元器件应力降额规范

器件应力降额标准(全品类器件)

器件应力降额规范XXX电力系统技术有限公司修订信息表目录第一部分总则 (4)1 前言 (4)2 目的 (5)3 适用范围 (5)4 关键词 (5)5 引用/参考标准或资料 (5)6 产品等级、产品I、II工作区、产品额定工作点定义 (6)6.1 产品等级的定义 (6)6.2 关于I、II工作区、产品额定工作点的定义 (6)7 偏离降额的说明 (9)第二部分降额规范内容 (10)第一章半导体分立器件 (10)1.1功率MOSFET降额规范 (10)1.2 IGBT降额规范 (13)1.3 晶闸管降额规范 (15)1.4 整流桥降额规范 (17)1.5 功率二极管降额规范 (18)1.6 信号二极管降额规范 (20)1.7 稳压二极管降额规范 (22)1.8 TVS器件降额规范 (24)1.9 发光二极管、数码管降额规范 (26)1.10 三极管降额规范 (28)第二章IC类器件 (31)2.1数字集成电路降额规范 (31)2.2 运放、比较器降额规范 (32)2.3 光耦，SSR降额规范 (34)2.4 脉宽调制控制器降额规范 (38)第三章阻容类器件 (44)3.1 非固体铝电解电容器降额规范 (44)3.2 固体钽电解电容器 (47)3.3 金属化薄膜电容器 (49)3.4 陶瓷电容器降额规范 (51)3.5 固定金膜、厚膜、网络、线绕电阻器降额规范 (52)3.6 电位器降额规范 (54)3.7 陶瓷NTC热敏电阻器降额规范 (56)3.8 PTC热敏电阻器降额规范 (58)3.9 压敏电阻降额规范 (60)1)最大持续运行电压Maximum Continuous Operating Voltage ，U c (60)2) 1mA压敏电压Varistor V oltage，V1mA (60)3) 标称放电电流Nominal Discharge Current，I n (60)4) 最大放电电流（冲击通流容量）Maximum Discharge Current，I max (60)5) 残压Residual V oltage，U res (61)第四章低压电器类器件 (63)4.1 接触器降额规范 (63)4.2低压断路器降额规范 (66)4.3隔离器、刀开关降额规范 (68)4.4 电源小开关降额规范 (70)4.5 信号小开关降额规范 (71)4.6 保险管降额规范 (72)4.7 电连接器降额规范 (74)4.8 风扇降额规范 (75)4.9 温度继电器 (76)4.10 电磁继电器 (77)第五章电磁元件 (81)5.1电磁元件降额规范 (81)5.2霍尔传感器降额规范 (83)6.1电源模块降额规范 (85)6.2 液晶显示模块降额规范 (87)6.3 晶体谐振器降额规范 (89)6.4 晶体振荡器降额规范 (91)6.5 蜂鸣器降额规范 (93)第三部分器件降额系数速查表 (95)第一部分总则1 前言《器件应力降额规范》是本公司产品可靠性设计所必须依据的重要的基础规范之一。

器件应力降额总规范(艾默生)

器件应力降额总规范艾默生网络能源有限公司修订信息表目录前言 (2)1目的 (3)2 适用范围 (3)3 关键词 (3)4 引用/参考标准或资料 (4)5 规范内容 (4)5.0产品保修期等级、产品I、II工作区、产品额定工作点定义 (4)5.1功率MOSFET降额规范 (6)5.2 IGBT降额规范 (11)5.3 晶闸管降额规范 (15)5.4 整流桥降额规范 (19)5.5 功率二极管降额规范 (22)5.6 信号二极管降额规范 (26)5.7 稳压二极管降额规范 (29)5.8 TVS器件降额规范 (32)5.9 发光二极管、数码管降额规范 (36)5.10 三极管降额规范 (38)5.11 光耦降额规范 (43)5.12 脉宽调制器降额规范 (46)5.13 数字集成电路降额规范 (49)5.14 运放比较器降额规范 (51)5.15电压调整器类降额规范 (52)5.16 二次电源模块(BMP)降额规范 (55)5.17 液晶显示模块降额规范 (57)5.18 晶体谐振器降额规范 (60)5.19 晶体振荡器降额规范 (62)5.20非固体铝电解电容降额规范 (64)5.21固体钽电解电容器降额规范 (73)5.22 薄膜电容器降额规范 (76)5.23 陶瓷电容器降额规范 (78)5.24 固定金膜、厚膜、网络、线绕电阻器降额规范 (80)5.25 电位器降额规范 (83)5.26 陶瓷NTC热敏电阻器降额规范 (85)5.27 高分子PTC热敏电阻器降额规范 (87)5.28 电磁元件降额规范 (89)5.29 霍尔传感器降额规范 (91)5.30 温度继电器降额规范 (93)5.31 电磁继电器降额规范 (95)5.32 接触器降额规范 (99)5.33 断路器降额规范 (101)5.34 隔离器、刀开关和熔断器组合电器降额规范 (104)5.35 电源小开关降额规范 (106)5.36 信号小开关降额规范 (108)5.37保险管降额规范 (110)5.38 电连接器降额规范 (113)5.39 风扇降额规范 (115)5.40 蜂鸣器降额规范 (117)5.41 压敏电阻降额规范 (118)6 附录 (120)6.1低压电器有关降额要求说明 (120)6.2 偏离降额的处理流程 (122)6.3 器件工作应力与降额查检表（V2.1）填写使用说明 (149)前言本规范由艾默生网络能源有限公司研发部发布实施，适用于本公司的产品设计开发及相关活动。

