数电课件第七篇半导体存储器
数电第七章 半导体存储器
图7.2.4 熔丝型PROM的存储单元
9
图7.2.5 PROM管的结构原理图
编程时首先输入地址代码, 找出要写入0的单元地址
然后使VCC和选中的字线提 高到编程所要求的高电平, 同时在编程单元的位线上加 入编程脉冲(幅度约为20v,持 续时间约为十几微秒),写入 放大器AW的输出为低电平,有 较大的脉冲电流流过熔丝,将 其熔断。正常时读出放大器AR 输出的高电平不足以使DZ导 通,AW不工作。
若A1、A0为输入逻辑变量,D0-D3为输出逻辑变量,
则D0-D3就是A1、A0的组合逻辑函数
32
[例7.5.1]试用ROM设计一个八段字符显示的译码器,真值表如下
输入
D C BA
0000 0001 0010
0011 0100 0101 0110 0111
1000 1001 1010
1011 1100 1101 1110 1111
101 001 011
011 111 111 111 001
111 111
010
110 010 010 110 110
字型
a
f
b
e gch d
33
由真值表可见,应取输入地址为4位、输出数据为8位的 ROM来实现译码电路
图7.5.1 例7.5.1的电路
34
[例7.5.2]试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数
图7.3.3 六管NMOS静态存储单2元5
由于CMOS电路具有微功耗的特点,所以尽管它的制造工艺比NMOS 电路复杂,但在大容量的静态存储器中几乎都用CMOS存储单元
CMOS静态存储单元的电路
T2、T4改用P沟道增强型MOS管
优点:
图7.3.4 六管CMOS静态存储单元
数字电子技术第7章 半导体存储器
字字
Wi
熔熔
位字
Di
15
7.2.3 可擦可编程只读存储器 1. EPROM
最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM(又称UVEPROM) (又称 最早出现的是用紫外线照射擦除的 ) 总体结构与PROM一样,不同之处在于存储单元, 一样,不同之处在于存储单元, 总体结构与 一样 存储单元 即字线与位线上接的器件是叠栅MOS管(SIMOS) 即字线与位线上接的器件是叠栅 管
20
Flotox管的结构和符号 管的结构和符号 + +
S GC D
S
Gf
Gc
D
SiO2 D
N+ P
N+
Gc Gf S
N P
N
隧隧隧
浮栅和漏区之间的氧化层非常薄,称为隧道区。 浮栅和漏区之间的氧化层非常薄,称为隧道区。
工作原理: 工作原理:
之间加高压时(可正可负 被击穿, 当GC与D之间加高压时 可正可负 ,薄氧化层被击穿,形成导 之间加高压时 可正可负),薄氧化层被击穿 电隧道,漏区电子可以到达浮栅 间加正电压), 电隧道,漏区电子可以到达浮栅(GCD间加正电压 ,浮栅电子 间加正电压 也可以到达漏区(G 间负电压 间负电压), 也可以到达漏区 CD间负电压 ,因此写入和擦除都可以通过 电信号来实现。 电信号来实现。
23
ROM的应用 的应用 1)用于存储固定的专用程序 ) 2)利用ROM可实现查表等功能 )利用 可实现查表等功能 查表功能 - 如查某个角度的三角函数 查表功能 先把变量值作为地址码, 先把变量值作为地址码,其对应的函数 值作为存放在该地址内的数据存储在 ROM 内,这称为 “造表”。使用时,根 造表” 使用时, 据输入的地址(角度 角度), 据输入的地址 角度 ,就可在输出端得到 所需的函数值,这就称为“查表” 所需的函数值,这就称为“查表”。
数字电子技术基础-第7章-半导体存储器PPT课件
(二)具有两个地址译码器的ROM 的一般结构
二、ROM的基本耦合单元
(一)掩模ROM(MROM)的基本耦合 单元
1. MOS管构成的基本耦合单元
2. 双极型三极管构成的基本耦合单元
(二)一次可编程ROM(OTPROM)的 基本耦合单元
1. 熔丝型的OTPROM的基本耦合单元
2. 结破坏型的OTPROM的基本耦合单元
第七章 半导体存储器
7-1 7-2 7-3 7-4 7-7
作业
第一节 存储器的基本概念和分类 第二节 半导体存储器
第三节 只读存储器(ROM)
第一节 存储器的基本概念和分类
