电子技术基础第七章习题与解答
电路与电子技术基础总复习题及解
《电路与电子技术基础》总复习题及解2013.11《电路与电子技术基础》总复习题及解2013.11一、问 答第一章答题1. 电流与电压为关联参考方向是指什么？答：电流参考方向（箭头方向）与电压降参考方向（“+”到“-”的方向）一致的方向。
第二章答题1. 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为短路，理想电流源不作用时视为 开路。
2、求含有受控源单口网络的戴维南（诺顿）等效电路的内阻时，屏蔽掉电源后须用 外施电压、电流 法求得。
第三章答题1、对于电容C 和电感L ，电压和电流间的关系为：，2、换路定律是指： 3、全响应解的两种表达式： （1）全响应=（零输入响应）+（零状态响应）（2）三要素法：第四章答题1、直流电路中，感抗为0，容抗为无穷大。
2、正弦电压 u (t ) =2U cos (?t + ?u )对应的相量表示为 u U U θ∠=•。
3、任意一个相量乘以j相当于该相量逆时针旋转90o 。
1倍，4、三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为相电压是线电压的3且相电压滞后对应线电压30°。
对称电源△接线时，线电流、相电流之间关系为线电流等于3倍相电流，相位滞后对应相电流30°。
5、电阻元件的电压电流的有效值满足：U=IR，关联参考方向下电压和电流同相位，即第五章答题无第六章答题1、本征半导体电子浓度等于空穴浓度；N型半导体的电子浓度大于空穴浓度；P型半导体的电子浓度小于空穴浓度。
2、场效应管属于电压控制型器件，晶体三极管则属于电流控制器件。
3、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结正向偏置；集电结反向偏置。
4、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
5、 PN结的单向导电性，就是PN结正偏时导通，反偏时截止。
6、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic 增加，发射结压降U BE减小。
第七章答题1、共模抑制比K CMR是差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）之比。
电路与模拟电子技术(第二版)第7章习题解答
第七章 基本放大电路7.1 试判断题7.1图中各电路能不能放大交流信号，并说明原因。
解： a 、b 、c 三个电路中晶体管发射结正偏，集电结反偏，故均正常工作，但b 图中集电极交流接地，故无交流输出。
d 图中晶体管集电结正偏，故晶体管不能正常工作，另外，交流输入信号交流接地。
因此a 、c 两电路能放大交流信号，b 、d 两电路不能放大交流信号。
7.2 单管共射放大电路如题7.2图所示，已知三极管的电流放大倍数50=β。
（1）估算电路的静态工作点； （2）计算三极管的输入电阻be r ；（3）画出微变等效电路，计算电压放大倍数； （4）计算电路的输入电阻和输出电阻。
解：（1）A A R U U I B BE CC B μ40104103007.01253=⨯≈⨯-=-=-CC +o -题7.2图C CC (a)题7.1图mA A I I B C 210210405036=⨯=⨯⨯==--βV I R U U C C CC CE 61021031233=⨯⨯⨯-=-=-（2）Ω=+=+=9502265030026300C Cbe I r β （3）放大电路的微变等效电路如图所示 电压放大倍数7995.03||350||-=-=-=be L C u r R R A β（4）输入电阻：Ω≈⨯==950950||10300||3be B i r R r输出电阻 Ω==k R r C 307.3 单管共射放大电路如题7.3图所示。
已知100=β（1）估算电路的静态工作点；（2）计算电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻 （3）估算最大不失真输出电压的幅值；（4）当i u 足够大时，输出电压首先出现何种失真，如何调节R B 消除失真？解：电路的直流通路如图所示，CC BQ E BEQ BQ B U I R U I R =+++)1(βAmA R R U U I EB BEQ CC BQ μβ435.010130015)1(=⨯+≈++-≈由此定出静态工作点Q 为 mA I I BQ CQ 3.4==β，V R R I U U E C C CC CEQ 3.4)5.02(3.415)(≈+⨯-=+-=（2）Ω=⨯+=9053.426100300be r 由于R E 被交流傍路，因此16690.05.1100||-=⨯-=-=be L C u r R R A β+u o -CC +u o -题7.3图CCRΩ≈==k r R r be B i 9.0905.0||300||Ω==k R R C O 2（3）由于U CEQ =4.3V ，故最大不饱和失真输出电压为 V U U CEQ 6.37.03.47.00=-=-=' 最大不截止失真输出电压近似为V R I U L CQ 4.65.13.40=⨯='⋅='' 因此，最大不失真输出电压的幅值为3.6V 。