器件应力降额及关键用法规范

器件应力降额及关键用法规范(V3.0)艾默生网络能源有限公司修订信息表目录第一部分总则 (6)1 前言 (6)2 目的 (6)3 适用范围 (6)4 关键词 (7)5 引用/参考标准或资料 (7)6 产品典型工作区、短时稳态工作区、极限瞬态工作区定义 (8)7 偏离降额的说明 (11)第二部分应力降额及关键用法规范内容 (12)第一章半导体分立器件 (12)1.1 功率MOSFET降额及关键用法规范 (12)1.2 IGBT降额及关键用法规范 (16)1.3 晶闸管降额及关键用法规范 (22)1.4 整流桥降额及关键用法规范 (26)1.5 功率二极管降额及关键用法规范 (28)1.6 信号二极管降额及关键用法规范 (32)1.7 稳压二极管降额及关键用法规范 (35)1.8 TVS器件降额及关键用法规范 (38)1.9 发光二极管、数码管降额及关键用法规范 (41)1.10 三极管降额及关键用法规范 (44)1.11 霍尔传感器降额及关键用法规范 (48)第二章 IC类器件 (50)2.1 数字集成电路降额与关键用法规范 (50)2.2 运放、比较器降额及关键用法规范 (54)2.3 光耦、SSR降额及关键用法规范 (58)2.4 电源管理器件降额及关键用法规范 (65)第三章阻容类器件 (70)3.1 铝电解电容器降额及关键用法规范 (71)3.2 固体钽电解电容器降额及关键用法规范 (78)3.3 薄膜电容器降额及关键用法规范 (81)3.4 陶瓷电容器降额及关键用法规范 (88)3.5 固定金膜、厚膜、网络、线绕电阻器降额及关键用法规范 (93)3.6 电位器降额及关键用法规范 (98)3.7 NTC热敏电阻降额与关键用法规范 (102)3.8 PTC热敏电阻降额与关键用法规范 (106)3.9 压敏电阻降额及关键用法规范 (109)第四章低压电器类器件 (112)4.1 接触器降额与关键用法规范 (112)4.2 低压断路器降额与关键用法规范 (117)4.3 刀开关降额与关键用法规范 (123)4.4 电源小开关降额及关键用法规范 (126)4.5 信号小开关降额及关键用法规范 (128)4.6 熔断器降额及关键用法规范 (130)4.7 电连接器降额及关键用法规范 (134)4.8 风扇降额及关键用法规范 (137)4.9 温度继电器降额及关键用法规范 (140)4.10 电磁继电器降额及关键用法规范 (141)第五章电磁元件 (146)5.1电磁元件降额规范 (146)第六章其它 (149)6.1 电源模块降额及关键用法规范 (149)6.2 液晶显示模块降额及关键用法规范 (152)6.3 晶体谐振器降额与关键用法规范 (155)6.4 晶体振荡器降额与关键用法规范 (158)6.5 蜂鸣器降额及关键用法规范 (161)第三部分附录1：器件降额系数速查总表 (164)第四部分附录2：关键用法速查总表 (176)第一部分总则1 前言《器件应力降额及关键用法规范》是本公司产品可靠性设计所必须依据的重要的基础规范之一。

