半导体激光to封装
半导体激光器 制造 封装
TO封装技术
❖ TO封装，即Transistor Outline 或者Throughhole封装技术，原来是晶体管器件常用的封装形式， 在工业技术上比较成熟。TO封装的寄生参数小、工艺 简单、成本低，使用灵活方便，因此这种结构广泛用 于 2.5Gb/s以下LED、LD、光接收器件和组件的封装。 TO管壳内部空间很小，而且只有四根引线，不可能安 装半导体致冷器。由于在封装成本上的极大优势，封 装技术的不断提高，TO封装激光器的速率已经可以达 到 10Gb/s。
半导体LD的特点及与LED区别
特点：效率高、体积小、重量轻、 可 靠 ， 结构简 单 ； 其缺点是输出功率较小。目前半导体激光器 可选择的波长主要局限在红光和红外区域。
LD 和LED的主要区别 LD发射的是受激辐射光。 LED发射的是自发辐射光。 LED的结构和LD相似，大多是采用双异质结
(DH)芯片，把有源层夹在P型和N型限制层中间， 不同的是LED不需要光学谐振腔，没有阈值。
2二次外延生长
生长：
1.低折射率层 2.腐蚀停止层 3.包层 4.帽层：接触层
DFB-LD
3一次光刻
❖ 一次光刻出双 沟图形
DFB-LD
4脊波导腐蚀
选择性腐蚀到四元 停止层
DFB-LD
5套刻
PECVD生长SiO2 自对准光刻 SiO2腐蚀
DFB-LD
6三次光刻：电极图形
DFB-LD
7欧姆接触
半导体激光器的制作工艺、 封装技术和可靠性
目录
1.半导体材料选择 2.制作工艺概述 3.DFB和VCSEL激光器芯片制造 4.耦合封装技术
1.半导体激光器材料选择
❖ 半导体激光器材料主要选 取Ⅲ-Ⅴ族化合物（二元、 三元或四元），大多为直 接带隙材料，发光器件的 覆盖波长范围从0.4μm到 10μm。
半导体激光芯片 封装原理
半导体激光芯片封装原理
半导体激光芯片封装原理主要包括以下几个方面：
1. 封装结构设计：根据激光芯片的尺寸、电压要求、散热需求等因素，设计相应的封装结构。
常见的封装结构有无引脚陶瓷封装、有引脚陶瓷封装、金属封装等。
2. 焊接技术：将激光芯片与封装结构连接起来的过程，常用的焊接技术包括焊锡、焊膏等。
焊接时必须精确调整温度和焊接时间，确保焊接质量，防止激光芯片被损坏。
3. 粘接技术：将激光芯片固定在封装结构上的过程，常用的粘接技术包括胶水粘接、热溶胶粘接等。
粘接时需要注意使用适当的粘接剂，并且确保粘接剂的均匀分布，以保证激光芯片的稳定性和可靠性。
4. 散热设计：激光芯片在工作时会产生大量的热量，因此封装结构需要设计散热通道，以有效降低激光芯片的温度。
常见的散热设计包括使用散热片、散热板等散热装置，提高散热效率。
5. 真空封装：对于部分高功率激光芯片，需要进行真空封装以提供更好的工作环境。
真空封装可以防止灰尘和湿气进入封装结构，降低激光芯片的光损耗和寿命。
总体而言，半导体激光芯片的封装原理是为了保护芯片，提供稳定的工作环境，并提高散热效果，保证激光芯片的性能和可靠性。
先进封装激光辅助键合封装技术介绍-概念解析以及定义
先进封装激光辅助键合封装技术介绍-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述先进封装激光辅助键合封装技术是一种新兴的封装技术，在微电子和集成电路行业中得到了广泛应用和认可。
该技术通过利用激光辅助键合技术，在集成电路封装过程中实现高效、可靠的封装连接。
相比传统的封装方法，先进封装激光辅助键合封装技术具有许多优势，包括更高的精度和效率、更好的可靠性以及更广泛的应用领域。
本文将全面介绍先进封装激光辅助键合封装技术的原理、优势和应用领域，并对其技术发展的前景进行展望。
在当前的微电子和集成电路行业中，随着封装技术的不断演进，市场对封装技术的要求也日益增加。
而传统的封装方法在一些方面已经不能满足需求，因此迫切需要一种新的封装技术来应对这些挑战。
先进封装激光辅助键合封装技术应运而生，成为了解决封装领域问题的重要技术之一。
激光辅助键合是先进封装激光辅助键合封装技术的核心技术，它利用激光束对键合点进行加热和压力控制，实现键合连接的工艺过程。
与传统的焊接和键合技术相比，激光辅助键合具有更高的加工精度和更好的连接质量。
此外，激光辅助键合还可以实现封装过程中的无损检测，提高封装的可靠性。