《电子技术基础》第4至7章试题及答案
《电子技术基础》（中职电工类第5版）第4至7章试题及答案一．填空题：1.将交流电变换成直流的过程叫整流。
2.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。
3.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.4.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
5.检查硅整流堆正反向电阻时，对于高压硅堆应用兆欧表。
6.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。
7.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。
8.并联型稳压电路是直接利用稳压管电流的变化，并通过限流电阻的调压作用，达到稳压的目的。
9.用“1”表示低电平，“0”表示高电平，称为负逻辑。
10.由与、或、非三种基本门电路可以组合成复合门电路。
11.集电极开路门的英文编写为OC 门.12. TTL门电路输出端不允许直接接电源或接地。
13. CMOS 集成电路的多余输人端不能悬空_。
14.为有良好的静电屏蔽，CMOS集成电路应存在密闭容器中。
15.十进制数有16个数码，基数为16 。
16.将十进制数175转换成二进制数为（10101111）217.在数字电路中，逻辑变量的值只有 2 个。
18.四位二进制编码器有十个输入端2个输出端。
19. BCD码编码器能将二进制数码编成十进制代码。
20. 优先编码器当多个信号同时输入时，只对优先级别最高位的一个进行编码。
21. 8线-3线优先编码74LS148,有 8 个输入端，3个输出端。
22. 触发器有 2 个稳定状态。
23. JK触发器的逻辑功能为置1，置0，保持和翻转。
24. JK触发器中，若J=1 ，K= 1 则实现计数功能。
25.计数器还可以用来统计，定时、分频或者进行数字运算等。
26.计数器按计数趋势不同可分为加法、减法和可逆计数器。
27.模数转换器通常要经过采样、保持、量化和编码四步完成。
28.晶闸管的电流参数有通态平均电流和维持电流等。
(完整版)《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第7章
第7章7.1 图P7.1所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L =50Ω，交流电压有效值U 2=15V ，f=50HZ ，试决定滤波电容C 的大小并求输出电压U O （A V ）﹑通过二极管的平均电流I D （A V ）及二极管所承受的最高反向电压U RM 。
解：C ≥F μ1000~600501502)5~3R 2T 5~3L =⨯⨯=（）（U O(A V)=1.2U 2=1.2×15=18V通过二极管的平均电流为A R U I I L AV O AV O AV D 18.0502182121)()()(=⨯=== 二极管承受最高反向电压为V U U RM 2115222=⨯==7.2 图P7.2所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L =50Ω，C=2200μF ，测得交流电压有效值U 2=20V ，如果用直流电压表测得输出电压U O 有下列几种情况：（1）28V;(2)24V ；（3）18V;（4）9V 。
试分析电路工作是否正常并说明故障原因。
解：（1）R L 开路，U O =1.4×20=28V(2)正常，U O =1.2×20=24V 图P7.1 图P7.2（3）C 开路U O =0.9×20=18V（4）因二极管开路电路变为半波整流同时C 开路，U O =0.45×20=9V7.3已知桥式整流电容滤波电路中负载电阻R L =20Ω，交流电源频率为50Hz ，要求输出电压U O （A V ）=12V ，试求变压器二次电压有效值U 2，并选择整流二极管和滤波电容。
解：变压器二次电压的有效值为V U U AV O 102.1122.1)(2===通过二极管的平均电流 A R U I L AV O AV D 3.02021221)()(=⨯== 二极管承受的最高反向电压为 V U U RM 1410222=⨯==所以，可选择I 1≥（2-3）I D （A V ）=（0.6~0.9）A 、U RM ＞14V 的二极管，查手册知，可用4只1N4001二极管组成桥式整流电路。
