普通光耦高速通信TLP521用于115200bps
TLP521-4中文资料(光电耦合器 电流不大)
V
集电极发射极电压
Emitter−collector voltage
VECO
7
V
发射极集电极电压
接收侧
Collector current 集电极
IC
50
mA
电流
Collector power
dissipation (1 circuit) 集 PC
150
100
mW
电极功耗
Collector power dissipation
Characteristic 参数
Min Typ Max Unit
Symbol Test Condition 测试
最典最 单
符号
条件
小型大 位
50
— 600
Current transfer ratio 经常转移
IF=5mA, VCE =5V
IC/IF
%
的比率
Rank GB
100 — 600
Saturated CTR 饱和率
Characteristic 参数
Symbol 符号
Rating 数值
TLP521−1
TLP521−2 TLP521−4
Uni t 单位
Forward current 正向电流 IF
70
50
mA
Forward current derating 正向电流减率
ΔIF/ ℃
−0.93(Ta ≥50℃)
−0.5(Ta≥25 ℃)
−55~100
Lead soldering temperature 无铅焊接温度
Tsol
260 (10 s)
Total package power dissipation 整体功耗
tlp521驱动_应用电路_光耦参数
High Isolation V oltage (5.3kV RMS ,7.5kV PK ) High BV CEO ( 55Vmin ) TLP521GB, TLP521-2GB, TLP521-4GB, TLP521, TLP521-2, TLP521-4 TLP521XGB, TLP521-2XGB, TLP521-4XGB TLP521X, TLP521-2X, TLP521-4XHIGH DENSITY MOUNTINGPHOTOTRANSISTOROPTICALLY COUPLED ISOLATORS APPROVALS● UL recognised, File No. E91231TLP5212.54Dimensions in mm'X'SPECIFICATIONAPPROVALS ● VDE 0884 in 3 available lead form : -- STD - G form1.27.0 6.01 24 3- SMD approved to CECC 00802●BSI approved - Certificate No. 80015.08 4.084.0 3.0 7.62DESCRIPTION0.513° MaxThe TLP521, TLP521-2, TLP521-4 series of optically coupled isolators consist of infrared light emitting diodes and NPN silicon photo transistors in space efficient dual in line plastic packages.3.0 TLP521-20.52.543.350.261 82 7 FEATURES ● Options :-7.0 6.03 46 510mm lead spread - add G after part no. Surface mount - add SM after part no. Tape&reel - add SMT&R after part no. ● High Current Transfer Ratio ( 50% min) ● ● ● All electrical parameters 100% tested ● Custom electrical selections availableAPPLICATIONS ● Computer terminals 1.23.0TLP521-410.16 9.160.54.0 3.0 3.350.57.620.261 213° Max16 15● Industrial systems controllers 314 ● Measuring instruments ● Signal transmission between systems ofdifferent potentials and impedances2.547.0 4 13 5 12 6 11OPTION SM SURFACE MOUNTOPTION G7.621.26.07 810 920.32 19.324.0 3.07.620.6 0.1 1.25 0.7510.46 9.860.26 10.160.5 3.350.50.2613° Max7/ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (25°C unless otherwise specified)INPUT DIODEForward Current 50mA Reverse