通用型贴片电容规格书(选型手册)
贴片电容规格表
贴片电容规格表贴片电容是一种重要的电子元器件，广泛应用于电子电路中。
其主要特点是尺寸小、结构简单、频率响应好、性能稳定等。
在现代电子产品中，贴片电容被广泛用于滤波、耦合、解耦和稳压等方面。
本文将对贴片电容的规格进行详细介绍，以便读者更好地了解和选择适合自己的产品。
一、贴片电容的类型贴片电容分为有极性贴片电容和无极性贴片电容两种类型。
1、有极性贴片电容有极性贴片电容在使用中必须遵循极性规定，正、负极端不能连接错误。
这种电容一般是用于直流电路中，标志有“+”号和“-”号，连接时应注意极性。
2、无极性贴片电容无极性贴片电容在使用时不分正负极，两端是等效的。
这种电容一般是用于交流电路中。
二、贴片电容的参数贴片电容的参数包括电容值、公差、额定电压和温度系数等。
1、电容值电容值是指电容器存储电荷的能力，单位为法拉（F）。
贴片电容的电容值一般用pF、nF、μF等表示，常见的有10pF、100pF、1nF、10nF、100nF等。
在使用时应选择与电路设计要求一致的电容值，注意电容值的单位。
2、公差公差是指电容器的电容值与标称值之间的允许偏差范围，它一般用百分比表示。
公差越小，电容器的性能越稳定。
一般情况下，贴片电容公差为±1%、±2%、±5%等。
在使用时应选择电容公差范围内的电容器，以确保电路的性能稳定。
3、额定电压额定电压是指电容器在设计工作条件下允许的最大电压值。
电容器的额定电压一般以其极限工作电压等级表示。
例如，50V、100V、250V等。
要选择符合要求的额定电压的电容器，以免超过额定电压而发生故障。
4、温度系数温度系数是指电容器电容值随温度变化的程度，一般用ppm/℃表示。
温度系数越小，电容器电容值随温度变化的程度越小，性能越稳定。
在使用时应选择温度系数符合要求的电容器。
三、贴片电容的尺寸贴片电容的尺寸是指电容器的外观尺寸，一般用长、宽、高来表示。
贴片电容的尺寸有标准型号和非标准型号。
各种贴片电容容值规格全参数表
各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
片式陶瓷电容规格书
Structure and Dimensions
L
T BW
W
Size Code 05 10
EIA Code 0402 0603
Dimension(mm) L 1.00 0.05 1.60 0.10 2.00 0.10 W 0.50 0.05 0.80 0.10 1.25 0.10 1.25 0.15 1.25 0.20 1.60 0.20 T 0.50 0.05 0.50+0.0/-0.1 0.80 0.10 0.85 0.10 1.25 0.10 1.25 0.15 1.25 0.20 0.60 0.10 0.85 0.15 0.85 0.10(*) 1.15 0.10 1.25 0.15 1.60 0.20 0.85 0.15 0.85 0.10(*) 0.90 0.10 1.60 0.20 1.80 0.20 2.00 0.20 2.50 0.20 2.50 0.30 2.00 0.20 3.20 0.30 3.20 0.30 Thickness Code 5 5 8 C F Q Y 6 C P F H C 9 H U I J v I L L 0.50 0.30 BW 0.2+0.15/-0.1 0.30 0.20
th
Spec(mm) 0.02 0.03 0.05 + 0.0/-0.1 0.10 0.10 0.10 0.15 0.10 0.15 0.2 0.15 * 0.10 0.15 0.10 0.10 0.15 0.20 0.15 * 0.10 0.10 0.10 0.20 0.15
Size
Code H U
0.40 0.40 0.40 0.40
2.50 2.00 3.20 5.00
0.30 0.20 0.30 0.40
贴片电容选型指南
贴片电容选型资料与使用说明MLCC（片状多层陶瓷电容）现在已经成为了电子电路最常用的元件之一。
MLCC表面看来，非常简单，可是，很多情况下，设计工程师或生产、工艺人员对MLCC的认识却有不足的地方。
以下谈谈MLCC 选择及应用上的一些问题和注意事项。
MLCC虽然是比较简单的，但是，也是失效率相对较高的一种器件。
失效率高，一方面是MLCC结构固有的可靠性问题，另外还有选型问题以及应用问题。
由于电容算是“简单”的器件，所以有的设计工程师由于不够重视，从而对MLCC的独有特性不了解。
在理想化的情况下，电容选型时，主要考虑容量及耐压两个参数就够了。
但是对于MLCC，仅仅考虑这两个参数是远远不够的。
使用MLCC，不能不了解MLCC的不同材质和这些材质对应的性能。
MLCC的材质有很多种，每种材质都有自身的独特性能特点。
不了解这些，所选用的电容就很有可能满足不了电路要求。
举例来说，MLCC常见的有C0G(也称NP0)材质，X7R材质，Y5V材质。
C0G的工作温度范围和温度系数最好，在-55°C至+125°C的工作温度范围内时温度系数为0 ±30ppm/°C。
X7R次之，在-55°C至+125°C的工作温度范围内时容量变化为±15%。
Y5V的工作温度仅为-30°C至+85°C，在这个工作温度范围内时其容量变化可达-22%至+82%。
当然，C0G、X7R、Y5V的成本也是依次减低的。
在选型时，如果对工作温度和温度系数要求很低，可以考虑用Y5V的，但是一般情况下要用X7R的，要求更高时必须选择COG的。
一般情况下，MLCC厂家都设计成使X7R、Y5V材质的电容在常温附近的容量最大，但是随着温度上升或下降，其容量都会下降。
仅仅了解上面知识的还不够。
由于C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是依次减少的，所以，同样的尺寸和耐压下，能够做出来的最大容量也是依次减少的。
最全贴片电容规格书
贴片电容的材质规格贴片电容的材质规格贴片电容(MLCC)Multilayer Ceramic Capacitor常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
上表可看出各个不同材料的温度特性一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
各种贴片电容容值规格参数表
各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表??2009-07-15 16:28 ??阅读354???评论1 ?字号：大? 中? 小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
各种贴片电容容值规格参数表
各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
电阻电容规格
