各种二极管符号及作用

二极管参数符号及意思

半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电IDR---晶闸管断态平均重复电IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。

二极管的电路符号

二极管的电路符号
二极管是一种半导体器件，其最明显的特点是有导通和非导通两种状态，可以控制电
流的流动的方向，经常用于功能电路的控制和电路的保护。

它的电路符号主要表示两种状态，一中是N沟道型二极管的电路符号，由两个圆形的小圆形通过一条竖线连接而形成。

由于N沟道型在正向电压将通过，故该电路符号中，接地端也被称为正端，而另一端也被
称为反端或者是零端。

另一种是P沟道型二极管的电路，它由两个小圆形的圆形连接而组
成（更多的圆形比N沟道型圆形多一个），并且接地端也被称为反端，而另一端也被称为
正端。

二极管的电路符号可以大致分为几种形式：
1、国际标准二极管符号。

这种符号的形状是一个小型的三角形，三角形的底部被一
条线所平分，代表正端和负端。

内部被一条曲线所组成，表示该二极管的功耗。

2、圆形的符号。

这种符号表示的是二极管的`结构关系，它由两个小圆圈通过一条竖
线相互连接而组成，中间那条竖线即为正端，而两侧也分别为负端和零端。

3、P沟道型符号。

它由三个圆形组成成一个P型，中间那个表示反端，两边分别为正端和零端。

4、N沟道型符号。

它由两个小圆形的圆形连接而组成，右侧为正端，左侧为负端，
零端也称为反端。

以上就是关于二极管电路符号的大致介绍了，由于各种二极管都具有相同的基本原理，不同于晶体管，它只有正反两种极入，也就更容易理解它的电路符号，但实际使用过程中
也应有一定的认识，并熟练掌握个别型号二极管的电路符号。

各种二极管符号及作用

各种二极管符号及作用二极管是一种常见的电子器件，广泛应用于电路中。

它具有电流只能单向通过的特性，常用于整流、检波、稳压、开关等电路中。

下面将详细介绍各种二极管的符号及作用。

1.正向导通二极管（正向二极管）：正向导通二极管的符号为一个三角箭头指向一条直线。

它由P型半导体和N型半导体组成，P区称为阳极，N区称为阴极。

当外加正向电压时，两个半导体之间的势垒会被压低或消除，形成导电通道，电流可以顺利通过。

所以正向导通二极管主要用作整流器、放大器等电路中。

2.反向截止二极管（反向二极管）：反向截止二极管的符号为一个三角箭头指向一条直线，并且箭头与直线相连。

它同样由P型半导体和N型半导体组成，但是当外加反向电压时，两个半导体之间的势垒会增大，阻断电流流动。

所以反向截止二极管主要用作保护电路中的组件，防止过电压损坏其他器件。

3.发光二极管（LED）：发光二极管的符号与正向导通二极管相似，但在箭头顶部加了两条斜线，表示发光。

发光二极管在正向导通时会发出可见光或红外线，常用于指示灯、显示屏、数码管等场景中。

4. 齐纳二极管（Zener二极管）：齐纳二极管的符号与正向导通二极管相似，但在箭头上加了一个斜杠。

齐纳二极管是一种特殊的二极管，主要用于稳压电路中。

当反向电压达到其中一特定电压值时，齐纳二极管会出现反向击穿现象，即通过漏电流来维持固定电压输出。

因此，齐纳二极管可以用来实现稳定的电压源。

5. Schottky二极管：Schottky二极管的符号与正向导通二极管相似，但箭头底部加了一个横线。

Schottky二极管由金属与半导体的接触形成，具有快速开关速度和低导通压降的特性。

它广泛应用于高速开关电路、电源转换器、射频调制解调器等场景中。

6.多层结二极管（TPD）：多层结二极管的符号使用两个三角箭头，一个指向上方，一个指向下方，两个三角箭头之间有一个横线连接。

多层结二极管由多个PN结级联而成，可以在高电压条件下工作。

二极管物理符号

二极管物理符号摘要：1.二极管的基本概念2.二极管的物理符号3.二极管的分类及应用4.二极管的性能参数5.二极管的符号在电路中的作用正文：一、二极管的基本概念二极管（Diode）是一种最基本的电子元件，它具有两个电极，分别称为“正极”（Anode）和“负极”（Cathode）。

