电子技术本科模拟试题2答案
本科期末模拟电子技术》试题与答案
图2《模拟电子技术》试题开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟一、单项选择题（10*2=20分）每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。
请将选定的答案，按答题卡的要求进行填涂。
多选、错选、不选均不得分。
1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ）A 、发射结正偏，集电结反偏B 、发射结正偏，集电结正偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ）A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ）A 、短路B 、开路C 、保留不变D 、电流源6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）A 、共射电路B 、共基电路C 、共集电路D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极管为（ ）A 、PNP 型锗三极管B 、NPN 型锗三极管C 、PNP 型硅三极管D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( )A 、大B 、小C 、恒定D 、不定10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分）1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。
模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
《模拟电子技术》模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分）一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。
2.稳压二极管正常工作......区；光电二极管正常工作...... 区；变容二极管正常工作......区；发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。
3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。
4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。
5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。
电路中的正反馈环节起.....作用；电路中的负反馈环节则起.....作用。
6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。
（本题共11小题, 每小题1分, 共11分）二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。
2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。
3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。
..）4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。
..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。
..）6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。
..）7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。
模拟电子技术试卷2附答案
考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。
A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。
GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。
A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。
A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。
A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。
A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。
该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
模拟电子技术试卷五套(含答案)
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。
华中科技大学模拟电子技术试卷二
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（ ） a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V b. 37.021BE c C i o -=⨯-=-==V R I V V A V c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ d. 5.626.1250be c i o -=⨯-=-==r R V V A V β图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （ ）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（ ）。
a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（ ）情况下容易引起自激。
a. 回路增益F A 大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（ ）。
a. 低通滤波器b. 高通滤波器c. 带通滤波器d. 带阻滤波器8. 某传感器产生的是电压信号（几乎不能提供电流），经过放大后希望输出电压与信号成正比，这时放大电路应选（ ）。
电力电子技术_201906_模拟卷2_答案
华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反面可用。
试卷与答题纸分开交）电力电子技术_201906_模拟卷2_答案一、单选题（共10题,每题2分,共20分）1. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分）A.π-α-δB.π-α+δC.π-2αD.π-2δ.★标准答案：A2. 三相全控桥，工作在有源逆变状态，则晶闸管所承受的最大正向电压为（）。
（2分）A. B. C. D..★标准答案：D3. 三相全控桥式整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向电压峰值为（其中U2为变压器二次侧相电压有效值）（）（2分）A. B. C. D..★标准答案：C4. 晶闸管的三个引出电极分别是（）（2分）A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极.★标准答案：A5. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。
（2分）A.单极性B.多极性C.三极性D.四极性.★标准答案：A6. PWM斩波电路一般采用（）。
（2分）A.定频调宽控制B.定宽调频控制C.调频调宽控制D.瞬时值控制.★标准答案：A 7. 三相半波可控电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（），设U2为变压器二次侧相电压有效值。
（2分）A. B. C. D..★标准答案：B8. 单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能受的最大正向电压为 ( ) （2分）A. B. C. D..★标准答案：C9. 单相半波可控整流带电阻性负载R电路，设变压器二次侧相电压有效值为U2，则直流电流平均值为（）（2分）A. B.C. D..★标准答案：A10. 单相半控桥式无续流二极管整流电路输出电压平均值为（），设变压器二次侧相电压有效值为U2（2分）A. B.C. D..★标准答案：A二、判断题（共10题,每题2分,共20分）1. 三相半波可控整流电路能否用于有源逆变电路中？可以。
模拟电子技术应用(二)复习题及答案.
