电子技术考试复习资料
电子技术基础 复习资料
电子技术基础复习资料电子技术基础复习资料电子技术是现代社会发展的重要支撑，涉及到电路、信号处理、通信等多个领域。
对于电子技术的学习者来说，掌握基础知识是非常重要的。
本文将为大家提供一些电子技术基础的复习资料，帮助大家更好地理解和掌握这一领域的知识。
一、电子元器件1. 电阻：电子电路中最基本的元器件之一，用于限制电流流动。
2. 电容：用于储存电荷，具有储存和释放电能的能力。
3. 电感：用于储存磁能，具有阻碍电流变化的特性。
4. 二极管：具有单向导电性质，常用于整流和信号检测。
5. 三极管：是一种控制电流的元件，常用于放大和开关电路。
6. MOSFET：是一种场效应管，具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，广泛应用于数字电路和功率放大电路。
7. 集成电路：将多个电子元件集成在一块芯片上，可实现复杂的功能。
二、基本电路1. 电流与电压关系：欧姆定律描述了电流、电压和电阻之间的关系，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
2. 串联电路与并联电路：在串联电路中，电流只有一条路径可流动，而在并联电路中，电流可以选择多个路径流动。
3. 电压分压器：通过串联电阻将输入电压分成不同比例的输出电压，常用于电压调节和信号处理。
4. 电流源与电压源：电流源提供恒定的电流输出，而电压源提供恒定的电压输出，常用于电路模拟和实验。
三、信号处理1. 模拟信号与数字信号：模拟信号是连续变化的信号，而数字信号是离散的信号。
2. 采样与量化：采样是将连续的模拟信号转换为离散的数字信号，量化是将连续的信号幅度转换为离散的数值。
3. 滤波器：用于改变信号频率特性的电路，常用于信号去噪和频率选择。
4. 放大器：用于放大信号幅度的电路，常用于信号增益和放大。
四、通信技术1. 调制与解调：调制是将低频信号转换为高频信号以便传输，解调是将接收到的高频信号转换为原始信号。
2. 调频与调幅：调频是通过改变载波频率来调制信号，调幅是通过改变载波幅度来调制信号。
电工电子技术复习资料.
一、单项选择题1、图示电路中I为【 C 】A．2A B．3A C．5A D.8A2、电路和及其对应的欧姆定律表达式分别如图1、图2、图3所示，其中表达式正确的是【B 】A．图1 B．图2 C．图3 D．都不正确3、右图示电路中，当R1增加时，电压U2将【 C 】A．变大B．变小C．不变D．不确定4、图示电路中，当R P的阻值增大时，则B】A．a、b两点电位均上升B．a点电位上升，b点电位下降C．a点电位下降，b点电位上升D．a、b两点电位均下降5、图示电路中I为电路如图所示，根据工程近似的观点，a、b两点间的电阻值约等于【B 】A．1kΩB．101kΩC．200kΩD．201kΩ6、在下图所示电路中，已知 i 1 = 4 sin ωt A ，i 2 = 3 sin ωt A ，则 i 为 【B 】A. 7 sin ωt AB. －7 sin ωt AC. 1 sin ωt AD. 5 sin ωt A7、电路如图所示，电路中的电流大小是【 D 】A. 0.3mAB. 0mAC. 0.5mAD. 0.1mA8、．对于有6条支路4个节点的电路，基尔霍夫电压定律可列的独立方程数为 【A 】A ． 3个B ．2个C ． 4个D ．5个9、在图示的电路中，A 点的电位V A 为 【D 】A ．10VB ．15VC ．-15VD ．0V10、对如右图所示的电路，下列说法正确的有 【C 】A 恒流源消耗功率，恒压源产生功率；B 恒流源产生功率，恒压源消耗功率；C 恒流源和恒压源均产生功率；11、正弦电压u=Umsin(ωt+ϕ)的波形如图所示，则ϕ为 【C 】A. -30ºB. 0ºC. 30ºD. 150º12、RL 串联电路中，正确表示电压与电流关系的式子为 【D 】 A. I＝U／│Z │ B ．I =U ／(R+XL) C ．I= U ／(R+XL) D ．I=U／(R+j ωL)13、下列物理量中，通常采用相量法进行分析的是 【A 】 A ．随时间变化的同频率正弦量 B ．随时间变化的不同频率正弦量 C ．不随时间变化的直流量 D ．随时间变化不同周期的方波变量14、在正弦交流电路中，某负载为Z=8+j6，则该负载的功率因数为 【D 】 A. 0.5B. 0.6C. 0.7D. 0.815、感性负载并联电容提高功率因数后，该负载消耗的有功功率将 【 C 】 A.减小 B.增大 C.不变 D.与并联电容大小有关16、负载为△形联接对称三相电路中，每相电阻为19Ω，三相电源线电压为380V 则线电流为 【C 】 A. 20A B. 202A C. 203A D. 40A17、在某一频率下测得ＲL 串联正弦交流电路中的Ω=Ω=4,6L X R ，则该电路的复阻抗为 【B 】 A ．Ω-=4j Z B ．Ω+=46j Z C ．Ω-=46j Z D ．Ω=4j Z18、在R 、L 、C 并联电路中，如果总电压和电流同相位，这说明 【D 】 A ．电路总电阻为零 B ．不消耗电能 C ．复阻抗为零 D ．电路呈纯电阻性 19、三相交流发电机的三个绕组星形联结，线电压tV u BC ωsin 2380=，则相电压u C为【C 】A ．220290sin()ωt +︒VB ．220230sin()ωt -︒V C ．2202150sin()ωt -︒V D ．V )30sin(2220︒+t ω 20、在负载为纯电感元件的正弦交流电路中，电压u 与电流i 的相位关系是 【B 】 A.u 滞后i 90ºB.u 超前i 90ºC.反相D.同相21、正弦电压u(t)=2sin(314t-45°)V ，有效值相量表示为 【D 】 A. ︒45-/2 B.