元器件降额指南

附 61
可供参考。但研究了它们的结构和材料，作出降额的工程判断 (表 C5-1 中的 C 类)。
表 C5-1 降额量值研究的基础
降额工作基础分类 A B C
元器件类别
集成电路，半导体分立器件，电阻器，电位器，电容器电感元件，继电器，开关，旋转电器，电连接器，线缆，灯泡，电路断路器，保险丝电真空器件，晶体，声表面波器件，激光器件，纤维光学器件
降额可以有效地提高元器件的使用可靠性，但降额是有限度的。通常，超过最佳范围的更大降额，元器件可靠性改善的相对效益下降，见附录 C_A。而设备的重量、体积和成本却会有较快的增加。有时过度的降额会使元器件的正常特性发生变化，甚至有可能找不到满足设备或电路功能要求的元器件，过度的降额还可能引入元器件新的失效机理，或导致元器件数量不必要的增加，结果反而会使设备的可靠性下降。
附 64
C6.2.1 晶体管反向电压、电流、功耗的降额准则晶体管反向电压、电流、功耗的降额准则见表 C6-5。其中： a. 反向电压从额定反向电压降额； b. 电流从额定值降额； c. 功率从额定功率降额。
表 C6-5 晶体管反向电压、电流、功率降额准则
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
反向电压 1）
0.60 0.502）
线性集成电路及数字集成电路的降额计算示例见附录 C_B 中 C_B1 条。
C6.2 晶体管降额准则
晶体管按结构可分为双极型晶体管、场效应晶体管、单结晶体管等类型；按工作频率可分低频晶体管、高频晶体管和微波晶体管；按耗散功率可为小功率晶体管和大功率晶体管（简称功率晶体管）。所有晶体管的降额参数是基本相同的，它们是电压、电流和功率。但对 MOS 型场效应晶体管、功率晶体管和微波晶体管的降额又有特殊的要求。

元器件降额规范

温度
Max-20℃
Max-20℃
Max-20℃
注：Max为器件最高工作温度
5.4电位器
表4电位器降额表
元器件种类
降额参数
降额度
Ⅰ
Ⅱ
A
B
A,B
非线绕电位器
电压
0.85
0.85
0.85
功率
合成、薄膜微调
0．5
0．7
0．8
精密塑料型
0．5
0．7
0．8
温度
Max-10℃
Max-10℃
Max-10℃
5.5电容器表
图目录
图1电源工作状态示意图.....................................................................2
1目的
为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。
2适用范围
本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。
纹波电流
0.85
0.85
0.85
1目的....................................................................................2
2适用范围................................................................................2
（d）对环境条件而言，温度和湿度将在额定最大值以内。
状态Ⅱ：
如图中阴影之外的部分均表示电源工作在状态II，例如输入欠压、OCP过流保护、OVP过压
保护等情况，由于电源工作在II状态的时间一般来说很短，因此在此状态下器件的降额百分

元器件降额规范分析

页码第1/9页目录1 目的 (2)2 适用范围 (2)3 引用标准 (2)4 质量等级及工作状态定义 (2)4.1 质量等级 (2)4.2 工作状态 (2)5 各类器件降额度要求 (3)5.1 集成电路 (2)5.2 分立半导体器件 (4)5.3 固定电阻器、保险丝、热敏电阻 (5)5.4 电位器 (5)5.5 电容器 (6)5.6 磁性器件 (7)5.7 机电元件 (8)5.8 连接器、电缆 (8)5.9 风扇、PCB (9)6 应用说明 (9)6.1 半导体器件结温Tj 确定 (9)表目录表1 集成电路降额表 (3)表2 分立半导体降额表 (4)表3 固定电阻降额表 (5)表4 电位器降额表 (5)表5 电容器降额表 (6)表6 磁性器件降额表 (7)表7 机电元件降额表 (8)表8 连接器及电缆降额表 (8)图目录图1 电源工作状态示意图 (2)修订次修订内容修订日期制定审核核准A/0 初次发布2010-5-13陈超A/1 更新优化2011-5-17页码第2/9页1 目的为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。

2 适用范围本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。

3 引用标准GJB/Z35-93 元器件降额准则4 质量等级及工作状态定义4.1 质量等级A：免费维护期（保修期）为大于3 年。

B：免费维护期（保修期）为小于等于3 年。

注：默认情况下，本公司的ＬＥＤ电源质量等级为Ａ级，消费类电源质量等级为B级，特别地，当客户有要求时，按客户的要求执行。

4.2 工作状态图1 电源工作状态示意图状态I：如图中的阴影部分，为电源的正常工作区，绝大部分时间电源工作在此区域，因此在此状态下，器件的降额使用更加严格。

工作在状态 I 的电源满足如下条件：（a）按操作手册或目录使用或安装。

（b）在输出额定电压变化范围内，输出功率在额定最小值到最大值间。

（c）输入在规定的电压和频率范围内。

元器件降额准则GJBZ 35-1993

元器件降额准则编号：WI-TE-006版次：V01编制：审核：批准：目录1.0目的--------------------------------------------------------------------------------42.0适用范围--------------------------------------------------------------------------43.0引用文件--------------------------------------------------------------------------44.0一般要求--------------------------------------------------------------------------45.0详细要求--------------------------------------------------------------------------56.0应用指南-------------------------------------------------------------------------131.0目的为了满足客户对产品可靠性和使用寿命的要求，本标准规定了电子、电气元器件（以下简称元器件）在不同应用情况下应降额的参数及其量值，同时提供了若干与降额使用有关的应用指南。