先进封装激光辅助键合封装技术在许多领域都得到了成功应用，如集成电路、光电子器件、传感器等领域。
通过激光辅助键合技术，可以实现更小尺寸、更高可靠性的封装设计，满足现代电子产品对高密度封装和高性能的需求。
本文将从技术的背景出发，详细介绍激光辅助键合封装技术的原理、优势和应用领域。
通过对该技术的深入了解，可以更好地把握其在现代封装行业中的重要性。
最后，本文将对先进封装激光辅助键合封装技术的评价进行总结，并展望其未来的发展前景。
随着科技的不断进步和应用领域的扩大，先进封装激光辅助键合封装技术必将发挥更重要的作用，为微电子和集成电路行业的发展做出更大的贡献。
文章结构部分的内容可以如下编写：1.2 文章结构本文共分为三大部分：引言、正文和结论。
在引言部分，将对先进封装激光辅助键合封装技术进行概述，介绍其背景和目的，并对全文的结构进行简要说明。
半导体封装前沿技术
最新封装技术与发展芯片制作流程封装大致经过了如下发展进程：结构方面：DIP 封装(70 年代)->SMT 工艺(80 年代LCCC/PLCC/SOP/QFP)->BGA 封装(90 年代)->面向未来的工艺(CSP/MCM)材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装封装技术各种类型一．TO 晶体管外形封装TO （Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。
这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252 等等都是插入式封装设计。
近年来表面贴装市场需求量增大，TO 封装也进展到表面贴装式封装。
TO252 和TO263 就是表面贴装封装。
其中TO-252 又称之为D-PAK，TO-263 又称之为D2PAK。
D-PAK 封装的MOSFET 有3 个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。
其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB 上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB 散热。
所以PCB 的D-PAK 焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。
二．DIP 双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100 个。
封装材料有塑料和陶瓷两种。
采用DIP 封装的CPU 芯片有两排引脚，使用时，需要插入到具有DIP 结构的芯片插座上。
当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP 封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP （含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。
DIP 封装具有以下特点：1.适合在PCB (印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。
高功率半导体激光器过渡热沉封装技
文章编号：2095-6835（2023）01-0078-04高功率半导体激光器过渡热沉封装技术研究马德营，李萌，邱冬（山东省创新发展研究院，山东济南250101）摘要：近些年，在市场应用驱动下，半导体激光器的输出功率越来越高，器件产生的热量也在增加，同时封装结构要求也更加紧凑，这对半导体激光器的热管理提出了更高的要求。
当今，激光器的外延生长技术和芯片加工工艺已经成熟，封装技术的提升已经成为解决散热问题的关键，其中过渡热沉技术能有效降低激光器的热阻，提高可靠性，而且便于操作，已经是高功率半导体激光器封装的首要选择。
从过渡热沉散热原理、热应力、过渡热沉材料和焊料选择等方面对过渡热沉技术进行了研究，并对未来的研究热点进行了探讨。
关键词：激光器；过渡热沉；热阻；焊料中图分类号：TN248.4文献标志码：A DOI：10.15913/ki.kjycx.2023.01.0221研究背景半导体激光器具有体积小、质量轻、能耗小、易调制、可以批量化生产等众多优点，被广泛应用于工业加工、信息通信、医疗、生命科学和军事等领域。