Voltage 6V Power Dissipation70mWOUTPUT TRANSISTORCollector-emitter Voltage BV CEO 55V Emitter-collector Voltage BV ECO 6V Power Dissipation150mWPOWER DISSIPATIONTotal Power Dissipation200mW(derate linearly 2.67mW/°C above 25°C)Note 1 Measured with input leads shorted together and output leads shorted together. Note 2Special Selections are available on request. Please consult the factory.7/4/03DB92546m-AAS/A3C o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )F o r w a r d c u r r e n t I F (m A )C u r r e n t t r a n s f e r r a t i o C T R (%)C o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i o n v o l t a g e V C E (S A T )(V )Collector Power Dissipation vs. Ambient TemperatureCollector Current vs. Low Collector-emitter Voltage20015010050252015105T A = 25°C50 40 30 20 10 5I F = 2mA-30 0 25 5075 100 125Ambient temperature T A ( °C )Forward Current vs. Ambient Temperature0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0Collector-emitter voltage V CE ( V )Collector Current vs. Collector-emitter Voltage605050T A = 25°C5040 40 30 2015302010 30201010I F = 5mA0.28-30 0 25 50 75 100 125 Ambient temperature T A ( °C ) Collector-emitter Saturation Voltage vs. Ambient Temperature0 2 4 6 8 10 Collector-emitter voltage V CE ( V )Current Transfer Ratio vs. Forward Current 320 0.240.200.16280 240200 160 0.12 120 0.080.04 80 407/4/03-30 0 25 50 75 100Ambient temperature T A ( °C )125102050Forward current I F (mA)DB92546m-AAS/A3万联芯城专为客户提供电子元器件配单业务，一站式采购电子元器件就上万联芯城，质量保证，价格优势，原装现货，库存充足，客户只需要提交BOM表，商城客服即可为您报价，满足客户的物料需求，解决客户的采购烦恼，为客户节省采购成本点击查看完整版PDF数据手册：tlp521。
TLP521中文资料
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图：应用电路：图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C∙扇出（驱动）能力： (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多∙HC Types- 工作电压：2V到6V- 高抗扰度: N IL = 30%, N IH= 30% of V CC at V CC = 5V∙HCT Types- 工作电压：4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, V IL= 0.8V (Max), V IH = 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, I l1μA at V OL, V O该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。
(整理)TLP521中文资料.
摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。
文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。
关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。