2.0适用范围本准则适用于我司研发的所有电源产品3.0引用文件GJB/Z 35-1993元器件降额准则4.0一般要求4.1降额等级的划分我司降额等级分别从两方面来划分，一个主要从产品性能方面来考虑，另一个主要从产品经济效益方面来考虑。

首先，为适合我司对产品工作应力从稳态与瞬态两方面来进行要求和评估，从而制定两个降额等级：S—稳态应力降额，T—瞬态应力降额。

稳态应力是指在产品规格书中所规定的全电压输入范围、各种输出条件及环境条件下，产品稳定工作时，器件在某种组合条件下所承受的最大应力。

元器件降额规范

页码第1/9页目录1 目的 (2)2 适用范围 (2)3 引用标准 (2)4 质量等级及工作状态定义 (2)4.1 质量等级 (2)4.2 工作状态 (2)5 各类器件降额度要求 (3)5.1 集成电路 (2)5.2 分立半导体器件 (4)5.3 固定电阻器、保险丝、热敏电阻 (5)5.4 电位器 (5)5.5 电容器 (6)5.6 磁性器件 (7)5.7 机电元件 (8)5.8 连接器、电缆 (8)5.9 风扇、PCB (9)6 应用说明 (9)6.1 半导体器件结温Tj 确定 (9)表目录表1 集成电路降额表 (3)表2 分立半导体降额表 (4)表3 固定电阻降额表 (5)表4 电位器降额表 (5)表5 电容器降额表 (6)表6 磁性器件降额表 (7)表7 机电元件降额表 (8)表8 连接器及电缆降额表 (8)图目录图1 电源工作状态示意图 (2)修订次修订内容修订日期制定审核核准A/0 初次发布2010-5-13陈超A/1 更新优化2011-5-17页码第2/9页1 目的为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。

2 适用范围本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。

3 引用标准GJB/Z35-93 元器件降额准则4 质量等级及工作状态定义4.1 质量等级A：免费维护期（保修期）为大于3 年。

B：免费维护期（保修期）为小于等于3 年。

注：默认情况下，本公司的ＬＥＤ电源质量等级为Ａ级，消费类电源质量等级为B级，特别地，当客户有要求时，按客户的要求执行。

4.2 工作状态图1 电源工作状态示意图状态I：如图中的阴影部分，为电源的正常工作区，绝大部分时间电源工作在此区域，因此在此状态下，器件的降额使用更加严格。

工作在状态 I 的电源满足如下条件：（a）按操作手册或目录使用或安装。

（b）在输出额定电压变化范围内，输出功率在额定最小值到最大值间。

（c）输入在规定的电压和频率范围内。

元器件应用降额规范(20151014)

制定部门：系统硬件部元器件应用降额规范制定: 审核: 核准:制定部门：系统硬件部版本变更内容描述更新日期修订人V1.0 首版发行2015.10.15贺成制定部门：系统硬件部目录1目的 (4)2适用范围 (4)3各类器件降额度要求 (4)3.1电容 (4)3.2电阻 (4)3.3电感 (5)3.3.1概述 (5)3.3.2应用指南 (5)3.3.3降额准则 (5)3.4二极管 (5)3.4.1概述 (5)3.4.2应用指南 (5)3.4.3降额准则 (6)3.5晶体管 (6)3.5.1概述 (6)3.5.2应用指南 (6)3.6集成电路 (7)3.6.1概述 (7)3.6.2降额准则 (7)3.7连接器 (8)3.7.1概述 (8)3.7.2降额准则 (8)制定部门：系统硬件部1目的为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。

