嵌入式系统复习填空问答题

ARM嵌入式常用模块与综合系统设计面试题

第1章：

填空题

1．ARM内核有四个功能模块，即______、______、______、______，可供生产厂商根据不同用户的要求来配置生产ARM芯片。

2．ARM7TDMI与ARM720T的一个重要区别在于后者有______、______。

3．ARM芯片主要封装有______、______、______、______、______、______等形式。4．ARM微处理器共有______个______位寄存器，其中______个为通用寄存器，______个为状态寄存器。

5．ARM体系结构可用两种方法存储字数据，具体为_____、______。

6．协处理器主要控制：______、______、______。

问答题：

1．简单描述ARM内核的四个功能模块，各自具备什么功能特点？

2．一个ARM720T内核，基本由哪四部分组成？

3．通用寄存器包括R0～R15，可以分为具体哪三类？

4．请描述Thumb状态下的寄存器与ARM状态下的寄存器有什么关系？

5．当一个异常出现以后，ARM微处理器会执行哪几步操作？

第2章：

填空题

1．ARM微处理器在较新的体系结构中支持两种指令集：______、______。

2．ARM处理器有9种基本寻址方式，分别是：______、______、______、______、______、______、

______、______、______。

3．ARM指令集可以分为6类，分别是：______、______、______、______、______、______。4．在ARM的汇编程序中，有如下几种伪指令：_____、______、______、______、______。5．汇编语言与C/C++的混合编程通常有以下几种方式：_____、______、______。6．ARM C/C++编译器支持和产生以下几种格式的文件：_____、____、____、______、______。问答题：

1．一条典型的ARM指令具有什么样的语法格式，并描述各选项意义。

2．表示递增和递减的满堆栈和空堆栈有哪几种组合，请比较它们的特点。

3．ARM协处理器指令包括哪3类，请描述它们的功能。

4．常见的符号定义伪指令，具体有哪几种？

5．汇编语言程序中常用的符号，需要遵循哪些规则？

6．可执行映像文件通常由几部分构成，它们有什么特点？

第3章：

填空题

1．在线仿真包括3个过程：_____、______、______。

2．目标机上的Angel可以实现的功能为：_____、______、______、_____、______。3．使用Angel开发应用程序包括下面的步骤：_____；______；______；_____。

4．当应用程序在特权模式下调用Angel的SWI时，必须保证它的特权模式数据栈为_____类型，并且有足

够Angel进入SWI时需要的可用空间。

5．JTAG调试接口的结构由____、______、______及______组成。

问答题：

1．初始化存储器有哪几种方法？

2．基于Angel的调试系统由哪两部分组成？请详细描述。

3．使用Angel所需要的资源有哪些，请描述。

4．使用完整版本的Angel开发应用程序时有什么编程限制？

5．JTAG测试信号由哪五个信号组成，并分别描述。

第4章：

填空题

1．ARM嵌入式系统主要由______、______和______构成。

2．常用的嵌入式外围设备有______、______和______三类。

3．总线通常包括______、______和______。

4．目前流行的嵌入式操作系统主要有：______、______、_____和_____。

5．嵌入式操作系统的调试一般包括：_________调试和_________调试。

问答题：

1．嵌入式Linux与其他嵌入式操作系统相比，有哪些优点和缺点？

2．高频硬件电路设计中电源线、地线的布线需要遵循哪些原则？

3．设计ARM硬件电路板一般有哪些特点和原则？

第5章：

填空题

1．电子设备电源系统包括：______电源和______电源。

2．ARM处理器工作状态主要有______、______和______模式。

3．IC芯片工作一般供电电压有：______、______、______、______。

4．布线时，电源线、信号线、地线线宽大小一般为：______＞______＞______。

问答题：

1．软启动状态对ARM处理器有什么作用？

2．在ARM硬件系统中，最耗电的模块是什么？

3．数字接地与模拟接地一般如何区分开和相连？

第6章：

填空题

1．作为高速缓存的存储器主要有______、______和______。

2．动态RAM有______和______。

3．ARM有从外部______启动的外启动和从片上______启动的内启动两种启动方式。

问答题：

1．简述SDRAM在ARM系统中的主要作用。

2．区别ARM外启动方式和内启动方式的不同。

第7章：

填空题

1．Nand-Flash闪存每个块的最大擦写次数是______万次，而Nor的擦写次数是______万2．MTD核心层分为：______层、______层和______层。

3．Nor-Flash常用于存放______，而Nand-Flash存放______。

问答题：

1．简述嵌入式设备中程序运行方式。

2．与SDRAM相比，Flash在ARM系统中的主要作用是什么？