一、存储器的基本概念 二、存储器的分类
第二节 半导体存储器
一、半导体存储器的分类 (一)从制造工艺的角度分类 (二)从工作方式的角度分类 二、半导体存储器的三个主要技术指标
X ( A, B,C, D) m(2,3,4,5,8,9,15) Y ( A, B,C, D) m(6,7,10,11,14,15) M ( A, B,C, D) m(0,3,6,9,12) N ( A, B,C, D) m(7,11,13,14,15)
Q( A, B,C, D) m (0,1,2,3)
CS
O7
OE U2
(二)扩展字数
第四节 随机存取存储器(RAM)
一、RAM的基本结构
写在最后
经常不断地学习,你就什么都知道。你知道得越多,你就越有力量 Study Constantly, And You Will Know Everything. The More
You Know, The More Powerful You Will Be
第三节 只读存储器(ROM)
数电7半导体存储器
高集成度、高速读写、低功耗、 非易失性等。
半导体存储器的分类
按存储方式分
按容量分
分为随机存储器(RAM)和只读存储 器(ROM)。RAM可随时读写, ROM只能读不能写。
分为小容量、中容量和大容量存储器。 小容量一般为1K位,中容量为4K位, 大容量为16K位以上。
按存储介质分
分为双极型存储器(TTL)和CMOS 存储器。TTL存储器速度快,但功耗 大;CMOS存储器速度慢,但功耗小。
1970年
出现了只读存储器(ROM),其容量为 256K位,速度为500字/秒。
1967年
出现了集成度更高的半导体动态随 机存储器(DRAM),其容量为 64K位,速度为500字/秒。
A
B
C
D
1984年
出现了快闪存储器(Flash Memory), 其容量为1M位,速度为200字/秒。
1975年
出现了可擦写可编程只读存储器 (EEPROM),其容量为256K位,速度 为500字/秒。
Байду номын сангаас
闪存技术
闪存是一种非易失性存储器,能 够在断电状态下保存数据。它具 有快速读写速度、低功耗和耐冲 击等优点,广泛应用于移动设备
和嵌入式系统。
相变存储器
相变存储器利用特殊材料在加热 后发生相变来存储数据。它具有 读写速度快、寿命长和可靠性高 等优点,被认为是下一代存储器
的重要候选者。
磁性随机存储器
磁性随机存储器利用磁性材料的 磁化方向来存储数据。它具有高 速读写、低功耗和长寿命等优点, 适用于需要频繁读写和高可靠性
半导体存储器的发展历程
01
02
03
1946年
美国科学家发明了第一台 电子计算机ENIAC,采用 真空管作为逻辑元件,使 用汞延迟线作为存储器。
数字电路第7章半导体存储器
• 半导体存储器概述 • 随机存取存储器(RAM) • 只读存储器(ROM) • 闪存(Flash Memory) • 存储器的性能指标与比较
01
半导体存储器概述
定义与分类
定义
半导体存储器是一种利用半导体技术制作的 存储数据的电子设备。
分类
半导体存储器主要分为随机存取存储器 (RAM)和只读存储器(ROM)两大类。
地址解码器用于将输入的地址信号解码 为对应的存储单元的地址。
闪存的工作原理
闪存的存储单元由一个浮栅场效应管构成,该场效应管的浮栅上存储电荷,通过电荷的 多少表示数据的0和1。
当对存储单元进行读取时,根据存储单元的阈值电压判断其存储的数据是0还是1。
当对存储单元进行写入或擦除时,通过改变浮栅上的电荷数量来实现。写入操作通常是 通过将电荷注入浮栅来实现,擦除操作通常是通过将浮栅上的电荷消除来实现。
一种常用的主存储器,以电容存储数据,需要定时刷新。
功耗与可靠性
功耗
可靠性
表示存储器的耗电量,分为动态功耗和静 态功耗。
表示存储器的稳定性和寿命,通常用平均故 障间隔时间(MTBF)来衡量。
闪存(Flash Memory)
只读存储器(ROM)
一种非易失性存储器,能够在断电情况下 保持数据,常用于U盘、固态硬盘等。
工业控制
用于工业控制系统中,如PLC、DCS等,用于存 储控制逻辑和实时数据。
02
随机存取存储器(RAM)
RAM的基本结构
存储单元阵列
由大量存储单元组成,每个单元存储一个二进制数。
地址译码器