虽然半导体激光器电光转换效率高，但在激光器芯片有源区内存在非辐射复合损耗和自由载流子的吸收，工作时会产生大量的热；同时，各层材料存在着电阻，也会产生焦耳热，这使得很大一部分电能转化为热能，再加上芯片材料的热导率低，热量不能快速传导出去，从而导致有源区温度升高，有源区材料禁带宽度变小，出现激射波长红移、效率降低、功率降低、阈值电流增大等一系列的问题，严重影响激光器的寿命和可靠性。
当前，随着技术不断更新进步，应用市场对激光器的输出功率提出了更高的要求，而输出功率的提高，伴随着的则是更多热量的产生，这对激光器的散热管理提出了更高的要求。
半导体激光器的散热问题一直是国内外研究热点。
提升激光器的散热能力，可以减少热量在有源区的积蓄，降低有源区的温度，提高效率，降低工作电流，减小波长，改善光斑输出等。
研究发现，激光器芯片对传导冷却半导体激光器的总散热贡献仅为8%[1]，因此，激光器的散热设计应更多地集中在封装上。
光模块封装类型
光模块封装类型光模块是由光学器件和电子器件组成的，用于光通信和光交换的微型封装模块。
光模块的封装类型可以根据不同的应用场景和生产工艺进行分类。
下面将详细介绍光模块的几种主要封装类型。
1. TO封装TO封装（Transistor Outline Package）也称为外延式金属外壳封装，是最早采用的光模块封装之一。
该封装包裹了发光二极管或激光二极管，从而起到保护和封装的作用。
TO封装的优点是易于生产和安装，能够承受高温和机械冲击。
缺点是体积较大，无法满足高速光通信的需求。
2. SMD封装SMD封装（Surface Mount Device Package）是表面贴装封装技术，是一种集成度高、规格小的光模块封装。
SMD封装适用于高速光通信场景，其尺寸和结构设计能够满足模块化组装的标准要求，便于大规模生产和自动化生产。
SMD 封装的缺点则是操作难度较大，需要高度专业技能和精密设备，成本较高。
3. DIP封装DIP封装（Dual Inline Package）双行直插式封装，是一种通过插座与电子主板相连的光模块封装。
DIP封装具有体积小、操作方便、安装容易等优点。
DIP 封装常应用于光电转换领域，如传感器、移动设备、医疗设备等。
4. CSP封装CSP封装（Chip Scale Package）是芯片级封装技术，将芯片和封装作为一体化封装的技术。
CSP封装能够大大减小光模块体积，同时保证高效的光学性能和稳定性。
CSP封装在移动设备、通信设备等领域得到广泛应用。
以上就是几种常见的光模块封装类型，各种类型均具有优缺点，在不同的应用场景中选择适合的封装类型非常重要。
未来，随着信息技术的不断进步和产业技术的不断创新，光模块封装技术也必将不断更新和发展，为光通信和光交换领域的创新带来更大的推动力。
两种单管半导体激光器封装形式热传导能力的比较
两种单 管半导体 激光器封装形式 热 传 导 能 力的 比较
◆温 亚 珍
摘 要 ：半 导体 激 光 器 因其体 积 小 ，稳 定 性好 ，亮度 高等优 点越 来越 被 广 泛 的应 用 ，但 随着 工业 的发 展 和人 们 对 高精 尖技 术 的追 求 ，人 们 对激 光 器 的输 出功 率要 求也越 来越 高 ，现在 市面 上 常规 的 一种是 Ｃ Ｍｏ ｎ，最 大输 出功 率一般 是 ５ 。但 是 最近 西安 炬光 公 司和 上海 恩耐公 司又 — ｕｔ ｗ 推 出 了各 自新 的封 装形 式 ，Ｆ Ｍ ｏｎ 和 Ｃ Ｍｏ ｎ。这 两种 新 的封 装 形式 解 决 了原有 Ｃ ｍｏｎ － ｕｔ Ｎ— ｕ ｔ — ｕｔ 热 阻过 大 ，功 率无 法提 升的瓶 颈 ，现 通过 分析 比较 来说 明 两种封 装 形式各 自 在 的优缺 点 。 存 关 键词 ：单 管半 导 体 激光 器 ；热 阻 ；结点 温 度 ；热沉 ；Ａ Ｎ Ｉ
Ｌ为热传导方 向上 的导体的厚度 ，Ａ为导热的截 面 积 ，Ｋ 为材料 的热传 导系数 。从上式来看 热阻 的大
电流 臼）
电压 （
１７ ．３
光功 事 （ ＇ 厣
１∞ ． ３４ ．２ ５７ ２
渡长 （ ｎ ａ ｒ）
８ ５ 鲥 ０． ８＆５ Ｏ ９ ８６ｇ ０ ９
升 高导 致芯 片失 效 。
芯片失效 。这种封装形 式导热性能之所以差 ，主要是其
