2SC3413C40V0.1A0.5W**NPN 2SC34571100V3A50W12*NPN 2SC34601100V6A100W12*NPN 2SC34801500V 3.5A80W**NPN 2SC34811500V5A120W**NPN 2SC34821500V6A120W**NPN 2SC34841500V 3.5A80W**NPN 2SC34851500V5A120W**NPN 2SC34861500V6A120W**NPN 2SC3505900V6A80W12*NPN 2SC3527500V15A100W13*NPN 2SC359530V0.5A 1.2W90*NPN 2SC3679900V5A100W**NPN 2SC3680900V7A120W**NPN 2SC36851500V6A120W**NPN 2SC36861500V7A120W**NPN2SC36881500V10A150W**NPN2SC37201200V10A200W**NPN2SC37291500V5A50W**NPN2SC3783900V5A100W**NPN2SC38035V0.03A0.25W**NPN2SC380730V2A 1.2W*260MHZ NPN2SC38320V0.05A0.2W**NPN2SC3858200V17A200W*20MHZ NPN2SC3866900V3A40W**NPN2SC3873500V12A75W*30MHZ NPN2SC38831500V5A50W**NPN2SC38861400V8A50W*8MHZ NPN2SC388A20V0.02A0.2W**NPN2SC38931400V8A50W*8MHZ NPN2SC3907180V12A130W*30MHZ NPN2SC3953120V0.2A 1.3W*400MHZ NPN2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿) 2SC39971500V15A250W**NPN2SC39981500V25A250W**NPN2SC4024100V10A35W**NPN2SC40350V0.1A0.1W**NPN2SC403850V0.1A0.3W*180MHZ NPN2SC4059600V15A130W**NPN2SC4106500V7A50W*20MHZ NPN2SC41111500V10A250W**NPN2SC41191500V15A250W**NPN2SC4199A1500V10A100W**NPN2SC4231800V2A30W**NPN2SC4242450V7A40W**NPN2SC42881400V12A200W**NPN2SC42911500V5A100W**NPN2SC42921500V6A100W**NPN2SC4297500V12A75W**NPN2SC4303A1500V6A80W**NPN2SC44291100V8A60W**NPN2SC4517550V3A30W**NPN2SC4582600V15A75W**NPN2SC458D30V0.1A0.2W**NPN2SC4706900V14A130W*6MHZ NPN2SC47421500V6A50W**NPN(带阻尼) 2SC47451500V6A50W**NPN2SC47471500V10A50W**NPN2SC47691500V7A60W**NPN(带阻尼) 2SC49132000V0.2A35W**NPN2SC4924800V10A70W**NPN2SC49271500V8A50W**NPN2SC49411500V6A65W**NPN2SC495Y70V0.8A5W**NPN2SC50201000V7A100W**NPN2SC50681500V10A50W**NPN2SC50861500V10A50W**NPN2SC50881500V10A50W**NPN2SC51321500V16A50W**NPN2SC5200230V15A150W**NPN2SC52071500V10A50W**NPN2SC52431500V15A200W**NPN2SC52441500V15A200W**NPN2SC52501000V7A100W**NPN2SC52511500V12A50W**NPN2SC52521500V15A100W**NPN2SC536F40V0.1A0.25W**NPN2SC752G40V0.2A0.2W**NPN2SC81560V0.2A0.25W**NPN2SC82845V0.05A0.25W**NPN2SC90030V0.03A0.25W*100MHZ NPN2SC94550V0.1A0.25W**NPN2SD2SD101050V0.05A0.3W**NPN 2SD10161500V7A50W**NPN2SD1025200V8A50W**NPN(达林顿) 2SD1037150V30A180W**NPN2SD1047160V12A100W**NPN2SD107850V2A20W**NPN2SD113370V4A40W**NPN2SD1138C150V2A30W**NPN2SD11421500V 3.5A50W**NPN2SD11431500V5A65W**NPN2SD1163A350V7A40W*60MHZ 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BF32430V0.26A0.25W**PNP BF458250V0.1A10W**NPN BS BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应BU（*）BU1081500V5A12.5W**NPN BU208A1500V5A12.5W**NPNBU208D1500V5A12.5W**NPNBU209A1700V5A12.5W**NPNBU25061500V7A50W**NPNBU2508700V8A125W**NPNBU2520800V10A150W**NPNBU25221500V11A150W**NPNBU25251500V12A150W**NPNBU25271500V15A150W**NPNBU25321500V15A150W**NPNBU3081500V5A12.5W**NPNBU323450V10A125W**NPN(达林顿)BU406400V7A60W**NPNBU508A1500V7.5A75W**NPNBU508A1500V8A125W**NPNBU806400V8A60W**NPNBU932R500V15A150W**NPNBUH5151500V10A80W**NPNBUS13A1000V15A175W**NPNBUS14A1000V30A250W**NPNBUT111500V5A80W**NPNBUT11A1000V5A100W**NPNBUT12A450V10A125W**NPNBUV2690V14A65W**NPNBUV28A225V10A65W**NPNBUV48A450V15A150W**NPNBUW13A1000V15A150W**NPNBUX84800V2A40W**NPNBUX98A400V30A210W**NPNBUY712200V2A40W**NPNBUZ11A50V25A75W**NMOS场效应BUZ20100V12A75W**NMOS场效应DTC