电子元器件的认识

合集下载

电子元器件认识

电子元器件
Surface mount
Through-hole
三. 用途:将各种元器件按产品原理图连接起来四. 注意事项:板材,防火等级,PCB版本,应避免人体皮肤直接
FPC
接触PCB焊盘部分,过炉方向等
A
3
2.电阻(RESISTOR)
电子元器件
一. 代码： R 英文名resistor 符号：
或
二. 用途:阻止电流在电路中的流动
规格简称(英制) 规格简称(公制)
0402
1005
0603
1608
0805
2012
十三.常用阻值误差代码
F=±1%,G=±2%,1J2=0±65%,Z=+80/-20%,K=3±2110%6,M=±20%
实际尺寸(mm) 1.00×0.50 1.60×0.80 2.00×1.25 3.20×1.60
又名，熔断器
二. 用途:在电路中起过电流保护作用。
三. 方向: 无
四. 单位：安培/伏特 A/V
五. 注意事项：特别注意保险丝的额定电压及电流，安规认证
电子元器件
A
11
6.二极管(DIODE)
电子元器件
一. 代码： D
ZD
LED
二. 符号：
三. 用途:整流，稳压，发光指示等
四. 方向:二极管分正负极，长脚为正极，短脚为负极，扁平缺口为负极圆柱状在表面用一道白色或黑色色环标
电子元器件
一. 代码： C 符号：
或
二. 用途:滤除杂波，耦合信号，隔断直流
三. 方向: 有
四. 常见的有：电解电容，瓷片电容，涤沦电容，陶瓷电容，薄膜电容，钽电容，片试电容，聚丙稀电容
五. 单位换算:1µF（微法）=1000nF(纳法）=1000000PF（皮法）

ICkey-认识电子元器件

认识电子元器件电子元器件是元件和器件的总称。

电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。

如电阻器、电容器、电感器。

因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。

电子元器件是元件和器件的总称。

电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品电子器件：对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等）。

电子元器件行业主要由电子元件业、半导体分立器件和集成电路业等部分组成. 电子元器件包括:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。

电子元器件在质量方面国际上面有中国的CQC认证，美国的UL和CUL认证，德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证，来保证元器件的合格。

发展史电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。

电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。

电子元器件第一代电子产品以电子管为核心。

四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。

五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展.集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。

由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性，所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点.在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化.电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。

电脑主板电子原件详解讲解

• 排阻(Resistor Array） • 串联排阻用英文字母“RN“表示.
• 并联排阻用英文字母“RP“表示﹒ 若干个参数完全相同的电阻，它们的一个引脚都连到一起，作为公共引脚。其余引脚正常引出一般来说，最左边的那个是公共引脚。它在排阻上一10-1 A=100
8 主板常见场效应管与晶体管的比较
9 集成电路
电阻(Resistor)
• 定义 – 阻止电流通过的电子元件
• 种类 – 定额电阻
• 在生产时已规定了电阻的阻值大小
– 可变电阻
• 根据需要在一定范围内可改变其阻值大小
– 热敏电阻
• 阻值在生产时已定额,但会随着温度改变其阻值大小 • 用于温控电路
– 压敏电阻
• 电阻对电压较敏感，当电压达到一定数值时,电阻迅速导通
电阻(Resistor)
• 电阻在电路中用“R”加数字表示 • 换算单位
– 电阻的单位为欧姆（Ω） – 倍率单位有：千欧(KΩ),兆欧 (MΩ)等 – 1M Ω=103 KΩ= 106Ω
• 阻值计算 1．E-24标注方法 E-24标注法有两位有效数字，精度在±2%（-G），±5%（-J），±10%（-K）（1）常用电阻标注 XXY XX代表底数，Y代表指数例如 470 = 47Ω 103 = 10kΩ 224 = 220kΩ （2）小于10欧姆的电阻的标注用R代表单位为欧姆的电阻小数点，用m代表单位为毫欧姆的电阻小数点例如 1R0 = 1.0Ω R20 = 0.20Ω 5R1 = 5.1Ω R007 = 7.0mΩ 4m7 = 4.7mΩ
• 应用
– 主板上KB/MS电路中 – 主板上USB电路中
晶振(Crystal Oscillator)
• 定义

电子元器件基本知识

2. 特性介绍：
PCBA板：丝印、焊盘、测试点、极性标识、PTH孔。电子元器件材料有些有极性有些无极性。
三、电子元器件分类识别
1.电容类(Capacitor)：用 “C”表示
SMT所用元器件
贴片电容
钽质电容
DIP所用元器件
电解电容
基本单位 : PF 、 NF 、UF
单位换算： 1UF＝ 1000NF=1000000PF
方向识别缺口
方向识别线
QFN
QFP
PLCC
极性识别点
极性识别点
三、电子元器件分类识别
7.晶振(Crystal)：用“Y”&“X”表示
SMT所用元器件
有源晶振
无源晶振 DIP所用元器件
无源晶振
基本单位 : 兆赫兹( MHZ ) 注意：晶振分为有源晶振和无源晶振,其中有源晶振有砐性区分, 无源晶振无砐性区分,但有频率型号区分(文字面)
SMT所用元器件
DIP所用元器件
屏蔽盖
基本单位 : 无注意：屏蔽盖无极性,但有方向区分
四、电子材料的基本包装方式
SMT所用元器件
DIP所用元器件
卷装
盘装
管装
编带
袋装
盒装
盘装
管装
五、材料规格尺寸
单位（英制）单位（公制）
0201பைடு நூலகம்0.6x0.3
0402 1.0x0.5
0603
0805
1008 1206 1210
按键开关
拨档开关
基本单位 : 无注意：开关无极性,但部分开关有方向区分
按键开关
拨档开关
三、电子元器件分类识别
12.天线（Antenna）：点位用“J”&“X”表示