设 计 的散热路径 与实 际上热流 的走 向不 匹配 ，如 图示 ２ 。热流先 向下传导 到铜热沉上 ，再 由铜热沉横 向传 到
散热底板上 ，使得传热方 向与热流产生的截面平行 ， 】
半导体封装流程
半导体封装流程概述半导体封装是将半导体芯片封装在外部包装中，以保护芯片免受外部环境的影响，并提供连接和支持电路功能的引脚。
封装过程包括芯片附着、金线连接、封装材料注塑、测试和标识等步骤。
1. 芯片附着芯片附着是将制造好的半导体芯片固定在封装基板上的过程。
这通常通过将芯片反面与基板外表进行粘接来实现。
粘接剂通常是一种导热材料，以确保芯片能够有效地传递热量。
芯片附着的关键步骤包括： - 清洁基板外表，以确保无尘和油脂等杂质。
- 在基板上涂布导热胶或导热粘合剂。
- 将芯片轻轻地放置在粘合剂上，确保芯片正确定位。
- 使用适当的温度和压力，使芯片牢固地固定在基板上。
2. 金线连接金线连接是将芯片的电极与封装基板的引脚进行连接的关键步骤。
这通常使用微细金属线〔通常是铝线或金线〕进行。
金线连接的关键步骤包括： - 通过焊点刺穿基板外表的引脚，以确保连接的牢固性。
- 使用专用设备将金线从芯片的电极接到基板的引脚上。
- 进行焊接，以在电极和引脚之间建立可靠的电气连接。
3. 封装材料注塑封装材料注塑是将芯片和金线连接封装在外壳中的过程。
这通过将封装材料〔通常是塑料或陶瓷〕注入模具中，然后硬化以形成最终的封装外壳。
封装材料注塑的关键步骤包括： - 设计和制造专用封装模具。
- 加热并溶化封装材料。
- 将溶化的封装材料注入模具中，确保充满整个模具腔。
- 冷却封装材料，使其硬化。
- 取出封装芯片，完成外壳封装。
4. 测试和标识封装后的芯片需要进行测试以确保其品质和功能。
这种测试通常包括极限温度测试、电气性能测试和可靠性测试等。
测试和标识的关键步骤包括： - 连接封装芯片到测试设备。
- 对封装芯片进行电气性能测试，以确保其符合规定的标准。
- 进行可靠性测试，如温度循环和湿度浸泡测试等。
- 根据测试结果，对芯片进行标识并分类。
- 将合格的封装芯片进行包装和存储，准备发货。
总结半导体封装是将半导体芯片封装在外部包装中的重要步骤。
半导体激光器封装技术及封装形式
半导体激光器封装技术及封装形式半导体激光器的概念半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。
常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）等。
激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。
半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。
同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。
半导体激光器的工作原理半导体激光器是依靠注入载流子工作的，发射激光必须具备三个基本条件：（1）要产生足够的粒子数反转分布，即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数；（2）有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡；（3）要满足一定的阀值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。
半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质（即利用电子）在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。
半导体激光器优点：体积小、重量轻、运转可靠、耗电少、效率高等。
半导体激光器的封装技术一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。
另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。
但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA甚至1A级，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。