用于选择存储单元,通过输入地址信号,选择对应的存储单元。
控制逻辑
数字电路逻辑设计第七章半导体存储器
动态RAM(DRAM)
总结词
DRAM是一种常见的半导体存储器,其特点是集成度高、功耗低,但需要周期性地刷新。
详细描述
DRAM由单个晶体管和电容组成,每个存储单元非常小,因此可以实现高集成度。由于其结构简单, DRAM的制造成本相对较低。但是,由于电容会逐渐放电,因此需要周期性地刷新以保持数据。
只读存储器(ROM)
02
随机存取存储器(RAM)
静态RAM(SRAM)
总结词
SRAM是一种常见的半导体存储器,其特点是速度快、功耗低,但集成度较低。
详细描述
SRAM由交叉反接的晶体管组成,每个存储单元由6个晶体管组成,因此其结构相对 简单。由于其速度快,SRAM通常用于高速缓存(Cache)和中央处理器(CPU) 中的高速缓存。
用于存放固定不变的程序和数据,如BIOS、嵌入式操作 系统等。
随机存取存储器(RAM)
用于存储嵌入式系统运行时的变量、堆栈等,具有读写 功能。
面临的挑战与未来发展方向
集成度提高
新型存储技术
随着工艺尺寸的减小,如何实现更高 的集成度是半导体存储器面临的重要 挑战。
如阻变存储器、相变存储器等新型存 储技术的研究和开发,为半导体存储 器的未来发展提供了新的可能。
05
半导体存储器的应用与 挑战
在计算机系统中的应用
要点一
主存储器
用于存放计算机运行时所需的程序和数据,直接影响到计 算机的运算速度、存取时间和可靠性。
要点二
高速缓冲存储器(Cache)
作为CPU和主存储器之间的缓冲,存放的应用
只读存储器(ROM)
工作原理
RAM
通过在半导体存储单元上施加不同的电压来存储和读取数据 。
第七章半导体存储器_百度文库(精)
第七章半导体存储器§7.1概述存储器一存储信息的部件r主存储器存储器{辅助存储器一.辅助存储器☆长期锋存信息;☆工作速度低;☆存储家量达;☆用滋性存储役备实现;☆可读/写。
22二.主存储器☆存储当前正衣使用的信息;☆要求较高的襟作速度;☆存储彖量不要求很大;☆半导体存儲电路实现。
1.程序存储器存放系统软件、参数、当前运行的应用软件。
糸统引导程序、监控程序、BIOS等彼永久地保存柱安装于主板上的ROM (只读存储器丿中。
保存在ROM中的程序由于它的永久性而被称为“固件” ODRAM —动态随机存取存储器☆存放将•披执行的程序;☆允许程序既可写入,又可篌出;☆掉电后内家丢Ko4将被执行的程序从辅存中读出,存储在程序存储器中,然后运行,当程序终止时,它在程序存储器中所占据的空间将还给操作系统,以便再用。
2.数据存储器存放频繁改变的信息。
因为在执行程序时数据的值可以不断变化,因此数据存储器必须用RAM来卖现。
数据并不一定以数字的形式出现, 它可以是字符、代码或图形模式。
三.选择存储器件的考虑因数1.易失性易失性是区分存储器种类的重要外部特性之一。
易失性是指电源断开之后,存储器内容是否丢失,如果某种存储器在断电以后,仍能保存其中内容,则称为非易失性存储器,6否则,就叫易失性存储器。
对易失性存储器來说,计算机每次启动吋,都要对这部分存储器中的程序进行装配。
在大多数微机使用场合,要求系统必须至少有一部分存储器是非易失性的。
外部存储器(辅存)一般都是非易失性的。
2.只读性只读性是区分存储器种类的又一个重要特性。
如ROM、RAMo3.位容量用大规模集成电路构成的半导体存储器件常用位容量来表示存储功能。
如一个4KX1和一个1K X4的器件,它们的8位容量是一样的。
但是,前者可用来组成4K内存单元的某一位,芯片只有一个数据输入端和一个数据输出端,在存储容量较大的系统中,一般都采用这样的器件;后者则可以用来组成1K内存单元的某4位, 有4个数据输入端和4个数据输出端,在内存容量较小的系统中,一般釆用这样的器件。
数字电路逻辑设计 第七章半导体存储器1ppt课件
字节数
存
〔4K个字节数〕
储
器
……
字节长B 〔一个字节8bits〕
7.2 顺序存取存储器〔SAM〕
Sequential Access Memory
7.2.1 动态CMOS反相器 7.2.2 动态CMOS移存单元 7.2.3 动态移存器和顺序存取存储器
7.3.2 RAM存储单元
1、静态MOS RAM〔SRAM〕
来自行地 址译码器
的输出