《电子技术基础》第五版高教康华光版部分课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+（A ⊕B ）=AB+AB 解：真值表如下A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分, 120分钟）一、填空题: （每空0.5分, 共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。
这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。
2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。
三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。
3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移；PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。
扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。
空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。
三、选择题：（每题2分, 共20分）2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳（ A ）元素构成旳。
A.三价；B.四价；C.五价；D.六价。
3.稳压二极管旳正常工作状态是（ C ）。
A.导通状态；B.截止状态；C.反向击穿状态；D.任意状态。
5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是（ A ）而成。
A.多子扩散；B.少子扩散；C.少子漂移；D.多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V, VB＝2.8V, VC＝4.4V, 阐明此三极管处在（ A ）。
A.放大区；B.饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
电子技术基础(数字部分)第五版答案康华光 电子技术基础第五版康华光课后答案
电子技术基础(数字部分)第五版答案康华光电子技术基础第五版康华光课后答案第一章数字逻辑习题1、1数字电路与数字信号图形代表的二进制数0001、1、4一周期性数字波形如图题所示，试计算：周期；频率；占空比例MSBLSB0121112解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%数制将下列进制数转换为二进制数，八进制数和六进制数127 解：D=-1=B-1=B=O=H72D=B=O=H二进制代码将下列进制数转换为8421BCD码：43解：D=BCD试用六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28+ @ you43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为六进制数表示。
“+”的ASCⅡ码为0011，则B=H@的ASCⅡ码为1000000,B=Hyou的ASCⅡ码为本1111001,1111,1101,对应的六进制数分别为79,6F,7543的ASCⅡ码为0100,0110011,对应的六紧张数分别为34,33 逻辑函数及其表示方法在图题1、中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: 为与非，为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答用真值表证明下列恒等式ABABAB⊕=+=AB+AB解：真值表如下ABAB⊕ABABAB⊕AB+AB111111111111由最右边2栏可知，与AB+AB的真值表完全相同。
用逻辑代数定律证明下列等式AABCACDCDEACDE++++=++解：AABCACDCDE++++ABCACDCDE=+++AACDCDE=++ACDCDE=++ACDE=++用代数法化简下列各式ABCBC+解：ABCBC+ABABABAB=、+、+++BABAB=++ABB=+AB=+AB=ABCDABDBCDABCBDBC++++解：ABCDABDBCDABCBDBC++++ABCDDABDBCDCBACADCDBACADBACDABBCBD=++++=+++=+++=++=++画出实现下列逻辑表达式的逻辑电路图，限使用非门和二输入与非门LABAC=+LDAC=+LABCDBCDBCDBCDABD=+++用卡诺图化简下列个式ABCDABCDABADABC++++解：ABCDABCDABADABC++++ ABCDABCDABCCDDADBBCCABCDD=+++++++++ ABCDABCDABCDABCDABCDABCDABCD=++++++LABCDmd=+ΣΣ解：LAD=+LABCDmd=+ΣΣ解:LADACAB=++已知逻辑函数LABBCCA=++，试用真值表,卡诺图和逻辑图表示解:1>由逻辑函数写出真值表ABCL1111111111111111112>由真值表画出卡诺图3>由卡诺图,得逻辑表达式LABBCAC=++用摩根定理将与或化为与非表达式LABBCACABBCAC=++=、、4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图第三章习题MOS逻辑门电路根据表题所列的三种逻辑门电路的技术参数，试选择一种最合适工作在高噪声环境下的门电路。