模拟电子技术应用（二）复习题及答案1. 设图中VD 为普通硅二极管，正向压降为 0.7V ，试判断VD 是否导通，并计算U O 的值。
5V5V( a )( b )（a ）设VD 断开，求得U O ≈－0.45V ，小于硅二极管的死区电压，所以VD 截止，U O ≈－0.45V（b ）VD 导通，U O ＝2.3V2. 计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。
设二极管的正向导通压降为0.7V ，反向电流等于零。
( a )( b )（a ）V 1D -=U ，VD 截止，0D =I（b ） 2.75mA m A 37.0527.010D =⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3. 电路如图所示，VD 为理想二极管，画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线），并标明转折点坐标值。
( a )( b )( a )( b )4. 已知电路中，)V ( Sin 5i t u ω=，二极管正向压降为0.7V ，画出各电路中u O1、u O2波形，并注明其电压幅值。
uu ( a )( b )－0－5. 在如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压 U Z1＝6.3V ， VD Z2的稳定电压U Z2＝7.7V ，它们的正向导通电压U D 均为0.7V ，U I 和R 的取值合理，U I 的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。
填空： U O1＝ V ，U O2＝ V ，U O3＝ V ，U O4＝ V 。
U IU IU U O1U O2U O3U O414 ， 7， －0.7， －6.36. 从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
（A ．放大， B ．饱和 ， C ．截止 ， D ．损坏）⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V－－12V0V+2.3V( 4 )（1）C （2）A （3）C （4）B （5）D7. 从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。
电子技术II试题及答案
电子技术II一、单项选择题1.晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将( )。
A．随基极电流的增加而增加B．随基极电流的增加而减小C．与基极电流变化无关，只打算于Ucc和Rc2.NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc＝9V，UB＝0．7V，UE＝0V，则该晶体管的工作状态是( )A.饱和B．正常放大C．截止3.当环境温度上升时，半导体的电阻将( )。
A．增大B．减小C．不变4.二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于( )。
A．反偏B．正偏C．不变5.在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( )。
A．大电阻B．接通的开关C．断开的开关6.用直流电压表测量处于放大状态中的一只NPN型晶体管，各电极对地的电位分别是：U1 ＝2V，U2＝6V，U3＝2．7V，则该晶体管各脚的名称是( )。
A．1脚为C，2脚为B，3脚为EB.1脚为E，2脚为C，3脚为BC．1脚为B，2脚为E，3脚为CA.饱和状态B．放大状态C．截止状态7.随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容〔〕。
A.全部转变B.全部为1C.不确定D.保持不变8.假设要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应承受。
A.电容滤波稳压管稳压电路B. 电感滤波稳压管稳压电路C. 电容滤波串联型稳压电路D. 电感滤波串联型稳压电路9.欲使D触发器按Qn+1=n工作，应使输入D=〔〕。
A.0B.1C.QD.10.直流负反响是指( )。
A.直接耦合放大电路中所引入的负反响B．只有放大直流信号时才有的负反响C．在直流通路中的负反响11.一个8选一数据选择器的数据输入端有〔〕个。
A.1B.2C.3D.4E.812.选用差分放大电路的缘由是( )。
A.抑制温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数13.当规律函数有n个变量时，共有( )个变量取值组合？A. nB. 2nC. n2D. 2n14.以下各函数等式中无冒险现象的函数式有〔〕。
模拟电子技术习题2及答案
习题2 解答2.1 选择正确答案填入空内。
（1）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一理想电压源信号进行放大。
在连接相同负载的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB ，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（ ）倍。
A ．1B ．10C ．1.414D ．0.707（4）当负载电阻R L = 1k Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R o 为（ ）。
