BCD半导体
BCD半导体 LED照明驱动解决方案
BCD半导体 LED照明驱动解决方案 半导体 照明驱动解决方案0BCD Semiconductor Manufacturing Limited 2008 All rights reservedAgendaBCD半导体公司及产品简介 AP3766, 低功率LED驱动电源解决方案 AP3968/69/70, 二合一集成驱动电源解决方案 AP3103+4313，两级中功率驱动电源解决方案 AP1662 / 1682, 单级高功率因数 LED驱动电源解决方案 AP1681, 可调光LED驱动电源解决方案1BCD Semiconductor Manufacturing Limited 2008 All rights reservedBCD 半导体公司概况上海新进半导体制造有限公司（简称BCD半导体）是一家数模混合集成电路 制造商（IDM），从事电源管理集成电路产品的设计研发、工艺制造和销售。
BCD半导体成立于2000年9月，总部位于上海。
在上海、深圳、台湾和美国硅 谷都设有销售办事处，销售代理商遍及全球。
年销售额超过一亿美金。
BCD半导体公司现有全职员工一千多人，其中从事设计和工程的技术团队近 300余人。
BCD 半导体拥有6英寸晶圆厂，可为客户提供采用先进的模拟IC设计和研发、 以及利用高阶的生产工艺（如Bipolar、CMOS、BiCMOS 和BCDMOS等）所 制造的电源管理产品。
2BCD Semiconductor Manufacturing Limited 2008 All rights reservedBCD半导体公司的产品及应用 半导体公司的产品及应用“Performance” Linear Regulator DC/DC Converter Differentiated Power Device Computer • Mother board • Notebook • Netbook • LCD Monitors AC/DC Converter Solutions Standard Hall IC / Fan Motor Driver Communication • Handset • Bluetooth Wi-Fi, GPS • DSL RouterConsumer • LCD TVs Power Supply • Charger • Adapter • PC PowerLinear RegulatorStandard Linear• Portable Device • Lighting • Digital Photo FrameBCD半导体为应用广泛的3C产品提供完整的电源解决方案，从线性稳压IC到 开关电源控制器IC等等； 作为全球领先的电源管理解决方案供应商之一，BCD半导体长期致力于高效 节能电源IC的研究与开发。
BCD工艺
2.2BCD工艺兼容性考虑[1]BCD工艺典型器件包括低压CMOS管、高压MOS管、各种击穿电压的LDMOS、垂直NPN管、垂直PNP管、横向PNP管、肖特基二极管、阱电阻、多晶电阻、金属电阻等；有些工艺甚至还集成了EEPROM、结型场效应管JFET等器件。
由于集成了如此丰富的器件，这就给电路设计者带来极大的灵活性，可以根据应用的需要来选择最合适的器件，从而提高整个电路的性能。
由于BCD工艺中器件种类多，必须做到高压器件和低压器件的兼容；双极工艺和CMOS工艺的相兼容，尤其是要选择合适的隔离技术；为控制制造成本，必须考虑光刻版的兼容性。
考虑到器件各区的特殊要求，为减少工艺制造用的光刻版，应尽量使同种掺杂能兼容进行。
因此，需要精确的工艺模拟和巧妙的工艺设计，有时必须在性能与集成兼容性上作折中选择。
通常BCD采用双阱工艺，有的工艺会采用三阱甚至四阱工艺来制作不同击穿电压的高压器件。
2.3DMOS器件的结构、工作原理与特点[2-5]功率输出级DMOS管是此类电路的核心，往往占据整个芯片面积的1/2～2/3，它是整个集成电路的关键。
DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。
DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET （verticaldouble-diffusedMOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateraldouble-dif fusedMOSFET）。
LDMOS 由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。
LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。
这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。
注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。
BCD工艺概述
BCD工艺概述1 引言BCD是一种单片集成工艺技术。
1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，称为BCD工艺。
了解BCD工艺的特点，需要先了解双极管 bipolar，CMOS和DMOS器件这三种器件的特点，详见表1。
BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上。
它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。
更为重要的是，它集成了DMOS功率器件，DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低。
不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。
低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。