Chip Resistors 贴片电阻RC系列，通用型外形尺寸：0201，0402，0603，0805，1206，1210，2010，2512额定功率：1/20W~1W阻值精度：±1％，±5％（±2％，±0.5％可选）阻值范围：0Ω（jumper），1Ω~22MΩ（±5％，±2％），100ΩΩ~2.2MΩ（±1％，±0.5％）温度系数：±100 ppm/℃~ ±200 ppm/℃最高工作电压：25VDC~200VDC最高过负荷电压：50VDC~400VDCRL系列，低阻值外形尺寸：0603，0805，1206，1210，2010，2512额定功率：1/10W~1W阻值精度：±1％，±2％，±5％阻值范围：0.01Ω~1Ω温度系数：±600 ppm/℃~ ±1500 ppm/℃RT系列，高精度，薄膜型外形尺寸：0201，0402，0603，0805，1206，1210，2010，2512额定功率：1/20W~3/4W阻值精度：±0.1％，±0.25％，±0.5％（±0.05％可选）阻值范围：10Ω~1MΩ温度系数：±25 ppm/℃~ ±50 ppm/℃（±15 ppm/℃可选）最高工作电压：15VDC~150VDC最高过负荷电压：50VDC~300VDCChip Ceramic Capacitors 贴片陶瓷电容CC系列，NPO材质外形尺寸：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1808，1812额定电压：16VDC~4000VDC电容量精度：±1％，±2％，±5％（C≥10PF）；±0.1pF,±0.25Pf,±0.5pF（C<10Pf）电容量范围：0.47pF~22nF工作温度范围：-55℃~+125℃CC 系列，X7R材质外形尺寸：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1808，1812额定电压：10VDC~2000VDC电容量精度：±5％，±10％电容量范围：100pF~4.7μF工作温度范围：-55℃~+125℃CC系列，Y5V材质外形尺寸：0402，0603，0805，1206，1210，1812额定电压：10VDC~50VDC电容量精度：+80%~-20%，±20％电容量范围：10nF~22μF工作温度范围：-25℃~+85℃Chip Ceramic Capacitor Array 贴片陶瓷电容阵列CA 系列，NPO材质基本结构：2-C，4-C外形尺寸：0405 (2x0402)，0508 (4x0402)，0612 (4x0603) 额定电压：16VDC~50VDC电容量精度：±5%，±10％电容量范围：10pF~1000pF工作温度范围：-55℃~+125℃CA 系列，X7R材质基本结构：2-C，4-C外形尺寸：0405 (2x0402)，0508 (4x0402)，0612 (4x0603) 额定电压：10VDC~50VDC电容量精度：±5%，±10％，±20％电容量范围：10pF~150nF工作温度范围：-55℃~+125℃CA 系列，Y5V材质基本结构：4-C外形尺寸：0612 (4x0603)额定电压：25VDC电容量精度：+80%~-20%电容量范围：10nF~100nF工作温度范围：-25℃~+85℃SMT Inductors 贴片电感CL系列，叠层结构，通用型外形尺寸：0603，0805，1206额定电流：5mA ~300mA电感量精度：±10％，±20％电感量范围：0.047μH ~18μH自谐振频率：17MHz ~ 320MHzCLH系列，陶瓷材料，叠层结构，高频型外形尺寸：0402，0603，0805额定电流：200mA ~500mA电感量精度：±5％，±10％(≥6.8nH)；±0.3nH（≤5.6nH）电感量范围：1nH ~470nH自谐振频率：300MHz ~ 6GHzLCN系列，陶瓷材料，绕线结构，高频型外形尺寸：0603，0805，1008额定电流：170mA ~1000mA电感量精度：±5％，±10％电感量范围：1.6nH ~4700nH自谐振频率：110MHz ~ 6GHzNL/NLC系列，绕线结构，通用型外形尺寸：0806，1008，1210，1812，2220额定电流：25mA ~2000mA电感量精度：±5％，±10％，20％电感量范围：5nH ~1000μH自谐振频率：2MHz ~ 700MHzSMT Power Inductors贴片功率电感STD 系列外形尺寸（L x W x H，单位：mm）：11.6 x 11.6 x 8.5额定电流：350mA ~3500mA电感量精度：±20％电感量范围：10μH ~1200μHSCD 系列外形尺寸（L x W x H，单位：mm）：4.0 x 4.5 x 3.2 ~ 10.5 x 7.8 x 7.0额定电流：240mA ~3800mA电感量精度：±10％，±20％电感量范围：1μH ~820μHSSL 系列外形尺寸（L x W x H，单位：mm）：6.6 x 4.45 x 2.49 ~ 18.54 x 15.24 x 7.11 额定电流：50mA ~8600mA电感量精度：±20％电感量范围：1μH ~1000μHSTDSCDSSLSB系列，通用型外形尺寸：0402，0603，0805，1206，1210，1806，1812额定电流：50mA ~600mA阻抗精度：±25％阻抗范围：6Ω~2200ΩNB系列，小电流外形尺寸：0402，0603，0805，1206额定电流：50mA ~800mA阻抗精度：±25％阻抗范围：6Ω~2200ΩGB系列，中电流外形尺寸：0603，0805，1206，1210，1806，1812额定电流：200mA ~1000mA阻抗精度：±25％阻抗范围：7Ω~2200ΩPB系列，大电流外形尺寸：0402，0603，0805，1206，1210，1806，1812额定电流：800mA ~7000mA阻抗精度：±25％阻抗范围：10Ω~1500Ω现在常用的的电阻、电容、电感、二极管都有贴片封装。
最全贴片电容规格书
贴片电容的材质规格贴片电容的材质规格贴片电容(MLCC)Multilayer Ceramic Capacitor常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
上表可看出各个不同材料的温度特性一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
各种贴片电容容值规格全参数表
各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
贴片电容容量表大全
贴片电容容量表厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
其特点是介质系数较大，介质损耗小，温度系数和范围广，一般在（+120～-5600）ppm/℃之间可调。
高频热补偿电容瓷常用来制造的负温产品，其用途最广的地方就是振荡回路，像彩电高频头。
大家知道，振荡回路都是由电感和电容构成，回路中的电感线圈一般具有正的电感温度系数。
风华通用型COG贴片电容器规格书_nscn