近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。
1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。
光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。
1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。
它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
经典光耦数据手册TLP521
0
2
4
6
8
10
Collector-emitter voltage VCE ( V ) Current Transfer Ratio vs. Forward Current 320 280 240 200 160 120 80 40 0 1 2 5 10 20 50 Forward current IF (mA)
7/4/03
DB92546m-AAS/A3
Collector Power Dissipation vs. Ambient Temperature 200 Collector power dissipation PC (mW) 25 Collector current IC (mA) 150 20 15 10 5 0 -30 0 25 50 75 100 125 0
l
TLP521
2.54 7.0 6.0 1.2 5.08 4.08 1 2
Dimensions in mm
4 3
BSI approved - Certificate No. 8001
4.0 3.0 0.5
7.62 13° Max 0.26
DESCRIPTION The TLP521, TLP521-2, TLP521-4 series of optically coupled isolators consist of infrared light emitting diodes and NPN silicon photo transistors in space efficient dual in line plastic packages. FEATURES l Options :10mm lead spread - add G after part no. Surface mount - add SM after part no. Tape&reel - add SMT&R after part no. l High Current Transfer Ratio ( 50% min) l High Isolation Voltage (5.3kVRMS ,7.5kVPK ) l High BVCEO ( 55Vmin ) l All electrical parameters 100% tested l Custom electrical selections available APPLICATIONS l Computer terminals l Industrial systems controllers l Measuring instruments l Signal transmission between systems of different potentials and impedances
TL431及TLP521的光耦反馈电路几种连接方式及其工作原理
在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。
但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。
而且在很多场合下，由于对光耦的工作原理理解不够深入，光耦接法混乱，往往导致电路不能正常工作。
本研究将详细分析光耦工作原理，并针对光耦反馈的几种典型接法加以对比研究。
1 常见的几种连接方式及其工作原理常用于反馈的光耦型号有TLP521、PC817等。
这里以TLP521为例，介绍这类光耦的特性。
TLP521的原边相当于一个发光二极管，原边电流If越大，光强越强，副边三极管的电流Ic越大。
副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比值称为光耦的电流放大系数，该系数随温度变化而变化，且受温度影响较大。
作反馈用的光耦正是利用“原边电流变化将导致副边电流变化”来实现反馈，因此在环境温度变化剧烈的场合，由于放大系数的温漂比较大，应尽量不通过光耦实现反馈。
此外，使用这类光耦必须注意设计外围参数，使其工作在比较宽的线性带内，否则电路对运行参数的敏感度太强，不利于电路的稳定工作。
通常选择TL431结合TLP521进行反馈。
这时，TL431的工作原理相当于一个内部基准为2.5 V的电压误差放大器，所以在其1脚与3脚之间，要接补偿网络。
常见的光耦反馈第1种接法，如图1所示。
图中，Vo为输出电压，Vd为芯片的供电电压。
信号接芯片的误差放大器输出脚，或者把PWM 芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式，信号则接到其对应的同相端引脚。