整合过的BCD工艺制程，可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。
2 BCD工艺关键技术简介2.1 BCD工艺的基本要求首先，BCD工艺必须把双极器件、CMOS器件和DMOS器件同时制作在同一芯片上，而且这三种器件在集成后应基本上能具有各自分立时所具有的良好性能；其次，BCD工艺制造出来的芯片应具有更好的综合性能；此外，相对于其中最复杂的工艺（如双阱、多层布线、多层多晶硅的CMOS工艺）不应增加太多的工艺步骤。
2.2 BCD工艺兼容性考虑[1]BCD工艺典型器件包括低压CMOS管、高压 MOS管、各种击穿电压的LDMOS、垂直NPN管、垂直PNP管、横向PNP管、肖特基二极管、阱电阻、多晶电阻、金属电阻等；有些工艺甚至还集成了EEPROM、结型场效应管JFET等器件。
由于集成了如此丰富的器件，这就给电路设计者带来极大的灵活性，可以根据应用的需要来选择最合适的器件，从而提高整个电路的性能。
由于BCD工艺中器件种类多，必须做到高压器件和低压器件的兼容；双极工艺和CMOS工艺的相兼容，尤其是要选择合适的隔离技术；为控制制造成本，必须考虑光刻版的兼容性。
bcd工艺中npn和pnp结构
bcd工艺中npn和pnp结构
在电子工艺中，npn和pnp结构是两种常见的三极晶体管结构。
1. npn结构：npn结构是指晶体管的三个层次依次排列为一层
n型材料、一层p型材料和一层n型材料。
在这种结构中，n
代表了受控区（即集电极），p代表了基区，另一层n代表了
发射区（即发射极）。
当电流通过基极时，它在发射极和集电极之间形成一个电流通路。
npn结构的晶体管常用于放大和开
关电路中。
2. pnp结构：pnp结构是指晶体管的三个层次依次排列为一层
p型材料、一层n型材料和一层p型材料。
在这种结构中，p
代表了受控区（即集电极），n代表了基区，另一层p代表了
发射区（即发射极）。
当电流通过基极时，它在集电极和发射极之间形成一个电流通路。
pnp结构的晶体管常用于放大和开
关电路中，与npn结构相比，其电流流向和电压极性相反。
总结来说，npn和pnp结构是晶体管的两种常见结构，它们在
结构上有所差异，但都用于电子器件中的放大和开关电路。
BCD工艺
耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。
更为重要的是，它集成了DMOS功率器件，DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低。
不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。
低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。
整合过的BCD工艺制程，可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。
2BCD工艺关键技术简介2.1BCD工艺的基本要求首先，BCD工艺必须把双极器件、CMOS器件和DMOS器件同时制作在同一芯片上，而且这三种器件在集成后应基本上能具有各自分立时所具有的良好性能；其次，BCD工艺制造出来的芯片应具有更好的综合性能；此外，相对于其中最复杂的工艺（如双阱、多层布线、多层多晶硅的CMOS工艺）不应增加太多的工艺步骤。
2.2BCD工艺兼容性考虑[1]BCD工艺典型器件包括低压CMOS管、高压MOS管、各种击穿电压的LDMOS、垂直NPN管、垂直PNP管、横向PNP管、肖特基二极管、阱电阻、多晶电阻、金属电阻等；有些工艺甚至还集成了EEPROM、结型场效应管JFET等器件。
由于集成了如此丰富的器件，这就给电路设计者带来极大的灵活性，可以根据应用的需要来选择最合适的器件，从而提高整个电路的性能。
由于BCD工艺中器件种类多，必须做到高压器件和低压器件的兼容；双极工艺和CMOS工艺的相兼容，尤其是要选择合适的隔离技术；为控制制造成本，必须考虑光刻版的兼容性。
考虑到器件各区的特殊要求，为减少工艺制造用的光刻版，应尽量使同种掺杂能兼容进行。
因此，需要精确的工艺模拟和巧妙的工艺设计，有时必须在性能与集成兼容性上作折中选择。
通常BCD采用双阱工艺，有的工艺会采用三阱甚至四阱工艺来制作不同击穿电压的高压器件。
2.3DMOS器件的结构、工作原理与特点[2-5]功率输出级DMOS管是此类电路的核心，往往占据整个芯片面积的1/2～2/3，它是整个集成电路的关键。
DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。
半导体材料基础_基本特性
为直接跃迁。相当于电子由价带竖直地跃迁到导带，所以也
称为垂直跃迁。对应的材料为直接带隙半导体。k = k'+ hv
间接跃迁
c
若导带底和价带顶位于k空间的不同位置，则任
何竖直跃迁所吸收的光子能量都应该比禁带宽
度大。但实验指出，引起本征吸收的最低光子
能量还是约等于Eg。
——推论：除竖直跃迁，还存在另一类跃迁过
激子吸收不会改变半导体的导 电性。
Eenx
=
1
2 r
m* m
13.6 n2 (eV )
iii) 杂质吸收
杂质可以在半导体的禁带中引入杂质能级，占据杂质 能级的电子或空穴的跃迁可以引起光吸收，这种吸收 称为杂质吸收，可以分为下面三种类型： a.吸收光子可以引起中性施主上的电子从基态到激发 态或导带的跃迁； b.中性受主上的空穴从基态到激发态或价带的跃迁； c.电离受主到电离施主间的跃迁；
自由载流子吸收也需要声子参与， 因此也是二级过程，与间接跃迁过 程类似。但这里所涉及的是载流子 在同一带内不同能级间的跃迁。
自由载流子吸收不会改变半导体的 导电性。
v) 子带间的跃迁
电子在价带或导带中子带（sub-band）之间的跃迁。 在这种情况下，吸收曲线有明显的精细结构，而不同 于由自由载流子吸收系数随波长单调增加的变化规律 。
由于杂质能级是束缚态，因而动量没有确定的值，所 以不必满足动量守恒的要求，因此跃迁几率较大。
杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长。杂质 吸收会改变半导体的导电性，也会引起光电效应。
电子在杂质能级及杂质能级与带间的跃迁
浅能级杂质：红外区 深能级杂质：可见、紫外区
iv) 自由载流子吸收
当入射光的波长较长，不足以引起 带间跃迁或形成激子时，半导体中 仍然存在光吸收，而且吸收系数随 着波长的增加而增加。这种吸收是 自由载流子在同一能带内的跃迁引 起的，称为自由载流子吸收。（准 连续、长波长段）
BCD工艺综述
BCD工艺及发展状况综述摘要：随着市场对低功耗、高效率节能功率电子产品需求的不断扩展，单芯片智能功率集成电路(SPIC）得到了迅猛发展。
目前，SPIC的制造主要采用一种称为BCD(Bipolar CMOS DMOS）的集成工艺技术，本文根据实际工艺的电压标准着重阐述了高压BCD、大功率BCD 以及高密度BCD工艺的各自特点及发展标准，同时介绍了世界知名IC制造厂商的并阐述了BCD工艺整体的发展特点及趋势.关键词:SPIC功率集成技术BCD工艺1、引言智能功率集成电路（SPIC）是指将高压功率器件及低压信号处理电路和外围接口、检测、保护等功能电路集成到单芯片上的集成电路技术.SPIC的发展依赖于目前最重要的功率集成技术——BCD工艺，BCD工艺的特点是将硅平面工艺用到功率集成上，该工艺是一种可以将双极、CMOS和DMOS器件同时集成到单芯片上的技术,1986年，由意法半导体公司率先研制成功了第一代BCD工艺，当时的技术被称为Multipower BCD technology[1]，是一种4μm 60V工艺，在传统结隔离双极工艺中整合进了纵向DMOS（VDMOS)结构，该工艺采用了12张掩膜版，其工艺截面结构如图1所示：图1 ST公司的第一代BCD工艺集成器件剖面图［1]在功率应用领域，与传统的双极功率工艺相比BCD工艺具有显著的优势，最基本的优势就是使得电路设计者可以在高精度模拟的双极器件,高集成度的CMOS器件和作为功率输出级的DMOS器件之间自由选择.由于DMOS具有高效率(低损耗)、高强度（无二次击穿）、高耐压、固有的源漏二极管的存在(作用类似续流二极管）和高速的开关特性，因此，DMOS 特别适合作为功率开关器件,而且其制造工艺可以和和硅栅CMOS制造工艺兼容，从而有利于功率集成。
整合好的BCD工艺可大幅降低功耗，提高系统性能，增加可靠性和降低成本.经过近三十年的发展，BCD工艺技术已经取得了很大进步，从第一代的4μm BCD工艺发展到了第六代0.13μm BCD工艺，线宽尺寸不断减小的同时也采用了更先进的多层金属布线系统，使得BCD工艺与纯CMOS工艺发展差距缩小；另一方面，BCD工艺向着标准化模块化发展，其基本工序标准化，混合工艺则由这些基本工序组合而成,设计人员可以根据各自的需要增减相应的工艺步骤.当今BCD工艺中的CMOS与纯CMOS完全兼容，现有的图形单元库可以直接被混合工艺电路调用。
什么是半导体制冷技术
什么是半导体制冷技术
半导体制冷技术是一种通过半导体材料来实现制冷的技术。
传统的制冷技术主
要包括压缩式制冷和吸收式制冷，而半导体制冷技术作为一种新型的制冷方式，具有独特的优势和应用前景。
工作原理
半导体制冷技术是利用半导体材料在电场作用下产生的热电效应来实现制冷的。
当半导体材料处于温差环境中，两侧形成了热电偶，施加电场时，通过Peltier效
应在两个半导体之间将热量转移，从而实现制冷效果。
这种制冷方式不需要制冷剂，无振动和噪音，具有高效、环保的特点。
应用领域
半导体制冷技术在各个领域有着广泛的应用。
在医疗行业中，可以用于冰盒、
输液冷却等应用；在电子行业中，可以用于激光器、半导体元件等的冷却；在航空航天领域，可以用于卫星的冷却等。
由于其小巧、高效、可靠的特点，半导体制冷技术被预测将在未来有更广泛的应用。
发展趋势
随着技术的不断发展，半导体制冷技术也在不断完善和拓展应用。
未来，随着
半导体材料的研究和性能的提升，半导体制冷技术有望在更多领域取代传统制冷技术，为人们的生活带来更多便利和创新。
总的来说，半导体制冷技术作为一种新型的制冷方式，具有广阔的应用前景和
发展空间。
随着科技的进步，相信半导体制冷技术将在未来得到更广泛的应用和推广。
半导体bcd工艺
半导体bcd工艺
半导体BCD工艺（Bipolar CMOS DMOS）是一种集成电路制造技术，又称基极型CMOS-DMOS（Bipolar CMOS-DMOS）工艺，它的特点是将晶体管元件的三种结构（普通的NPN型双极性晶体管，CMOS型MOSFET晶体管和DMOS型MOSFET晶体管）整合在一起，利用所有三种的优势，实现高性能、高稳定性和高集成度。
BCD工艺的原理是将NPN晶体管和保险丝（P-channel MOSFET）放在同一个平面上，而N型开关采用DMOS晶体管，将三种技术整合起来，使得电流处理能力大大提高，同时也改善了功耗性能，这样就可以实现更高的集成度，也就是可以将多个功能放到一个芯片上实现。
BCD工艺的优势在于它可以同时实现高性能、高稳定性和高集成度，而且可以有效地改善功耗和抗干扰性，这就使得BCD工艺成为目前最先进的集成电路制造技术之一。
此外，BCD工艺还具有高度可靠性，缩短了生产周期，减少了生产成本，因此被广泛应用于汽车、消费电子和通信行业等各个领域。
BCD工艺的实施需要一些复杂的工艺步骤，如氧化、光刻、蚀刻、热处理、清洗等，其中最关键的是氧化，因为氧化层的厚度决定了晶体管的性能，例如晶体管的饱和
电流、电压驱动能力等，而且氧化层的厚度还会影响晶体管的可靠性，所以氧化工艺的控制是十分重要的。
BCD工艺是现代集成电路制造技术中的一种，它将三种不同的技术有机地整合起来，使得电子元件具有更好的性能、更高的可靠性和更高的集成度，是目前最先进的集成电路制造技术之一。
华润上华发布新开发的BCD工艺平台