电子元件的认识

矩形片状瓷介质电容少数为单层结构，大多数为层叠结构。
積層陶瓷電容
其規格主要有: 0402、 0603、0805、1206、 1210等,
~13~
© USI proprietary and confidential
排容（Capacitor Networks）
~14~
© USI proprietary and confidential
~20~
© USI proprietary and confidential
普通電感
其規格主要有: 0603 、0805、1206等。
~21~
© USI proprietary and confidential
四、二极管（D：Diode）
1．二极管概述
二极管是由一对PN结连接起来构成单向导通的电子元件。二极管有耐压、耐流、导通电压、导通时间等技术指标。二极管都是有极性的元件。二极管可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基快速二极管、发光二极管等。二极管在电路中可起整流、稳压、保护（如运放的输入、输出）、开关的作用。
常见的IC主要有SOP（SOP、VSOP、HSOP、VHSOP） QFP（QFP、VQFP） SOJ PLCC BGA（PBGA、CBGA等） CSP FC
~33~
© USI proprietary and confidential
SOP Small Outline Package
SOP型的IC從引腳數分類有:SOP08、SOP16、 SOP24、SOP30等多種
P 型三极管
N 型三极管
型达林顿管
© USI proprietary and confidential

常用电子元器件的认识

常用电子元器件的认识电子元器件可以说是电子设备中最基本的组成部分之一，可以通过它们来控制电信号和电能的流动。

在工程领域中，我们需要了解电子元器件的种类和功能，以便选择合适的元件并正确地进行设计、维护和故障排除。

在本文中，我们将介绍一些常见的电子元器件，并对它们的主要特征进行分析和说明。

1. 电阻器电阻器是一种能够限制电流流过范围的电子元件，它是通过将电流导体中的电比较好地转化为热量来实现的。

在实际应用中，我们常常需要用电阻器来控制电路的电流和电压，以便实现特定的电路功能，比如控制LED亮度，实现制冷系统温度控制等等。

2. 电容器电容器能够储存静电能量，可用来控制电流和电压。

它有两个电极板和一个电介质，当电容器接入电路时，会在两个电极板之间形成等电势线。

电容器的容量是储存的静电能量密度，通常以法拉(F)为单位，这也意味着电容器具有储存电能的能力，可以在电路中用来平衡电压或稳定电流。

除此之外，它还可以用来生成谐振电路以实现特定的滤波器和振荡器。

3. 晶体管晶体管是一种半导体器件，它可以控制电流的流动而没有机械运动，通常用来放大电路信号。

晶体管最常见的类型是二极管，由两个PN结组成，其中一个剥掉的半导体层就被称为基极。

当施加电压时，电场将使电荷在基极和发射极之间流动，并将集电极中的电流变大。

4. 电感器电感器是一种设备，它可以储存磁场能量，通常用来控制电流或电压。

电感器由线圈和磁芯组成，当电流通过线圈时，磁芯被激活并储存能量。

电感器的置换效应使得电压和电流呈正比例或反正比例的变化。

实际使用中，电感器可以用于过滤电流脉冲或形成谐振电路，还可以在发电机或变压器中用来调节电感。

5. 二极管二极管是一种电子器件，它由两个半导体层（一正一负）组成，可控制电流的一个方向。

当施加电压时，电子从一层流向另一层，这就是二极管的正向导通，不同于之前的电阻器，它是一种有源元件，可以用于电路中的整流、开关或振荡。

当电子流从高电位电极流向低电位电极时，二极管发生反向击穿，进入负向导通状态，此时它可以用作负向偏置的保护器件。

电子行业第五课认识电子元器件

认识电子元器件1. 介绍电子元器件是构成电子产品的基本组成部分，它们在电路中起着不同的作用。

了解电子元器件的种类、特性和应用范围对于学习电子行业非常重要。

本文将介绍一些常见的电子元器件，并讨论它们在电子行业中的应用。

2. 电子元器件的分类电子元器件可以按照不同的标准进行分类。

根据元器件的功能和作用，可以将电子元器件分为被动元器件和主动元器件。

被动元器件包括电阻、电容和电感等，它们没有放大或控制电信号的能力。

主动元器件则包括晶体管、场效应管和集成电路等，它们可以放大和控制电信号。

此外，电子元器件还可以按照工作原理、结构和材料等方面进行分类。

例如，根据工作原理的不同，可以将电子元器件分为电阻式元器件、电容式元器件和电感式元器件等。

3. 常见的电子元器件3.1 电阻电阻是电流通过时阻碍电流流动的元器件，用来限制电路中的电流，调节电路的电压和功率。

电阻的单位是欧姆（Ω）。

电阻的阻值和功率是电阻的两个重要参数。

3.2 电容电容是储存电荷的元器件，它可以存储电势能。