注意左边的地为输出电压地，右边的地为芯片供电电压地，两者之间用光耦隔离。
图1所示接法的工作原理如下：当输出电压升高时，TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压上升，3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降，光耦TLP521的原边电流If增大，光耦的另一端输出电流Ic增大，电阻R4上的电压降增大，引脚电压下降，占空比减小，输出电压减小；反之，当输出电压降低时，调节过程类似。
卓 睿 CYTLP521 可控制光电藕合器件说明书
概述CYTLP521是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
四引脚封装，三种形式（DIP 、DIP-M 、SMD ）特性∙ 电流转换比 (CTR)范围: 50~600% （I F =5mA ,V CE =5V ） ∙ 输入-输出隔离电压 (Viso=5000 Vrms) ∙ 集电极-发射极击穿电压BV CEO ≥80V ∙ UL 和cUL 认证（NO.:E497745） ∙符合EU REACH 和RoHSApplications光电特性 (Ta=25 C)Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit 正向电压 V F1 I F =10mA 1.0 - 1.3 V 正向电压V F2 I F =20mA 1.1 - 1.4 V 反向电流 I R V R =5V - - 10 µA 输入终端电容 C t V=0, f=1kHz - 30 250 pF 集电极暗电流I CEO V CE =50V - - 100 nA 集电极-发射极击穿电压 BV CEO I C =0.1mA, I F =0 80 - - V 输出发射极-集电极击穿电压 BV ECO I E =10µA, I F =0 7 - - V 电流转换比 CTR I F =5mA, V CE =5V 130 - 600 % 隔离电阻V CE(sat) I F =2mA, I C =5mA - 0.25 0.8 V 集电极-发射极饱和压降 R ISO DC500V, 40~60%R.H. 1x1012 - - Ω 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF 传输特性截止频率 Fc V CE =5V, I C =2mA, R L =100Ω, -3dB - 80 - kHz 上升时间 Tr - 2 - µs 下降时间 Tf - 3 - µs 开启时间Ton - 3 - µs 关断时间 Toff V CE =10V, I C =2mA,R L =100Ω- 3 - µs 开启时间 Ton - 2 - µs 存储时间Ts - 15 - µs 开关时间关断时间ToffR L = 1.9 kΩV CC = 5 V, I F = 16 mA-25-µs* CTR=I C /I F x 100%CTR 分级表电流转换率(%)(I C /I F )IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C 型号 分级标准MinMax标志分类A 50 600 Rank Y50 150 Rank GR 100 300 Rank BL 200 600 CYTLP521 Rank GB100600外形尺寸回流焊温度曲线图T e m p e r a t u r e ()℃25℃包装■ 汇总表 封装形式 包装方式 盘/管 数量 盒数量 箱数量静电袋 盒规格 箱规格备注SMD-4 卷盘 (ϕ330m 蓝盘)2千只/盘 2 盘/盒 10 盒 /箱 380*380mm 340*60*340mm 620*360*365mm 首尾端空至少200mm min. DIP-4 管装(500*12*11mm) 100只 /管 60 管/盒 6 盒 /箱NA 525*128*56mm 535*275*300 mm DIP-4(M)管装 (500*13*11mm)100只 /管60 管/盒 6盒 /箱 NA525*136*58mm 535*295*310 mm■ DIP-4 条管包装1) 每箱数量：36000只 2) 内包装：i. 每条管100 只，采用防静电条管，条管上有商标、防静电标志。
(完整版)TPL521中文资料 光耦
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）经常转移的比例：50 ％（最小）隔离电压：2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Characteristic 参数Symbol符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2TLP521−4LED Forward current 正向电流IF70 50 mA Forward current derating 正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj125 ℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55 V Emitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7 V Collector current 集电极电流IC50 mA注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