华润上华发布新开发的BCD工艺平台2010 年11 月15 日华润上华科技有限公司(后简称华润上华)近日发布其新近开发完成的BCD 工艺平台，同时由其持有19%股权的8 英寸生产线也推出多款新型BCD 和0.13 微米工艺平台，以满足客户在新兴半导体应用市场的需求。
华润上华致力于功率模拟IC 代工，尤其在BCD 代工方面拥有核心优势。
基于原有的BCD 工艺，华润上华开发了1.0 微米700V、0.25 微米和0.18 微米三款新型BCD 工艺平台，分别面向绿色节能产品的高电压、高效能及高集成度应用。
1.0 微米700V BCD 工艺平台是基于华润上华在AC-DC 转换器上广泛应用的1.0 微米40V BCD 工艺平台上嵌入700V DMOS 后研发而成的。
它不但保持了原有工艺简单经济的优点，同时拓展了应用范围，是绿色电源芯片最佳选择之一，其主要应用于离线电源、LED 照明驱动等AC-DC 转换电路。
与原有的0.5 微米BCD 工艺平台相比，由8 英寸生产线新开发的0.25 微米BCD 工艺平台具有更高的性价比，其功率DMOS 性能提升了30%，工艺流程更简化，使用成本更低。
该工艺平台主要面向DC-DC 转换器、AC-DC 转换器、LED 驱动、音频功放及电池保护等电源管理应用。
华润上华同时提供更多的工艺选项，能让客户弹性选择所需的器件来优化芯片设计。
随着数字电源的普及，8 英寸生产线还推出0.18 微米BCD 工艺平台。
该工艺平台将功率DMOS 嵌入0.18 微米数字平台中，保持了0.18 微米数字工艺及0.25 微米BCD 工艺原有性能，提供完整的数字标准单元库、OTP 等设计支持。
基于原有的0.18 微米工艺平台，8 英寸生产线再推出其新近研发的0.13。
BCD工艺介绍
BCD工艺概述1 引言BCD是一种单片集成工艺技术。
1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，称为BCD工艺。
了解BCD工艺的特点，需要先了解双极管 bipolar，CMOS和DMOS器件这三种器件的特点，详见表1。
BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上。
它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。
更为重要的是，它集成了DMOS功率器件，DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低。
不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。
低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。
整合过的BCD工艺制程，可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。
2 BCD工艺关键技术简介2.1 BCD工艺的基本要求首先，BCD工艺必须把双极器件、CMOS器件和DMOS器件同时制作在同一芯片上，而且这三种器件在集成后应基本上能具有各自分立时所具有的良好性能；其次，BCD工艺制造出来的芯片应具有更好的综合性能；此外，相对于其中最复杂的工艺（如双阱、多层布线、多层多晶硅的CMOS工艺）不应增加太多的工艺步骤。
2.2 BCD工艺兼容性考虑[1]BCD工艺典型器件包括低压CMOS管、高压 MOS管、各种击穿电压的LDMOS、垂直NPN管、垂直PNP管、横向PNP管、肖特基二极管、阱电阻、多晶电阻、金属电阻等；有些工艺甚至还集成了EEPROM、结型场效应管JFET等器件。
由于集成了如此丰富的器件，这就给电路设计者带来极大的灵活性，可以根据应用的需要来选择最合适的器件，从而提高整个电路的性能。
由于BCD工艺中器件种类多，必须做到高压器件和低压器件的兼容；双极工艺和CMOS工艺的相兼容，尤其是要选择合适的隔离技术；为控制制造成本，必须考虑光刻版的兼容性。
【技术】半导体制造技术半导体天地
【关键字】技术半导体制造技术-半导体天地半导体论坛1.扩散工艺的性能指标有哪些啊主要是方块电阻和结深，这两个指标达到了，其他的方面也就满足要求了多晶硅的方块电阻和结深对于生产线来说，主要监控片内和片间的均匀性和方块大小，结深测试是破坏性的仅有在开发阶段进行验证正常只要方阻和片内及片间的均与性，测试结深一般需要破坏圆片的，正常是在试验期做，批量生产时也可以利用陪片来测量。
片子的均匀性是指电阻分布的均匀性，RS测量包括49个点及9点的测量类型，均匀性就是这49个点或9点的电阻的均方差3.为什么注入的深，方块电阻小？注入菜单仅能量不一样。
谁来说说？一直没明白。
是因为注入的浅点的话，退火时外扩散，剂量损失？载流子浓度越大，电阻低。
可以想象成导线直径越大，电阻越小就是注入越深PN结就越窄以前在书上有看到过关于注入时浓度最高的地方不是在最上和最底下是在靠中间的位置，这样分析的话可能深度越深的话高的浓度越易产生吧，不敢肯定是这样有问题大家指正哈！注入相同剂量,注入能量越大,激活后纵向分布越宽广,区域浓度变淡,相应的迁移率变大,综合下来电阻变小.RS=P(resisitivity)/t(thickness) 深度增加，RS减小注入相同剂量,注入能量越大,激活后纵向分布越宽广,区域浓度变淡,相应的迁移率变大,综合下来电阻变小.例举一下吧，你扩散的越深，载流子越多，导电性越强，电阻自然会变小了4. AP和LP炉管的区别AP表示常压process,LP表示低压下processAP有reactive tube,通常gas由上至下流下經由控压至exhaustLP gas由下往上流.經由pump抽真空作process.AP制程是靠晶片本身氧化作用LP制程是GAS反映depo在晶片上.APCVD是常压CVD, 好像没有炉管可以做APCVD的，LPCVD是低压CVD,一般process时压力达到200mmtor，水平或垂直炉管都可以实现，有PUMP抽气，APC实现压力的控制AP 管主要是thermal 和氧化SI SUBSTRACE 长OX 而LP 管主要是通过反应在SI 上面长film5.氧化层厚度如何控制好?