︒45/2C. ︒45/2D. ︒45-/222、右图中的等效复阻抗Zeq 等于 【 D 】 A. 2 Ω; B. 2+j2 Ω; C 2+ j Ω ; D. 2 – j Ω23、负载三角形连接的对称三相电路中，若每相负载均由R=5Ω的电阻和X L =10Ω的电感串联构成，当相电流为2A 时，三相有功功率为 【C 】 A ．30W B ．40W C ．60WD ．180W24、若负载的端电压为，流过负载的电流为，则负载的功率因数为【 】 A ．-1B ．-0.643C ．0.174D ．0.64325、在电动机的继电器接触器控制电路中，热继电器的功能是实现 【C 】 A. 短路保护 B. 过压保护 C. 过载保护 D. 欠压保护26、电路如图所示，SB 是按钮，KM 是接触器，KM 1和KM 2均已通电动作，此时若按动SB 4，则 【 A 】A. 接触器KM 1和KM 2均不能断电停止运行B. 只有接触器KM 2断电停止运行C. 接触器KM 1和KM 2均断电停止运行D. 只有接触器KM 1断电停止运行27、一台三相异步电动机的磁极对数p=2，电源频率为50Hz ，电动机转速 n=1440r/min ， 其转差率s 为 【 D 】A.1%B.2%C.3%D.4%28、一台变压器的原绕组由两个承受110V 电压的线圈绕成，如图所示，若将其接到220V交流电源上，令二线圈串联，其连接方式为【D 】A ．1、2连接，3、4接电源B ．1、4连接，2、3接电源C ．2、3连接，1、4接电源D ．2、4连接，1、3接电源29、某单相变压器如右图所示，两个原绕组的额定电压均为110V ，副绕组额定电压为6.3V ，若电源电压为220V ，则应将原绕组的【A 】端相连接，其余两端接电源。
电工与电子技术考试复习资料
电工与电子技术1.如果正弦量的计时起点改变，也随之改变的是正弦量的初相位。
2. 根据基尔霍夫电压定律，U4和U6分别为-4和-3V。
3. 电路的组成部分包括电源、负载和中间环节。
4. 三相对称电路是指电源和负载均对称电路。
5.列写结点电压法时需要从电路中查找自电导和互电导。
6. 两互感线圈顺向串联时，其等效电感量为L1+L2+2M。
7. 负载获得最大功率的条件是负载电阻等于电源内阻。
8. 相量图是旋转相量把几个相同频率的交流电画在同一坐标中。
9.有两个正弦交流电，则对应的函数表达式分别为。
（f=50Hz）10. 表示关联参考方向的是11. 功率P=10*2= 20W，是吸收功率。
12. 根据基尔霍夫电流定律，I1=1A，I2=5A，I3=4A。
13. 正弦电压u1=10sin(ωt+15°)与u2=10sin(2ωt-15°)的相位差是不确定。
14. 一输入电压为220V，输出电压为36V的变压器副线圈烧坏。
为获知此变压器原、副线圈匝数，拆下烧坏的副线圈，用绝缘导线在铁芯上新绕了5匝线圈，然后将原线圈接到220V交流电源上，测得新绕线圈的端电压为1V，按理想变压器分析，该变压器烧坏前的原、副线圈匝数分别为1100, 180。
15. 对称情况下，各相电压、电流都是对称的。
线电压为380V，则相电压为220V，电阻为10Ω，则电流为22A。
16. 图（a）图（b）负载的Y形联接和Δ形联接。
17. 变压器降压使用时，能输出较大的电流。
18.两电感线圈L1和L2的互感均为M，则顺向串联时其等效电感为L1+L2+2M。
19. 运用戴维宁定理，需要求解的两个参数是开路电压和等效电阻。
20. 在三相交流电路中，当负载为对称且Δ型连接时，线电压与相电压的相位关系是线电流滞后相电流30°。
21. Y-Δ起动转矩TSTY=1/3TSTΔ。
22.在直流稳态时，电感元件有电流，无电压。
23.根据基尔霍夫电流定律，I+3-5=0A，I=2A。
电子技术考试复习提纲
一：填空题1.本征半导体的概念：本征半导体就是完全纯净的，晶格完整的半导体。
2.N 型半导体：自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子P 型半导体：空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子4.与温度有关的：少子，二极管反向电流，二极管的反响电流随温度的增加上升很快。
5.多子与掺杂浓度有关6.三极管实现放大作用的外部条件是：集电结反向偏置（加反向电压），发射结正向偏置（加正向电压）7.正负反馈的类型：串联电压负反馈，串联电流负反馈，并联电压负反馈，并联电流负反馈8.引入反馈的目的：直流负反馈的作用是稳定静态工作点；交流负反馈的作用是改善放大电路的工作性能。
9.PN 结的特性：单向导电性10.基本放大电路的组成部分：晶体管，集电极电源电压CC U ，集电极负载电阻C R ，偏置电阻B R ,,耦合电容1C ,2C11.在深度负反馈下的闭环放大倍数：AFA A uf +=1,参考书上第138 页 12.差分放大电路的作用：（疑问）放大差模信号，抑制共模信号，抑制零点漂移。
13.扇出系数的概念(O N ):扇出系数是指一个与非门能带同类门的最大数目，它表示带负载能力。
对TTL 与非门，扇出系数一般O N ≥814.时序逻辑电路的概念：逻辑电路中当前的结果不仅与当前的输入有关，还与之前的输入有关。
15.数制转换16.数制转换中的倒除法二：分析题静态：要求的值有哪些1.分析基本运放电路参考书上P53例题动态：要求的值有哪些只有一个电阻B R 时怎么求解2. 静态分析的两种类型B R 分为1B R 和2B R 时应怎么求解3.动态分析：参考书上例题53页，54页4.反相比例运算器的放大倍数1R R A f uf -= 电路图参考书100-101页5.会判断放大电路中的反馈类型公式法 6.逻辑函数的化简卡诺图法7.根据逻辑图分析逻辑图的功能 三：设计题用译码器或者计数器设计逻辑电路图，具体步骤参考书上讲解。