由于数据由触发器记忆,只需不断电,信息就可 以永久保管。 采用CMOS管,所以静态功耗极小。
7.2.1 动态CMOS反相器
1.电路构造
由 传 输 门 和 CMOS 反 相 器 组 成 。 电 路 中 T1 、 T2 栅 极的寄生电容C是存储信息 的主要“元件〞。
VDD CP
T2
+
TG1
vI
CP
–
CR
+
T1
vO
•–
图7-2-1 动态CMOS反相器
2.MOS管栅电容C的暂存作用
栅电容C充电迅速,放电缓慢,因此可以暂存输入信息。假 设每隔一定时间对C补充一次电荷,使信号得到“再生〞,可长 期坚持C上的1信号,这一操作过程通常称为“刷新〞。
容量:存储单元总数〔bit〕,一个根本存储单元能存 储1位(Bit)的信息,即一个0或一个1。
1Kbit=1024bit=210bit 128Mbit=134217728bit=227bit 字长:一个芯片可以同时存取的比特数,存储器的读写 操作是以字为单位的,每一个字可包含多个位。
七半导体存储器PPT课件
(三)快闪存储器(Flash Memory) 采用新型隧道氧化 层MOS管。 •该管特点:
10
这是一种双译码方式, 行地址译码器和列地 址译码器共同选中一 个单元。每个字只有
一位。
(二)电可擦除 EPROM(EEPROM或E2ROM)
用紫外线擦除操作复杂, 速度很慢。必须寻找新的存 储器件,使得可以用电信号 进行擦除。
使用浮栅隧道氧化层MOS 管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide)
是最早出现的EPROM。通常说的 EPROM就是指这种。
1.使用浮栅雪崩注入MOS管 (Floating-gate Avalanche-Injuction MOS,简称FAMOS管。)
写入:管子原来不导通。在漏源之间加上较 高电压后(如-20V),漏极PN结雪崩击穿, 部分高速电子积累在浮栅上,使MOS管导通。
编程 时VCC 和字
线电
压提
高
7
16字×8位的PROM
十
六
条
读出时,读出
字
放大器AR工作,写
线
入放大器AW不工作。
八
写入时,在位
条
线输入编程脉冲使
位
写入放大器工作,
线
且输出低电平,同
时相应的字线和VCC 提高到编程电平,
将对应的熔丝烧断。
20V
编程脉冲
缺点:不能重复擦除。 十几微秒
8
三、可擦除的可编程只读存储器 (EPROM) (一)紫外线擦除的只读存储器 (UVEPROM)
浮栅上电荷可长期保存--在125℃环 境温度下,70%的电荷能保存10年以上。
擦除:用紫外线或X射线擦除。需20~30分钟。 存储单元如图。 缺点:需要两个MOS管;编程电压偏高;P沟道管的开关速9 度低。
数字逻辑电路半导体存储器资料PPT课件
用SIMOS管构成的存储单元
工作原理: 若G f 上充以负电荷,则 Gc处正常逻辑高电平下不 导通 若G f 上未充负电荷,则 Gc处正常逻辑高电平下导 通
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“写入”:在叠栅管的D S上同时加上较高电压(25V),
漏源间形成导电沟道,沟道内电子获得动能,
在
受到G
上所加正电压的电场吸引下
第14页/共21页
7.3.1 RAM的基本结构与工作原理 以SRAM为例
第15页/共21页
7.3.2 存储单元
6只N沟道增强型MOS管 组成的静态存储单元
T1 ~ T4组成基本的锁存器,作存储单元
T5 ~ T8是门控管,起模拟开关的作用 T5和T6受控于地址译码器的输出
T7和T8决定存储单元是否与输入输出 电路I/O相连,受控于列地址译码器
第6页/共21页
7.2.2 可编程ROM
可编程ROM(programmable ROM,PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同
熔丝由易熔合金制成 出厂时,每个结点上都 有 编程时将不用的熔断 !! 是一次性编程,不能改 写
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7.2.3 可擦除的可编程ROM
EPROM
为储克 单元服不紫 同 外线擦除的EPRO M擦除慢,操作复杂的缺点 采用FLO TO X(浮栅隧道氧化层MO S管)