我觉得只能是试验的问题了,多试几次,保证重复性.炉管温度是能稳定得很好的,气流流量自然也能控制得比较好.每次氧化这两个量都能比较好的重复.推进和拉出的时间也要每次一致.所能做的就是降低氧化速度,这样的话控制起来会更容易一点,不过就增加了时间,高温过程时间变长是很不利的.所以就中和考虑一下,在能容忍的时间范围内尽量降低氧化速度.个人意见,不知道对不对,6.另外还有个问题,在掺杂的硅片上为什么掺B氧化层厚度与Rs成反比,而掺P的成反比!分凝系数不一样,B趋向于向氧化层混合,而P趋向于远离氧化层,至于为什么分凝系数不一样,就从材料内部Si和二氧化硅的晶格结构上解释简单说::就是长氧化层后,B有一部分会向氧化层中扩散,而P向背向氧化层扩散sio2会排磷吸硼因磷和硼分子大小不同，穿透oxide的能力不同，亦即主要穿透方式不同(P motion by vacancy ; B motion by interstitialcy)对呀,硼的分凝系数(杂质在硅中的平恒浓度/杂质在二氧化硅中的平恒浓度)m1.不过真的有正反比的关系吗7.求教:二氧化硅问题(隔离机制) 我看到一篇关于二氧化硅的材料:1,若杂质比硅更可溶于氧化物,则杂质氧化过程中会迁移到氧化物中,如硼.相反,杂质更易溶于硅,氧化界面会把杂质推移到硅中.如磷.在硅----二氧化硅界面会有较高浓度.也就是所谓的隔离机制(亲硼排磷)吧.2,杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力.请问这两者有矛盾吗?没矛盾啊,隔离主要发生在interface,而后面的扩散是指在si或者sio2内的.是呀,我问过公司前辈了.阻挡层主要是注入时的屏蔽作用.扩散隔离机制是在si或者sio2内时,才考虑分凝系数的.在Si和SiO2界面，B会向SiO2和Si两个方向扩散，但B在SiO2中的扩散系数、固溶度比P等其他元素大，所以这种分凝系数就大，在考虑浓度时就要考虑B在SiO2中扩散的那一部分，相对没有氧化层的浓度低很多。
半导体企业列表
半导体企业列表---芯片制造TSMC---台湾积体电路制造股份有限公司Taiwan Semiconductor Manufacturing Company LimitedUMC---联华电子公司United Microelectronics Coporation,SMIC---中芯国际集成电路制造股份有限公司Semiconductor Manufacturing International CorporationCSM---特许半导体制造公司Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.HHNEC---上海华虹NEC电子有限公司Shanghai Hua Hong NEC Electronics Company, Ltd.GSMC---宏力半导体制造有限公司Grace Semiconductor Manufacturing CorporationASMC---上海先进半导体制造有限公司Advanced Semiconductor Manufacturing Corp.of ShanghaiBCD---BCD半导体制造有限公司BCD Semiconductor Manufacturing LimitedBelling---上海贝岭股份有限公司Shanghai Belling Co., Ltd.HJTC---和舰科技(苏州)有限公司HeJian Technology (Suzhou) Co., Ltd.IC Spectrum-德芯电子集成电路制造有限公司IC Spectrum Co., Ltd.Hynix-ST---海力士-意法半导体有限公司Hynix-ST Semiconductor Ltd.CSWC---华润晶芯半导体有限公司China Resources Semiconductor Wafer Chips Ltd.CSMC---华润上华科技有限公司CSMC Technologies CorporationGMIC---南通绿山集成电路有限公司Nantong Green Mountain Integrated Corp., LtdSilan---杭州士兰集成电路有限公司Hangzhou silan integrated circuits Co., Ltd.SinoMOS---中纬积体电路(宁波)有限公司SinoMOS Semiconductor (Ningbo) Inc.SGNEC---首钢曰电电子有限公司Shougang NEC Electronic Co.,Ltd.TJSemi---天津中环半导体股份有限公司Tianjin Zhonghuan Semiconductor Joint-stock Co.,Ltd.Founder IC---深圳方正微电子有限公司Founder Microelectronics Inc.ACSMC---珠海南科集成电子有限公司Advanced CMOS Semiconductor Manufacturing Corp.XiY ue---西岳电子技术有限公司XiY ue Electronics Technology Co., Ltd.WXIC---武汉新芯积体电路制造有限公司[委托中芯国际集成电路制造股份有限公司(SMIC)经营管理] Intel Corporation Fab-68 (in Dalian,China)。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案(某世界500强集团)