电工学(下册)电子技术基础 第7章 习题解答
第7章 触发器和时序逻辑电路7.1 如图所示的基本RS 触发器的电路图以及D R 和D S 的工作波形如图7.1所示，试画出Q 端的输出波形。
(b)DR DS图7.1 习题7.1的图解：DR DS Q7.2 同步RS 触发器电路中，CP ，R,S 的波形如图7.2所示，试画出Q 端对应的波形，设触发器的初始状态为0。
QQCP(a)(b)CPSR图7.2 习题7.2的图解：CPSR Q7.3 图7.3所示的主从结构的RS 触发器各输入端的波形如图（b ）所示。
D S =1，试画出Q 、Q 端对应的波形，设触发器的初始状态为(a)(b)CPD R SR图7.3 习题7.3的图解：CPD R SRQ7.4 试分析如图所示电路的逻辑功能。
图 7. 4习题7. 4的图解：11n J Q K Q JQ KQ Q+===+=所以构成T ’触发器，具有计数功能。
7. 5 设JK 触发器的初始状态为0，画出输出端Q 在时钟脉冲作用下的波形图。
QQCP1CP图7.5习题7. 5的图解： JK 触发器J 、K 端均接1时，计数。
CPQ7.6 在图7.6所示的信号激励下，画出主从型边沿JK 触发器的Q 端波形，设触发器的初始态为0。
CPJ K(a)(b)图7.6 习题7.6的图解：CPKJQ7.7 一种特殊的同步RS 触发器如图7.7所示，试分析其逻辑功能。
QQCP图7.7 习题7.7的图解：CP 为0时，保持；CP 为1时，R=S=0，则保持，R=S=1时置0，当R=0，S=1时，置1，当R=1，S=0时，置0。
7.8如图所示的D 触发器的逻辑电路和波形图如图所示，试画出输出端Q 的波形图，设触发器的初始态为0。
（a ）（b ）DCP图7. 8习题7. 8的图解： DCP Q7.9 图7.9所示的边沿T 触发器，T 和CP 的输入波形如图7.9所示，画出触发器输出端Q 和Q 的波形，设触发器的初始状态为0。
T QQCP CPT(a)(b)图7.9 习题7.9的图解： T=1时计数，T=0的时候保持。
模拟电子技术基础第七章部分答案
7.2电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。
解：当集成运放工作在线性区时，f O 1I I10R u u u R=-=-，f O 2I I(1)11R u u u R=+=7．4电路如图所示，试求其输入电阻和比例系数。
解：由图可知R i =50k Ω。
因为u M =-2u I ，243R R R i i i =+，即M OM M 243u u u u R R R --=+代入数据，得输出电压O M I 52104u u u ==7.5电路如图所示，集成运放输出电压最大幅值为±14V ，u I 为2V 的电压信号。
分别求出下列各种情况下的输出电压。
（1）R 2短路；（2）R 3短路；（3）R 4短路；（4）R 4断路。
解：（1）R 2短路时3O I I 124VR u u u R =-=-=-（2）R 3短路时2O I I 124VR u u u R =-=-=-（3）R 4短路时，电路无反馈，u O =-14V 。
（4）R 4断路时23O I I 148VR R u u u R +=-=-=-7.6试求下图电路输出电压与输入电压的运算关系。
解：（c ）f P I2N1fR u u u R R =-=+I1NN O1fu u u u R R --=联立求得：f O I1I2I1I21()8()R u u u u u R =-=-7.7如图所示电路中，集成运放的共模信号分别为多少？要求写出表达式。
解： 因为集成运放同相输入端和反相输入端之间净输入电压为零，所以它们的电位就是集成运放的共模输入电压。
（c ）图f IC I2I21f89R u u u R R ==+7.8如图所示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳定状态，试求负载电阻中的电流。
解：N Z L 220.6m Au U I R R ===7.10求解下图电路的运算关系。
解：图（b ）所示的A 1组成同相比例运算电路，A 2组成加减运算电路。
(完整版)电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电工与电子技术第七章习题答案
第7章习题解答7-1 选择合适的答案填空。
（1）在本征半导体中加入五价元素可以形成 半导体，加入三价元素可以形成 半导体。