电容的单位是法拉（F）。

电容的容值和工作电压是电容的两个重要参数。

3.3 电感电感是通过电流变化而产生感应电动势的元器件，它可以储存电流。

电感的单位是亨利（H）。

电感的感值和电流是电感的两个重要参数。

3.4 晶体管晶体管是一种主动元器件，它可以放大电信号。

晶体管有很多种类型，包括二极管、三极管和场效应管等。

晶体管广泛应用于放大电路和开关电路中。

3.5 集成电路集成电路是把多个晶体管、电容、电阻等元器件集成在一个芯片上的元器件，它具有体积小、功耗低、可靠性高等优点。

集成电路广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域。

4. 电子元器件的应用电子元器件的应用非常广泛，在各个领域都有重要的作用。

以下是一些常见的应用场景：•电阻常用于电路中的电流限制和调节；•电容常用于电源滤波、信号耦合和振荡电路等；•电感常用于频率选择电路和电磁感应等；•晶体管广泛应用于放大电路、开关电路和振荡电路等；•集成电路广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域，如处理器、存储器和控制器等。

常用电子元器件的认识与焊接教案

常用电子元器件的认识与焊接教案第一章：电子元器件概述教学目标：1. 了解电子元器件的分类及基本功能。

2. 掌握常用电子元器件的识别与简单工作原理。

教学内容：1. 电子元器件的分类：被动元件、主动元件、半导体元件等。

2. 常用电子元器件：电阻、电容、电感、二极管、三极管、晶闸管等。

3. 电子元器件的参数及表示方法。

教学活动：1. 讲解电子元器件的分类及基本功能。

2. 展示并讲解常用电子元器件的实物及电路符号。

3. 介绍电子元器件的参数及其表示方法。

第二章：电阻的认识与焊接教学目标：1. 掌握电阻的识别及主要参数。

2. 学会电阻的焊接方法。

教学内容：1. 电阻的种类：固定电阻、可调电阻、热敏电阻等。

2. 电阻的主要参数：阻值、误差、温度系数等。

3. 电阻的焊接方法：手工焊接、烙铁焊接等。

教学活动：1. 讲解电阻的种类及主要参数。

2. 展示并讲解电阻的焊接方法。

3. 学生分组实践，进行电阻的焊接操作。

第三章：电容的认识与焊接教学目标：1. 掌握电容的识别及主要参数。

2. 学会电容的焊接方法。

教学内容：1. 电容的种类：固定电容、可调电容、电解电容等。

2. 电容的主要参数：容量、误差、温度系数等。

3. 电容的焊接方法：手工焊接、烙铁焊接等。

教学活动：1. 讲解电容的种类及主要参数。

2. 展示并讲解电容的焊接方法。

3. 学生分组实践，进行电容的焊接操作。

第四章：电感的认识与焊接教学目标：1. 掌握电感的识别及主要参数。

2. 学会电感的焊接方法。

教学内容：1. 电感的种类：固定电感、可调电感、线圈等。

2. 电感的主要参数：感抗、误差、温度系数等。

3. 电感的焊接方法：手工焊接、烙铁焊接等。

教学活动：1. 讲解电感的种类及主要参数。

2. 展示并讲解电感的焊接方法。

3. 学生分组实践，进行电感的焊接操作。

第五章：二极管的认识与焊接教学目标：1. 掌握二极管的识别及主要参数。

2. 学会二极管的焊接方法。

教学内容：1. 二极管的种类：整流二极管、稳压二极管、检波二极管等。

电子元器件认识

05
电子元器件的应用与发展趋势
电子元器件的应用领域
通信领域
电子元器件广泛应用于通信设备、移动终端、基站等，实现信号的传输、处理和接收。
计算机领域
电子元器件是计算机硬件的重要组成部分，包括中央处理器、内存、硬盘等关键部件。
工业控制领域
在工业自动化和智能制造中，电子元器件发挥着至关重要的作用，如传感器、控制器、执行器等。
特性
电阻器的阻值（也称为电阻）是其主要特性，通常以欧姆（Ω）为单位。
参数
电阻器的参数包括阻值、精度、功率和温度系数等。
应用
电阻器在电路中用于分压、限流和信号调节等。
电容器
定义
电容器是一种存储电荷的电子元件。
特性
参数
应用
电容器的主要特性是容量（也称为电容），通常以法拉（F）为单位。
电容器的参数包括容量、耐压、绝缘电阻和温度
确认替换需求
明确需要替换的电子元器件型号、规格及参数。
拆卸原器件
使用适当的工具和技巧，安全地拆卸需要替换的电子元器件。
测试与验证
对更换后的电子元器件进行测试和验证，确保其工作正常且符合电路要求。
04
电子元器件的常见问题与解决方案
电子元器件的常见问题
元器件损坏
由于过载、电压过高、电流过大等原因，导致电子元器件烧毁或损坏。
元器件性能不稳定
由于制造工艺、材料缺陷、使用环境等因素，导致元器件性能波动或失效。
元器件接触不良
由于连接线路松动、焊点氧化等原因，导致元器件间信号传输中断或不良。
元器件发热
由于功耗过大、散热不良等原因，导致元器件温度升高，影响其性能和寿命。