二极管在电子设备中有着广泛的应用，如整流、稳压、调制、开关等。

二、二极管的物理符号1.符号表示二极管的物理符号为一个直角三角形，其中一条直角边表示正极，另一条直角边表示负极。

三角形的高表示二极管的导通电压。

2.符号含义在二极管的符号中，箭头指向三角形的高，表示二极管的导通方向。

当二极管正向导通时，电流从正极流入，负极流出；当二极管反向截止时，电流几乎不流动。

三、二极管的分类及应用1.分类根据半导体材料、结构和工作原理的不同，二极管可分为以下几类：（1）硅整流二极管（Silicon Rectifier Diode，SRD）（2）锗整流二极管（Germanium Rectifier Diode，GRD）（3）快速恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）（4）超快速恢复二极管（Ultra Fast Recovery Diode，UFRD）（5）肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）2.应用（1）整流：将交流电转换为直流电（2）稳压：利用二极管的导通电压与电流之间的关系，实现稳定输出电压（3）调制：在无线电通信中，用于调整载波信号的幅度或相位（4）开关：在数字电路中，实现逻辑门的控制四、二极管的性能参数1.正向压降（Forward Voltage，Vf）2.反向漏电流（Reverse Leakage Current，Ir）3.额定电流（Rated Current，Io）4.最高工作温度（Maximum Operating Temperature，Tm）5.寿命（寿命，Ty）五、二极管的符号在电路中的作用1.识别元件在电路图中，二极管的符号有助于识别和区分不同类型的二极管。

二极管的符号、判别、参数和分类

二极管符号二极管（国标）2．半导体二极管的极性判别及选用(1) 半导体二极管的极性判别一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP1 7等。

如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。

塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。

无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。

根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R ×100或R×1k挡。

不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。

用表笔分别与二极管的两极相接，测出两个阻值。

在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的正极。

同理，在所测得较大阻值的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。

如果测得的正、反向电阻均很小，说明管子内部短路；若正、反向电阻均很大，则说明管子内部开路。

在这两种情况下，管子就不能使用了。

(2) 半导体二极管的选用通常小功率锗二极管的正向电阻值为300～500Ω，硅管为1kΩ或更大些。

锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500kΩ以上(大功率二极管的数值要大得多)。

正反向电阻差值越大越好。

点接触二极管的工作频率高，不能承受较高的电压和通过较大的电流，多用于检波、小电流整流或高频开关电路。

面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大，但适用的频率较低，多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。

选用整流二极管时，既要考虑正向电压，也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。

选用检波二极管时，要求工作频率高，正向电阻小，以保证较高的工作效率，特性曲线要好，避免引起过大的失真。

3．半导体分立元器件命名方法利用二极管单向导电的特性，常用二极管作整流器，把交流电变为直流电，即只让交流电的正半周(或负半周)通过，再用电容器滤波形成平滑的直流。