A ．0．25 k ΩB ．0．5 k ΩC ．1 k ΩD ．1．5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设：（5）电路如题图2.1.5所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o （ ）。
A ．R 1 B ．（1+β）R 1 C ．R 1/ 1+β D ．R 1/ β E ．0（6）差模输入信号是两个输入端信号的（ ），共模信号是两个输入端信号的（ ）。
A .差 B .和 C .平均值答案 （1）B （2）C （3）D （4）A （5）E （6）ACo s V2.2 将正确答案填入空内。
（1）在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5μA 和5 mV ，它们的相位相同；此时，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V ，则该放大电路的电压增益A v 等于 ，电流增益A i 等于 ，功率增益A p 等于 。
电力电子技术-模拟试题2-答案
哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（40分，每空1分）1. GTO的多元结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。
3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅,导通时管压降增大。
4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称为电流关断增益, 该值一般很小，只有 5 左右，这是GTO的一个主要缺点。
5. GTR导通的条件是：集电极承受正电压（NPN型）且基极施加驱动电流。
6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。
7. 电力MOSFET导通的条件是：漏源极间加正电源且在栅源极间加正电压U GS，且大于开启电压。
8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的放大区。
9.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
10.IGBT是由MOSFET 和GTR 两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是面积等效原理，即冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组等幅不等宽的脉冲（宽度按正弦规律变化）来等效一个正弦波。
12.PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM 波是等效直流波形，SPWM控制得到的是等效正弦波形。
13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称单极性控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称双极性控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用双极性控制方式。
14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的幅值可改变基波幅值；改变调制信号u r的频率可改变基波频率；15.得到PWM波形的方法一般有两种，即计算法和调制法，实际中主要采用调制法。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ）a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ） a.L m R g ' b.s m Lm 1R g R g +'-C.L m R g '- d.mL /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i为（）a. R g+(R g1//R g2)b. R g//(R g1+R g2)c. R g//R g1//R g2d. [R g+(R g1//R g2)]//(1+g m)R S7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
模拟电子技术模拟考题二及参考答案
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
全国自考(模拟、数字及电力电子技术)模拟试卷2(题后含答案及解析)
全国自考（模拟、数字及电力电子技术）模拟试卷2(题后含答案及解析)题型有：1. 单项选择题 2. 填空题 3. 分析计算题 4. 设计题单项选择题1．在某种纯净的半导体中掺入【】物质，可以形成N型半导体。
A．含四价元素的杂质B．含空穴的杂质C．三价元素镓D．五价元素磷正确答案：D解析：掺入正三价硼可以构成P型半导体；掺入正五价磷可以构成N型半导体。
2．场效应晶体管是一种【】元件。
A．电压控制电压B．电压控制电流C．电流控制电压D．电流控制电流正确答案：B解析：场效应管工作在恒流区时，漏极电流iD的大小基本上由栅源电压uGS 控制，uGS越大，iD越大，所以称场效应管为电压控制电流型器件。