电子元器件的认识

电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成，因此,要了解开关电源的原理，学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能，结构，工作原理，电路符号,参数标准方法和质量检测方法，下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)⑻ 国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Q ),千欧(K Q ) 和兆欧(M Q).1 M Q =10 ‘K Q =10 “ Q3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻，金属氧化膜电阻，绕线电阻，贴片电阻，可调电阻，水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率，当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power Rating Curve (Figure 1)(3)电阻温度系数(4).工作温度范围Carbon Film :-55 °C ----+155 °C Metal Film :-55 C ----+155 C Metal Oxide Film :-55 C ----+200 C Chip Film :-55 C ----+125 C5. 标注方法 (1) 直标法 (2) 色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值，误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起，在色标法中色标颜色表示数字如下:金银-1 ~-2四色环中，第一,二道色环表示标称阻值的有效值，第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差，五色环中，前三道表示有效值，第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.，例1:有一电阻器，色环颜顺序为:棕，黑，橙，银，则阻值为：10x 10“ ± 10%(Q ) 6.误差代码Tolera nee± 1% ± 2% ± 2.5% ± 3%± 5%± 10% ± 20%Symbols FGHIJKM7.电阻的分类(1) .碳膜电阻 (2) .金属膜电阻(保险丝电阻)i EKE1EirEI]55T C颜色黑数字0~棕 1" 4C加餉Ambient lemperaiure in degrees centigrade Figure l :De-rating fbr high ambient tempers lureS5UYH(3).金属氧化膜电阻(4).绕线电阻(5).保险丝二:电容器英文Capacitor1.电路符号+(a) (b)(a),(b) 分别表示为无极性，有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U= 艺 S/4 n d,单位法拉(F).3.种类电容器可分为：陶瓷电容，电解电容，安规电容，贴片电容，塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=P耗/ P总P耗为充放电损耗功率，P总为充放电总能量.(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法，三色环无偏差表示，单位PF6.多层陶瓷电容器电介质分类NPO( COG：—类电介质，电气性能最稳定，基本上不随温度，电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的电路.X7R(2X1): 二类电介质，电气性能较稳定，在温度，电压与时间改变时性能变化并不显著，适用于隔直，偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质，因而能造出容量比 NPC介质更大的电容器.丫5V(2F4): 二类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度，电压等测试条件较敏感.7.Plastic Film Capacitors⑴.Polystyrene Film Capacitor聚苯乙烯膜電容器）High precisi on of capacita nee.Low dissipati on factor and low ESR.High in sulati on resista neeHigh stability of capacita nee and DF VS temperature and freque ncy.⑵Polyester Film Capacitor聚乙烯膜電容器）High moisture resista neeGood solderabilityAvailable on tape and reel for automatic in serti onESR is mi ni mized.⑶Metallized Polyester Film Capacitor金屬化聚乙烯膜電容器）High moisture resista nee.Good solderability.Non-i nductive eon struct ion and sell-heali ng property.⑷ Polypropylene Film Capacitor 聚丙烯膜電容器）Low dissipatio n factor and high in sulati on resista nee.High stability of capacita nee and DF VS temperature and freque ncy.Low equivale nt series resista nee. Non-i nductive eon struct ion8.X電容9.Y電容三.电感器（英文Choke即线圈）1.电路符号（普通电感无极性）2.主要参数（1）电感量及允许偏差⑵品质因子（Q值）感抗X L=WL=2n fL Q=2 n fL/R Q即为品质因子3.种类可分为固定电感器，带磁心电感线圈，可变电感器四.半导体二极管（英文Diode）DIODE Test #1 2 3 VF IRBVRDescriptio nForward voltageReverse curre nt leakageBreakdow n voltage1.电路符号+j N—2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流，即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下，硅管的正向压降为 0.6〜0.7V,锗管0.2〜0.3V,即二极管正向压降基本保持不变，当外加正向电压达到一定程度，二极管正向电流会很大，将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时二极管的反向电流很小，即反向时二极管的内阻很大，相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时，二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个N型半导体构成，组成一个PN结,PN结具有单向导电性.4.种类(1) 普通二极管 (2)发光二极管 (3)稳压二极管(4)变容二极管(6)肖特基二极管 5. 主要参数(1)最大平均整流电流|F ：表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过I F,否则二极管将会烧坏.⑵最大反向工作电压V R(3) 反向电流|R ：是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4) 工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.2. 稳压原理 V FBV ZBV Z I RBVDescripti onForward voltageMinimum Zener voltage.(Use test #5) Maximum Zener voltage.(Use test #5) Reverse curre nt leakageBVz with programmable soak1.电路符号五.稳压二极管 ZENER Test #从(图二)稳压特性曲线可以看出，当稳压管反向击穿后，流过二极管的工作电流发生很大变化时，稳压二极管的电压降压/基本不变，所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值，那么稳压管处于截止状态，即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2) 稳定电流:稳压管工作对参考电流值，电流小于该值，稳压效果会略差(3)额定功率损耗 (4) 电压温度系数⑸动态电阻六. 