2适用范围本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。

3各类器件降额度要求3.1电容电容类型降额参数电压（最大额定值）最高温度（℃）反向电压严酷一般严酷一般固定纸/塑料薄膜0.6 0.7 Tmax-10℃Tmax-10℃固定金属化薄膜0.6 0.7 Tmax-10℃Tmax-10℃固定陶瓷型0.6 0.7 Tmax-10℃Tmax-10℃固定钽电解（片状）0.4 0.5 Tmax-20℃Tmax-20℃铝电解电容0.5 0.6 Tmax-20℃Tmax-20℃可变电容器0.6 0.7 Tmax-10℃Tmax-10℃3.2电阻电阻类型降额要求功率最大温度（℃）严酷一般严酷一般固定合成电阻0.6 0.7 T MAX -30℃T MAX-30℃固定片状薄膜电阻0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃固定薄膜电阻（功率）0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃固定薄膜电阻（阻排）0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃固定线绕电阻（精密）0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃固定线绕电阻（功率）0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃可变合成非线绕0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃可变非线绕薄膜电阻0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃可变线绕（通用）0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃可变线绕（精密和半精密）0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃制定部门：系统硬件部可变线绕（功率）0.7 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃3.3电感3.3.1概述电感元件包括各种线圈和变压器。

器件应力降额总规范(艾默生)

器件应力降额总规范艾默生网络能源有限公司修订信息表目录前言 (4)1目的 (5)2 适用范围 (5)3 关键词 (6)4 引用/参考标准或资料 (6)5 规范内容 (6)5.0 产品保修期等级、产品I、II工作区、产品额定工作点定义 (7)5.1功率MOSFET降额规范 (9)5.2 IGBT降额规范 (19)5.3 晶闸管降额规范 (25)5.4 整流桥降额规范 (31)5.5 功率二极管降额规范 (36)5.6 信号二极管降额规范 (42)5.7 稳压二极管降额规范 (46)5.8 TVS器件降额规范 (50)5.9 发光二极管、数码管降额规范 (57)5.10 三极管降额规范 (60)5.11 光耦降额规范 (67)5.13 数字集成电路降额规范 (76)5.14 运放比较器降额规范 (79)5.15 电压调整器类降额规范 (81)5.16 二次电源模块(BMP)降额规范 (85)5.17 液晶显示模块降额规范 (89)5.18 晶体谐振器降额规范 (93)5.19 晶体振荡器降额规范 (96)5.20 非固体铝电解电容降额规范 (100)5.21固体钽电解电容器降额规范 (114)5.22 薄膜电容器降额规范 (119)5.23 陶瓷电容器降额规范 (123)5.24 固定金膜、厚膜、网络、线绕电阻器降额规范 (126)5.25 电位器降额规范 (131)5.26 陶瓷NTC热敏电阻器降额规范 (134)5.27 高分子PTC热敏电阻器降额规范 (137)5.28 电磁元件降额规范 (140)5.29 霍尔传感器降额规范 (144)5.30 温度继电器降额规范 (147)5.32 接触器降额规范 (158)5.33 断路器降额规范 (162)5.34 隔离器、刀开关和熔断器组合电器降额规范 (165)5.35 电源小开关降额规范 (168)5.36 信号小开关降额规范 (171)5.37保险管降额规范 (174)5.38 电连接器降额规范 (178)5.39 风扇降额规范 (181)5.40 蜂鸣器降额规范 (184)5.41 压敏电阻降额规范 (187)6 附录 (192)6.1低压电器有关降额要求说明 (192)6.2 偏离降额的处理流程 (195)6.3 器件工作应力与降额查检表（V2.1）填写使用说明 (149)前言本规范由艾默生网络能源有限公司研发部发布实施，适用于本公司的产品设计开发及相关活动。

电子企业-元器件应力降额规范

>90%
>100%
>90%
Transistors
VCE
VCE（瞬态）
VBE
<80%
<90%
<80%
80% to 90%
90% to 100%
80% to 90%
>90%
>100%
>90%
Small Signal Diodes
VR
<60%
60% to 90%
>90%
Schottky Type Diodes
IDICIF
<70%
70% to 80%
>80%
Component
Type
Parameter
Acceptable
Region
Questionable
Region
Unacceptable
Region
FET
VDS
VDS（瞬态）
VGS
<80%
<90%
<80%
80% to 90%
90% to 100%
80% to 90%
<60%
60% to 70%
<70%
MELF(CylinDrical)
<60%
60% to 70%
<70%
NTC/PTC Resistors
<60%
60% to 70%
<70%
Fuses (current)
<75%
75% to90%
>90%
Other Resistor Types
<60%
60% to 70%

元器件降额准则

5.4 可控硅降额准则............................................................................................................................................13 5.4.1 概述.........................................................................................................................................................13 5.4.2 应用指南.................................................................................................................................................13 5.4.3 降额准则.................................................................................................................................................13 5.4.4 降额准则的应用.....................................................................................................................................14

GB 35-93元器件可靠性降额准则国家标准.