DTC114ES50V0.1A0.25W**NPN DTC124ES50V0.1A0.25W**PNP IRF 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1.1A1W**NMOS场效应IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应IRFI730400V4A32W**NMOS场效应IRFI744400V4A32W**NMOS场效应IRFP05460V65A180W**NMOS场效应IRFP140100V30A150W**NMOS场效应IRFP150100V40A180W**NMOS场效应IRFP240200V19A150W**NMOS场效应IRFP250200V33A180W**NMOS场效应IRFP340400V10A150W**NMOS场效应IRFP350400V16A180W**NMOS场效应IRFP353350V14A180W**NMOS场效应IRFP440500V8A150W**NMOS场效应IRFP450500V14A180W**NMOS场效应IRFP460500V20A250W**NMOS场效应IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W**NMOS场效应IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W**PMOS场效应IRFU02050V15A42W**NMOS场效应MJ（E）MJ10012400V10A175W**NPN(达林顿) MJ10015400V50A200W**NPNMJ10016500V50A200W**NPNMJ10025850V20A250W**NPNMJ11032120V50A300W**NPNMJ11033120V50A300W**NPNMJ13333400V20A175W**NPNMJ15024400V16A250W**NPNMJ15025400V16A250W**PNPMJ295560V15A115W**PNPMJ305560V15A115W**NPNMJ450290V30A200W**PNPMJE13003400V 1.5A14W**NPNMJE13005400V4A60W**NPNMJE130071500V 2.5A60W**NPNMJE2955T60V10A75W**NPNMJE340300V0.5A20W**NPNMJE350300V0.5A20W**NPN MN MN6501500V6A80W**NPN RN RN120450V0.1A0.3W**NPN TIP TIP102100V8A2W**NPN TIP122100V8A65W**NPNTIP127100V8A65W**PNPTIP142100V10A125W**NPNTIP147100V10A125W**PNPTIP31C100V3A40W**NPNTIP32C100V3A40W**PNPTIP35C100V25A125W**NPNTIP36C100V25A125W**PNPTIP41C100V6A65W**NPNTIP42C100V6A65W**PNP UN UN411150V0.1A0.25W**PNP UN421150V0.1A0.25W**NPNUN421250V0.1A0.25W**NPNUN421350V0.1A0.25W**NPN索引晶体管型号反压Vbeo电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型。
常用场效应管和晶体管参数大全
常用场效应管和晶体管参数大全一、常用场效应管参数：1.管脚标号和功能：- Gate（栅）：控制场效应管的导通与截止状态；- Drain（漏）：负责从管子中吸引和收集载流子；- Source（源）：提供电子流和空穴流；2. 漏电流（Id）：指在栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）确定的情况下，从源极到漏极的电流值。
在截止区域，漏电流非常小，而在导通区域，漏电流较大。
3. 饱和漏源电压（Vdsat）：指在栅源电压（Vgs）确定的情况下，达到漏电流（Id）饱和状态所需的漏源电压值。
饱和状态下，增加漏源电压已无法继续提高漏电流。
4. 转导（gm）：指场效应管的输出电流（Id）与输入电压（Vgs）之间的变化率。
转导越大，场效应管的放大能力越强。
5.耗散功率（Pd）：指在工作过程中场效应管所消耗的功率。
通常需要根据该参数来选择散热器以确保器件不会过热。
6. 压降（Vgs th）：指栅极与源极之间的电压差，当超过该电压差的时候，管子开始导通。
常用作管子导通状态的判断依据。
二、常用晶体管参数：1.管脚标号和功能：-集电极（C）：负责收集电流；-基极（B）：控制集电极电流；-发射极（E）：通过向基极注入电子来产生电流。
2.负载特性：负载特性是指晶体管输出特性曲线。
负载特性能够代表晶体管放大的能力。
晶体管常用的负载特性有共发射、共基、共集三种。
3.比例系数：比例系数是指集电极电流变化与基极电流变化的比例关系。
常用的比例系数有α（电流放大系数），β（电流转移放大系数）和γ（电导放大系数）。
4. 最大漏电流（Ic max）：在给定的电压和温度下，晶体管允许通过的最大集电极电流。
超过该值将会烧毁晶体管。
5. 切换频率（ft）：指晶体管能够正常工作的最高频率。
一般来说，切换频率越高，晶体管能够承载的高频信号越多。
6. 射频放大系数（hfe）：指晶体管的电流放大倍数，也就是集电极电流与基极电流之间的比值。
以上是常用场效应管和晶体管参数的一些主要介绍，不同型号和规格的场效应管和晶体管可能还有其他一些特殊参数或性能指标。
晶体管参数解释大全
Coeo
共发射极开路输出电容
Coe
共发射极输出电容
Co
零偏压电容
Co
输出电容
Cp
并联电容（外电路参数）
Cre
共发射极反馈电容
Cs
管壳电容或封装电容
CTC
电容温度系数
CTV
电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct
总电容
IFMP
正向脉冲电流
IFRM
正向重复峰值电流
IFSM
正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF
正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
VGFM
门极正向峰值电压
VGT
门极触发电压
Vk
膝点电压（稳流二极管）
VL
极限电压
Vn(p-p)
输入端等效噪声电压峰值
Vn
中心电压
VOM
最大输出平均电压
Vop
工作电压
Vo
交流输入电压
Vp
峰值电压
VRM
反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM
反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM
反向工作峰值电压
VR
反向工作电压（反向直流电压）
Cvn
标称电容
di/dt