半导体三极管(又称晶体三极管)Descriptio n Forward-curre nt tran sfer ratio Baseemitter voltage(see also Appe ndix F) Emitter to base cutoff current Saturati on voltage Collector to base cutoff curre nt Collectorto emiter cutoff curre nt with base to emiter load, reverse bias,orshort(see also Appe ndix F) Breakdow n voltage,collector toemitter, with base to emiter load, reverse bias,or short(see alsoAppe ndix F) Breakdow n voltage,collector to base Breakdow nvoltage,emitter to base Base emitter saturati on voltage TRANSISTOR Test # h FE V BE |EBO V CESAT I CBO I CEO |CER, I CEX, I CES BV CEO BV CER BV CEX BV CES BV CBO BV EBO V BESAT(b)PNPNPN(b) PNP(a)NPN le e b结构如上图.三极管是由三块半导体组成，构成两个PN 结,即集电结和发射结，基结3个电极,分别是集电极，基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流lc,基极电流极管电流放大倍数. 3. 工作原理⑴ 放大区发射结正偏，集电结反偏,E1>E2,即NPN 型三极管V c >V b >V b, PNP 型三极管 V c <V b <V e.三极管处于放大状态.由于lc= p lb,即lc 受 lb 控制，而lc 的电流能量是由电源提供的，此时Ube=0.6~0.7V(NPN 硅管)⑵截止lb 三0的区域称截止区,U BE <0.5V 时,三极开始截止，为了截止可靠，常使 L B E 三0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3) 饱和区当V CE <V B E 即集电结正向偏置，发射结正向偏置时，三极管处于饱和区. 饱和压降 Ucgsat),小功率硅管 U cE (sat) = 0.3V,锗管 U cE (sat) = 0.1V4. 主要参数 _ _(1) 共发射极直流电流放大系数 p ,即H fe, p =l al B(2) 共发射极交流电流放大系数 p . p =△ l c / △ I B(3) 集电极,基极反向饱和电流I CBO(4) 集电极，发射极反向饱和电流I CEO 即穿透电流(5) 集电极最大允许功耗P CM(6) 集电极最大允许电流I CM lb,发射极电流 le,le=lb+lc lc= p lb, p 为三E2U b⑴NPN线U cU eE1⑺ 集电极，基极反向击穿电压U BR)CBO(8)发射极，基极反向击穿电压U BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压 U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR也叫晶闸管)SC R t Test #1I GTDescripti onGate-trigger curre nt2 I GKO Reverse gate curre nt5 V GT Gate-trigger voltage1 6 BV GKO Reverse gaet breakdow n voltage7 I DRM Forward Block ing curre nt__________ 8 I RRM Reverse Block ing curre nt9 I L Latchi ng curre nt11 I H Holdi ng curre nt(see also Appe ndix F)13 VTM Forward on voltage15 V DRM Forward block ing voltage16 V RRM Reverse block ing voltage1.电路符号A K沐阳极G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳，阴极间加上一个正电压，再在控制极和阴极之间加上正电压可控硅导通.(2)可控硅导通后，去掉控制极上的电压，可控硅仍然导通，所以控制极上的电压称为触发电压.(3)导通后,U AK=0.6~1.2V⑷要使导通的可控硅截止，得降低U AK同时阳极电流也下降，当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UBO指在控制极开路，使可控硅导通所对应的峰值电压(2)通态平均电压 U F,约为0.6〜1.2V⑶ 擎住电流Ica -----—由断态至通态的临界电流.(4)维持电流I H从通态至断态的临界电流⑸ 控制极触发电压 U G —般1〜5V(6) 控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安八. 变压器变压器是变换电压的器件1. 电路符号(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号，它有两组线圈L1,L2, 其中L1为初级丄2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端，它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.1. 结构构成变压器的部件一般有初级线圈，次级线圈.铁芯线圈骨架，外壳等组成.为了防潮，绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的.3.工作原理当给初级通入交流电时，交流电流流过初级，初级要产生交变磁场，这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样 .初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电，在次级两端便有感生电压，这样初级上的电压便传输到次级了 .4. 主要参数(1) 变匝比:变压器初级匝数为Ni,次级匝数为N2,在初级上加信号电压为Ui,次级上的电压为U 2,则有下式成立:L 2/U 1=N2/N 1=NN 为变压器的变压比 (2) 效率是在额定负载时，输出功率与输入功率之比值，即 n =P o /P i *100%(3) 电压,电流的关系若n =100%则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此︱2:-有:U/U I =I I /|2=N 2/N I =N光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光敏器件,它可以是光电池，光敏三极管，光敏单向可控硅等器件.1. 电路符号2. 工作原理当有电流流过LED 时,便产生一个光源，光的强度取决于激励电流的强度，此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后，光敏三极管产生一个与LED 正向电流成正比例，该比例称为CTR 即电流传输比.2 lDss Zero gate voltage drain curre nt. ------------------3 BVDGO Drain to gate breakdow n voltage.------------------ 4 IGSS Gate reverse curre nt.5 IDGO Drain to gate leakage.------------------ 6 IDOFF Drain cut-off curre nt.7 BVGSS Gate to source breakdow n voltage.8 VDSONDrain to source on-state voltage. VGSOFF Descripti onGate to source 十.场效应管JEFT Test # ------------------- 1 九光电藕合器(英文PHOTO COUPLE )OPTOCOUPLER Test # 1LCOFF Collector to emitter dark curre nt2 LCBO Collector to base dark curre nt3 BVCEO Breakdow n voltage,collector to emitter4 BVCBO Breakdow n voltage,collector to base5 HFE Forward curre nt tran sfer ratio,tra nsistor6 VCESAT Saturation voltage,base driven7 IR Reverse curre nt8 VFForward voltage9 CTR Current tran sfer ratio,coupled10 VSATSaturati on voltage,coupled I C /I F =CTR场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管，是电压控制器件，输入电阻非常高.