例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导。
关于影响半导体激光器封装后焦距因素的分析
关于影响半导体激光器封装后焦距因素的分析翟 建 申 闯 刘世凯 陈立红*（河北杰微科技有限公司）摘 要：基于半导体激光器（LD ）的TO56封装方式，LD芯片共晶位置及同轴封装结构的差异，会对封装后激光器产品的焦距产生影响。
为了研究LD芯片共晶、封装参数对焦距的影响，本文重点分析了影响TO56激光器产品焦距的因素，并得出结论：提升LD芯片烧结刻度及封装同轴的精度，选取合适高度、透镜大小和折射率的管帽可以提高产品封装后焦距稳定性。
关键词：TO56，激光器，焦距，共晶参数，封装参数Analysis of Factors Affecting Focal Length of Semiconductor Laser afterPackagingZHAI Jian SHEN Chuang LIU Shi-kai CHEN Li-hong *（Hebei Jiewei Technology Co., Ltd.）Abstract: Based on the semiconductor laser (LD) TO56 packaging mode, the laser product focal length changes after packaging due to the influence of the eutectic position of LD chip and the coaxial packaging structure. In order to study the influence of LD chip eutectic and package parameters on focal length, this paper focuses on analyzing the factors affecting the focal length of TO56 laser products, and draw the conclusion: increasing the precision of LD chip sintering scale and packaging coaxial, and selecting the appropriate height, lens size and refractive index of the tube cap can improve the focal length stability of products after packaging.Keywords: TO56, laser, focal length, eutectic parameters, packaging parameters作者简介：翟建，初级工程师，本科，现任河北杰微科技有限公司工艺工程师，主要从事光通信器件封装研究。
半导体激光to封装
半导体激光to封装
摘要：
一、半导体激光器封装的目的
二、半导体激光器的主要封装形式
三、半导体激光器芯片和封装的特点
四、半导体激光器封装技术的发展历史
五、结论
正文：
一、半导体激光器封装的目的
半导体激光器封装的主要目的是完成输出电信号，保护管芯正常工作，并输出可见光。
封装设计需要考虑电参数和光参数，因此无法简单地将分立器件的封装用于半导体激光器。
二、半导体激光器的主要封装形式
半导体激光器主要有以下几种封装形式：TO 封装、C-mount 封装、Butterfly 封装、塑料封装和陶瓷封装。
其中，LED 通常采用直径5mm 的塑料封装。
在功率较低的情况下，这种封装方式是可行的。
三、半导体激光器芯片和封装的特点
半导体激光器芯片和封装的研发方向不再局限于传统的设计理念和制造生产模式。
为了提高光输出，研发人员不仅关注改变材料内杂质数量、晶格缺陷和位错，还致力于改善管芯及封装内部结构，增强半导体激光器内部产生光子出射的几率，提高光效，解决散热、取光和热沉优化设计等问题。
四、半导体激光器封装技术的发展历史
半导体激光器封装技术的发展历史可以追溯到20 世纪70 年代。
当时，工程师开发了外部量子效率（EQE）和高功率半导体激光器。