通态电流临界上升率
dv/dt
通态电压临界上升率
D
占空比
ESB
晶体管的分类及符号
晶体管的分类及符号
晶体管是一种重要的电子器件，常用于电子电路中的放大、开关和控制等功能。
根据结构和工作原理的不同，可以将晶体管分为以下几种常见类型：
1. NPN 晶体管：NPN 晶体管是一种双向导电的晶体管，由两个N 型半导体层夹着一个P 型半导体层构成。
其符号为三个箭头，其中两个箭头指向P 型半导体，一个箭头指向N 型半导体。
2. PNP 晶体管：PNP 晶体管也是一种双向导电的晶体管，与NPN 晶体管相比仅改变了半导体层的类型。
其符号与NPN 晶体管相比，箭头的方向相反。
3. MOSFET：MOSFET 是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的简称。
它由金属门极、氧化物绝缘层和半导体基区构成。
根据结构和工作原理的不同，MOSFET 又可以分为N 沟道型和P 沟道型两种类型。
4. JFET：JFET 是结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor）的简称。
它有N 型和P 型两种型号。
N 型JFET 的符号为一个箭头指向内部N 型层，P 型JFET 的符号为一个箭头指向内部P 型层。
这些都是晶体管中最常见的类型，每种类型的晶体管都有不同的应用场景和特点。
在电子电路设计中，正确选择和使用适当的晶体管类型非常重要。
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Diode肖特基二极管 (Schottky Diode)Symbol Para m eterV RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V R DC Blocking Voltage 反向直流电压V R(RMS)RMS Reverse Voltage 反向电压有效值I F(AV)Average Rectified Forward Current 正向平均电流Current 反向电流I R ReverseI FSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流Voltage 正向直流电压V F ForwardC j Typical Junction Capactiance 结电容Dissipation 耗散功率P D PowerT j Operating Junction Temperature 工作结温T stg Storage Temperature Range 存储温度R th(j-a)Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻Pin二极管 (Pin Diode)Symbol Para m eterV R Continuous reverse voltage 反向直流电压I F Continuous forward current 正向直流电流voltage 正向电压V F Forwardcurrent 反向电流I R Reversecapacitance 二极管电容C d dioder d diode forward resistance 二极管正向电阻P tot total power dissipation 总的功率损耗Temperature 结温T j Junctiontemperature 存储温度T stg storageTVS二极管 (TVS Diode)Symbol Para m eterI PP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流voltage 钳位电压V C ClamplingI R Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流voltage 击穿电压V(BR) BreakdownV RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V F Forwardvoltage 正向电压current 正向电流I F Forwardcurrent 测试电流I T Test可控硅(SCR)Symbol Para m eterV DRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压I T(RMS)RMS On-state current 额定通态电流I TSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流I GM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流V TM peak forward on-state voltage 通态峰值电压I GT Gate trigger current 控制极触发直流电流V GT Gate trigger voltage 控制极触发电压current 维持电流I H HoldingI DRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流I RRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流P G(AV)Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度稳压管(Three Terminal Voltage Regulator)Symbol Para m eterV I inputvoltage 输入电压Vo outputvoltage 输出电压ΔVo Loadregulation 输出调整率ΔVo Lineregulation 输入调整率Iq quiescentcurrent 偏置电流ΔIq quiescent current change 偏置电流变化量V N Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripplerejection 纹波抑制比Vd dropoutvoltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peakcurrent 峰值输出电流T opr operating junction temperature range 结温T stg storage temperature range 存储温度43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)Symbol Para m eterV KA Cathodevoltage 阴极电压I K Cathode current range(continous) 阴极电流I ref Reference input current range,continous 基准输入电流P D Powerdissipation 耗散功率R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻T opr operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度V ref Reference input voltage 基准输入电压ΔV ref(dev)Deviation of reference input voltage over fulltemperature range全温度范围内基准输入电压的偏差ΔV ref/ΔV KA Ratio of change in reference input voltage to the changein cathode voltage基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比ΔI ref(dev)Deviation of reference input current over fulltemperature range全温度范围内基准输入电流的偏差I min Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流I off Off-state cathode current 关断状态阴极电流|Z KA| Dynamicimpedance 动态阻抗普通晶体管 (T ransistor)Symbol Para m etervoltage 发射极开路,集电极-基极电压V CBO Collector-Basevoltage 基极开路,集电极-发射极电压V CEO Collector-emittervoltage 集电极开路,发射极-基极电压V EBO Emitter-basecurrent 集电极电流I C CollectorP C Collector power dissipation 集电极耗散功率temperature 结温T j JunctionT stg storagetemperature 存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压breakdownvoltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)CEO Collector-emitterV(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压I CBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流current 集电极开路,发射极-基极截止电流cut-offI EBO EmitterI CEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流h FE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值saturation voltage 集电极-发射极饱和电压V CEsat Collector-emittersaturation voltage 基极-发射极饱和电压V BEsat Base-emittervoltage 基极-发射极电压V BE Base-emitterf T Transitionfrequency 特征频率C obo Collector output capacitance 共基极输出电容C ibo Collector input capacitance 共基极输入电容figure 噪声系数F Noisetime 开通时间t on Turn-ontime 关断时间t off Turn-offtime 上升时间t r Risetime 存储时间t s Storagetime 下降时间t f Falltime 延迟时间t d Delay数字晶体管(Digital Transistor)Symbol Para m etervoltage 直流电压V CC Supplyvoltage 输入电压V IN inputcurrent 输出电流I O outputdissipation 功率损耗P D Powervoltage 输入截止电压V I(off) Input-offvoltage 输入开启电压V I(on) Input-onvoltage 输出电压V O(on) outputcurrent 输入电流I I inputcurrent 输出截止电流I O(off) outputG I DC current gain 直流增益R1 Inputresistance 输入电阻ratio 电阻率R2/R1 Resistancefrequency 传输频率f T Transitiontemperature 结温T j junctionT stg storage temperature range 存储温度voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压V CBO Collector-baseV CEO Collector-emittervoltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压V EBO Emitter-baseMOS管(MOSFET)Symbol Para m eterI D Continousdraincurrent 漏极直流电流V GS Gate-sourcevoltage 栅-源电压V DS Drain-sourcevoltage 漏-源电压E AS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻R th(j-c)Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压I GSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流I DSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流r DS(on) Drain-sourceon-resistance 漏源通态电阻g fs Forwardtransconductance 跨导V SD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降C iss Inputcapacitance 栅-源电容C oss Outputcapacitance 漏-源电容C rss Reverse transfer capacitance 反向传输电容R g Gateresistance 栅极电阻t d(on)Turn-on delay time 开通延迟时间t r Risetime 上升时间t d(off)Turn-off delay time 关断延迟时间t f Falltime 下降时间I DM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流P D Powerdissipation 耗散功率T j operating junction temperature range 结温T stg storage temperature range 存储温度。