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【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG/COHCOG, ,-55125,030ppm/060ppm/0805CG101J500NT(PF) ( 0402 0.04 0603 0.06 0805 0.08 1206 0.12 ) 0.02 0.03 0.05 0.06 1.00 1.60 2.00 3.20 ( ) 0.50 0.80 1.25 1.60 CG CH COG NPO COH 100 101 102 10 100 1J G C B D5.00% 2.00% 0.25PF 0.10PF 0.50PF10 10 10 1026R3 100 250 5006.3V 10V 25V 50VS C N / / T BWBWTL mm L 0402 0603 0805 1206 1005 1608 2012 3216 1.00 1.60 2.00 3.20 0.05 0.10 0.20 0.30 W 0.50 0.80 1.25 1.60 0.05 0.50 0.10 0.80 0.20 0.80 1.00 1.25 0.20 0.80 1.00 1.25 T WB 0.05 0.25 0.10 0.30 0.20 0.50 0.20 0.20 0.20 0.60 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20 0.3015【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】0.80 0.20 1.00 0.20 0.50 0.80 0.20 1.00 0.20 0.600.20 0.30【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG/COH 0402 0603 0805 12066.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V0.5PF 1PF 2PF 3PF 4PF 5PF 6PF 7PF 10PF 22PF 33PF 47PF 68PF 100PF 120PF 150PF 180PF 220PF 330PF 470PF 560PF 680PF 1000PF 2200PF 2700PF 3300PF 4700PF 5600PF 6800PF 10nF 12nF 15nF 22nF 47nF 68nF 100nF17【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】04020603080512066.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50VCapacitance0.5PF 1PF 2PF 3PF 4PF 5PF 6PF 7PF 10PF 22PF 33PF 47PF 68PF 100PF 120PF 150PF 180PF 220PF 330PF 470PF 560PF 680PF 1000PF 2200PF 2700PF 3300PF 4700PF 5600PF 6800PF 10nF 12nF 15nF 22nF 47nF 68nF 100nF【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG COHPH~SLCOG PH SH SL TH RH UJCOH1-55125-55851. 2. 3. 2 4. 5. , , , , , 103 4 Cr 5PF 0.56% -4 5PF Cr 50PF 1.5 [(150/Cr)+7] 10 Cr 50PF 0.15% C C 10nF Ri 10nF Ri 5 10 Cr 500s 3 50mA 150+0/-10 8 25 9 75 235 5 2 0.5 25 60 265 10 1 25 : 1 2 100 170 120 200 1 1 2.5mm/ 24 2 5 5 5 2.5mm/ 245 24 -55 125 2 -55 85 60 510:HP4278A 1. 2. 3. (D.F.) :1.0 C : : (HP4284 25 5 0.2V 0.1MHz; 0.1KHZ ) 1000PF,1.0 :SF2511 , 60 60 1 5 :30% 75%5:C<1000PF,1.06I.R.7>3x150+0/-10 5% 0.5PF D.F. 10 I.R. 24 245【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】General COGCOHPHSL MLCC reliability test methodStandard Number Item COG COH MLCC for General-use -55 125 PH, RH, SH, TH, UJ, SL MLCC for General-use -55 85 Check by using microscope 10 . Test Method1Operating Temperature RangeAppearance21.Good ceramic body color continuity. 2.The chips have no visual damages and must be very smooth. 3.No exposed inner- electrode, no cracks or holes. 4.The outer electrode should have no cracks, holes, damages or surface oxidation. 5.Outer electrode no prolongation or the prolongation is less than half of that of the termination width.3 4 5Dimensions Capacitance Dissipation Factor (DF)Within the specified dimensions Within the specified tolerance Cr 5PF 0.56% 5PF Cr 50PF 1.5 [(150/Cr)+7] 10-4 Cr 50PF 0.15% C C 10nF Ri 10nF Ri 5 1010 Cr 500sUsing micrometer or vernier calipers Measuring Equipments:HP4278 capacitance meter,HP4284 capacitance, Measuring Conditions: 1.Measuring Temperature:25 5 .Humidity: 30% 75%. 