电工与电子技术考试复习资料
一、单选题1.角频率ω与频率ƒ之间的关系为（ ）。
A、ω=2πƒB、ω=1/ƒC、ω=πƒD、ω=ƒ答案： A2.一个由线性电阻构成的电器，从220V的电源吸取1000W的功率，若将此电器接到110V的电源上，则吸取的功率为（ ）。
A、250W B、500W C、1000W D、2000W答案： A3.在测量电压时，电压表应（ ）在负载两端。
A、串联 B、并联 C、任意接 D、不确定 答案： B4.我国使用的工频交流电频率为（ ）。
A、45Hz B、50Hz C、60Hz D、65Hz答案： B5.两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是( ) A、4：1 B、1：4 C、1：2 D、2：1 答案： A6.三相对称绕组在空间位置上应彼此相差（ ）。
A、60°电角度 B、120°电角度 C、180°电角度 D、360°电角度7.电路中两点间的电压高，则( )。
A、两点的电位高 B、两点间的电位差大 C、两点的电位一定为正 D、两点的电位一定为负 答案： B8.按照习惯，导体中（ ）运动的方向为电流的方向。
A、电子 B、正电荷 C、电荷 D、离子 答案： A9.某电阻元件的额定数据为“1KΩ、2.5W”，正常使用时允许流过的最大电流为（ ）。
A、50m B、25m C、250m D、500m 答案： A10.有一段16Ω的导线，把它们对折起来作为一条导线用，其电阻是( )。
A、8ΩB、16ΩC、4ΩD、32Ω答案： C11.三相对称电路是指（ ）。
A、三相电源对称的电路； B、三相负载对称的电路； C、三相电源和三相负载均对称的电路。
答案： C12.将额定值为220V、100W的灯泡接在110V电路中，其实际功率为（ ）。
A、100W B、50W C、25W D、125W 答案： C13.有“220V、100W”“220V、25W”白炽灯两盏，串联后接入220V交流电源，其亮度情况是（ ）。
《电子技术基础》复习资料
原子核
内部含有大量的自由电子
（2） 绝缘体
绝缘体的最外层电子数一般为6~8个，且距原子核较近 ，因此受原子核的束缚力较强而不易挣脱其束缚。
常温下绝缘体内部几乎不存在自由电子，因此导电能力 极差或不导电。
常用的绝缘体材料有橡胶、云母、陶瓷等。
原子核
内部几乎没有自由电子， 因此不导电。
（3） 半导体
受光照或温度
＋4
＋4
上升影响，共
价键中其它一
些价电子直接
跳进空穴，使
＋4
＋4
失电子的原子
重新恢复电中
性。
＋4
此时整个晶 体带电吗？
为什么？
＋4
＋4
＋4
＋4
价电子填补空穴的现象称为 。
参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的 空穴仍会被邻近共价键中跳出来的价电子填补上，这种价 电子填补空穴的复合运动使本征半导体中又形成一种不同 于本征激发下的电荷迁移，为区别于本征激发下自由电子 载流子的运动，我们把价电子填补空穴的复合运动称为空 穴载流子运动。
＋4
＋4
＋4
掺入硼杂质的硅半
导体晶格中，空穴
B
载流子的数量大大
＋4
＋4
＋4
增加。因此空穴是
三价元素硼(B)
这种半导体的导电 主流。
＋4
＋4
＋4
一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少数 载流子数量的1010倍或更多，因此，杂质半导体比本征半导体 的导电能力可增强几十万倍。
掺入三价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自 由电子载流子的数量而称为空穴型半导体，也叫做P型半导体。
——受温度的影响，半导体导电能力变化很大；
电工电子技术复习资料
2Ω Ω 3Ω Ω 2A 2A 1A 6Ω Ω 4Ω Ω 1Ω Ω I 4A
2Ω Ω 2Ω Ω 1A 4Ω Ω I 1Ω Ω
电工电子技术
+
L
i=0
C 1. u =0时，W 是 时 L L
否为0？ 否为 ？ic=0时， 时 WC是否为 ？ 是否为0？
uL=0
–
2. 理想电源和实际
电源有何区别？ 电源有何区别？理 想电源之间能否等 效互换？ 效互换？实际电源 模型的互换如何？ 模型的互换如何？
电工电子技术
1.3 无源电路元件 理想电路元件分有无源 有源两大类 理想电路元件分有无源和有源两大类 无源和
无源二端元件 有源二端元件
+ R L C US – IS
电阻元件 只具耗能 的电特性
电感元件 只具有储 存磁能的 电特性
电容元件 只具有储 存电能的 电特性
理想电压源 输出电压恒 定，输出电 流由它和负 载共同决定
电工电子技术
2、电位的计算 、
例
c 6K － 12V ＋
求开关S打开和闭合时a 求开关S打开和闭合时a点的电位值。
－12V c 6K 4K b 20K d ＋ 12V － S
S闭合时的等效 电路：
b 4K a
解 画出S打开时的等效电路： 画出S
a 20K d ＋12V c 6K － 12V ＋ b 4K a 20K S d ＋ 12V －
电感元件图符号 单位亨：H
1 2 wL = Li 2
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3. 电容元件
C
电容元件图符号 电容产品实物图 单位法拉：F 对线性电容元件而言，任一瞬时，其电压、电流的关系也 是微分(`或积分)的动态 动态关系，即： i = C du C dt 电容元件的工作方式就是充放电。 因此，只有电容元件的极间电压发生变化 发生变化时，电容支路才有 电流通过。电容元件也是动态元件，其储存的电场能量为：
电子技术复习题及答案