(Note): Application type name for certification test, please use standard producttype name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2。
p521光耦参数
p521光耦参数P521光耦是一种用于连接不同电子设备的光耦，是一种光学性能优异的元件，在汽车、通信设备和消费电子产品中应用广泛，能够传输高速数据。
P521光耦是一种外壳和外壳尺寸相同，内部由相干光发射器和接收器组成的光电耦合器，主要由前端电路板、后端电路板、支架以及连接支架等组成，其中前端电路板由激光光源、TOSA/ROSA/TOD、滤波器等构成，而后端电路板由APD、放大器、光电耦合器等构成。
这种结构使得P521光耦具有良好的阻抗匹配性，稳定的电压和电流，并且具有较强的抗电磁干扰能力，此外，其封装结构防水性好，可用于恶劣环境中，非常适用于汽车、通信设备和消费电子设备中的应用。
P521光耦参数分包括常规参数和主要参数，其中常规参数包括：发射器工作电压、接收器工作电压、发射器发射电流、接收器接收电流、发射器输出功率、频率特性以及输入阻抗、输出阻抗等；主要参数则包括：输入端真实光功率、输出端真实光功率、噪声比、调制带宽、回传响应时间、温度特性和抗电磁干扰能力等。
根据现有的行业标准，P521光耦要求其发射器最大输出功率必须大于或等于3dBm，接收器最大接收电流要求大于或等于20mA，除此之外，还需要保证输入端真实光功率大于或等于-20dBm，输出端真实光功率大于或等于-10dBm，噪声比大于或等于6dB，传输网络延迟小于或等于20μs，调制带宽大于或等于2.5GHz，带宽传输时延小于或等于0.4ns，抗电磁干扰能力大于或等于50dB，安装位置的温度环境温度要求为0°C-85°C。
综上所述，P521光耦是一种高效、高稳定性的行业标准电子元件，主要由激光光源、TOSA/ROSA/TOD、滤波器、APD、放大器、光电耦合器等构成，并且具有良好的阻抗匹配性、稳定的电压和电流、较强的抗电磁干扰能力以及防水性，在汽车、通信设备和消费电子产品中应用广泛，能够传输高速数据，可用于恶劣环境中。
同时，P521光耦参数也有明确的标准，必须符合具体的要求才能得到满足，例如输入端真实光功率必须大于或等于-20dBm，输出端真实光功率大于或等于-10dBm，噪声比大于或等于6dB，抗电磁干扰能力大于或等于50dB等。
关于ＴＬＰ５２１的使用
关于ＴＬＰ５２１的使用做毕业设计要用到光耦合，选了个TLP521型的感觉是电流驱动型的，中间出现了些问题，拿出来探讨，希望大家不要出现类似的错误。
重要参数：输入输出电流都是50ＭＡ左右，这是最大值吧，最好不要超过８０MA，不过太小了也不行，太小了输入端不能使发光二极管导通。
限流一般用限流电阻实现。
电压范围较大，就输入级而言，导通时就不用说，就是发光二极管的电压，不过正反向偏压好像不能超过5~6Ｖ的样子。
输出级电压范围更大，只要不大于５０Ｖ就行，不过我有点怀疑受光三极管是否能承受，不过怀疑是怀疑，我也没做过具体实验测试。
下面是TLP的引脚图，他有三种封装，不过用法都一样：TLP521光耦的1、2两个脚是发光侧，3、4两个脚是受光侧。
1、1－2脚之间并联电阻是分流作用，防止发光二极管暗亮产生误动作，也可以不要这个，没什么影响。
2、以TLP521－1为例，输出接单片机IＯ口，输出端为NPN型光电三极管结构，3脚为发射极，4脚为集电极，受光点为基极，接线方式有两种：（1）3脚下拉电阻接地，4脚接＋5V，3脚为I/O输出端，这种接法导通输出为1，截止输出为0。
（2）4脚上拉电阻接＋5V，3脚接地，4脚为I/O输出端，这种接法导通输出为0，截止输出为1。
网上大都采用这两种接法，好像采用方法一的比例多谢，不过我用方法一出现了问题，就是在不接入单片机IO口单独测试时，峰峰值电压可以达到接近+5V的方波信号（我本来要得到是方波信号，用来输入单片机INT0口做中断）。
不过当按方法一将输出接入单片机IO口INT0时，输出方波信号被拉低了，只有3.2V左右的峰值，根本驱动不了ＩＯ口，也就产生不了中断。
所以我改用了方法二，后来发现方法二可行，输出方波电压没有被拉低，可以很好驱动IO口。
下面是我用两种方法所连接的protues图：方法一：4脚下拉电阻接地，5脚接＋5V，4脚为I/O输出端，这种接法导通输出为1，截止输出为0方法二：5脚上拉电阻接＋5V，4脚接地，5脚为I/O输出端，这种接法导通输出为0，截止输出为1关于为何用方式一输出电压被拉低，具体原因我也不清楚，我想大概是用方式二有个三极管在输出端和地之间做隔离所以不会被拉低吧相当于是灌电流了，而方式一直接是IO口与电阻，地相接，产生的是拉电流。