A ． P 型 B. N 型（2）在杂质半导体中多子的数量与 有关。
A ．掺杂浓度 B. 温度（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A ． 减小 B. 增加 C. 不变 （4）稳压二极管稳压时工作在 区。
A ． 正向特性 B. 反向特性 C. 反向击穿 解：（1）B （2）A （3）B （4）C7-2二极管电路如题图7-2所示，判断图中的二极管是导通还是截止，并求出电压U AB 。
设二极管的导通电压U D =0.7V 。
AB3VABABAB(a)(b)题图7-2解：取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。
在图（a ）中，二极管阳极电位V 阳=3V ，阴极电位V 阴=－3V ，V 阳＞V 阴 二极管D 导通，若忽略管压降，二极管可看作短路，U AB =－ 3V在图（b ）中，V D1阳=V D2阳=6V ，V D1阴=－12V ，V D2阴=0V ，∵ U D1 ＞U D2 ∴ D 1 优先导通， D 2截止。
若忽略管压降，二极管可看作短路，U AB = －12V 。
7-3电路如题图7-3所示，已知u i =12sin ωt ，试画出 u i 、u o 的波形，并标出幅值。
设二极管为理想二极管。
Rou u (a)Du ou (b)题图7-3解：设u i 、u o 的公共端为参考点。
在图（a ）中，当u i ＞0时，D 导通，u o = u i ；u i ＜ 0时，D 截止，u o =0V ，波形如解题图7-3（a ）所示。
在图（b ）中，二极管阳极电位为－6V ，当u i ＞－6V 时，D 截止，u o = u i ； u i ＜－6V 时，D 导通，u o =－6V ，波形如解题图7-3（b ）所示。
tttt解题图7-3（a ） 解题图7-3（b ）7-4 在题图7-4所示电路中，已知u i =10sin ωt ，试画出 u i 、u o 的波形，并标出幅值。
基础电子技术 习题解答 第7章 集成逻辑门习题解答
第7章 集成逻辑门习题解答【7-1】 选择填空：1．在数字电路中，稳态时晶体管一般工作在 开关（放大，开关）状态。
在图中，若u I <0，则晶体管T （截止，饱和），此时u O = (5V ,3.7V ,2.3V)；欲使晶体管处于饱和状态，u I 需满足的条件为 （a. I 0u > b.I CC b c 0.7u V R R β-≥ c. I CCb c0.7u V R R β-<)。
在电路中其他参数不变的条件下，仅R b 减小时，晶体管的饱和程度 （减轻，加深，不变）；仅R c 减小时，饱和程度 （减轻，加深，不变），饱和压降U CES (增大，减小，不变)。
图7-1(a)中C 的作用是 （去耦，加速，隔直）。
2．由TTL 门组成的电路如图7-1(b)所示，已知它们的输入短路电流为I Is =1.6mA ，高电平输入漏电流I IH =40μA 。
试问：当A =B =1时，G 1的 （拉，灌）电流为 ；A =0时，G 1的 （拉，灌）电流为 。
3G A B图7-1(a) 图7-1(b)3．图7-1(c)中示出了某门电路的特性曲线，试据此确定它的下列参数：输出高电平U OH = ；输出低电平U OL = ；输入短路电流I IS = ；高电平输入漏电流I IH = ；阈值电平U T = ；开门电平U ON = ；关门电平U OFF = ；低电平噪声容限U NL = ；高电平噪声容限U NH = ；最大灌电流I OLmax = ；扇出系数N o =。
I1.5VOH u iOLu图7-1(c)4．TTL 门电路输入端悬空时，应视为 （高电平，低电平，不定）；此时如用万用表测量输入端的电压，读数约为 （3.6V ，0V ，1.4V ）。
5．集电极开路门（OC 门）在使用时须在 （输出与地，输出与输入，输出与电源）之间接一电阻。
6．CMOS 门电路的特点：静态功耗 （很大，极低）；而动态功耗随着工作频率的提高而 （增加，减小，不变）；输入电阻 （很大，很小）；噪声容限 （高，低，等）于TTL 门。
《电力电子技术》(专科第二版)习题解答
答：晶闸管从正向阳极电流Байду номын сангаас降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。即 。
1.6试说明晶闸管有哪些派生器件？
答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.7请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。
答：缓冲电路可以使GTR在开通中的集电极电流缓升，关断中的集电极电压缓升，避免了GTR同时承受高电压、大电流。另一方面，缓冲电路也可以使GTR的集电极电压变化率 和集电极电流变化率 得到有效值抑制，减小开关损耗和防止高压击穿和硅片局部过热熔通而损坏GTR。
1.19与GTR相比功率MOS管有何优缺点?
