直观辨别单晶硅与多晶硅

直观辨别单晶硅与多晶硅

请问专家:怎样用直观的方法鉴别单晶硅电池板的好与坏,用直观的方法区别单晶硅、多晶硅、非晶硅。谢谢！

电简单的方法就是看面积，同样功率面积最小的是单晶硅，面积最大的是非晶硅，非晶硅的硅片看上去很薄，因为单晶硅的转换效率是最高的，成本也是最高的。

单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料

我告诉你讲肉眼分辨的方法，多晶硅片比单晶硅片外表粗糙一点，没有单晶硅的光滑，单晶的相对来讲比

多晶的硅片容易碎，

单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。

多晶硅是制造单晶硅的原料。

单晶硅太阳能电池转化的效率更高些！

单晶硅与多晶硅的区别在于它们的原子结构排列单晶是有序排列多晶是无序排列主要是有它们的加工工艺决定的多晶多采用浇注法生产,就是直接把硅料倒入埚中融化定型而单晶是采取西门子法改良直拉,直拉过程就是一个原子结构重组的过程.

说点简单的：

1.单晶太阳能板里面的电池片四边都有缺角的；多晶的四角是完整的。从外观上，单晶板上可以看到规则的空白，多晶板上没有。

2.颜色：单晶板一般偏黑色，多晶一般是蓝色。

单晶硅电池与多晶硅电池的不同处在于多晶硅的表面有大面积的冰花状花纹，而

单晶硅电池则是细小的颗粒，在它们的表面都镀有一层蓝色或紫色的抗反光膜。单晶硅转换效率一般在10%～15%，而多晶硅的转换效率在12%～16%。

多晶片是直角的正方形或长方形，单晶的四个角有接近圆形的倒角，一块组件中间有金钱形窟窿的就是单晶，一眼就能看出来

你说的太阳能硅板,其实我们叫太阳能组件板.

组件呢其实是由核心的太阳能电池片串并联后,与防腐防湿的背板和正面钢化玻璃经过层压而成的.

如何区分单晶板和多晶板其实就是如何区分层压在里面的太阳能电池是单晶的还是多晶的.

一般来说,表面没有经过特殊处理的多晶电池表面可以看到一小块一小块颜色深浅不一分布不均的样子.这样的多晶电池我们叫多彩;而单晶的则是整体颜色均匀.

但是也有例外,另外一种工艺可以把多晶电池表面做得和单晶一样颜色均匀.我们叫绒面多晶,外观和单晶一样.所以如果从颜色上区分不了的话,可以从单个电池片的四个边角来观察.一般单晶电池片都是大倒角的.无论125还是156的规格.而多晶电池片则是小倒角,而且以156规格为居多.

性能上两种组件没有区别.没有使用范围的限制.不分优劣.

PS:倒角,和晶向有关,简单来说就是电池片本来应该

是个正方型,但是4个本来是直角的边被削去了一块的样子.

单质硅的一种形态，为棕黑色或灰黑色的微晶体。这种固体硅不具有完整的金刚石型晶胞，纯度不高，熔点、密度和硬度等数值也明显低于晶态硅；化学性质比晶态硅活泼。

多晶硅性质：灰色金属光泽。密度在2.32到2.34摄氏度之间，熔点为1410摄氏度，沸点为2355摄氏度。溶于氢氟酸和硝酸的混合液中，不溶于水、硝酸以及盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下表现为质脆，切割时易碎裂。加热至800摄氏度以上即有延性，加热至1300摄氏度会出现明显的变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业生产中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等。多晶硅是由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。

在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过