3．在基本共射放大电路中，负载电阻RL增大时，输出电阻Ro将【】A．增大B．减少C．不变D．不能确定正确答案：C解析：共射极放大电路的输出电阻与负载电阻RL无关。
4．某两级放大电路中，第一级电压放大倍数为30倍，第二级电压放大倍数为40倍，则放大电路总的电压当大倍数为【】A．70B．1 200C．40D．80正确答案：B解析：多级放大电路的总的放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积。
5．已知某逻辑电路的输入、输出波形如题5图所示，该电路完成【】A．与非逻辑B．或逻辑C．异或逻辑D．或非逻辑正确答案：C解析：从图中可以看出，当输入信号A、B相同时，输出Y为0；当输入信号A、B相反时，输出Y为1，所以该电路完成的是异或关系。
6．L＝AB＋C的对偶式为【】A．L’＝A＋BCB．L’＝(A＋B)CC．L’＝A+B+CD．L’＝ABC正确答案：A解析：逻辑函数的对偶定理是求对偶式的依据。
对于函数Y，如果将表达式中所有的“与”换成“或”，“或”换成“与”，即得到原函数的对偶式。
7．只有译码器74LS138的使能端取值为【】时，才处于正常译码状态。
A．01 1B．100C．101D．010正确答案：B解析：71LS138有三个使能端，只有当着三个使能端同时有效时，芯片才能正常工作，故这三个使能端应取100时，芯片开始译码。
模拟电子技术习题2及答案
习题2 解答选择正确答案填入空内。
（1）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一理想电压源信号进行放大。
在连接相同负载的情况下，测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 （ ）。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB ，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（ ）倍。
A ．1B ．10C ．D ．（4）当负载电阻R L = 1k Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R o 为（ ）。
A ．0．25 k ΩB ．0．5 k ΩC ．1 k ΩD ．1．5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设：（5）电路如题图所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o （ ）。
A ．R 1B ．（1+β）R 1C ．R 1/ 1+βD ．R 1/ βE ．0（6）差模输入信号是两个输入端信号的（ ），共模信号是两个输入端信号的（ ）。
A.差B.和C.平均值答案 （1）B （2）C （3）D （4）A （5）E （6）AC+_osV将正确答案填入空内。
（1）在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5μA 和5 mV ，它们的相位相同；此时，输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V ，则该放大电路的电压增益A v 等于 ，电流增益A i 等于 ，功率增益Ap 等于 。
电子技术考试模拟题及答案
电子技术考试模拟题及答案一、选择题1. 下列哪种材料是半导体材料？A. 铜B. 铝C. 硅D. 铁{答案：C}2. 数字逻辑电路中，"与"运算的逻辑符号是？A. ∧B. ∨C. ¬D. →{答案：A}3. 电容器单位时间内充电和放电的次数称为？A. 频率B. 电容C. 电阻D. 电感{答案：A}4. 二极管的反向饱和电流与哪个因素有关？A. 温度B. 材料C. 正向电压D. 外加电场{答案：A}5. 运算放大器的基本工作原理是？A. 放大交流信号B. 放大直流信号C. 放大正弦信号D. 放大三角波信号{答案：A}二、填空题1. 一个完整的放大电路至少包含___、___、___和___四个基本电路元件。
{答案：电源、输入电阻、放大环节、输出电阻}2. TTL与非门在输入端全部为高电平时，输出为___。
{答案：低电平}3. 电容器的容抗与频率成___关系。
{答案：反}4. 交流稳压电源的主要作用是___。
{答案：稳定输出电压}5. JFET的三个端子分别是___、___和___。
{答案：D、G、S}三、判断题1. 稳压二极管的反向击穿电压是一定的。
（√）2. 电感器对交流信号的阻碍作用比电容器大。
（×）3. 晶体管的放大作用是由于其内部电流的变化。
（√）4. 逻辑门电路的输出电压只有高电平或低电平两种状态。
（√）5. 运算放大器只能放大正弦信号。
（×）四、简答题1. 请简述PN结的形成过程。
{答案：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的。
在接触区域，由于浓度差异，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会相互扩散，形成一个耗尽层。
在耗尽层内部，电子和空穴的数量相等，外部则分别形成了电子过剩的N区（n型区）和空穴过剩的P区（p型区）。
}2. 请解释二极管的单向导通原理。
{答案：二极管是由P型半导体和N型半导体组成的，两者的接触区域形成PN结。
当外界正向电压加在二极管上时，P端为正，N端为负，与PN结的自然正向偏压相同，使得电子容易从N区向P区流动，形成电流。
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电子技术模拟卷