电子技术复习题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，以下哪个逻辑门可以实现非逻辑功能？A. 与门B. 或门C. 异或门D. 非门答案：D2. 晶体管放大电路中，静态工作点的确定是为了：A. 提高放大倍数B. 减小非线性失真C. 增加输出电压D. 增加输出电流答案：B3. 以下哪种波形不属于模拟信号？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 数字信号答案：D4. 在电子电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 滤除噪声C. 改变信号频率D. 转换信号类型5. 集成电路的封装类型不包括以下哪一项？A. DIPB. QFPC. PGAD. 电阻答案：D6. 稳压二极管的正向导通电压通常在：A. 0.2V至0.3V之间B. 0.6V至0.7V之间C. 0.7V至0.8V之间D. 1.2V至1.3V之间答案：D7. 以下哪种元件不是被动元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 晶体管答案：D8. 在数字电路中，触发器的主要用途是：A. 放大信号B. 存储一位二进制信息C. 转换信号类型D. 滤波答案：B9. 以下哪种材料不适合制作半导体器件？B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C10. 电子电路中的反馈不包括以下哪种类型？A. 正反馈B. 负反馈C. 直流反馈D. 交流反馈答案：C二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些因素会影响晶体管放大电路的放大倍数？A. 电源电压B. 晶体管的β值C. 负载电阻D. 温度答案：ABCD2. 在模拟电路设计中，以下哪些元件可以用于信号放大？A. 电阻B. 晶体管C. 运算放大器D. 电感答案：BC3. 数字电路中的逻辑运算包括以下哪些？A. 与B. 或D. 异或答案：ABCD4. 以下哪些元件可以用于电子电路中的信号整形？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 晶体管答案：BCD5. 以下哪些因素会影响电子电路的稳定性？A. 电源电压波动B. 温度变化C. 元件老化D. 外部电磁干扰答案：ABCD三、填空题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“0”通常表示为电压______伏特。
电子技术基础(数电、模电)复习资料
电子技术基础（数电、模电） 复习资料一 、填空题1． N 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 ， P 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。
答案：自由电子、空穴、空穴、自由电子2. 二级管的伏安特性可分为 、 和三部分来说明。
答案：正向特性、反向特性、反向击穿特性 3. 使用环路增益波特图判断是否处在自激状态： 稳定状态时 、自激状态时 、 临界状态时 。
答案： 、4. 多级放大电路的常用耦合方式有 、 和 。
答案：阻容耦合、直接耦合、变压器耦合5. 放大电路有 、 和三种工作状态答案：甲类工作状态、甲乙类工作状态、乙类工作状态6. 理想运算放大器工作在线性区时满足“虚短”和“虚断”，“虚短”是 指 ，用公式表达为 ，“虚断”是指 用公式表达为 。
答案：理想运放的差模输入电压等于零、 、 理想运放的输入电流等于零、 。
7. 按输入电压允许的极性分类，乘法运算电路可分为 、 和 。
答案：四象限乘法电路、二象限乘法电路、单象限乘法电路8. 正弦波振荡电路是指电路本身能自动产生特定 、 和 的正弦波信号。
答案：频率、振幅、稳定度9. n 个变量的逻辑函数最多可有 个最小项。
答案： 10.与非门的电压传输特性可分为 、 、 和 四个区段。
答案：截止区、线性区、转折区、饱和区1. 集成运算放大器通常由 、 、 和 四部分组成。
答案：输入级、中间级、输出级、偏置电路2. 放大电路的频率特性是指在输入正弦信号幅值不变的情况下，放大电路输出信号的 和 随频率变化的关系，以频率特性图中间平坦部分为准，将频率特性分为 、 和 。
答-+=u u 0==-+i i n2dB G f f m o c 0,<>dB G f f m o c 0,><dBG f f m o c 0,==案： 幅值、相位、中频区、低频区、高频区3. 产生正弦波振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件表示为和 。
电子技术复习题含答案
电子技术复习题含答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“与”运算对应的门电路是：A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：A2. 半导体二极管的主要作用是：A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 调制答案：B3. 以下哪个元件不是构成放大电路的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：C4. 在数字电路中，逻辑“或”运算对应的门电路是：A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：B5. 晶体管放大电路中，若要实现信号的放大，晶体管应工作在：A. 截止区B. 饱和区C. 放大区D. 反向击穿区答案：C6. 以下哪个不是数字电路中的逻辑运算？