第4章《自测题、习题》参考答案汇总

第4章 多级放大电路与频率响应自测题4.1填空题1．在三级放大电路中，已知u1||=50A ，u2||=80A ，u3||=25A ，则其总电压放大倍数u ||=A ，折合为 dB 。

2．一个三级放大电路，若第一级和第二级的电压增益为30dB ，第三级的电压增益为20dB ，则其总电压增益为 dB ，折合为 倍。

3．在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 。

4．在多级直接耦合放大电路中，对电路零点漂移影响最严重的一级是 ，零点漂移最大的一级是 。

5．集成运放的两个输入端分别为 和 输入端，前者输入信号的极性与输出端极性 ，后者输入信号的极性与输出端极性 。

6．某单级共射放大电路的对数幅频响应如题4.1.6图所示，则该放大电路的us1A 频率响应表达式为 ，ush A 频率响应表达式为 。

7．在题4.1.7图所示放大电路中，空载时，若增大电容1C 的容量，则中频电压放大倍数usm A 将 ，L f 将 ，H f 将 ；当b R 减小时，L f 将 。

当带上负载后，L f 将 。

8．多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都 ；级数越多则上限频率H f 越 。

9．已知RC 耦合放大电路在L f 处放大倍数为100，则在H f 处放大倍数为 ，中频区放大倍数为 。

答案：1．105，100。

2．80，104。

3．负载电阻，信号源内阻。

4．输入级，输出级。

5．同相，反相，相同，相反。

6．usl 1001j(100)A f -=-/；ush 51001j(10)A f -=+/。

7．不变，下降，不变，增大，增大。

8．窄，低。

9．100，141。

4.2选择题1．一个由相同类型管子组成的两级阻容耦合共射放大电路，前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将 。

A ．削顶失真；B ．削底失真；C ．双向失真。

2．两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级联后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数 。

A ．等于60；B ．等于900；C ．小于900；D ．大于900。

3．阻容耦合与直接耦合多级放大电路之间的主要不同是 。

A ．所放大的信号不同；B ．交流通路不同；C ．直流通路不同。

4．一个放大电路的对数幅频响应如题4.1.6图所示。

（1）中频放大倍数usm ||A 为 dB 。

A ．20；B ．40；C ．100。

（2）上限频率为 。

A ．<100 kHz ；B ．>100 kHz ；C ．100 kHz 。

（3）下限频率为 。

A ．<100 Hz ；B ．>100 Hz ；C ．100 Hz 。

（4）当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为 dB 。

A ．40；B ．37；C ．3。

5．在题 4.1.7图所示阻容耦合共射放大电路中，已知晶体管的100β=，be 1k Ωr =，负载开路。

试求：（1）若i ||10mV U =，且信号频率L f f = ，则o ||U 的数值约为 。

A ．1V ；B ．2V ；C ．1.4V ；D ．700mV 。

（2）当L f f =时，o U 与i U 的相位关系为 。

A ．o 45；B ．o 45-；C ．o 225-；D ．o 135-。

（3）高频信号输入时放大倍数下降，主要的原因是 。

A ．1C 和2C ；B ．晶体管的非线性；C ．晶体管的极间电容和分布电容。

6．在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号为正弦波，则输出信号 。

A ．会产生线性失真；B ．会产生非线性失真；C ．为非正弦波；D ．为正弦波。

7．如图2.4.4（a ）所示的分压式工作点稳定共射基本放大电路，当射极旁路电容为47µF ，晶体管的结电容为12pF 时，测得下限频率为50Hz ，上限频率为20kHz 。

现将射极旁路电容换为100µF ，管子换为结电容为5pF 的晶体管，此时的下限频率将 50Hz ，上限频率将 20kHz 。

A ．大于；B ．等于；C ．小于。

8．具有相同参数的两级放大电路，在组成其各个单管的截止频率处，幅值下降 。

A ．3dB ； B ．6dB ；C ．20dB ；D ．9dB 。

9．多级放大电路放大倍数的波特图是 。

A ．各级波特图的叠加；B ．各级波特图的乘积；C ．各级波特图中通频带最窄者；D ．各级波特图中通频带最宽者。

答案：1．C 。

2．C 。

3．A 、C 。

4．（1）B ；（2）C ；（3）C ；（4）B 。

5．（1）C ；（2）D ；（3）C 。

6．D 。

7．C 、A 。

8．B 。

9．A 。

4.3判断题1．在多级直流放大电路中，减小每一级的零点漂移都具有同等的意义。

（ ）2．阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。

（ ）3．直接耦合放大电路的温漂很小，所以应用很广泛。

（ ）4．晶体管的共射截止频率βf 、特征频率f T 、共基截止频率αf 三者满足βT αf f f >>。

（ ） 5．在集成电路中制造大电容很困难，因此阻容耦合方式在线性集成电路中几乎无法采用。

（ ）6．阻容耦合放大电路中的耦合电容、旁路电容越多，低频特性越差，下限频率越高。

（ ）7．阻容耦合放大电路的电路参数确定后，其电压放大倍数是不随频率变化的固定值。

（ ）8．在要求L f 很低的场合，可以采用直接耦合方式。

（ ）9．对题4.1.7图所示的基本放大电路，增大电容C 1、C 2将有利于高频信号通过，即可提高上限频率H f 。

（ ）答案：2、5、6、8对；1、3、4、7、9错。

习题4.1在题4.1图所示的两级放大电路中，已知BE 0.7V U =，50β=，bb 100Ωr '=，CC 15V V =，e15k ΩR =，b1133k ΩR =，b1220k ΩR =，c15k ΩR =，b2200k ΩR =，e2L 2k ΩR R ==。