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体制造过程中，以下哪个步骤属于光刻工艺？A. 清洗B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 刻蚀2、以下哪种半导体器件属于场效应晶体管（FET）？A. 双极型晶体管（BJT）B. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）C. 晶体管-晶体管逻辑（TTL）D. 二极管3、在半导体制造过程中，以下哪项工艺是用于制造晶体管的？A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 热处理4、在半导体芯片制造中，以下哪种缺陷检测方法主要用于检测晶体管中的漏电流问题？A. X射线检测B. 电子显微镜检测C. 荧光检测D. 原子力显微镜检测5、在半导体制造过程中，以下哪种工艺用于去除硅片表面的杂质和缺陷？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 化学机械抛光（CMP）6、在芯片设计中，以下哪种设计方法可以提高芯片的集成度和性能？A. 逻辑门级设计B. 结构级设计C. 电路级设计D. 体系级设计7、以下哪项不是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 热压焊接8、以下哪种材料不是常用的半导体绝缘材料？A. 氧化硅B. 氮化硅C. 氮化铝D. 硅9、在半导体制造过程中，以下哪种设备主要用于去除晶圆表面的杂质和缺陷？A. 化学机械抛光机（CMP）B. 刻蚀机C. 离子注入机D. 硅片清洗机 10、以下哪种半导体器件在工作时会产生电流，而电流的大小与输入电压成正比？A. 变容二极管B. 线性稳压器C. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）D. 二极管二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、封装2、以下关于芯片设计的相关术语，正确的是？（）A、CPU是中央处理单元的缩写B、GPU是图形处理单元的缩写C、FPGA是现场可编程门阵列的缩写D、ASIC是专用集成电路的缩写E、CPU的主频表示其每秒可以执行的指令数3、以下哪些技术是现代半导体制造中常用的光刻技术？（）A. 克雷顿光刻技术B. 紫外光刻技术C. 电子束光刻技术D. 纳米压印光刻技术4、在半导体制造过程中，以下哪些工艺步骤属于化学气相沉积（CVD）技术？（）A. 氧化硅的沉积B. 氮化硅的沉积C. 多晶硅的制备D. 氧化物的蚀刻5、以下哪些是半导体制造过程中常用的清洗技术？（）A. 水洗B. 氨水清洗C. 酸洗D. 离子液体清洗E. 氩气清洗6、下列哪些因素会影响半导体器件的可靠性？（）A. 材料质量B. 制造工艺C. 环境因素D. 使用条件E. 封装设计7、以下哪些是半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻机B. 干法刻蚀C. 湿法刻蚀D. 电子束光刻E. 分子束外延8、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制程工艺D. 温度控制E. 电源电压9、以下哪些是半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻胶B. 光刻机C. 电子束光刻D. 紫外线光刻E. 激光直接成像 10、在芯片设计过程中，以下哪些是常见的电路设计语言？（）A. VHDLB. VerilogC. C++D. SystemCE. SPICE三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。
半导体专业用语
金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W 塞(WPLUG)钝化层(Passivation)acceptor受主,如B,掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator 激励ADI After develop inspection 显影后检视AEI After etching inspection 蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key):对位标记Alignment排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammonium fluoride： NHFAmmonium hydroxide： NHOH Amorphous silicon：α -Si,非晶硅(不是多晶硅) amplifier 放大器AMU原子质量数Analog：模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom： A (E-m)埃AniSotrOPiC:各向异性(如POLYETCH) Antimony(Sb)睇arc chamber 起弧室ARC： anti-reflect coating 防反射层ArgOn(Ar)氢Arsenic trioxide(AsO)Ξi氧化二碎Arsenic(As)fiΨArsine(AsH)Cassette装晶片的晶舟CD： critical dimension关键性尺寸，临界尺寸Chamber反应室Chart图表Child lot 子批chiller制冷机Chip (die)晶粒Chip：碎片或芯片。
clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖(机台)Coating涂布，光阻覆盖Computer-aided design (CAD)：计算机辅助设计。
Contact Hole 接触窗Control Wafer 控片Correlation ：相关性。
半导体用途
半导体用途半导体是一种具有特殊电导性质的材料，被广泛应用于各个领域。
它的特点是在室温下的电导率介于导体和绝缘体之间，这使得半导体具有了许多独特的用途。
1. 电子器件制造半导体在电子器件制造方面应用广泛。
例如，半导体材料可以用来制造晶体管，晶体管是现代电子设备中的基本元件。
晶体管的小尺寸、低功耗和高可靠性使得它们成为各种电子设备中的关键部件，如计算机、手机、智能家居等。