A. 逻辑与B. 逻辑或C. 逻辑非D. 逻辑乘答案：D7. 在模拟电路中，三极管的主要作用是：A. 整流B. 放大C. 滤波D. 调制答案：B8. 以下哪个元件是构成振荡电路的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：D9. 在数字电路中，逻辑“非”运算对应的门电路是：A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：C10. 晶体管放大电路中，若要实现信号的反向放大，晶体管应工作在：A. 截止区B. 饱和区C. 放大区D. 反向击穿区答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“与”运算的输出只有在所有输入都为1时，输出才为______。
答案：12. 半导体二极管的正向导通电压一般为______伏特。
答案：0.73. 三极管的放大作用是通过改变______极的电流来控制集电极电流的大小。
答案：基4. 在数字电路中，逻辑“或”运算的输出只要有一个输入为1，输出就为______。
答案：15. 晶体管放大电路中的静态工作点是指在没有输入信号时，晶体管的______、集电极电流和集电极-发射极电压。
答案：基极电流6. 数字电路中的触发器可以存储______位二进制信息。
答案：17. 晶体管放大电路的输入阻抗和输出阻抗分别影响电路的______和带负载能力。
电子技术复习提纲(附答案)
电子技术复习提纲一、常用半导体器件1、了解半导体的导电特性。
2、掌握PN 结单向导电性和二极管的伏安特性，二极管的钳位、削波作用，稳压管的正确使用；了解二极管、稳压管的主要参数。
3、理解三极管的电流放大作用，掌握三极管的放大、饱和、截止三种工作状态的特点和判别；了解三极管的主要参数。
例1 电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，u A =3sin ωt V ，u B =3V ，R =4k Ω，则u F 等于( )。
(A)3V(B)3sin ωt V (C)3V+3sin ωt V答案：B例2电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，判断D 1、D 2的工作状态为( )。
(a)D 1导通，D 2截止 (b)D 1导通，D 2导通 (c)D 1截止，D 2导通(d)D 1截止，D 2截止 答案：A例 3 电路如图所示，二极管为理想元件，ui =6sin ωt V ，U =3V ，当ωt =π2瞬间，输出电压u O 等于( )。
能画出输出u o 的波形吗？看作业10.7(a)0V (b)6V (c)3V 答案：B例5已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V 、9V 和6.3V ，则6V 所对应的电极为( )。
(A) 发射极 (B) 集电极 (C) 基极答案：A+-u o 例6电路如图所示，晶体管处于( )。
(A) 放大状态 (B) 饱和状态 (C)截止状态 答案：B三、基本放大电路1、 掌握固定式、分压式共射极放大电路的直流通路、微变等效电路画法以及静态工作点、放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算。
2、 了解阻容耦合多级放大电路的特点和计算。
了解直接耦合放大电路存在的主要问题和解决的方法。
3、 掌握负反馈的判断及对放大电路性能的影响。
4、 了解射极输出器的三大特点、反馈类型及静态工作点、微变等效电路、放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算例1放大电路如图所示，由于R B 阻值选取得不合适而产生了截止失真，为了改善失真，正确的做法是( )。
电子的技术复习资料
《电子技术应用》复习资料一. 单选题1.用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为 C 。
A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍2.二极管导通的条件是加在二极管两端的电压为 A 。
A.正向电压大于PN结的死区电压B.正向电压等于零C.必须加反向电压3.稳压管的正常工作状态是 C 。
A.导通状态B.截止状态C.反向击穿状态4.三极管的主题特点是具有 B 。
A.单向导电性B.电流放大作用C.稳压作用5.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为Ve=2.1V，Vb=2.8V，Vc=4.4V,说明此三极管工作在 A 。
A.放大区B.饱和区C.截止区6.某晶体管的集电极最大允许耗散功率Pcm=500mW，集电极最大允许电流Icm=500mA，在实际应用电路中测得它的集电极电流Ic=100mA，Uce=6V，其结果为 A 。
A.该管子因过热而损坏B. 该管子可长期安全工作C. 该管子可安全工作，但β下降7.在晶体管基本放大电路中，经过晶体管的信号有 C 。
A.直流成分B.交流成分C.交直流成分均有8.在晶体管基本放大电路中的主要放大对象是 B 。
A.直流信号B.交流信号C.交直流信号均有9.对放大电路进行静态分析的主要任务是 B 。
A.确定电压放大倍数AuB.确定静态工作点QC.确定输入电阻Ri和输出电阻Ro10.对放大电路进行动态分析的主要任务是 C 。
A. 确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压C. 确定电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro11.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的 B 。