根据 4.1 条的规定，对不同应用推荐的降额等级见表 1。表 1 不同应用的降额等级
应用范围
降额等级最高最低
航天器与运载火箭
Ⅰ
Ⅰ
战略导弹
Ⅰ
Ⅱ
战术导弹系统
Ⅰ
Ⅲ
飞机与舰船系统
Ⅰ
Ⅲ
通信电子系统
Ⅰ
Ⅲ
武器与车辆系统
Ⅰ
Ⅲ
地面保障设备
Ⅱ
Ⅲ
4.3 降额的限度降额可有效地提高元器件的使用可靠性，但降额是有限度的。通常，超过最
为：电流放大系数：±15％（适用于已经筛选的晶体管） ±30％（适用于未经筛选的晶体管）漏电流：＋200％开关时间：＋20％饱和压降：＋15％
5.2.3 降额准则（1）晶体管的反向电压、电流、功率从额定值降额；（2）最高结温、安全工作区的降额见附录；（3）由于分布参数的影响，微波晶体管不能按独立变量来考虑降额，但应
中、小规模集成电路降额的主要参数是电压、电流或功率，以及结温。大规模模集成电路主要是降低结温。 5.1.2 应用指南 5.1.2.1 所有为维持最低结温的措施都应考虑。可采取以下措施：
（1）器件应在尽可能小的实用功率下工作；（2）为减少瞬态电流冲击应采用去耦电路；（3）当工作频率接近器件的额定频率时，功耗将会迅速增加，因此器件的实际工作频率应低于器件的额定频率；（4）应实施最有效的热传递，保证与封装底座间的的热阻，避免选用高热阻底座的器件。 5.1.2.2 双极型数字电路电源电压须稳定，其容差范围如下：（1） Ⅰ级降额：±3％；（2） Ⅱ级降额：±5％；（3） Ⅲ级降额：按相关详细规范要求。 5.1.2.3 主要参数的设计容差为保证设备长期可靠的工作，设计应允许集成电路参数容差为：模拟电路：

元器件降额判定标准 (1)

有雪崩吸收的器件，雪崩电流和能量应小于额定值的 50%
Forward Current 90% 90% 90% 90% 80%
备注
I2t 小于额定值的 80% 额定功率的 80%
温度应力：类型
功率整流管肖特基
快恢复二极管整流桥稳压管
3)电容：电压应力：
类型电解电容钽电容陶瓷电容薄膜电容
A. 元器件降额判定标准
参见MET0001-2003 Component Derating Guidelines for High Reliability Power Assemblies
1)开关管：电压应力：
类型
功率 MOS 管功率双极型晶体管
IGBT Triac/SCR
V max. 带雪崩吸收
8)电源线和线材：电流：低于额定值的 80% 电压：低于额定值的 70%
9)接插件：电流：每 pin 低于额定值的 70% 对于并联的要分别测量每 pin 的电流
10)保险：电流：I2t 应小于额定值的 50%(在最严酷的条件下)
6)磁性材料：温度：Class F：不超过 130℃; Class B：不超过 110℃; Class A：不超过 90℃;
非晶态磁芯（Amorphous Choke）：不超过 100℃; 铁粉磁芯（Iron powder core）：不超过 90℃。
7)继电器和开关：电流：低于额定电流的 80% 温度：低于额定工作温度 10℃
备注
备注相应温度下的最大允许电流的 90%
备注
4)数字、线性 IC： Vcc 低于 85%的额定值 Tj 低于 80%的额定值
5)功率电阻：类型
物理量温度功耗电压

器件应力降额总规范(艾默生)