Gf与漏区之间有小的隧道区,当场强大到一定程度时, 在漏区和Gf 之间出现导电隧道,电子可以双向通过形成电流, 这种现象称为隧道效应。
第11页/共21页
7.2.4 利用ROM实现组合逻辑函数
第12页/共21页
地址译码器是一个与阵列,它的输出包含了输入地址变量的 全部最小项,每一条字线对应一个最小项; 存储矩阵是一个或阵列,每一位输出数据都是将地址译码器 输出的一些最小项相加。
数字电路08第七章半导体存储器课件
脉冲, 电子通过隧道区从浮置栅极Gf向漏极释放
区别于EPROM的hot-electron injection
这种称为 tunnel injection 书上称为隧道效应或称隧道注入
有兴趣可以参考
PPT学习交流
12
三、快闪存储器Flash Memory
按结构又分为NOR Flash和NAND Flash。基本单元为SIMOS--叠栅 注入MOS,特点是浮栅Gf与衬底间SiO2更薄10~15nm(相比EPROM 的30~40nm,E2PROM的20nm),Gf与源极S有极小的重叠区,即隧 道区。下面主要指的是NOR Flash。
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23
(二) FRAM原理
FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电 晶体上施加一定的电场时, 晶体中心原子在电场的作用下运动,并达 到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位 置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部 能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需 要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶 体所固有的一种偏振(电)极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存 储器的内容不会受到外界条件(诸如磁场因素)的影响,能够同普通 ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。
第七章 半导体存储器
7.1 概述 半导体存储器是固态存储器SSD (Solid State Drives) ,具有存储 密度高,体积小,容量大,读写速度快,功耗低等优点!
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1
分类:
非挥发存储器(Non-Volatile Memory--NVM)
掩模ROM
可编程ROM (PROM--Programmable ROM)
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内容提要
本章系统地介绍各种半导体存储器的工作原理和 使用方法。半导体存储器包括只读存储器(ROM) 和随机存储器(RAM)。在只读存储器中,介绍了 掩模ROM、PROM和快闪存储器等不同类型的ROM 的工作原理和特点;而在随机存储器中,介绍了静态 RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两种类型。 此外,也介绍了存储器扩展容量的连接方法以及用存 储器设计组合逻辑电路,重点放在这里。
7.2.1 掩模只读存储器
2. 二极管ROM电路
图7.2.2是具有2 位地址输入码和4位 数据输出的ROM电 路。其地址译码器 是由4个二极管与门 构成,存储矩阵是 由二极管或门构成, 输出是由三态门组 成的。
图7.2.2
7.2.1 掩模只读存储器
其中:
地址译码器是由4个二极 管与门组成,A1、A0称 为地址线,译码器将4个 地址码译成W0~W3 4根 线上的高电平信号。 W0~W3叫做字线。