1.3温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？
答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流IH会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种？
答：非正常导通方式有：(1) Ig=0，阳极电压升高至相当高的数值；(1)阳极电压上升率du/dt过高；(3)结温过高。
IT= =
Kf= =2
1.10上题中，如不考虑安全裕量，问额定电流100A的晶闸管允许流过的平均电流分别是多少?
解：(a)图波形系数为1.57，则有：1.57 =1.57 100A,IT(AV)= 100 A
(b)图波形系数为1.11，则有：1.11 =1.57 100A,IT(AV)=141.4A
电路与电子技术基础第7章习题参考答案
Ib
= 24 − 0.7 120 ×103
≈ 0.194mA = 194μA
I c = βI b = 50 × 0.194 = 9.7(mA)
U ce = U cc − I c Rc = 24 − 9.7 ×10 −3 ×1×103 = 14.3(V)
图(b)和图(c)的发射结反向偏置，三极管截止，所以 Ib=0，Ic=βIb≈0，三极管工作
依此 Ic 电流，在电阻上的压降高于电源电压，这是不可 iC(mA) 能的，由此可知电流 Ic 一定要小于此值，而根据三极管 5
工作放大区有 Ic=βIb，现在 Ic<βIb，所以三极管工作在 4
Ic=βIb
饱和状态。请参考右图，该图是同一 Ib 时，由于 Uce 不 3 同的 Ic 的变化规律曲线，在水平段是放大区，满足 Ic= 2
第4页
β
=
Ic Ib
=
0.7 ×10−3 21 × 10 −6
= 33
7-6 求题图 7-4 所示电路中的 I 和 Uo。 其中晶体管的结压降为 0.7V、β=100。
电工电子技术基础_习题解答
第1章习题1—1 判断题1．电荷的定向移动形成电流。
( √ )2．直流电路中，电流总是从高电位流向低电位。
( √）3．电阻的体积越大，其额定的耗散功率越大.( √ )4．电阻的额定功率越大，它消耗的电能就越大。
（×）5．电阻串联时，各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比.（×）6．电流表必须串联在电路中应用，而电压表则必须并联在电路中应用.（√）7．在选择电器时，电器的额定电压一定要等于电源的额定电压。
（√ ) 8．额定功率越大的电器，其消耗的电能一定多。
（×）9．电压源和电流源是同一电源的两种不同的等效模型。
（√）10．电容器和电阻器虽然结构不同，其实是同一类型的电气元件。
（×）11．电容器并联总电容量增加;电容器串联总电容量减小。
（√ )12．对于同一个电容器，两端的电压越高其储存的电场能量越小.( √ ) 1-2 计算题1 一直流电流流过导体，已知在1min内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？如果在1s内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？解：根据I=Q/t, 有（1）I=6000C/60s=100A（2）I=6000C/1s=6000A2 试在图1-30中标出电流、电动势、电压的实际方向，并问通过电流表A1和A2的电流是否相等？B 、C 、D 各点的电位谁高谁低？图1-30 题2图 解：因为A1、A2是串联关系,流过的电流相等;电位的排序为：B ＞C ＞D 3 有两条长度为1 km 、截面积为2 mm 2的导线，一条是铝线，一条是铜线，这两条导线在常温下的电阻各为多少？要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同，铝导线的截面积应增加为多大？解：（1)铝导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100283.0S l R 铝铝ρ14。