器件应力降额总规范艾默生网络能源有限公司修订信息表目录前言 (3)1目的 (3)2 适用范围 (4)3 关键词 (4)4 引用/参考标准或资料 (4)5 规范内容 (4)5.0产品保修期等级、产品I、II工作区、产品额定工作点定义 (5)5.1功率MOSFET降额规范 (7)5.2 IGBT降额规范 (14)5.3 晶闸管降额规范 (19)5.4 整流桥降额规范 (24)5.5 功率二极管降额规范 (28)5.6 信号二极管降额规范 (33)5.7 稳压二极管降额规范 (36)5.8 TVS器件降额规范 (39)5.9 发光二极管、数码管降额规范 (44)5.10 三极管降额规范 (46)5.11 光耦降额规范 (51)5.12 脉宽调制器降额规范 (54)5.13 数字集成电路降额规范 (58)5.14 运放比较器降额规范 (60)5.15电压调整器类降额规范 (62)5.16 二次电源模块(BMP)降额规范 (65)5.17 液晶显示模块降额规范 (68)5.18 晶体谐振器降额规范 (71)5.19 晶体振荡器降额规范 (74)5.20非固体铝电解电容降额规范 (77)5.21固体钽电解电容器降额规范 (90)5.22 薄膜电容器降额规范 (94)5.23 陶瓷电容器降额规范 (97)5.24 固定金膜、厚膜、网络、线绕电阻器降额规范 (99)5.25 电位器降额规范 (103)5.26 陶瓷NTC热敏电阻器降额规范 (106)5.27 高分子PTC热敏电阻器降额规范 (109)5.28 电磁元件降额规范 (111)5.29 霍尔传感器降额规范 (114)5.30 温度继电器降额规范 (116)5.31 电磁继电器降额规范 (118)5.32 接触器降额规范 (124)5.33 断路器降额规范 (127)5.34 隔离器、刀开关和熔断器组合电器降额规范 (129)5.35 电源小开关降额规范 (131)5.36 信号小开关降额规范 (133)5.37保险管降额规范 (135)5.38 电连接器降额规范 (138)5.39 风扇降额规范 (140)5.40 蜂鸣器降额规范 (142)5.41 压敏电阻降额规范 (144)6 附录 (148)6.1低压电器有关降额要求说明 (148)6.2 偏离降额的处理流程 (150)6.3 器件工作应力与降额查检表（V2.1）填写使用说明 (149)前言本规范由艾默生网络能源有限公司研发部发布实施，适用于本公司的产品设计开发及相关活动。

(法律法规课件)器件应力降额及关键用法规范(V)

器件应力降额及关键用法规范 ...................................................... ‘‘第一部分总则 (3)1 前言 (3)2 目的 (3)3 适用范围 (3)4 关键词 (3)5 引用/参考标准或资料 (4)6 产品典型工作区、短时稳态工作区、极限瞬态工作区定义 (4)7 偏离降额的说明 (7)第二部分应力降额及关键用法规范内容 (8)第一章低压电器类器件 (9)1.1 接触器降额与关键用法规范 (9)1.2 低压断路器降额与关键用法规范 (14)1.3 刀开关降额与关键用法规范 (20)1.4 电源小开关降额及关键用法规范 (23)1.5 信号小开关降额及关键用法规范 (25)1.6 熔断器降额及关键用法规范 (27)1.7 电连接器降额及关键用法规范 (31)1.8 风扇降额及关键用法规范 (34)1.9 温度继电器降额及关键用法规范 (37)1.10 电磁继电器降额及关键用法规范 (39)第二章电磁元件 (43)2.1电磁元件降额规范 (43)第三章其它 (46)3.1 电源模块降额及关键用法规范 (46)3.2 液晶显示模块降额及关键用法规范 (49)3.3 晶体谐振器降额与关键用法规范 (52)3.4 晶体振荡器降额与关键用法规范 (55)3.5 蜂鸣器降额及关键用法规范 (58)第三部分附录1：器件降额系数速查总表 (61)第四部分附录2：关键用法速查总表 (73)第一部分总则1 前言《器件应力降额及关键用法规范》是本公司产品可靠性设计所必须依据的重要的基础规范之一。

通过对应用于产品中的器件应力（电应力、热应力）的降额系数的规定，以及设计上关键用法的查检，达到降低器件失效率、提高器件使用寿命、增强对供方来料质量的适应性、以及对产品设计容差的适应性的目的，从而提高产品可靠性水平。

适当的器件应力降额不仅可以提高产品的可靠性，同时还有助于使产品寿命周期费用最低。

GBZ35-93电子元器件降额的基本准则(doc 47页)

