镀膜的方式有很多种

镀膜的方式有很多种，主要分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积(CVD)。我公司采用的非平衡磁控溅射技术属于PVD的范畴。PVD的镀膜方式主要又分为蒸发和离子镀两种。蒸发沉积速度快，但是相对来说形成的膜层质量比较差。离子镀一般有阴极弧和磁控溅

射。阴极弧形成的膜层有明显金属液滴。

闭合场非平衡磁控溅射离子镀膜系统（CFUBMSIP）由英国Teer镀层公司发明，并经过20多年的工业应用和科技研发，完善形成。该系统易于优化镀膜条件，得到拥有良好结合力的致密硬质膜层；可以工业规模生产先进的复合、纳米、多层及非晶镀层；并可实现低温沉积，在塑料等器件上镀膜。和阴极弧镀相比，所形成的镀层不存在金属液滴，表面粗糙度低。溅射的原理是在充有氩气的真空条件下，采用辉光放电技术使得电子在电场的作用下加速飞向基体的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子和离子。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高离化率。反应磁控溅射就是通入一定量的反应气体，溅射出的靶材离子与通入真空室中的反应气体发生反应，生成反应沉积物到基体上。

传统的磁控溅射镀膜的优点是工艺较易控制，膜层表面光滑，缺点是离化率低，膜的致密度低，膜基结合力差。经研究改进，在平衡磁控溅射基础上发展了非平衡磁控溅射，再从非平衡磁控溅射发展到闭合场非平衡磁控溅射，即本公司使用技术。Teer公司现用的新型闭合场非平衡磁控溅射系统的离子流是传统磁控溅射离子流的100倍，是该公司早期的非平衡磁

控溅射离子流的2.5倍。

所谓非平衡磁控溅射是将某一磁极的磁场对于另一极性相反磁极的磁场增强或减弱，这就导致了磁场分布的“非平衡”。在保证靶面水平磁场分量有效地约束二次电子运动，可以维持稳定的磁控溅射放电的同时，另一部分电子沿着强磁极产生

的垂直靶面的纵向磁场，可以使逃逸出靶面飞向镀膜区域。这些飞离靶面的电子还会与中性粒子产生碰幢电离，进一步提高镀膜空间的离子体密度，有利于提高沉积速率，更有利于沉

积高品质的镀层。