元器件应力降额规范
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崧欣电子科技有限公司研发中心元器件应力降额规范版本号：A0
元器件应力降额规范
版本更新
版本号更新日期更新者审核批准
A0 2013-4-23
尹小朝
目的
为了满足客户对我司电源产品可靠性及电源寿命的要求，本规范规定了电
子元器件在不同使用情况下的降额标准。
使用范围
本规范适用我司研发中心研发的所有电源产品。
1.电容
类型参数稳态瞬态
陶瓷电容Voltage 85% 95%
Temperature
NA
90%
电解电容Voltage 90% 100%
NA Temperature
85%
NA
95%
Ripple
Current
薄膜电容Voltage 90% 95%
90%
NA Temperature
2.晶体管
类型参数稳态瞬态
整流桥Reverse Voltage 90% 95%
Average Forward Current70% NA
NA Junction
80%
Temperature
肖特基Reverse Voltage 90% 95%
崧欣电子科技有限公司研发中心元器件应力降额规范版本号：A0
Average Forward Current70% NA
NA
80%
Temperature
Junction
普通二极管Reverse Voltage 90% 95%
70%
NA
Current
Average
NA
80%
Junction
Temperature
稳压二极管Power Dissipation 80% 100%
NA Junction
80%
Temperature
MOS管Breakdown Voltage 90% 95%
Junction Temperature 80% NA
Current 80% 150%
三极管Voltage (V ce) 80% 90%
80%
Temperature
Junction
NA
3.电阻器
类型参数稳态瞬态
贴片电阻Power 70% 100%
NA Temperature
80%
95% Voltage
90%
插件电阻Power 70% 100%
NA Temperature
90%
95% Voltage
90%
4.电感变压器
类型参数稳态瞬态
电感变压器Temperature 90% NA
崧欣电子科技有限公司研发中心元器件应力降额规范版本号：A0 5.IC
类型参数稳态瞬态
IC Fixed Supply Voltage
Vcc Manufacturers
recommended
Manufacturers
Recommended
Junction
Temperature
80%
NA 光耦Junction Temperature 80% NA
注：以上为公司内部规范，若客户另有要求，则按客户之规定。