1KB(Kilobyte 千字节)=1024B, 1MB(Megabyte 兆字节 简称“兆”)=1024KB, 1GB(Gigabyte 吉字节 又称“千兆”)=1024MB, 1TB(Trillionbyte 万亿字节 太字节)=1024GB, 其中1024=2^10 ( 2 的10次方), 1PB(Petabyte 千万亿字节 拍字节)=1024TB, 1EB(Exabyte 百亿亿字节 艾字节)=1024PB, 1ZB(Zettabyte 十万亿亿字节 泽字节)= 1024 EB, 1YB(Yottabyte 一亿亿亿字节 尧字节)= 1024 ZB, 1BB(Brontobyte 一千亿亿亿字节)= 1024 YB 注意:MiB和MB,KiB和KB等的区别:
b.地址译码器
图7.2.1
7.2.1 掩模只读存储器
b.地址译码器
图7.2.1
地址译码器是将输入的地址代码译成相应的控制信 号,利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选 出,并把其中的数据送到输出缓冲器
c. 输出缓冲器
输出缓冲器的作用提高存储器的带负载能力,另外是实 现对输出状态的三态控制,以便与系统的总线相联。
7ห้องสมุดไป่ตู้1 概述
b.随机存储器RAM(读写存储器)
随机存储器为在正常工作状态下就可以随时向存 储器里写入数据或从中读出数据。(与只读存储器的 根本区别)
根据采用的存储单元工作原理不同随机存储器又 可分为静态存储器(Static Random Access Memory, 简称SRAM)和动态存储器(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM)
3.半导体存储器的分类
(1)从存取功能上分类
从存取功能上可分为只读存储器(Read-Only Memory,简称ROM)和随机存储器(Random Access Memory,简称RAM)。
7.1 概述
a. ROM :
ROM的特点是在正常工作状态下只能从中读取数据, 不能快速随时修改或重新写入数据。其电路结构简单, 而且断电后数据也不会丢失。缺点是只能用于存储一 些固定数据的场合。
7.1 概述
**PROM在出厂时存储内容全为1(或者全为0),用户 可根据自己的需要写入,利用通用或专用的编程器, 将某些单元改写为0(或为1)。
***EPROM是采用浮栅技术的可编程存储器,其数据 不但可以由用户根据自己的需要写入,而且还能擦除 重写,所以具有较大的使用灵活性。它的数据的写入 需要通用或专用的编程器,其擦除为照射擦除,为一 次全部擦除。电擦除的PROM有 E2PROM和快闪 ROM。
注: a. 通常将每个输出的代码叫一个“字”
(WORD),W0~W1为字线,D0~D3为位线,其相交 叉的点就是一个存储单元,其中有二极管的A1 相当于存1,
没有二极管相当于存0.因此交叉点的数目即A1为存储单元 A0
数。习惯上用存储单元的数目表示存储器的A0 存W0 W储1 W量2 W3
(或称为容量)即
1KB(kilobyte)=1000byte
1KiB(kibibyte)=1024byte
1MB(megabyte)=1000000byte
1MiB(mebibyte)=1048576byte
这是因为硬盘生产商是以GB(十进制,即10的3次方=1000, 如1MB=1000KB)计算的,而电脑(操作系统)是以GiB(2 进制,即2的 10次方, 如1MiB=1024KiB)计算的,但是国 内用户一般理解为1MB=1024 KB, 所以为了便于中文化的理 解,翻译MiB为MB 也是可以的。 同样根据硬盘厂商与用户对于1MB大小的不同理解,所以 好多160G的硬盘实际容量按计算机实际的1MB=1024KB算 都不到160G,这也可以解释为什么新买的硬盘“缺斤短两” 并没有它所标示的那么大。 注:10TB大约等于一个人脑的存储量。
本章内容
7.1 概述 7.2 只读存储器(ROM) 7.3 随机存储器(RAM) 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数
7.1 概述
1. 半导体存储器的定义
半导体存储器就是能存储大量二值信息(或称作 二值数据)的半导体器件。它是属于大规模集成电路, 由于计算机以及一些数字系统中要存储大量的数据, 因此存储器是数字系统中不可缺少的组成部分,其组 成框图如图7.1.1所示。
7.2.1 掩模只读存储器