tpl521
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等
电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）
经常转移的比例：50 ％（最小）
隔离电压：2500 Vrms （最小）
图1 TLP521 光藕内部结构图及引脚图
注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
Recommended Operating Conditions建议操作条件
图3 TLP521-1 封装图。
tlp521
TLP521的使用
主要作用是实现不同电压的隔离
第一种接法正确，第二种接法有问题，在第二种接法中的发射极要通过电阻下拉接地才对。
第一种接法叫上拉；第二种接法叫下拉；第一种接法先把电平拉高，然后单片机P1.0输出低电平，发光二极管发光，第四引脚的输出电平被拉低。
第二种接法先把电平拉低，然后单片机P1.1输出低电平，发光二极管发光，第四引脚输出电平拉高。
1、光耦的输入端可以看做一个发光二极管来计算。
限流20mA。
输入电压减去二极管压降
再除以20mA就是R1的阻值。
2、R3是个纯粹的上拉电阻，只要和输出端的设备匹配并不会使光耦输出三极管电流过大
即可，一般1K-100K都可以，具体选多少，要看另一段的设备需要多少电流。
3、以TLP521－1为例，输出端为NPN型光电三极管结构，3脚为发射极，4脚为集电极，受光点为基极，接线方式有两种：（1）3脚下拉电阻接地，4脚接电源正极，3脚为I/O输出端，这种接法导通输出为1，截止输出为0。
（2）4脚上拉电阻接电源正极，3脚接地，4脚为I/O输出端，这种接法导通输出为0，截止输出为1。
两种接法效果一样，使用后者
较多，供参考。
TLP521光耦导通实验笔记
TLP521光耦导通实验笔记TLP521光耦导通实验笔记3.5v～24v以为是高电平，0v～1.5v以为是低电平1、0v～1.5v以为是低电平，运用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降，吃掉1.4V摆布；2、24V是最高电压，不能在最高电压的时分，光耦经过的电流太大；所以选用2K的电阻；光耦作业在大约10mA的电流，可以确保安稳牢靠作业n年以上；3、3.5V以上是高电平，为了赶快进入光敏三极管的饱满区，要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大；因而选用10K；一同要思考到ctr最小为50％；1、发光管端：实验室电源（0～24V）-2K-1N4001-TLP521-1(1)-TLP521-1(2)-gnd12、光敏三极管：实验室电源（DC5V）-10K-TLP521-1(4)-TLP521-1(3)-gnd23、万用表直流电压挡20V万用表+-TLP521-1(4)万用表--TLP521-1(3)实验效果输入电源万用表电压(V)1.3V51.5V4.81.7V4.411.9V3.582.1V2.942.3V1.82.5V0.582.7V0.22.9V0.193.1V0.173.3V0.163.5V0.165V0.1324V0.06光耦电流传输比的测验模型我一向在找光耦电流传输比的测验模型，可是如同都没有看到精确的；1、要是发光管没有电流，那么光敏三极管处于到状况；2、要是发光管有电流，那么依据电流传输比核算，三极管会流过一个电流；3、假定Ic=1mA；那么，假定Vc/Rc=1mA，那么三极管底子上进入饱满导通状况；假定Vc/Rc=0.5mA，那么三极管必定进入了饱满导通状况；假定Vc/Rc=2mA，那么三极管进入了拓展状况；当然这是一个大体上的核算方法；还要思考到Vce的值；可是由于一样的一品种型一个批次的光耦，它们的电流传输比离散性很大，所以大体上核算一下即可；实习上的光耦的上拉电阻的选值，要依据Ib、电流传输比、Vcc 来大体上核算一下，然后依据工程状况而定；假定是传递开关量信号，那么，进入深度饱满就可以了；假定是要传送频率的信号，那么，要细心的挑选Ib和Rc，找到一个最适宜的参数；啥叫深度饱满状况？光耦的Vce刚刚=0.2V的时分，可以以为是进入了饱满的状况；把这个时分的Ib进步到2倍，那么，必定是进入了饱满的状况，至所以不是深度饱满，要看对深度饱满的界说；我以为，n=3就可以看作是深度饱满了；光耦隔绝的参数是啥进程来核算的光耦隔绝首要是思考几个值：1、二极管的驱动电流2、CTR3、光敏三极管的上拉电阻4、光耦的速度5、思考隔绝信号的频率值通常的开关量信号的隔绝，运用低速便宜的光耦只需求思考一下可以确保充沛饱满和截止；高速信号的隔绝，需求思考到选用高速光耦；这个时分，首要是依照datasheet来挑选参数；。
tlp521光耦的输出端电阻计算
tlp521光耦的输出端电阻计算我们来介绍一下光耦器件。
光耦器件是一种能够实现电-光-电转换的器件，它由一个发光二极管和一个光敏三极管组成。
当输入端施加电压时，发光二极管会发出光信号，光敏三极管则会根据光信号的强弱来输出相应的电信号。
光耦器件具有电隔离的特性，能够有效地解决电路中的地位问题和信号干扰问题，因此在工业控制和电子设备中得到广泛应用。