为适应新激光器的能力，工程师开始设计更高效的封装技术，以便更好地控制激光器的温度。
随着技术的发展，各种封装技术相继出现，如晶圆片封装、TO-CAN 封装、铝氮化镓（AlGaN）LD 封装等。
五、结论
半导体激光器封装技术在提高光输出、改善光学性能、降低结温和提高热沉优化设计等方面取得了显著的进步。
光电子封装技术的研究
3
光电子封装技术的研究
1.光电子封装技术的发展阶段
电子封装技术的发展是伴随着器件的发展而发展起来的， 一代器件需要一代 封装，它的发展史应当是器件性能不断提高、系统不断小型化的历史。电子器件 的小型化、高性能化、多功能化、低成本化等要求将继续推动着电子封装技术向 着更高的性能发展，纵观近几年的电子封装产业，其发展趋势如下： 1.电子封装技术继续朝着超高密度的方向发展，出现了三维封装、多芯片封 装(MCP)和系统级封装(SIP)等超高密度的封装形式。 2.电子封装技术继续朝着超小型的方向发展， 出现了与芯片尺寸大小相同的 超小型封装形式--圆晶级封装技术(WLP)。 3.电子封装技术从二维向三维方向发展， 不仅出现 3D-MCM， 也出现了 3D-SIP 等封装形式。 4.电子封装技术继续从单芯片向多芯片发展，除了多芯片模块(MCM)外还有 多芯片封装(MCP)、系统级封装(SIP)及叠层封装等。 5. 电子封装技术从分立向系统方向发展，出现了面向系统的 SOC( 片上系 统)、SOP 和 SIP 等封装形式。 6.电子封装技术继续向高性能、多功能方向发展，高频、大功率、高性能仍 然是发展的主题。 当电子工业的许多方面开始出现下滑的时候, 一个新的领域--光电子产业 已显露出新的亮点，光学通讯市场的增长对 EMS 供应商提供了新的机遇和挑战。 光电子器件是光学元件和电子电路相结合的一类器件，它包括有源元件、无源元 件以及构成光通路的互连， 光电子封装就是将这些光电元件与原来的电子封装集 成起来，形成一个新的模块，这个模块可以看成是一个特殊的多芯片模块，其 I/O 数很低、芯片尺寸很小。光电子封装的一个主要问题是高的数字速度和低的 光信号转化率，另一个主要问题是光功能件的集成。对于光电封装来讲，对材料 性能的理解非常必要，光电封装可能在封装中包含复杂基板，另外光电封装还需 要复杂的设计系统，它必须包含系统所需的光、电、热、机的设计能力，尤其是 热设计，这是由于光电器件可能对工作参数敏感，如波长，实际上为了使光元件 能工作在一特定的波长下常对其进行温度调节，这就需要在封装内有一致冷器，
一种半导体激光器TO封装工艺及封装管座[发明专利]
![一种半导体激光器TO封装工艺及封装管座[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/dc422312fab069dc51220111.png)
专利名称：一种半导体激光器TO封装工艺及封装管座专利类型：发明专利
发明人：苏建,汤庆敏,于果蕾,夏伟,王海卫,李佩旭,刘长江申请号：CN200910017589.5
申请日：20090811
公开号：CN101626139A
公开日：
20100113
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种半导体激光器TO封装工艺及封装管座，该TO封装工艺包括以下步骤：(1)按常规在管舌上完成芯片粘结、合金、键合及光电测试；(2)在管舌的上端面粘结柱透镜，使柱透镜处于芯片发光腔面的上方，柱透镜的中心面与芯片发光腔面平行；(3)将与TO管座型号对应的管帽封装在TO管座上。
该TO封装管座包括管壳、管舌和管脚三部分；管壳呈圆柱体，该圆柱体的侧面有一凹槽，管舌设在管壳上面，管舌呈半圆柱体。
本发明避免了芯片和柱透镜分别安装在TO管座和管帽上造成的柱透镜污染、工艺繁琐等问题，简化了半导体激光器的光束压缩工艺步骤，提高了工作效率，保证了产品质量。
申请人：山东华光光电子有限公司
地址：250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号
国籍：CN
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半导体激光to封装
半导体激光的TO封装，主要有同轴封装和蝶形封装两种形式。