场效应管分为:结型场效应管（JFET）和绝缘珊场效应管（IGFET）两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下二.工作原理结型场效应管有两个 PN结，在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道，当d,s极间加上一定电压时，电流就可以从沟道中流过，即通过源电压来改变导电沟道电阻，实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U Ds（off）,当U DS等于某一个定值（10v）,使Id等于某一个微小电流（如50uA）时，源极间所加的U G S即为夹断电压.U DS（off）一般为 1〜10V2.饱和漏极电流I DS当U G S=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻F G S4.低频跨导GM5.漏源击穿电压 U（BF）DS6.珊源击穿电压 U（BF）GS7.最大耗散功率P DM绝缘珊场效应管MOSFET Test #1 V GSTH Descripti on Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain curre nt.lDSx with gate to Source reverse bias.3 BVDss Drain to Source breakdow n voltage.⑶ 耗尽型NMOS二.主要参数 4 VDSON Drain to Source on-state voltage. 5 IGSSF Gate to Source leakage curre nt forward. 6 IGSSRGate to Source leakage curre nt reverse. 7 VFDiode forward voltage. 8 VGSFGate to Source voltage (forward) 1required for specified In at specified Vos. 1 (see SISQ Appe ndix F)9 VGSR Gate to Source voltage (reverse)required for specified ID at specified VDS.(see also Appe ndix F)10 VDSON On-state drain curre nt11VGSON On-state gate voltage '•结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成其工作原理类似于结型场效应管.符号和极性,故称为MOSFET 简称MOS 管,(1)增强型NMOS 增强型PMOSiD耗尽型PMOS iD b g d iDgb iD1.漏源击穿电压BV D S2.最大漏极电流I DMSX3•阀值电压V GS(开启电压)4.导通电阻F O N5.跨导(互导)(GM)6.最高工作濒率7.导通时间TON和关断时间十^一一.集成电路(英文Integraed Circuit 缩写为IC)集成电路按引脚分别为:单列集成电路，双列集成电路，园顶封装集成电路,四列集成电路，反向分布集成电路.下列介绍几种IC(一).TL431 它是一个基准电压稳压器电路，电路符号如图:阴极(K) 参考输入端?(a)TL431内部结构如图(b),其内部有一个2.5V的基准电压，当U>2.5 时，阳极(A)K,A极处于导通状态,当Lh<2.5V时,K,A极截止.2.5V ref(b)(二).PWM开关电源的集成电路(IC)片1.DNA1001DP共16 Pin,各Pin功能如下：1). CS 此脚做为电流模式控制，当此脚电压超过1.0V时,IC失去作用2). GND 电源地3).DRIVE 驱动MOSFE管的输出(方波输出)4).VCC 电源5).UREF +5V参考电压6).RT/CT 此脚接RT到Pin5接CT到地，从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM 接电容到地，则会影响振荡频率，并且减少传导与辐射的电磁干扰，街地则无此功能.8).C0MP内部此脚接到电流比较器上，外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT 此脚电压超过2.5V,则IC失去作用，一般此脚作保护作用.11). BROWN OUT此脚用来感应 BULK CAPACTIO上电压，若电压小于2.5V则IC失去作用.12).REX 此脚接一个电阻到地，用来作为电流产生器.13).ADC 此脚用来限制占空比，当此脚电压高于2.5V时，占空比控比例开始减少.当V=1.5V时，占空比减少到最大占空比的 65%. 14).POCP接一个电容到地，将提供OCP功能,当此脚有一连串1.2V臃冲时，此IC失去功能.15)CSLOPE此脚为振荡电路做电压补偿.160. GND信号地.2.UC3842⑴UC3842有8个Pin,其各Pin功能如下:1).内部误差放大器输出端2).反馈电压输入端3).电压供电端，当该脚电压超过1V时,6脚无臃冲输出4).接KT,CT产生f=1/RTG的振荡信号5).GND6).Drive,驱动臃冲输出7).Vcc8).+5v参考电压，由IC的内部产生⑵ 使UC3842输出端关闭的方法有三:1).关掉Vcc2).将3脚电压升至1V以上3).将1脚电压降至1V以下UC3843的7脚为电压输入端,其激活电压范围为16V~34V若电源起动时Vcc<16V,则8脚无+5V基准电压.3.TL494TL494 有16Pin,各Pin功能如下:1)采样电压2)从14脚分压得2.5V标准电压3)接阻容电路，作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高，死区时间达到最大，使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RT7)GND8)Drire 驱动脉冲输出9)Drire 驱动脉冲输出10)Drire 驱动脉冲输出11)Drire 驱动脉冲输出12)Vcc13)输出方式控制，该脚接地，内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端17)16Pin通常作回授用(三)U C3854ANUC3854是功率因子校正器(PFC)的集成电路，它有16个Pin,其各脚功能如下:1)GND 接地端2)PKLMT峰值限制端，接电流检测电阻的电压负端，当电流峰值过高时，电路将被关闭.3)CAOUT 电流放大器CA输出端4)ISENSE电刘检测端，内部接CA输入负端，外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mult Out 乘法器输出端，即电流检测另一端，内部接乘法/除法器输出端和CA输入正端，外端经电阻接电流检测电阻的电压负端6)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)UA Out电压放大器UA输出端，内部接乘法/除法器输入端,外部接RC反馈网络.8)URMS有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用,URMS的数值范围为1.5〜4.77V9)REF 基准电压端,产生7.5V基准电压10)ENA 起动端,通过逻辑电路控制基准电压，振荡器,软起动等11)USENSE输出电压检测端，接电压放大器UA的输入负端12)RSET 外接电阻RSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出13)SS 软起动端14)CT 外接电容CT端,CT为振荡器定时电容，使产生振荡频率为f=1.25/RSET*CT15)Vcc 集成电路的供电电压 Vcc,额定值22V16)GTDRV门极驱动端，通过电阻接功率 MOS^关管门极，该端电位钳在15V(四)D NA 1002 CP共16Pin,该IC有OUP,UVP功能,其各Pin功能如下:1)LATCH 当过电压欠电压时，此脚为高电平，此脚为低电平表示输出正常.2)COM 信号地3)PG 正常工作时此脚为高电平 PG信号输出.4)TDON 接个电容到地，产生PG延时.5)REMOTE REMOTE ON/OF端，为低贝U ON,为高贝U Pin1 高6)TDOFF 接个电容到地，起到延迟关机作用，产生PF7)DUV 接个电容到地，这样在电容充电电压小于 2.5V参考电压时，不做欠电压检测，而当充电电压大于2.5V参考电压时，欠电压检测恢复.8)BSENSE 在IC内部，此Pin是电压供应比较器的同相输入，当此Pin 电压低于2.5v时，则Pin3与Pin7会变低.9)V5 检测+5V的过电压与欠电压，其UUP点4.0〜4.24V,OVP点为6.0〜6.39V10)V12 检测+12V的过电压与欠电压，其UUP点为9.4~9.99V,OVP点为14.45 〜15.35V11)V-12 检测-12V的过电压与欠电压，此脚接参考电压，失去此功能12)V3.3 检测3.3V的过电压与欠电压，此脚接Vcc,则失去此功能，其UUP 点为 1.09〜1.16V,OVP 点为 1.43〜1.52V13)V-5 检测-5V的过电压与欠电压，此脚接参考电压，则失去此功能14)RCRNT 接个电阻到地，从而产生内部恒流15)VREF 2.5V 参考电压输出16)Vcc IC 电源。