2.Measuring Voltage:1.0 0.2V. 3.Measuring Frequency:C<1000PF 1.0 0.1MHz C 1000PF 1.0 0.1KHz Measuring Equipment:Insulation resistance meter (such as Sf2511 insulation resistance). Measuring Method:Must measure at rated voltage, and measure the IR within 60 5 seconds. Must measure at 3 times rated voltage, dwell time: 60 1 seconds, no short and the changing/discharging current less than 50mA. First, pre-heat: heat treat 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Measure the capacitance at -55 125 or -55 85 , the capacitance change ratio comparing to that of 25 must be within the specified range. Dip the capacitor into ethanol or colophony solution, and then dip it into 235 5 ( or 245 5 leadless eutedtic solder solution ) eutectic solder solution hanving lead for 2 0.5 seconds. Dipping speed: 25 2.5mm/second. First pre-heat: heat treat for 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Then pre-heat the capacitance according to the following chart. Dip the capacitor into 265 5 eutectic solder solution for 10 1 seconds. Then set it for 24 2 hours at room temperature, then measure. Dipping speed: 25 2.5mm/second. Preheat conditions: Stage 1 2 Temperature 100 170 120 200 Time 1minute 1minute6Insulation Resistance7Withstanding Voltage Capacitance Temperature Characteristic>3x rated continuous working voltage Must meet the capacitor character temperature coefficient requirements within the operating temperature range. Tin coverage should be 75% of the outer electrode Appearance Cap. Change ratio DF No defects visible 5%or 0.5PF (whichever is larger)89SolderabilityResistance to Soldering10Same as original spec Same as original specIR46【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR1 10N11 10N,10 1 :1.0mm/ 11.5mm 10 D.F. 12 55Hz 210 55Hz 10Hz 6 123 420 mm mmmm13mmmmmmmm150+0/-10 14 24 2 24 260 547【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItems Adhesive Strength of TerminationStandard No removal of the terminations or other defect shall occurTest Method Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.1 using a eutectic solder.Then apply a 10N force inthe direction shown as the arrowhead.The aoldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that an iron or using the refow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as heat shock,etc. 10N,10 1s Speed:1.0mm/s Glss epoxy resinboard11Fig.1 Vibration Resistance Appearance Capacitance No defects or abnormities Within the specified tolerance range Same as original spec12DFSolder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board). The capacitor should be subjected to a simple harmonic motion having a total amplitude of 1.5mm, the frequency being varied uniformly between the approximate limits of 10 and 55Hz, shall be traversed (from 10 Hz to 55 Hz then 10 Hz again) in approximately 1 minute.This motion shall be applied for a period of 2 hours in each 3 mutually perpendicular directions (total is 6 hours).Same i standarFif.2 Bending Resistance No cracks or other