图7.2.2的存储的内容 见表7.2.1
表7.2.1
地 址 译码输出
数据
A1 A0 W0 W1 W2 W3 D3 D2 D1 D0
00 1 0 0 0 01 0 1
01 0 1 0 0 10 1 1
10 0 0 1 0 01 0 0
11 0 0 0 1 11 1 0
图7.2.2
7.2.1 掩模只读存储器
图7.2.3也可以用简化画法。凡是有二极管的位置,均 用交叉点“.”表示,并图且7.2省.2略电阻、输出缓冲器和电源
等符号,如图7.2.4所示。
A1 A1
A0 A0
W0 W1 W2 W3 D3
D2
D1
D0 图7.2.4 二极管掩模 ROM的简化画法
7.2.1 掩模只读存储器
目前计算机内部存储器均采用半导体存储器,因 为其存取速度快、集成度高、功耗小、价格低。
7.1 概述
2.存储器的性能指标
由于计算机处理的数据量很大,运算速度越来越 快,故对存储器的速度和容量有一定的要求。所以将 存储量和存取速度作为衡量存储器的重要性能指标。 目前动态存储器的容量已达109位/片,一些高速存储 器的存取时间仅10ns左右。(功耗、可靠性等)
D3 D2
存储容量=字数(M)×位数(N)DD10
如上述ROM的存储量为4×4=16位 。
图7.2.4 二极管掩模 ROM的简化画法
b. 二极管ROM的电路结构简单,故集成度可以做的很 高,可批量生产,价格便宜。
c. 可以把ROM看成一个组合逻辑电路,每一条字线 就是对应输入变量的最小项,而位线是最小项的或, 故ROM可实现逻辑函数的与-或标准式。
ROM可分为掩模ROM、可编程ROM(Programmable Read-Only Memory,简称PROM)和可擦除的可编 程ROM(Erasable Programmable Read-Only Memory,简称EPROM)。
*掩模ROM在制造时,生产厂家利用掩模技术把数据 写入存储器中,一旦ROM制成,其存储的数据就固 定不变,无法更改。
SRAM的特点是数据由触发器记忆,只要不断电, 数据就能永久保存 。但SRAM存储单元所用的管子数 量多,功耗大,集成度受到限制,为了克服这些缺点, 则产生了DRAM。它的集成度要比SRAM高得多,缺 点是速度不如SRAM。
7.1 概述
RAM使用灵活方便,可以随时从其中任一指定地 址读出(取出)或写入(存入)数据,缺点是具有数 据的易失性,即一旦失电,所存储的数据立即丢失。
PROM的整体结构和掩模ROM一样,也有地址
译码器、存储矩阵和输出电路组成。但在出厂时存储
矩阵的交叉点上全部制作了存储单元,相当于存入了1.
如图7.2.6所示 在图7.2.6中,三极管的be结接
(2)从制造工艺上分类
从制造工艺上存储器可分为双极型和单极型 (CMOS型),由于MOS电路(特别是CMOS电路), 具有功耗低、集成度高的优点,所以目前大容量的存 储器都是采用MOS工艺制作的。
7.2 只读存储器(ROM)
7.2.1 掩模只读存储器
在采用掩模工艺制作ROM时,其中存储的数据是 由制作过程中使用的掩模板决定的,此模板是厂家按 照用户的要求专门设计的,因此出厂时数据已经“固 化”在里面了。
2、若要组成64K字节的存储器,以下芯片各需几片? ①6116(2K×8) ②4416(16K×4)
解: ① (64K×8) ÷( 2K×8)=32(片) ② (64K×8) ÷( 16K×4)= 8 (片)
7.2.1 掩模只读存储器
(2)由CMOS构成 利用MOS工艺制成的ROM,其译码器、存储矩阵
输 入
/
出
I/O
电
路
输入/出控制
图7.1.1
电子计算机又称为电脑,是指它具有一定的“思 维”和“记忆”能力。计算机正是有了存储器,才具 有这种对信息的记忆功能。
计算机的存储器按与CPU的耦合关系分为两大类: 一类是内部存储器,简称内存(它设置在计算机主机 内,CPU可对它直接访问。内存用于存放当前正在使 用或需经常使用的程序和数据;其存储速度快,但容 量较小)。另一类是外部存储器,简称外存(如磁盘、 磁带、光盘、移动硬盘,u盘等,用于存放一些CPU 暂不处理的程序和数据;当CPU要处理这些信息时, 必须通过辅助软硬件将其调入内存。外存容量很大, 但相对内存来说,存取速度慢,且需配备专门的驱动 设备才能完成读写功能)。