A.IcB.IbC.Uce12.关于晶体管放大电路中的静态工作点Q，下列说法不正确的是 C 。
A.Q点过高会产生饱和失真B. Q点过低会产生截止失真C.Q点可采用微变等效电路法求得13.在NPN管组成的共射放大电路中输入信号电压为正弦波，其输出电压的波形出现了图形失真（顶部和底部都出现失真），若要消除失真，则应 A 。
电子技术,考试复习资料
3．三级管组成单管放大电路有三种基本组态，即、、
管，当基极电流IB从20μA增大到40μA时，集电极电流IC从1mA变化成2mA,则它的β值约为
5.欲改善放大电路的性能指标，应引入反馈。
6.如图1-1所示电路中，二极管为硅管，电压Uo为
1-1
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二、问答题（每题10分，共12分）
1. 组成放大电路的原则是什么？试判断下图所示电路能否正常放大正弦交流信号，若不能，请说明原因。
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2、设图中A为理想运放请求出各电路的输出电压30分
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使用班级
装
o
订
o
线
o
内
o
请
o
勿
o
答
o
题
一、填空题（每空2分，共28分）
1.N型半导体的多数载流子是____________，P型半导体的多数载流子是____________，PN结的特性是___________________，PNP三极管具有电流放大作用的条件是发射结________，集电结_________。
电力电子技术考试复习资料
一、单选题1.单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断答案： B2.要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。
A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压答案： A3.单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。
A、180°B、60°C、360°D、120°答案： A4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止答案： B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管答案： D6.二极管两端加上正向电压时（）。
A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通答案： B7.为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路答案： B8.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A、电容B、电感C、蓄电池D、电动机答案： B9.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )A、三相半波可控变电流电路B、单相半控桥C、接有续流二极管的三相半控桥D、接有续流二极管的单相半波可控变流电路答案： A10.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )A、大功率三极管B、逆阻型晶闸管C、双向晶闸管D、可关断晶闸管答案： B11.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFET答案： C12.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α和U2D、α、U2以及变压器漏抗XC答案： A13.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
电子技术复习资料
《电子技术》复习资料一单项选择题( 40题, 每题1分共40分)1. 具有记忆功能的是( D )A. 与非门B. 异或门C. 加法器D. 触发器2. 组合电路是由( B )组成的A. 存储电路B. 门电路C. 逻辑电路D. 数字电路3. 下列逻辑定理错误的是( B )A. A·A = AB. A+1 = AC. A+1 = 1D. A+A = A4. 晶闸管由导通变为截止的条件是( D )A. 控制电压减小B. 控制电压反向C. 控制电压为零D. 阳极电压为零5. (1011001)2 = ( C )10A. 13B. 59C. 89D. 1316. (51 )10 = ( B )2A. (1110011)2B. (110011)2C. ( 001111 )2D. (111100 )27. 要求各项整流指标好, 但不要逆变的小功率场合应采用( B )电路.A. 单相全控桥B. 单相半控桥C. 三相半波D. 三相半控桥8. 要求各项整流指标较好, 大功率高电压的场合应采用( C )电路.A. 单相全控桥B. 三相半波C. 三相半控桥D. 三相全控桥9. 三相半控桥整流电路晶闸管承受的最大正反向电压为( A)A. U2φB. U2φC. U2φD. U2φ10. 三相全控桥整流电路当控制角a = 00时, 空载整流输出电压平均值为( D )A. O.45 U2φB. 0.9 U2φC. 1.17 U2φD. 2.34 U2φ11. 三相全控桥电路最大导通角是( B )A. π/2B. 2π/3C. πD. 3π/212. 