电路基础—认识电子元器件

电子元件电子元件（electronic component），是电子电路中的基本元素，通常是个别封装，并具有两个或以上的引线或金属接点。

电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路，例如：放大器、无线电接收机、振荡器等，连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。

电子元件也许是单独的封装（电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极管等），或是各种不同复杂度的群组，例如：集成电路（运算放大器、排阻、逻辑门等）。

中文名电子元件外文名Electronic component常用的电阻、电容、电感、电位器等用于组成电子产品目录.1元件分类.▪端子与连接器.▪电线.▪开关.▪电阻.▪保护装置.▪电容.▪电磁感应装置.▪网络（Network）.▪忆阻器（Memristor）.▪压电装置、晶体谐振器.▪电源.▪感测器.▪固态电子元件.▪显示科技.▪真空管.▪组件.▪机械配件.▪其他.2标准缩写元件分类编辑为了保持电子元件运作的稳定性，通常将它们以合成树脂（Resin dispensing）包覆封装，以提高绝缘与保护不受环境的影响。

[1]元件也许是被动或有源的（passive or active）：被动元件（Passive components）是一种电子元件，在使用时它们没有任何的增益或方向性。

在电路分析（Network analysis）时，它们被称为电力元件（Electrical elements）。

有源元件（Active components）是一种电子元件，相对于被动元件所没有的，在使用时它们有增益或方向性。

它们包括了半导体器件与真空管。

端子与连接器用于电路连接的装置端子（Terminal）电子连接器（Connector）信号插座（Socket）端子台（Screw terminal, Terminal Blocks）信号接头（Header）电线有连接口或终端在尽头的电线电源线（Power cord）软线（Patch cord）示波器探棒（Test lead）开关能够控制电路的开路或闭路的电子元件开关（Switch）- 手动操作的开关Keypad- 一群按钮开关的集合（例如只能输入数字的小键盘）继电器（Relay）- 电流操作的开关。

电子元器件认识及基础电路分析

电子元器件认识及基础电路分析常见的电子元器件有电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管等。

下面对这些元器件进行一些基础的介绍：1. 电阻（Resistor）：电阻用来限制电流通过的大小，通常以欧姆（Ω）为单位表示。

电阻的值越大，通过的电流越小。

2. 电容（Capacitor）：电容储存电荷，在电路中可以用来储存能量、滤波、延迟电压等。

电容的单位是法拉（F），常见的单位还有微法（μF）、纳法（nF）等。

3. 电感（Inductor）：电感以线圈的形式存在，可以存储磁能，在电路中可以用来储存能量、滤波、产生振荡等。

电感的单位是亨利（H），常见的单位还有毫亨（mH）等。

4. 二极管（Diode）：二极管只允许电流在一个方向上通过，可用于整流和保护电路。

常见的二极管有普通二极管、肖特基二极管等。

5. 三极管（Transistor）：三极管是一种具有放大作用的电子器件，通常用来放大电流、开关电路等。

常见的三极管有双极型晶体管（BJT）和场效应管（FET）。

了解以上元器件后，我们可以进行基础电路分析。

基本电路分析的核心是欧姆定律、基尔霍夫定律和电压分压原理。

1. 欧姆定律（Ohm's Law）：欧姆定律描述了电流、电压和电阻之间的关系，即电流等于电压除以电阻。

表示为I=V/R，其中I是电流（安培），V是电压（伏特），R是电阻（欧姆）。

2. 基尔霍夫定律（Kirchhoff's Laws）：基尔霍夫定律包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。