（1）求两级的静态工作点；（2）计算输入电阻i R 和输出电阻o R ；（3）计算中频电压放大倍数um A 。

解：（1）第一级共基放大电路的Q 点参数为：b12B1CC b11b122015 5.66V 3320R U V R R ≈=⨯≈++， B1BEQ CQ1EQ1e1 5.660.70.99mA 5U U I I R --≈==≈，CQ1BQ110.99mA 19.8A 50I I β≈==μ， CEQ1CC CQ1c1e1()150.99(55) 5.1V U V I R R ≈-+=-⨯+=。

第二级共集放大电路的Q 点参数为：CC BEQBQ2b22e2150.747.35A (1)200512V U I R βR --==≈μ+++⨯， CQ22BQ2500.04735 2.37mA I βI ≈=⨯≈，CEQ2CC CQ2e215 2.37210.26V U V I R ≈-=-⨯=。

（2）be12610051 1.44k Ω0.99r =+⨯≈，be226100510.66k Ω2.37r =+⨯≈， be1i e11 1.44//5//27.84Ω1+51r R R β==≈ be2b2c1o e22//0.66200//5//2//104.27Ω1+51r R R R R β++==≈（3）i2b2be22e2L //[(1+)(//)]200//[0.6651(2//2)]41.06k ΩR R r βR R =+=+⨯≈ c1i2um11be1//5//41.0650154.761.44R R A βr ==⨯≈ 2e2L um2be22e2L (1)(//)51(2//2)0.99(1)(//)0.6651(2//2)βR R A r βR R +⨯==≈+++⨯ um um1um2154.760.99153.21A A A =⨯=⨯≈4.2在题 4.2图所示的两级放大电路中，已知场效应管的跨导m 1mS g =，DSS 2mA I =；晶体管的60β=，be 0.5k Ωr =，BE 0.7V U =；并且1 5.1M ΩR =，25k ΩR =，320k ΩR =，45k ΩR =，50.7k ΩR =，60.62k ΩR =，L 10k ΩR =，DD 28V V =。

试求（1）两级的静态工作点；（2）中频电压放大倍数um A 、输入电阻i R 和输出电阻o R 。

解：（1）因为T 1管的GS 0V U =，所以DQ DSS 2mA I I ==DSQ DD DQ 2282518V U V I R =-=-⨯= 4B2DD 34528 5.6V 205R U V R R ≈=⨯=++ B2BEQ CQ EQ 6 5.60.77.9mA 0.62U U I I R --≈==≈ CQBQ 7.90.13mA 60I I β≈=≈ CE DD CQ 56()287.9(0.70.62)17.57V U V I R R ≈-+=-⨯+≈（2）um1m Lm 234be2(//////)A g R g R R R r '=-=- 33110(5//20//5//0.5)100.41-=-⨯⨯⨯≈-5L um2be2(//)60(0.7//10)78.50.5βR R A r ⨯=-=-≈- um um1um20.41(78.5)32.19A A A =⋅=-⨯-≈i 1 5.1M ΩR R ==o 50.7k ΩR R ≈=4.3 两级放大电路如题 4.3图所示，已知1T 管的m 0.6mA V g =/，2T 管的be 1k Ωr =，100β=；s 10k ΩR =，g 1M ΩR =，g1g2200k ΩR R ==，d110k ΩR =，f 1k ΩR =，c 2k ΩR =，L 20k ΩR =。

试求（1）电路的i R 和o R ；（2）中频电压放大倍数um A 及源电压放大倍数usm A 。

解：（1）3i g g1g2//110200//200 1.1M ΩR R R R =+=⨯+=；o c 2k ΩR R ≈=（2）m d1be um1m f (//)0.6(10//1)0.341+10.61g R r A g R ⨯=-=-≈-+⨯ c L um2be (//)100(2//20)181.821βR R A r ⨯=-=-≈- um um1um20.34(181.82)61.82A A A =⋅=-⨯-≈i usm um 3i s 1.161.8261.261.11010R A A R R -==⨯≈++⨯4.4两级放大电路如题4.4图所示，已知两只晶体的80β=，bb 200Ωr '=，BE10.7V U =，BE20.2V U =-；b140k ΩR =，b220k ΩR =，c12k ΩR =，e1 3.3k ΩR =，e21k ΩR =，c23k ΩR =，L 6k ΩR =，CC 12V V =。