三相全控桥电阻加大电感电路移相范围是（A）A．0-π/2 B 0-2π/3 C 0-π D 0-3π/213. 三相半控桥整流电路a = 0时的脉动电压，最低脉动频率是（ D ）A．2f B 3f C 4f D 6f14. 三相半波可控整流电路各相触发脉冲相位差是（ C ）A．600 B 900 C 1200 D 180015. 逻辑表达式A+AB等于（A）A．A B 1+A C 1+B D B16. 双稳态触发脉冲过窄，将会使电路出现后果是（ C ）A．空翻 B 正常翻转 C 触发不翻转 D 不定17. 双稳态触发器原来处于“1”状态，想让它翻转为“0”态，可以采用触发方式是（C ）A．单边触发 B 多边触发 C 计数触发 D 负触发18. “异或”门电路的逻辑功能表达式是（ D ）A．A·B·C B A+B+C C A·B+C·B D A·B + B·A19. 在三相半波可控整流电路中，当负载为感性时，负载电感越大，其（A）导通角越大。
电子技术考试复习资料
电子技术考试复习资料1、下列关于二极管的应用说法哪个是错误的?（ C ）A 开关的门电路B 具体整流的作用C 放大D 限幅2、稳压管工作在（ A ）状态下才能稳定电压A、反向击穿B、反向截止C、正向导通D、任意3、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ）。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（B、E、C）4、某仪表放大电路，要求Ri小，输出电流稳定，应选（D ）A、电压串联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈D、电流并联负反馈5、晶体管具有电流放大作用的外部条件是( Ｄ)A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结反偏6、下列选项中不属于负反馈对放大电路性能的改善的是（D ）。
A．提高Af的稳定性 B 减小非线性失真C．扩展通频带 D 自激振荡的消除7、对于放大电路，所谓开环是指（B ）。
A、无信号源B、无反馈通路C、无电源D、无负载8、输入（C ）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A.正弦小信号B.低频大信号C. 低频小信号D. 高频小信号9、为了获得反相电压放大，则应选用（A ）放大电路。
A．共发射极 B.共集电极 C. 共基极 D. 共栅极10、在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是（ B ）放大电路。
A．共发射极 B.共集电极 C. 共基极 D. 共栅极11、半导体二极管的重要特性之一是(B)。
A．温度稳定性 B.单向导电性 C.放大作用 D.滤波特性12、负反馈所能抑制的干扰和噪声是(B)A输入信号所包含的干扰和噪声 B.反馈环内的干扰和噪声C.反馈环外的干扰和噪声D.输出信号中的干扰和噪声13、当温度升高时，二极管反向饱和电流将(A)。
A增大B减小C不变D等于零14、在单级发射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形出现底部被削平的现象，这种失真是（ A ）失真。
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1、下列关于二极管的应用说法哪个是错误的?（ C ）
A 开关的门电路
B 具体整流的作用
C 放大
D 限幅
2、稳压管工作在（ A ）状态下才能稳定电压
A、反向击穿
B、反向截止
C、正向导通
D、任意
3、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ）。
A、（
B、
C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）
D、（B、
E、C）
4、某仪表放大电路，要求Ri小，输出电流稳定，应选（D ）
A、电压串联负反馈
B、电流串联负反馈
C、电压并联负反馈
D、电流并联负反
馈
5、晶体管具有电流放大作用的外部条件是( Ｄ)
A、发射结反偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结正偏，集电结反偏
6、下列选项中不属于负反馈对放大电路性能的改善的是（ D ）。
A．提高Af的稳定性 B 减小非线性失真
C．扩展通频带 D 自激振荡的消除
7、对于放大电路，所谓开环是指（B ）。
A、无信号源
B、无反馈通路
C、无电源
D、无负载
8、输入（C ）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A.正弦小信号
B.低频大信号
C. 低频小信号
D. 高频小信号
9、为了获得反相电压放大，则应选用（A ）放大电路。
A．共发射极 B.共集电极 C. 共基极 D. 共栅极
10、在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是（ B ）放大电路。
A．共发射极 B.共集电极 C. 共基极 D. 共栅极
11、半导体二极管的重要特性之一是(B)。
A．温度稳定性 B.单向导电性 C.放大作用 D.滤波特性
12、负反馈所能抑制的干扰和噪声是(B)
A输入信号所包含的干扰和噪声 B.反馈环内的干扰和噪声
C.反馈环外的干扰和噪声
D.输出信号中的干扰和噪声
13、当温度升高时，二极管反向饱和电流将(A)。
A增大B减小C不变D等于零
14、在单级发射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形出现底部被削平的现象，这种失真是（ A ）失真。