2. 光电子技术半导体材料的光电特性使其在光电子技术中得到广泛应用。
例如，半导体激光器利用半导体材料的能带结构，通过注入电流来产生激光。
激光器在通信、医学、材料加工等领域发挥着重要作用。
此外，半导体材料还可以用于制造光电二极管、光电探测器等光电子元件。
3. 太阳能电池半导体材料在太阳能电池中起着关键作用。
太阳能电池利用半导体材料的光电效应将太阳能转化为电能。
常见的太阳能电池主要有硅太阳能电池和碲化镉太阳能电池。
太阳能电池的广泛应用有助于减少传统能源的使用，促进可持续能源的发展。
4. 传感器半导体材料的特性使其成为制造各种传感器的理想材料。
例如，温度传感器、压力传感器、湿度传感器等都可以使用半导体材料制造。
这些传感器在工业自动化、汽车电子、医疗设备等领域中广泛应用，为各种系统提供精确的测量和控制。
5. 功率电子器件半导体材料还被应用于功率电子器件的制造。
功率电子器件主要用于电力转换、调节和控制。
例如，整流器、逆变器、功率场效应管（MOSFET）等都是基于半导体材料的功率电子器件，它们在电力系统、电动车、电机驱动等领域中具有重要作用。
6. 生物医学应用半导体技术在生物医学领域中也有广泛应用。
例如，半导体纳米材料可以用于制造生物传感器，用于检测生物分子、细胞等。
此外，半导体材料的光电特性还可以用于生物成像、光疗等医学应用。
半导体具有广泛的用途。
它在电子器件制造、光电子技术、太阳能电池、传感器、功率电子器件和生物医学应用等领域中发挥着重要作用。
bcd是什么意思
bcd是什么意思
bcd的意思是：指BCD代码，全称是：Binary-Coded Decimal?，简称BCD，称BCD 码或二-十进制代码，亦称二进码十进数。
是一种二进制的数字编码形式，用二进制编码的十进制代码。
这种编码形式利用了四个位元来储存一个十进制的数码，使二进制和十进制之间的转换得以快捷的进行。
这种编码技巧，最常用于会计系统的设计里，因为会计制度经常需要对很长的数字串作准确的计算。
相对于一般的浮点式记数法，采用BCD码，既可保存数值的精确度，又可免却使电脑作浮点运算时所耗费的时间。
此外，对于其他需要高精确度的计算，BCD编码亦很常用。
BCD是一种单片集成工艺技术。
1986年由意法半导体(ST)公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，称为BCD 工艺。
BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上。
它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。
更为重要的是，它集成了DMOS功率器件，DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低。
不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。
低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。
整合过的BCD工艺制程，可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。
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AP3706 应用于PAR30/PAR38 (7W/10W LED)-2
1 C1 2 C2 3 C3 4 C4 5 C5 6 C6 7 C8 78 C9 9 D1 10 D2 11 D3 12 D4 13 D5 14 D6 15 D7 16 L1 17 Q1
4.7uF/400V 18 FR1
4.7uF/400V 19 R1
L6561
L6562
AP1661
11-18V
10.3-22V
10.3-20V
20V
25V
22V
±400mA +600mA/-800mA +600mA/-800mA
NO
15V
13V
0V
0V
720mV
no
yes
yes
Samples Soon
18
THD(%)
AP1661 与L6562 THD 值的对比
12 10
BCD半导体 高亮度LED驱动
1
内容介绍
q LED灯介绍 q LED驱动驱动需求与BCD驱动方案 q AC/DC LED驱动方案 q DC/DC LED驱动方案
2
各类光 效
3
灯光源的发展展望
4
LED 驱动需求
大功率LED趋势:
• LED电流(20mA 至2A)、 高效率( 60-200 lumens/W)、 亮度可调等
电流能力可达900 mA;
应用
• 6~15W的LED Lighting • PAR30\PAR38等 • 草坪灯等
22
DC/DC
LED驱动方案
23
AP3003 驱动方案应用
特点
• 输入电压最高可达40V； • 输出驱动电流可达3A； • 低功耗待机模式，IQ典型值 80µA ； • 内置限流保护和过温关断输出保护功
BCD驱动方案
LED的驱动需求
BCD的应用方案
90~264VAC的输入电压范 AP3706
围，恒流驱动，热保护温度 （1~15W）；
补偿等
AP3101+AP4313
（15W以上）
6VDC to 36VDC的输入电 压，低待隙基准以减少电流 AP3003 检测损耗；
Байду номын сангаас
2.7VDC to 5VDC的输入电 AP3605；AP3602
Output current Load voltage Settling Time
(>90%) Standby Power Dissipation
Efficiency
Turn on delay time Short Circuit Protection
Typ Typ Max Max Max
Max
Max
APT13003 / BCD TO-92: 小于5W
TO-126：大于5W
9
AP3706 应用于GU10/E27 (3W LED)-1