在光耦器件中，输出端电阻是一个重要的参数。
它是指当输出端电压发生变化时，输出端电流的变化情况。
输出端电阻越小，输出端电流对电压的变化越敏感，反之则越不敏感。
因此，输出端电阻的大小直接影响到光耦器件的灵敏度和精确度。
那么，如何计算光耦器件的输出端电阻呢？计算输出端电阻的方法有多种，下面介绍一种常用的计算方法。
我们需要明确输出端电阻的定义。
输出端电阻指的是当输出端电压变化一个很小的量时，输出端电流的变化量与电压变化量之比。
通常用公式表示为：输出端电阻= ΔV/ΔI其中，ΔV表示输出端电压的变化量，ΔI表示输出端电流的变化量。
在实际计算中，我们可以通过测量输出端电压和电流的变化量来获得输出端电阻的值。
具体步骤如下：1. 施加一个小的电压变化量ΔV到光耦器件的输入端。
2. 测量输出端电压的变化量ΔV。
3. 测量输出端电流的变化量ΔI。
4. 根据公式输出端电阻= ΔV/ΔI 计算输出端电阻的值。
需要注意的是，为了获得更加准确的输出端电阻值，我们需要保持输入端电压的稳定和输出端电流的稳定，避免其他因素对测量结果的影响。
除了通过测量来计算输出端电阻外，我们还可以通过光耦器件的参数手册或者厂家提供的数据手册来获取输出端电阻的数值。
这种方法更加简便快捷，但需要对手册中的参数进行理解和解读。
总结起来，光耦器件的输出端电阻是衡量其灵敏度和精确度的重要指标之一。
通过适当的测量和计算方法，我们可以得到输出端电阻的数值，从而更好地评估和应用光耦器件。
同时，我们还可以通过查阅光耦器件的参数手册来获取输出端电阻的数值，以便在实际应用中进行合理的设计和选型。
p521中文资料
软件介绍:
p521中文资料,p521中文PDF应用资料:
东芝TLP521-1 --，2和-- 4包括一张照片晶体管光学对一镓砷化物红外麻省理工学院二极管连接。
TLP521-2在八中提供两个隔离的通道领导TLP521-4在十六种塑料的DIP包装中提供四个隔离的通道的塑料的DIP包装
集极电压50V（min）
电流转移比率50%（min）
等级GB 100%（min）
隔离电压2500Vrms(min)
Anode 阳极
cathode 阴极
emitter; (晶体管的)发射极
collector集电极
东芝连续不断地工作改进其产品的质量和可靠性。
然而，半导体设备能故障或者因为他们的易受物理的压力的固有的灵敏性和攻击而失败。
当利用东芝产品时为了在为了整个的系统做一个保险箱设计时遵照安全的标准同时，避免在其中这样东芝产品的一次故障或者失败能造成人类生活损失的形势对财产的身体的伤害或者破坏是购买者的责任。
推荐操作条件
特性最小值典型值最大值单位提供电
压 5 24 V
转换电流16 25 mA 发射极电
流 1 10 mA
工作温度-25 85 °C
TLP521照片晶体管光耦特点描述：
东芝TLP521 - 1 ， -2和4组成的照片晶体管
光耦合到砷化镓红外发光二极管。
该TLP521 - 2提供了两个孤立的渠道，在8引脚塑料DIP封装，而TLP521 - 4提供4个孤立的渠道
1 16塑料DIP封装。
TLP521照片晶体管光耦(图片）
TLP521照片晶体管光耦技术参数。
光耦测试之频率篇
光耦测试之频率篇光耦全称光耦合器（opticalcoupler），它是以光为媒介来传输电信号的器件，输入与输出之间除了光束外无其它任何连接，完全隔离。
在数字电路应用广泛。
根据输出类型一般有如下几类：晶体管输出、高速集成电路输出、三端双向可控硅输出和光控继电器。
在电路设计中以晶体管输出和高速集成电路输出使用居多，本次测试的光耦选用这两类为样品。
光耦的响应频率与光耦的打开关闭速度即上升沿与下降沿时间有关，其中上升沿与光耦的输入电流有关，输入电流越大，上升沿越短。
下降沿与光耦的输出负载有关，负载越重电流释放越快，下降沿也越长。
本测试使用的电路如下：图1输入信号由FPGA提供，高电平3.3V，输出为24V系统。
考虑到光耦输入很多是由单片机之类的提供，其驱动电流有限，最大的也就十几毫安，因此测试是选用10mA的输入电流，因不同光耦的压降不同，需通过可调电位器R2进行微调。
一般晶体管输出（不包括达林顿输出，关于该类型光耦后文有讨论）的光耦输出电流可到50mA，在测试中我们在输出端串上一只1k的电阻，然后施加24V的电压，此时的负载电流约23mA，接近标称值的一半。
测试样品：TLP521-1,PS2801-1,PS2805-1,TLP127,TLP181,HCPL0601测试使用频率分档：40M、20M、10M、8M、6.15M、4M、2M、1M、800K、615K、400K、200K、100K、80K、61.5K、40K、20K、10K、8K、6.15K、4K、2K、1K测试结果：测试中发现TLP127的关闭时间很长，该光耦为达林顿管输出，其原因可能是由于达林顿管的输出电流能力较强，最大可达150mA，而我们测试电路的负载较小，输出端泻电流较慢，导致电平保持时间、关断时间等都很长。
在4K波形中可以看到，电流尚未来得及完全释放下一个上升沿即已经开始，此时的信号输出已经无法正常使用。
芯片手册上给出的参数亦是如此，在典型电路的测试中（详情请参阅厂家的数据手册）关断时间达到80us，因此在使用该类型光耦是要注意。