二极管符号及导通方向

二极管符号及导通方向二极管是一种电子元件，广泛应用于各种电路中。

在电路图中，二极管通常用一个特定的符号来表示。

这个符号可以帮助我们快速识别二极管，并了解其导通方向。

在本文中，我将详细介绍二极管符号及其导通方向的含义和应用。

我将从基础知识开始，逐渐深入解析，以便您能够更加全面地理解这个主题。

1. 二极管符号在电子电路图中，二极管通常用一个箭头指示器来表示。

箭头指示器的一边是斜向下的直线，另一边是一个三角形。

这个符号代表了二极管的两个电极，即正极（阳极）和负极（阴极）。

箭头指示器的直线表示二极管的正极，而箭头指示器的三角形表示二极管的负极。

2. 导通方向二极管有一个重要特性，即只允许电流在特定方向上流动，称为导通方向。

在二极管符号中，箭头指示器的直线表示二极管的导通方向。

即从直线一端进入二极管，从箭头一端出来。

具体而言，当电压施加在二极管的正极上（箭头指示器所指方向），并且电压的极性使得正极电压高于负极时，二极管导通。

在导通状态下，电流可以流过二极管，并且有一个很小的电压降。

而当反向施加电压时，即正极电压低于负极时，二极管处于截止（不导电）状态。

3. 二极管的应用二极管在电子电路中有多种应用。

其中最常见的是作为整流器使用。

整流器将交流电转换为直流电，通过利用二极管的导通和截止特性来实现。

当交流电的正半周时，二极管导通，使电流通过；而当交流电的负半周时，二极管截止，电流无法通过。

这样，交流电被转换为单向电流。

二极管还可以用作电路中的保护器。

在开关电源中，二极管被用作反向电压保护器，防止反向电压过高对电路元件造成损坏。

当反向电压超过二极管的额定值时，二极管会立即截止，保护电路中的其他元件。

4. 个人观点和理解作为一个电子爱好者，我对二极管的符号及导通方向有着深刻的理解。

二极管作为一种基本的电子元件，在各种电子设备中起到重要作用。

掌握二极管符号及其导通方向的知识，可以帮助我们快速理解电子电路图，并准确地进行电路设计和故障排除。

二极管标准符号

二极管标准符号二极管（Diode）是一种非线性电子元件，通常用于电子电路中的整流、调制、开关等功能。

为了方便人们理解和识别二极管，国际电工委员会（IEC）制定了二极管的标准符号。

本文将详细介绍二极管的标准符号及其含义。

1. 二极管的基本结构和工作原理二极管由一个正极（阳极）和一个负极（阴极）两个端子构成。

它的基本结构由P型和N型半导体材料组成，形成PN结。

当二极管处于正向偏置时，电流能够流通；而在反向偏置时，电流无法流通。

这种特性使二极管成为电流仅能单向通过的元器件。

2. 二极管的标准符号及其含义二极管的标准符号如下所示：|-----|>-----其中，“|”表示阴极，箭头“|>”表示阳极。

这个符号简洁明了，清晰地表示了二极管的结构和性质。

3. 针对不同类型的二极管的标准符号虽然标准符号适用于大多数普通二极管，但在实际应用中，根据二极管的类型和功能，还有一些特殊的标准符号。

下面是几种常见的二极管及其特殊标准符号：3.1 肖特基二极管（Schottky Diode）肖特基二极管是一种具有特殊结构的二极管，具有快速开关和低失真的特点。

其标准符号如下所示：|--|↓|--|>--这里的“↓”表示金属与P型半导体的接触点。

3.2 发光二极管（Light Emitting Diode，简称LED）发光二极管是一种将电能转换为光能的二极管。

其标准符号如下所示：|-----|>-----↑光这个符号中的箭头上面添加了一个小的垂直线段，表示发光二极管的光输出。

3.3 可变电容二极管（Varactor Diode）可变电容二极管是一种可以通过改变电场来改变其电容值的二极管。

其标准符号如下所示：|----|◎|---↑可变“◎”表示可变电容二极管的可变电容效果。

4. 结论通过本文的介绍，我们了解了二极管的标准符号及其含义。

这些标准符号可以帮助工程师和电子爱好者更容易地识别和理解二极管的类型和功能。

二极管符号大全

For personal use only in study and research; not forcommercial use二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义/tool/kbview/kid/685/cid/1二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义?CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

二极管的分类、特性及电路符号

二极管的分类、特性及电路符号
二极管是一种只允许电流由单一方向流过具有两个电极的装置，许多的使用是应用其整流的功能。

本文将会对二极管的分类、特性、电路符号进行详解。

二极管的分类1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge 管）和硅二极管（Si 管）。

2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关
二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二
极管。

1）整流二极管
将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。

2）检波二极管
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

3）开关二极管
在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

4）稳压二极管
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN 结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。

二极管符号大全

二极管符号大全图二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流; IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFTAV---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率;硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率;在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RFr---正向微分电阻;在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性;在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rsrs----串联电阻Rth----热阻Rthja----结到环境的热阻Rzru---动态电阻Rthjc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻rth---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降正向峰值电压VF---正向压降正向直流电压△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VFAV---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压反向直流电压VRM---反向峰值电压最高测试电压VBR---击穿电压Vth---阀电压门限电压VRRM---反向重复峰值电压反向浪涌电压VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压信号电压或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压稳流二极管VL---极限电压CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流; IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率。