中、小规模集成电路降温的主要参数是电压、电流或功率，以及结温。大规模集成电路主要是降低结温。
5.1.2应用指南
5.1.2.1所有为维持最低结温的措施都应考虑。可采取以下措施：
a.器件应在尽可能小的实用功率下工作；
b.为减少瞬态电流冲击应采用去耦电路；
c.当工作频率接近器件的额定频率时，功耗将会迅速增加，因此器件的实际工作频率应低于器件的额定频率；
应按设备可靠性要求、设计的成熟性、维修费用和难易程度、安全性要求，以及对设备重量和尺寸的限制因素，综合权衡确定其降额等级。在最佳降额范围内推荐采用三个降额等级。
a.Ⅰ级降额
Ⅰ级降额是最大的降额，对元器件使用可靠性的改善最大。超过它的更大降额，通常对元器件可靠性的提高有限，且可能使设备设计难以实现。
Ⅰ级降额适用于下述情况：设备的失效将导致人员伤亡或装备与保障设施的严重破坏；对设备有高可靠性要求，且采用新技术、新工艺的设计；由于费用和技术原因，设备失效后无法或不宜维修；系统对设备的尺寸、重量有苛刻的限制。
4.6元器件的质量水平
必须根据产品可靠性要求选用适合质量等级的元器件。不能用降额补偿的方法解决低质量元器件的使用问题。
5详细要求
5.1集成电路降额准则
5.1.1概述
集成电路分模拟电路和数字电路两类。根据其制造工艺的不同,可按双极型和MOS(CMOS)型，以及混合集成电路分类。
集成电路芯片的电路单元很小，在导体断面上的电流密度很大，因此在有源结点上可能有很高的温度。高结温是对集成电路破坏性最大的应力。集成电路降额的主要目的在于降低高温集中部分的温度，降低由于器件的缺陷而可能诱发失效的工作应力。延长器件的工作寿命。
Ⅰ
Ⅱ
战术导弹系统
Ⅰ
Ⅲ
飞机与舰船系统

器件应力降额及关键用法规范(V3[1].0)

器件应力降额及关键用法规范 ...................................................... ‘‘第一部分总则 (3)1 前言 (3)2 目的 (3)3 适用范围 (3)4 关键词 (3)5 引用/参考标准或资料 (4)6 产品典型工作区、短时稳态工作区、极限瞬态工作区定义 (4)7 偏离降额的说明 (7)第二部分应力降额及关键用法规范内容 (8)第一章低压电器类器件 (9)1.1 接触器降额与关键用法规范 (9)1.2 低压断路器降额与关键用法规范 (14)1.3 刀开关降额与关键用法规范 (20)1.4 电源小开关降额及关键用法规范 (23)1.5 信号小开关降额及关键用法规范 (25)1.6 熔断器降额及关键用法规范 (27)1.7 电连接器降额及关键用法规范 (31)1.8 风扇降额及关键用法规范 (34)1.9 温度继电器降额及关键用法规范 (37)1.10 电磁继电器降额及关键用法规范 (39)第二章电磁元件 (43)2.1电磁元件降额规范 (43)第三章其它 (46)3.1 电源模块降额及关键用法规范 (46)3.2 液晶显示模块降额及关键用法规范 (49)3.3 晶体谐振器降额与关键用法规范 (52)3.4 晶体振荡器降额与关键用法规范 (55)3.5 蜂鸣器降额及关键用法规范 (58)第三部分附录1：器件降额系数速查总表 (61)第四部分附录2：关键用法速查总表 (73)第一部分总则1 前言《器件应力降额及关键用法规范》是本公司产品可靠性设计所必须依据的重要的基础规范之一。

通过对应用于产品中的器件应力（电应力、热应力）的降额系数的规定，以及设计上关键用法的查检，达到降低器件失效率、提高器件使用寿命、增强对供方来料质量的适应性、以及对产品设计容差的适应性的目的，从而提高产品可靠性水平。

适当的器件应力降额不仅可以提高产品的可靠性，同时还有助于使产品寿命周期费用最低。

元器件降额规范

温度
Max-20℃
Max-20℃
Max-20℃
注：Max为器件最高工作温度
5.4电位器
表4电位器降额表
元器件种类
降额参数
降额度
Ⅰ
Ⅱ
A
B
A,B
非线绕电位器
电压
0.85
0.85
0.85
功率
合成、薄膜微调
0．5
0．7
0．8
精密塑料型
0．5
0．7
0．8
温度
Max-10℃
Max-10℃
Max-10℃
5.5电容器表
0.90
-
0.95
仅适用于90-264Vac输入的双级PFC产品中的高压电容
0.95
-
1.00
仅适用于90-305Vac输入的双级PFC产品中的高压电容
0.90
-
0.95
仅适用于180-480Vac输入的双级PFC产品中的高压电容
纹波电流
0.85
100%
100%
பைடு நூலகம்通用标准，适用于公司产品中非PFC升压后的高压电容
输出电流
0.85
0.95
0.95
频率
0.8
0.9
0.9
最高结温，Tj
0.8
0.8
0.8
线性电路
放大器
供电电压
0.85
0.95
0.95
输入电压
0.85
0.85
0.85
输出电流
0.85
0.85
0.85
功耗
0.8
0.8
0.8
最高结温，Tj
0.8
0.8
0.8