15Ω （2）铜导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω （3）铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为：2636mm 23.31073.810100283.0=⨯⨯⨯=--铝S 4 有两只灯泡,额定功率都为40 W ，一只额定电压为36V ，另一只额定电压为12V ，两只灯泡工作时的电阻各为多少？如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上,哪只灯泡的电压超过了额定电压？将会有什么现象发生？解：（1）工作电压为36V（2）工作电压为12VR =U 2/P =3.8Ω（3）串联接于48V 电源上两电阻之和为R =32.4+3.8=36.2Ω根据串联电阻分压公式有2.4348364.3211=⨯==U R R U V U 2=48—43。
大学电子技术基础课后习题答案第7章-存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列
7 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列7.1 只读存储器7.1.1 指出下列存储器系统各具有多少个存储单元，至少需要几根地址线和数据线。
（1）64 K×1 （2）256 K×4 （3）1 M×1 （4）128 K×8解：求解本题时，只要弄清以下几个关系就能很容易得到结果：存储单元=字数×位数地址线根数（地址码的位数）n与数字N的关系为：N=2n数据线根数=位数2，即n=16，所以地址线（1）存储单元=64 K×1=64 K（注：1 K=1 024）；因为，64 K=16为16根，数据线根数等于位数，此处为1根。
同理得：（2）1 M个存储单元，18根地址线，4根数据线。
（3）1 M个存储单元，20根地址线，1根数据线。
（4）1 M个存储单元，17根地址线，8根数据线。
7.1.2 设存储器的起始地址为全0，试指出下列存储系统的最高地址为多少？（1）2 K×1 （2）16 K×4 （3）256 K×32解：因为存储系统的最高地址=字数+起始地址－1，所以它们的十六进制地址是：（1）7FFH (2)3FFFH (3)3FFFFH7.1.3 试确定ROM实现下列逻辑函数时所需的容量：（1）实现两个3位二进制数相乘的乘法器。
（2）将8位二进制数转换成十六进制数（用BCD码表示）的转换电路。
解：用ROM实现逻辑函数，逻辑函数的输入变量由ROM地址线输入，逻辑函数值由ROM数据线输出。
（1）两个3位二进制数相乘，共有6位输入，即需要6根地址线；两个3位二进制数相乘的最大值是49，即111×111=110001，共需要6为输出，所以ROM得容量应为62×6位。
8位二进制数转换成十进制数的最大值为255，用BCD码表示为1001010101，即输入8位，输出10位，所以ROM得容量应为82×10位。
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6. 如图所示为稳压管稳压电路.负载电阻RL由开路变到2K ,输入电压Ui波动 为±10%,若要求直流输出电压 UO=12V,如何选择稳压管DZ和限流电阻R. 解: 1.稳压管的选取: Uz=Uo=12V I zmax=(2~3)IＬmax ２．输入电压Ｕi的确定 Ｕi＝（２~３）Ｕo,, 选： Ｕi=28V, 因为
0.9U i − 12V 2mA + 6mA
30.8V − 12V 25.2 − 12 <R< 18mA 8mA
1.05K <R<1.7K 选 Ｒ＝1.5K
７．电路如图所示，求下列几种情况下输出端Ｆ的电位ＵＦ及各元 件中流过的电流．设Ｒ＝１Ｋ （１）ＵＡ＝ＵＢ＝０Ｖ （２）ＵＡ＝３Ｖ；ＵＢ＝０Ｖ； （３）ＵＡ＝ＵＢ＝－３Ｖ． 解： （１）ＵＦ＝０Ｖ，Ｉ＝１０Ｖ／１Ｋ＝１０mA （２）ＵＦ＝０Ｖ，Ｉ＝１０Ｖ／１Ｋ＝１０mA （３）ＵＦ＝－３Ｖ，Ｉ＝１３Ｖ／１Ｋ＝１３mA Ｒ
5. 两个稳压管Dz1和Dz2的稳压值分别为8.6V和5.4V,正向压降均 为0.6V,设输入电压Ui和R满足稳压要求. (1)要得到6V和14V电压,试画出稳压电路; (2)若将两个稳压管串联连接,可有几种形式?各自的输出电压是 多少?
解 (1) 得到6V和14V电压,稳压电路可如图1图2连接
(2) 若将两个稳压管串联连接,可有4种形式,各自输出的电 压是: 6V, 14V, 9.2V, 1.2V
I
L max
=
U R
o L
=
12 V = 6 mA 2 kΩ
选 IＺmax＝３ IＬmax＝１８mA，IZmin=2mA 根据题意 负载开路时 IＬmin=0
R的选择按下式确定：
U
i; R <
Z max
U I
i min
Zmn
+
−U
o
I
L max
1.1U i − 12V 18mA
<R<