A．饱和 B.截止 C. 饱和和截止 D.交越
15、在单级发射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形出现底部被削平的现象，引起放大电路输出波形失真的主要原因是（C ）
A．输入电阻太小 B.输入电阻太大 C. 静态工作点偏高 D.静态工作点偏低
16、根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（ B ）
A、NPN型低频小功率硅晶体管
B、NPN型高频小功率硅晶体管
C、PNP型低频小功率锗晶体管
D、NPN型低频大功率硅晶体管
17、射极输出器是典型的（A）放大器。
A、电压串联负反馈
B、电流串联负反馈
C、电压并联负反馈
D、电流并联负反馈
18、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（C ）
A、基本正常
B、将被击穿
C、将被烧坏
D、电流为零
19、三极管是一种（B ）的半导体器件。
A、电压控制
B、电流控制
C、既是电压控制又是电流控制
D、功率控制
20、放大器输出信号的能量来源是（A ）。
A、电源
B、晶体三极管
C、输入信号
D、均有作用
21、放大电路中的饱和失真与截止失真称为（B ）。
A、线性失真
B、非线性失真
C、交越失真
D、以上均不是
22、半导体二极管加正向电压时，有（A）
A、电流大电阻小
B、电流大电阻大
C、电流小电阻小
D、电流小电阻大
23、在本征半导体中掺入（A）构成P型半导体。
A、3价元素
B、4价元素
C、5价元素
D、6价元素
24、PN结正向偏置时，其内电场被（A）
A、削弱
B、增强
C、不变
D、不确定
25、在多级放大器中，对零点漂移影响最大的是（A ）。
A、前级
B、后级
C、前后级一样
D、中间级
26、与MOS逻辑系列相比，TTL逻辑系列相比的主要优点之一是（A）。
A．高速B．高集成度C．低功耗D．高稳定性
27、与TTL逻辑系列相比，MOS逻辑系列相比的主要优点之一是（B）。
A．高速B．高集成度C．低功耗D．高稳定性
28、悬空输入（D）。
A．将使能逻辑门B．将禁止逻辑门
C．使TTL逻辑门动作将其作为低电平输入来动作
D．使TTL逻辑门动作将其作为高电平输入来动作
29、若将一个TTL异或门（输入端为A、B）当作反相器使用，则A、B端应（A ）连接。
A．A或B中有一个接1B．A或B中有一个接0
C．A和B并联使用D．不能实现
30、对于TTL与非门，下列说法属于逻辑“0”的是（A ）。
A．输入端接0.8V的电源B．输入端悬空
C．输入端通过10K电阻接地
D．输入端接同类与非门输出高的电平
31、满足（D ）时，或非门输出为低电平。
A．一个输入为高电平B．所有输入都是低电平
C．多于一个输入的是高电平D．A和C都对
32、一个逻辑门输出能够可靠驱动的最大输入数称为（C ）。
A．噪声免疫力B．噪声容限
C．扇出D．扇入
33、找出下列描述中正确的结论是（A ）。
A．CMOS门电路的静态功耗是0
B．多个OC门不可以实现线与链接
C．TTL门电路的电源电压可取6V
D．最小项是包含变量最少的项
34、对TTL门电路要实现正常逻辑功能，正确的说法是（D ）。
A．与非门应将空闲引脚接地
B．与非门应将空闲引脚通过电阻接地
C．与门、与非门应将空闲引脚接地
D．与非门应将空闲引脚接VCC
35、对TTL门电路要实现正常逻辑功能，正确的说法是（C ）。
A．或门，或非门应将空闲引脚浮空
B．或门应将空闲引脚通过电阻接VCC
C．或门，或非门应将空闲引脚接地
D．或门，或非门应将空闲引脚接VCC
36、以下电路中可以实现“线与”功能的有（C ）。
A．与非门B．三态输出门
C．集电极开路门D．基极开路门
37、逻辑表达式Y=AB可以用（C ）实现。
A．正或门B．正非门
C．正与门D．负与门
38、对于TTL与非门闲置输入端的处理，不可以（C ）。
A．接电源B．通过电阻3kΩ接电源
C．接地D．与有用输入端并联
39、CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比不突出的优点是（B ）。
A．微功耗B．高速度
C．高抗干扰能力D．电源范围宽
40、4个边沿JK触发器,可以存储( A )位二进制数
A．4B．8 C．16D．32
41、三极管作为开关时工作区域是（D ）。
A．饱和区+放大区B．击穿区+截止区
C．放大区+击穿区D．饱和区+截止区
42、下列各种电路结构的触发器中哪种能构成移位寄存器（C ）。
A．基本RS触发器B．同步RS触发器
C．主从结构触发器D．D触发器
43、施密特触发器常用于对脉冲波形的（ C ）。
A．定时B．计数
C．整形D．滤波
44、十进制数25转换为二进制数结果是（B ）。
A．11000B B．11001B
C．11010B D．11011B
45、十进制数25转换为八进制数结果是（C ）。
A．28B．30
C．31D．32
46、十进制数25转换为十六进制数结果是（A ）。
A．19H B．20H
C．21H D．22H
47、十进制数43转换为二进制数结果是（B ）。
A．101010B B．101011B
C．101100B D．101101B
48、十进制数43转换为十六进制数结果是（C ）。
A．29H B．2AH
C．2BH D．30H
49、十进制数10.2转换为二进制数结果是（C ）。
A．1010.0001B B．1010.0010B
C．1010.0011B D．1010.0100B
50、十进制数10.2转换为十六进制数结果是（B ）。
A．A.2H B．A.3H
C．A.4H D．A.5H。