同轴封装（TO，transistor outline）是一种简单低成本的广泛应用的封装形式，通常不具有TEC。
它具有较小的体积和更多的PIN和性能。
蝶形封装具有更大的体积、更多的PIN和更多的性能。
它通常具有更大的体积，更多的引脚和更复杂的设计，因此具有更高的性能和更昂贵的价格。
蝶形封装的引脚通常较长，可以更好地散热，但如果引脚太长，可能会无法接触到散热器，从而影响其性能。
在选择封装形式时，需要根据具体的应用场景和需求进行选择。
例如，如果需要更高的性能和更快的传输速率，可以选择蝶形封装；如果需要更简单的结构和更低的价格，可以选择同轴封装。
无论选择哪种封装形式，都需要保证其具有正确的接地和安装，以保证其性能和使用寿命。
光通信封装方式
光通信封装方式光通信封装是将光通信器件（例如激光器、光调制器、光检测器等）封装在特定的封装结构中，以便在实际光通信系统中使用。
以下是一些常见的光通信封装方式：TO封装（Transistor Outline Package）：TO封装是一种常见的光电器件封装方式，通常用于激光器和光检测器。
它具有金属外壳，有一个透明的玻璃窗口，允许光从外部进入或从内部发射。
DIL封装（Dual In-line Package）：DIL封装通常用于一些光调制器和其他光电器件。
它是一种长方形封装，引脚在两侧排列，便于插入电路板中。
Butterfly封装：Butterfly封装是一种专门用于激光二极管的封装方式。
它得名于其形状，类似于蝴蝶的翅膀，通常包括激光二极管、温度控制器和光纤耦合器。
CAN封装（Chip on Board and Aluminum Nitride）：CAN封装是一种光调制器和激光器的封装方式，采用铝氮化物作为散热基板，有助于有效散热。
BOSA封装（Bi-directional Optical Sub-Assembly）：BOSA封装集成了激光器和光检测器，通常用于光通信模块，如光收发器。
COB封装（Chip on Board）：COB封装是一种将芯片直接安装在电路板上的封装方式，常见于一些紧凑型的光通信器件。
PLCC封装（Plastic Leaded Chip Carrier）：PLCC封装是一种塑料封装，通常用于光电器件，具有引脚在四周排列的特点。
SMT封装（Surface Mount Technology）：SMT封装是一种直接安装在表面上的封装方式，适用于高密度的光通信器件。
不同的封装方式适用于不同的光通信器件和应用场景，选择适当的封装方式可以根据设备的性能要求、散热需求和系统集成的要求。
随着光通信技术的发展，新的封装方式可能会不断涌现。
LD-TO产品及工艺
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LD-TO产品简介
四.LD-TO产品特性 ●LD反向电压（VR）
可以施加到LD上且不产生LD损伤失效的最大电压
●PD反向电压（VD）
可以施加到PD上且不产生PD损伤失效的最大电压
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LD-TO产品简介
四.LD-TO测试工艺 ●Vbr测试（LD反向电压）
采用半导体图示仪测试，一般要求VR大于5V
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LD-TO工艺简介
四.LD-TO测试工艺 ●焦距测试
采用耦合台将LD-TO耦合到功率最大，利用塞尺测量其高 度，计算出焦距
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LD-TO工艺简介
五.LD-TO包装工艺
采用防静电屏蔽袋真空包装
四.LD-TO测试工艺 ●老化
目前采用加电老化系统，条件一般是150mA电流，85℃ 高温
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LD-TO工艺简介
四.LD-TO测试工艺 ●光谱测试
采用耦合台+光谱仪合测试系统，光谱测试参数一般有峰 值波长（ λp）、谱宽（ △λ）、边模抑制比（SMSR）
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LD-TO工艺简介
二.LD-TO工作原理 ●LD发光原理：