二极管符号及参数

二极管符号及参数二极管是一种最基本的电子元件，也是半导体器件中最简单的一种。

它是由半导体材料制成的，其特点是只能允许电流在一个方向上通过。

在电气电子领域中，二极管广泛应用于电源、放大器、整流器、翻转器和波形整形等电路中。

二极管的符号通常用一个三角形和一条直线表示。

其中，直线代表二极管的P端，对应于正极，而三角形代表二极管的N端，对应于负极。

直线上方有一个箭头，它表示二极管的导通方向，即电流的流动方向，也就是正向偏置方向。

箭头指向直线端口时，代表正向导通；箭头指向三角形端口时，代表反向截止。

这种符号常见于各种电路图中，用以表示二极管在电路中的位置和方向。

二极管的参数有很多，以下是其中一些重要的参数解释：1.正向电压降（Vf）：正向电压降是指在二极管正向导通时，两端的电压降。

正常情况下，二极管导通后，其电压降一般在0.6V至0.7V之间，这个电压也被称为二极管的开启电压。

不同类型的二极管，其正向电压降可能会有所不同。

2. 反向击穿电压（Vbr）：反向击穿电压是指二极管在反向电压作用下，达到截止状态的最大电压。

如果反向电压大于击穿电压，二极管将发生击穿，电流会急剧增大。

3.正向电流（If）：正向电流是指在正向电压下，通过二极管的电流大小。

在正向导通状态下，二极管可以允许电流通过，其大小取决于电压和二极管的电流-电压关系。

4.反向电流（Ir）：反向电流是指在反向电压下，通过二极管的电流大小。

在正常情况下，二极管在反向电压下应该截止，也就是反向电流应该非常小，接近于零。

除了以上几个参数外，还有一些其他重要的参数，如最大功耗（Pd），频率响应特性（fr）、响应时间（trr）等。

这些参数对于特定应用场景下的二极管选择和设计都非常重要。

总结起来，二极管是一种具有单向导通特性的电子元件。

它的符号简单明了，通常由一个三角形和一条直线组成。

而其参数则包括正向电压降、反向击穿电压、正向电流和反向电流等。

二极管分类和符号表示

二极管分类和符号表示
二极管有多种分类方式，根据其使用的半导体材料、结构、用途等可以分成不同的类型。

以下是一些常见的分类和相应的符号表示：
1. 按所用的半导体材料：
锗二极管（Ge管），用符号Ge表示。

硅二极管（Si管），用符号Si表示。

2. 按管芯结构：
点接触型二极管，用符号D表示。

面接触型二极管，用符号S表示。

平面型二极管，用符号F表示。

3. 根据不同用途：
检波二极管，用符号D表示。

整流二极管，用符号DZ或D表示（D是整流的英文缩写）。

稳压二极管，用符号DZ或D表示。

开关二极管，用符号D表示。

隔离二极管，用符号D表示。

肖特基二极管（Schottky Diode），用符号DB或D表示。

发光二极管（LED），用符号LED或D表示。

硅功率开关二极管，用符号K或SK表示。

旋转二极管，用符号D表示。

4. 其他特殊类型：
瞬态电压抑制器（TVS），是一种固态二极管，专门用于ESD保护。

符号表示法没有统一规定，常见的是用一个类似于雪花符号的图案来表示。

光敏二极管，将光信号变成电信号，用符号GD表示。

双色发光二极管，功能同发光二极管，用符号LED或D 表示。

二极管、三极管符号

二极管、三极管符号二极管和三极管的符号通常用于电路图中，以表示这些电子元件。

以下是这些符号的一些基本形式：二极管符号：二极管在电路图中一般采用字母“D”或“VD”表示，或者在图形中用一个三角形表示，三角形的一个角指向表示正极的方向。

对于不同类型的二极管，还有一些特殊的符号或标注：发光二极管（LED）：在二极管符号的基础上，加上两个向外的箭头，表示它能发光。

光电二极管：在二极管符号的基础上，加上一个圆圈，表示它接收光信号。

稳压二极管（Zener Diode）：在二极管符号基础上，加一条横线，代表稳压值。

有时也用字母“ZD”表示。

变容二极管（Varactor Diode）：在二极管符号基础上，加上两条平行的斜线。

肖特基二极管（Schottky Diode）：在二极管符号基础上，加上一个“S”。

隧道二极管（Tunnel Diode）：在二极管符号基础上，加上一个“T”。

三极管符号：三极管在电路图中一般采用字母“Q”、“VT”或“V”表示。