defects shall occur Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.3 using a eutectic solder. Then apply a 10N force in the direction shown as Fig.4. The soldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as mm heat shock, etc.mm13mm mm mm14Temperature CycleAppearance No defects or abnormitiesPre-treatment: Heat-treat the capacitor for 60 5minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Perform five cycles according to the four heat treatments listed in the following table. Set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.48mm【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR2.5% 0.25PF, 1 10000M 2 3 4 2 3 30 3 2 3 30 3 2 314D.F. I.R.40 290 95 24 2500+24/-05% 0.5PF, 15 ( ) D.F. I.R. 10000M40 2 500+24/-0 5% 0.5PF, 16 D.F. I.R. 10000M90 95 24 22 50mA 5% 0.5PF, 17 D.F. I.R. 10000M1000 12 24 249【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItem Temperature CycleStandard Cap. Change ratio D.F. I.R. 2.5% or 0.25 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000M Heat-treatment:Test Method14stage temperature 1 lowest opeating temperature 3 2 normal temperature 3 high operating temperature 2 4 normal temperaturetime min. 30 3 2 3 30 3 2 3Humidity Steady StateAppearance Cap. Change ratio D.F. I.R.No defects or abnormities 5% or 0.5 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000MSet the capacitor for 500+24/-0 hours at the condition of 40 2 and 90-95% humidity. Then remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.15Humidity LoadAppearance Cap. Change ratioNo defects or abnormities 5% or 0.5 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000MApply rated voltage to the capacitor for 500+24/-0 hours at the condition of 40 2 and 90-95% humidity. Remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.16D.F. I.R.Life TestAppearance Cap. Change ratioNo defects or abnormities 5% or 0.5 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000MApply two times rated voltage to the capacitor for 1000 12 hours at the upper temperature limits, the charging current should be less than 50mA. Remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.17D.F. I.R.5057-10%-5%0%5%10%COG 50VX7R 50V Z5U 50V Y5V50V010********-100%-80%-60%-40%-20%0%20%40%[Vdc]COG :1MHZ X7R,Z5U,Y5V:1KHZZ5U 50VY5V 50V X7R 50VC0G 50V0123-20%0%+20%+40%+60%^+80%COG PH RH SH TH UHCOG X7R Y5V,Z5U05010010001000010%0%-10%-20%-30%-40%[Hr]X7R20%0%[Vr ms ]COG :1MHZ X7R,Z5U,Y5V:1KHZMULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR58-5%0%5%10%-100%-80%-60%-40%-20%0%20%40%Z5U 50VY5V 50V X7R 50VC0G 50V0123-20%0%+20%+40%+60%^+80%COG X7R Y5V,Z5U05010010001000010%0%-10%-20%-30%-40%0%GENEREL-USE MLCC CHARCCTER PROFILESCapacitance change ratio DC Voltage[Vdc]Measuring condition COG :1MHzX7R,Z5U,Y5V:1KHzCOG and PHRH SH TH UH siriestemperature coefficentDC Capacitance-AC VoltageCharactericsCapacitance change_agingTime[Hr]X7R tempreture characteristicsZ5U [Vr ms ]Capacitance change ratioCapacitance change ratio Capacitance change ratio Capacitance change ratio。