向半导体PN结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐 射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生的激光振荡
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LD-TO产品简介
二.LD-TO工作原理 ●LD-TO结构
PD芯片指背光监测芯片，即监视光电二极管，作用是监测LD输出光功率
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LD-TO工艺简介
四.LD-TO测试工艺 ●PD测试（PD反向电压）
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半导体激光to封装
介绍
半导体激光器是一种将电能转化为光能的器件，具有小尺寸、高效率和长寿命等优点，因此在通信、医疗、工业等领域得到广泛应用。
然而，半导体激光器的裸片形式无法直接应用于实际工程，需要进行封装才能满足实际需求。
本文将深入探讨半导体激光器从裸片到封装的过程。
裸片制备
在进行半导体激光器封装之前，首先需要制备裸片。
裸片制备的过程包括以下几个关键步骤：
1. 衬底选择
选择合适的衬底材料对于裸片制备至关重要。
常用的衬底材料有砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等。
不同的衬底材料具有不同的物理性质和应用特点，需要根据具
体需求进行选择。
2. 外延生长
外延生长是制备裸片的关键步骤之一。
通过外延生长技术，可以在衬底上沉积出具有特定结构和组分的半导体材料。
外延生长技术包括金属有机化学气相外延（MOCVD）、分子束外延（MBE）等。
3. 结构定义
在外延生长之后，需要进行结构定义，即使用光刻和蚀刻技术将所需的结构图案转移到外延层上。
结构定义的准确性和精度对于后续工艺步骤的成功至关重要。
4. 加工和测试
加工和测试是裸片制备的最后两个步骤。
在加工过程中，通过刻蚀、沉积、光刻等工艺，将外延层加工成所需的器件结构。
测试过程中，对器件进行电学和光学测试，以验证其性能和品质。
封装技术
裸片制备完成后，需要进行封装才能应用于实际工程。
半导体激光器的封装技术包括以下几种常见方式：
1. 焊接封装
焊接封装是一种常见的封装方式，通过将裸片与封装底座焊接在一起，实现器件的封装。
焊接封装具有结构简单、可靠性高的优点，适用于大规模生产。
2. 焊接与球栅封装
焊接与球栅封装（WLP）是一种先进的封装技术，主要应用于集成度较高的半导体
器件。
WLP封装将裸片直接焊接在封装底座上，并使用微小的球栅连接器进行电连接，具有尺寸小、功耗低等优点。
3. 光纤耦合封装
光纤耦合封装是将半导体激光器与光纤进行耦合，实现光信号的传输和接收。
光纤耦合封装具有灵活性高、可靠性好的特点，广泛应用于通信领域。
4. 波导封装
波导封装是在半导体激光器的输出端加入波导结构，实现光信号的导波和整形。
波导封装可以提高光输出的方向性和光束质量，适用于高功率和高速应用。
封装工艺
封装工艺是实现半导体激光器封装的关键步骤，包括以下几个主要环节：
1. 清洗和预处理
在封装之前，需要对裸片和封装底座进行清洗和预处理。
清洗可以去除表面污染物和氧化层，预处理可以提高焊接或粘合的结合强度。
2. 定位和对准
定位和对准是封装过程中的重要步骤，确保裸片和封装底座的精确对位。
通常使用显微镜或自动对准系统进行定位和对准。
3. 封装材料和粘合
封装材料的选择对于封装质量和性能至关重要。
常用的封装材料包括环氧树脂、聚酰亚胺等。
封装过程中，通过粘合技术将裸片和封装底座固定在一起。
4. 电连接和测试
封装完成后，需要进行电连接和测试。
电连接可以通过焊接、球栅连接等方式实现。
测试过程中，对封装后的器件进行电学和光学测试，以验证其性能和品质。
结论
半导体激光器的封装是将裸片应用于实际工程的关键步骤。
通过裸片制备、封装技术和封装工艺，可以将半导体激光器封装成符合实际需求的器件。
封装过程中需要注意材料选择、工艺控制和质量测试等方面，以确保封装质量和性能。
随着科技的不断进步，半导体激光器的封装技术将不断发展，为各个领域的应用提供更加先进的解决方案。