它的图形符号通常包括三个电极：发射极（Emitter，用“E”表示）、基极（Base，用“B”表示）和集电极（Collector，用“C”表示）。

这三个电极在图形中通常表示为三个引脚，其中箭头指向的是发射极。

对于不同类型的三极管，还有一些特殊的标注：NPN型三极管：在三极管符号的基础上，没有特别的标注，或者标注为“NPN”。

PNP型三极管：在三极管符号的基础上，标注为“PNP”。

带阻尼二极管的三极管：在三极管符号的基础上，加上一个二极管的图形，表示它内部集成了阻尼二极管。

复合三极管：在三极管符号的基础上，加上一些其他的图形或标注，表示它具有特殊的功能或结构。

以上信息仅供参考，实际电路图中的符号可能会因不同的国家或地区、不同的设计习惯而有所差异。

因此，在阅读电路图时，最好参考相关的说明或标准。

二极管符号及参数

二极管符号及各种参数的翻译CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体二极管参数符号及其意义

半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

各种类型二极管

以下是几种常见的二极管类型：
1. 整流二极管（Rectifier diode）：用于将交流电转换为直流电，常见的整流二极管有常见的标识符号，如1N4001、1N4007等。

2. 肖特基二极管（Schottky diode）：肖特基二极管具有较快的开关速度和较低的开关电压，适用于高频电路和低功耗电路。

3. 快恢复二极管（Fast recovery diode）：这种二极管具有较快的恢复速度，适用于需要频繁开关的电路，如开关电源、PWM控制等。

4. 功率二极管（Power diode）：功率二极管具有较高的电流和较高的电压承受能力，适用于高功率电路和电源应用。

5. 发光二极管（Light-emitting diode，LED）：LED是一种发光二极管，能够将电能转换为可见光，用于指示灯、显示屏、照明等领域。

6. 齐纳二极管（Zener diode）：齐纳二极管是一种特殊的二极管，具有反向击穿特性，可以稳定地保持反向电压在一定范围内。

这些只是一些常见的二极管类型，还有其他多种特殊用途的二极管，如二极管阵列、电容二极管、光电二极管等，用于特定的应用和电路
设计。

不同类型的二极管具有不同的特性和应用场景，选择合适的二极管取决于具体的电路需求。

二极管参数符号及意义

CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管表示符号

电子元件符号
大全常用的电子元件符号
普通的二极管
表示符号:D
变容二极管
表示符号:D 双向触发二极管
表示符号:D
稳压二极管
表示符号:ZD,D
稳压二极管注：单
向型TVS瞬态电压
抑制二极管也是这
个符号表示符
号:ZD,D
桥式整流二极管
表示符号:D
肖特基二极管
隧道二极管隧道二极管
光敏二极管或光电接
收二极管发光二极管
表示符号：LED
双色发光二极管
表示符号：LED
NPN型三极管
光敏三极管或光电
接收三极管
表示符号：Q,VT
单结晶体管（双基极二
极管）新艺图库
表示符号：Q,VT
复合三极管
表示符号：Q,VT
表示符号：Q,VT
PNP型三极管
表示符号：Q,VT
PNP型三极管
表示符号：Q,VT
NPN型三极管
表示符号：Q,VT
带阻尼二极管NPN型
三极管
表示符号：Q,VT
带阻尼二极管及电
阻NPN型三极管
表示符号：Q,VT
IGBT 场效应管
表示符号：Q,VT
带阻尼二极管IGBT
场效应管
表示符号：Q,VT
双向型TVS瞬态电压
抑制二极管
838电子。

半导体二极管参数符号及其意义

半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF--- 正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（A V）---反向平均电流IR（In）--- 反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。