基尔霍夫电流定律指出在电路中流入节点的电流等于流出该节点的电流的代数和；基尔霍夫电压定律指出电路中沿着任意闭合回路的电压代数和等于零。

3.电压分压原理：电压分压是指在一个电阻网络中，电压分布按比例分布到各个电阻上。

电压分压可以通过串联连接的电阻实现。

例如，两个电阻R1和R2串联连接，输入电压为V，那么在R1上的电压为V1=V*(R1/(R1+R2))，在R2上的电压为V2=V*(R2/(R1+R2))。

认识电子元器件

认识电子元器件电子元器件是电子技术中不可或缺的一部分。

了解和掌握电子元器件的种类、特点及其作用，对于学习和掌握电子技术知识有着非常重要的作用。

在本文中，将对电子元器件这一知识点进行分析和讲解。

一、电子元器件的基本概念电子元器件是指用于电子技术的各种电子部件和器件，它们可以完成电子电路中不同的功能。

电子元器件分为被动元器件和主动元器件两种。

被动元器件是指无源元器件，不具有增益功能，只能承受电信号，并在其中产生电阻、电抗、电容、电感等等作用。

常见的被动元器件有电阻、电容、电感、电位器、电感器等等。

主动元器件是指有源元器件，如晶体管、三极管、场效应管、集成电路等，它们具有一定的电流放大和电压放大作用（即增益），可以对电路信号进行加工和控制。

二、电子元器件的分类根据作用和形状的不同，电子元器件分为多种类型，下面是一些常见的电子元器件类型介绍：1. 电阻器电阻器是被动元器件，用于控制电路中的电流大小。

它们通常是一个导电质料制成的。

电阻器的种类有线性电阻、非线性电阻和可变电阻等。

2. 电容器电容器也是被动元器件，用于存储电荷。

它们由两个导体板和一个绝缘材料层组成。

电容器的种类有电解电容、陶瓷电容、纸质电容等等。

3. 电感器电感器是被动元器件，用于控制和储存电能。

它们由绕在磁芯上的线圈构成。

电感器的种类有大电感、小电感、发光电感等。

4. 晶体管晶体管是一种主动元器件，具有放大和开关功能。

它们通常被用于模拟和数字电路的设计中。

晶体管的种类有NPN型、PNP型、场效应晶体管等等。

5. 二极管二极管也是一种主动元器件，具有整流和振荡等特性。

它们被广泛应用于电源等电路中。

二极管的种类有普通二极管、整流二极管等等。

6. 集成电路集成电路也是一种主动元器件，是一种复杂的电子元件。

它们由多个晶体管、二极管和电容器等组成，通常可以完成多个电路功能。

集成电路的种类有逻辑集成电路、模拟集成电路等等。

三、电子元器件的基本特性电子元器件都有自己的特性，例如电压、电流和功率等等。

电子元件的识别与检测二极管、三极管、电容、电阻

本征半导体导电示意图
第四十三页，编辑于星期五：十七点四分。
（2）杂质半导体及分类定义：掺杂后的半导体为杂质半导体。分类：按所掺入杂质类型不同，分为P型半导体和
N型半导体。 1）P型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微
量的三价元素，就形成P型半导体（空穴型半导体）。其内部有两种运载电荷的粒子，即载流子,其中空穴是多数载流子（简称多子），自由电子是少数载流子（简称少子）。 2）N型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的五价元素，就形成N型半导体（或电子型半导体
2. 电阻器的额定功率
• 电阻器长期连续工作并能满足规定的性能要求时，所允许耗散的最大功率称为电阻器的额定功率
第二十三页，编辑于星期五：十七点四分。
二、识别电容器
常见电容及其图形符号
第二十四页，编辑于星期五：十七点四分。
1.电容器的标注方法
电容器的单位：国际单位是法拉（F）。常用单位有微法（μF）、微微法（PF）。1F＝106μF＝1012PF
表示容量为6800pF 耐压为1500V
圆片瓷介电容器
第二十七页，编辑于星期五：十七点四分。
涤纶薄膜电容
耐压：400V
容量：33X104μF
误差：J为±5％
表示容量为33X104μF 误差为±5％耐压为400V
涤纶薄膜电容器
第二十八页，编辑于星期五：十七点四分。
耐压为“2A”＝1.0×102=100V 容量为“104”＝10×104pF 误差为“J”＝ ±5％
第十三页，编辑于星期五：十七点四分。
• 4. 直流电流的测量
1）选挡位：直流电流挡 2）选量程：当不知电流范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度2/3以上区域 3）选刻度：选标有“mA”刻度线，读取合适的刻度 4）测量：断开被测电路，将万用表红、黑表笔串入，电流从红笔入黑笔出 5）读数：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被测电