一．选择：
1. (1分)P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ C ）。
(A) 带正电 (B) 带负电 (C) 不带电
2.(1分)三极管工作在放大区时，其各结之间的偏置为（ A ）。
(A) 发射结正偏，集电结反偏 (B) 发射结反偏，集电结正偏 (C) 发射结正偏，集电结正偏 (D) 发射结反偏，集电结反偏
3（1分）.运算放大器工作在饱和区时，其输出电压o u 为（A ）。
(A) 当-+>u u 时，o(sat)o U u += (B) 当-+>u u 时，o(sat)o U u -= (C) 当-+
>u u 时，V 0o =u
(D) 当-+<u u 时，V 0o =u
4.(1分)自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置，此装置之所以能输出信号是 因为（ B ）。
(A) 有外加输入信号 (B) 满足了自激振荡条件
(C) 先施加输入信号激励振荡起来，然后去掉输入信号
5.(1分) 采用差动放大电路是为了（ D ）。
(A) 稳定电压放大倍数 (B)增强带负载能力 (C) 提高输入阻抗 （D ）克服零点漂移
6. (1分) 逻辑电路如图所示，当输入A=“0”，输入B 为正弦波时，则输出F 应为 ( A )。
(A) “1”
(B) “0”
(C) 正 弦 波
&
A
F
B
7. (2分) 电压并联负反馈放大电路当负载变动时输出（ A ）比较稳定，电流串联负反馈
放大电路当负载变动时输出（ B ）比较稳定。
(A) 电压 ( B) 电流 (C) 功率 （D ）电阻
8、(1分) 已知某半导体存储器的容量为1024×4，则其具有的地址线数应为（ C ）。
(a) 4 (b) 8 (c) 10 (d) 2
9、(1分)T 型电 阻 网 络 D/A 转 换 器 是 由（ A ）组 成。
(a) T 形 电 阻 网 络 和 集 成 运 算 放 大 器 (b) T 形 电 阻 网 络 和 触 发 器 (c) T 形 电 阻 网 络 和 振 荡 器
二.在图示放大电路中，已知U CC =12V,R C = 6k Ω,R E1= 300Ω，R E2= 2.7k Ω， R B1= 60k Ω，R B2= 20k Ω, R L = 6k Ω ，晶体管β=50， U BE =0.6V, 试求: (1) 静态工作点 I B 、I C 及 U CE ； (2) 画出微变等效电路； (3) 输入电阻r i 、r o 及 A u 。
解： （1）由直流通路求静态工作点
B V
T NPN
RB1
RB2
RE1
RE2
RC
CE
UCC
C1
C2
EL ECTRO1
RL
+
+
－
Uo
三.图示电路,
写出输出电压u o和输入电压u i的关系
四.电路如图所示，±U o(sat) =±6V ，u i=10sinωt.画出输出电压u o的波形.
五.有一单相桥式整流电容滤波电路，已知交流电源频率f=50Hz，负载电阻R L= 200Ω，要求直流输出电压U o=30V，画出单相桥式整流电容滤波电路并选择整流二极管及滤波电容器。
选择整流二极管:
流过二极管的电流:
1
1
2i
1i
2
1
2
o
1o
2R
u
R
u
u
R
R
u
u
i
=
-
=
+
-
)
(
2
o
1o
4
6
o
u
u
R
R
u-
-
=
i
u
R
R
R
R
R
u
1
2
1
4
6
o
2
+
-
=
所以
A
075
.0
200
30
2
1
2
1
2
1
L
O
O
D
=
⨯
=
⨯
=
=
R
U
I
I
25V
1.2
30
2.1
O=
=
=
U
U
变压器副边电压的有效值:
二极管承受的最高反向电压:
R L C = (3--5) ⨯ T/2 取 R L C = 5 ⨯ T/2
可选用C =250μF ，耐压为50V 的电解电容器
六.图示电路,求输出电压U o
U o =11V
七. 化简逻辑函数 (1) (2)
(1) (2)
C
B A B
C A C B A C B A Y +++=D
C B A
D C B A D C B A D C B A Y +++=V
352522DRM =⨯==U U S 05.02
50
15L =⨯
=C R F 250F 10250200
0.05
05.06L μ=⨯===
-R C D
B Y =C
A C
B Y +=
八.某工厂有A、B、C三个车间和一个自备电站，站内有两台发电机G1和G2。
G1的容量是G2的两倍。
如果一个车间开工，只需G2运行即可满足要求；如果两个车间开工，只需G1运行，如果三个车间同时开工，则G1和G2均需运行。
（1）试写出G1、G2的逻辑表达式并化简
（2）画出用与非门实现的控制G1和G2运行的逻辑图。
(设：A、B、C分别表示三个车间的开工状态：开工为“1”，不开工为“0”；G1和G2运行为“1”，不运行为“0”)
1)根据逻辑要求列状态表
首先假设逻辑变量、逻辑函数取“0”、“1”的含义。
设：A、B、C分别表示三个车间的开工状态：开工为“1”，不开工为“0”；
G1和G2运行为“1”，不运行为“0”。
(1)根据逻辑要求列状态表
逻辑要求：如果一个车间开工，只需G2运行即可满足要求；如果两个车间开工，只需G1运行，如果三个车间同时开工，则G1和G2均需运行。
开工——“1”不开工——“0”运行——“1”不运行——“0”
==+=+
Y ABAB AB AB AB AB
列逻辑状态表
逻辑功能: 输入相同输出为“1”，输入相异输出为“0”，A B Y
为“同或”逻辑关系。
0 0 1
O 1 0
1 0 0
1 1 1。