普通光耦高速通信TLP521用于115200bps
普通光耦⾼速通信TLP521⽤于115200bps普通光耦做⾼速通信隔离最近在做多机通信，两个芯⽚之间的电源需要相互独⽴，所以通信需要做隔离，⼿头没有⾼速光耦，⼜加上经济问题不舍得买，考虑拿普通光耦来做隔离，问题来了，如图1-1，⼀般pc817，tlp521开关速度超过10KHz信号衰减就很明显了。
图1-1所以⼤部分时候按照图1-2的电路来做通信隔离，5v电源时R4选3K通信速度最快，这个时候实际5v单⽚机串⼝通信速度能够达到14400bps，当然，在3v供电的情况下，可以减⼩R4到2K。
但是这个电路有个明显的缺点，突破了TLP的速度极限后，通信波形会失真，所以串⼝通信的误差会很⼤，导致通信误码率上升。
图1-2在实际应⽤中，如果是硬件串⼝，测试使⽤9600bps，通信是正常的，但是超过9600后，通信效果随单⽚机的型号存在差异。
如果更⾼的通信速率，那么通常情况下就需要选择⾼速光耦，像6N138就能达到100Kbit/S，还有更⾼速度的光耦，但是价格也是翻好⼏倍。
⾃⼰玩的话⼀是成本⾼，主要的是⼀般不会常备，所以我们就需要找替代的器件，刚开始我选择⽤红外对管做，但是效果是⼀样的，后来改了思路，能不能借鉴⾼速光耦的内部结构呢？答案是肯定的，如图1-3，为⾼速光耦6n138内部结构图。
图1-3于是根据该电路就有了如图1-4的电路。
图1-4测试结果表明。
该电路在115200bps波特率下，通信正常。
串⼝助⼿发送⼏百⾏数字，没有发现误码。
在9600bps波特率下，与单⽚机通信了⼀下午，没有发现异常，但是不保证长期的稳定性，同样，产品的话不好说⾏不⾏，测试使⽤该电路可以，还有那些像我⼀样的穷孩⼦。
TLP521光耦合详解
TLP521-4四路光耦合一、简介TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
二、引脚图T LP521－2提供两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供4个孤立的光耦中16引脚三、原理分析1脚：正极 2脚：负极 3脚：发射极 4脚：集电极一般系统中如上图图进行光耦设计（只标明一组，其余组均按此设计）。
光耦的输入端是一个发光二极管，加电阻是为了限制电流，不加电阻容易烧毁。
加二极管（IN4148）主要为了保护光耦。
四、输入输出介绍左图为上拉电阻，此时光敏三极管构成反相放大器，即当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其集电极电流Ic=0，集电极输出TD5=VCC - Ic*R2=VCC- 0*R5=VCC，此时输出TD5为高电平（VCC）。
当有输入信号时，发光二极管因流有足够电流而发光，此时光敏三极管因有光照照而饱和导通，其R2的电压降VR5=VCC，故使其集电极对地电压=0V，此时输出TD5为低电平（≈0V）。
右图为下拉电阻，即：光敏三极管的集电极接VCC，而发射极接电阻R2，R2下端接地，即构成射极跟随器形式，由发射机输出。
此时输出相位与上1、2相反，即：当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其发射极电流Ie=0，故发射极对地输出电压=0V。
当有输入信号时，发光二极管因流有足够电流而发光，此时光敏三极管因有光照照而饱和导通，其R2电压=VCC，即发射极对地电压=VCC。
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普通光耦做高速通信隔离
最近在做多机通信，两个芯片之间的电源需要相互独立，所以通信需要做隔离，手头没有高速光耦，又加上经济问题不舍得买，考虑拿普通光耦来做隔离，问题来了，如图1-1，一般pc817，tlp521开关速度超过10KHz信号衰减就很明显了。
图1-1
所以大部分时候按照图1-2的电路来做通信隔离，5v电源时R4选3K通信速度最快，这个时候实际5v单片机串口通信速度能够达到14400bps，当然，在3v供电的情况下，可以减小R4到2K。
但是这个电路有个明显的缺点，突破了TLP的速度极限后，通信波形会失真，所以串口通信的误差会很大，导致通信误码率上升。
图1-2
在实际应用中，如果是硬件串口，测试使用9600bps，通信是正常的，但是超过9600后，通信效果随单片机的型号存在差异。
如果更高的通信速率，那么通常情况下就需要选择高速光耦，像6N138就能达到100Kbit/S，还有更高速度的光耦，但是价格也是翻好几倍。
自己玩的话一是成本高，主要的是一般不会常备，所以我们就需要找替代的器件，刚开始我选择用红外对管做，但是效果是一样的，后来改了思路，能不能借鉴高速光耦的内部结构呢？
答案是肯定的，如图1-3，为高速光耦6n138内部结构图。
图1-3
于是根据该电路就有了如图1-4的电路。
图1-4
测试结果表明。
该电路在115200bps波特率下，通信正常。
串口助手发送几百行数字，没有发现误码。
在9600bps波特率下，与单片机通信了一下午，没有发现异常，但是不保证长期的稳定性，同样，产品的话不好说行不行，测试使用该电路可以，还有那些像我一
样的穷孩子。