GU10的原理图 10
AP3706 应用于 GU10/E27 (3W LED)-2
11
AP3706 应用于PAR30/PAR38 (7W/10W LED)-1
PAR30/PAR38 原理图 12
32 R16
1.5mH
33 T
APT13003
1Ohm/1W 510K 20R 100K 300R 1.8R 2.7K 5.6M 510K 475K 4.75R 1K 300K 16K 7.5K EE16
Demo
变压器匝比及感量： • Nau 44T • Np 120T Lp=2.2mH • Nfb 14T • Ns 30T
68
66
80 100 120 140 160 180 200 220 240 260
Line Voltage (V)
效率波形
0.30
No load (Po=0W)
0.25
0.20
0.15
0.10 100 120 140 160 180 200 220 240 260
Line Voltage (V)
输入功率曲线(空载条件)
PAR30灯杯
景观灯
投射灯
柱灯
7
AP3706 / BCD
应用电路对比
高性价比 方案
前端反馈，节省 光偶，成本低
后端反馈电路 成本高、电路复杂
与匝比决定 输出电压
与匝比结合决 定输出电流
TNY264 / PI
8
1~15W LED应用电路
AP3706 / BCD
与匝比决定 输出电压
与匝比结合决 定输出电流
动；
应用
• 1~4W的LED Lighting • 射灯类
21
其他AC/DC LED Lighting产品应用---AP3710
优势
• 具备跳频能力的电流控制型IC； • 低启动\工作电流: 0.25 mA\ 0.45mA • 具有抖频技术以抑制减少EMI; • 内置短路保护\UVLO功能； • 工作频率可达60KHZ,实现E极驱动,驱动
能； • TTL控制能力(ON/OFF);
恒压到恒流的转化
应用
• 指示灯 • 矿灯 • 车载类灯等
如何降低取样电阻功耗？
24
Thanks ! Q&A
25
应用
• 恒压恒流控制 • 开关电源 • 充电器
AS358
+
AS431
AP4313
=
20
其他AC/DC LED Lighting产品应用---AP3700
优势
• 具备跳频能力的电流控制型IC； • 具有抖频技术以抑制减少EMI; • 内置短路保护\UVLO功能； • 工作频率可达60KHZ,实现E极驱
Yes, < 1W EN55015 Conduction emission
>4dB; EN55022 radiation emission >4dB; IEC 1000-4-5, Surge Immunity Test, Level 3
Vout (V)
DEMO板外观
18
15
12
9
6
85Vac
265Vac
• 采用低成本的三极管替代 MOSFET
• 采用的PFM的工作方式 • 内置的过流、过压保护功能； • 采用抖频技术抑制EMI ； • 符合绿色节能要求，空载输入功率
小于0.3W;
应用
• 灯饰、照明等 • GU10\E27等规格灯杯 • PAR30\PAR38等规格灯杯
LED日光灯
GU10灯杯
E27灯杯
8 6 4 2 0
85
120 150 180 220 240 264 277 Input voltage(V)
AP1661 的 THD 与 L6562 兼容
AP1661 L6562
19
其他AC/DC LED Lighting应用产品---AP4313
优势
• 恒压恒流控制； • 内置高精度电压基准1.21V (精度: 1%); • 封装小(SOT-23-6)，可以节省更多空间
13
AP3706 应用于 13W LED (13v/1A)-1
AC Input Voltage Rated Output current Rated Output Voltage Open Circuit Voltage Output current overshoot Output Voltage Ripple Line and load Regulation for
Max Full Load Max
EMC
Min
规格要求及技术指标
85VAC~265VAC 1A
13.2V 24V 20% ±10%
±5%
500 ms (200msec preferred)
0.3W ≥75% from 110V AC to 230V
AC ＜1s from 110V AC to 230V AC
3
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Iout (A)
输出V/I曲线图
14
AP3706 LED 应用测试报告
输出电压电流波形
（高频扫描状态） 输出电压纹波波形 （低频扫描状态）
Efficiency(%) Input Power (W)
82
80
78
76
74
4LED
72
3LED
70
2LED
1LED
17
AP1661 与 L6561/L6562 参数对比
参数 VCC Operating Range
VCC Zener Voltage Totom Pole Output Current Gate Driver Output clamp voltage Error Amplifier Enable Threshold Internal THD improvement circuit
16
AP1661 Lighting应用
特点
• 具有更强的抗ESD(3kV HBM and 300V MM)
• 低启动电流,典型值50μA; • 图腾柱式输出600mA源电流和
800mA的Sink电流能力; • 驱动能力可达300W;
应用
• 较高功率 灯饰、照明等 • 整流器;
兼容ST的 L6561/L6562
15
AP3101 LED驱动应用
特点
• 具有跳频功能的电流控制性 PWM控制IC；
• 低启动和工作电流30μA/3mA • 内置的过流、过压保护功能； • 内置同步斜率补偿功能 ； • 具有UVLO\LEB功能; • 外置可设的工作频率;