场效应管和三极管的区别

合集下载

三极管与场效应管的区别

三极管与场效应管的区别场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor,FET）的简称。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。

普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。

场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。

在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。

场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。

在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。

而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。

场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。

由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。

场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。

场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。

场效应管与双极型三极管的比较：1、普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型三极管；而在场效应管中只是多子参与导电，故又称为单极型三极管。

因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数很小。

在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

2、三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。

因此，基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可达109～1014Ω。

浅谈“三极管与场效应管的对比”学习

浅谈“三极管与场效应管的对比”学习作者：李德亮来源：《读写算·基础教育研究》2016年第10期对于很多电子技术爱好者来说，要能正确地应用三极管和场效应管是不容易的，笔者从四个方面帮助初学者学习三极管和场效应管。

1.导流成分不同场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件.2.分类与符号三极管分为NPN型和PNP型；而场效应管则分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管（简称MOS管），而结型场效应管和绝缘栅型场效应管又可分别分为N沟道NPN三极管输入输出特性曲线对于NPN型三极管，C、B、三个电极的点位必须符合：UC>UB>UE；对于PNP型三极管，电源的极性与NPN型相反，应符合UC>UB>UE。

N沟道结型场效应管特性曲线P沟道结型场效应管特性曲线与N沟道结型场效应管特性曲线相反N沟道耗尽型MOS管特性曲线P沟道耗尽型MOS管特性曲线与N沟道耗尽型MOS管特性曲线相反P沟道增强型MOS管特性曲线N沟道增强型MOS管特性曲线P沟道增强型MOS管特性曲线与N沟道增强型MOS管特性曲线相反只要弄清楚三极管及场效应管的输入输出特性曲线，就可以正确的选用了。

4.怎样用万用表测量（1）三极管的测量三极管的管脚必须正确辨认，否则，接入电路不但不能正常工作，还可能烧坏晶体管。

己知三极管类型及电极，指针式万用表判别晶体管好坏的方法如下：万用表测小功率管时，一般选用R*100或R*1K挡；测大功率管时，可选用R*10挡。

首先判别管型找出基极。

以黑表笔为准，红表笔分别接另外两个管脚，如果测得两个组织均较小，则该管为NPN型，黑笔所接为基极；如果两次组织均较大，则该管为PNP型，黑表笔所接仍是基极。

基极找出后，第二步找集电极。

假设一脚为集电极C，管型是NPN型，将黑表笔接C，红表笔接发射极E，然后用手捏住基极和集电极（两级不能相碰），通过人体电阻，相当于B、C两极之间接入偏置电阻，观察指针偏转情况并记下偏转位置，再将两表笔交换极性，重复上述过程，则偏转角度大的一次黑笔所接脚为集电极。

怎么判断贴片场效应管和贴片三极管

怎么判断是贴片场效应管还是贴片三极管，区别在哪里?随着科技不断进步，人们对于三极管及场效应管需求不断增加，贴片三极管与贴片场效应管在我们日常生活中大量使用。

现在市面上贴片三极管和贴片场效应管的型号规格众多，两者外观也十分相似。

那么我们要怎么判断这是贴片场效应管还是贴片三极管呢，它们区别在哪里?贴片场效应管和贴片三极管的区别1、贴片三极管贴片三极管在电路中主要起信号放大或开／关作用，根据其内部结构可分为NPN和PNP两大类，两者的区别是电流方向不同；按照功率可分为大、中、小三类，小型贴片三极管的功率值一般为0.1W～0.5W，属于中、小功率类型；按照工作频率可分为低频（3MHz以下）、中频（3MHz以上，30MH：以下）、高频（30MHz以上）三类。

大多数贴片三极管引脚按“左基右射中间集”的规律排列，如图1所示。

比较常见的贴片三极管型号有：9011 1T、9012 2T、9013 J3、9014 J6、9015 M6、9016 Y6、9018 J8、S8050 J3Y、2SC1815 HF、2SC945 CR、MMBT3904 1AM、MMBTA92 2D、BC856 3D等众多不同型号。

贴片三极管-作用现在市面上三极管款式、种类、性能、材质等都有不同，三极管指的就是一种电流控制电流的半导体器件，对微弱信号起着放大和作无触点作用。

贴片三极管在使用过程中具有结构牢固、体积小、寿命长、耗电省等一系列独特优点。

贴片三极管有一个重要参数即电流放大系数，贴片三极管还可作电子开关，以配合其它电子元件构成振荡器等。

在2、贴片场效应管贴片场效应管在电路中主要起信号放大或开／关作用，根据其内部结构可分为N沟道和P 沟道两大类，实际应用以N沟道居多。

由于贴片场效应管具有输入阻抗高、灵敏度高、功率大等优点，因此广泛用于平板彩电及数码产品中，其封装形式较多，常见引脚功能如图2所示。

其中，“G”表示栅极，“S”表示源极，“D”表示漏极。

三极管和场效应管应用场景

三极管和场效应管应用场景三极管和场效应管作为主要的电子器件，广泛应用于各个领域。

下面将分别介绍三极管和场效应管的应用场景。

三极管是一种具有放大作用的电子元件，常用于电子放大器、开关电路和逻辑电路等方面。

在电子放大器中，三极管可以将微小的输入信号放大成更大的输出信号，用于电视、汽车音响、收音机等电子产品中，提供高质量的音频放大效果。

在开关电路中，三极管可以实现电路的开关控制，常常被应用于计算机内存存取和逻辑控制等方面。

此外，三极管还可以用于构建逻辑电路，将二进制的高低电平转化为逻辑推理的过程，用于计算机和电子器件。

场效应管也是一种常用的电子器件，主要应用于放大器、开关电路和数模转换器等领域。

在放大器中，场效应管可实现较高功率的信号放大，应用于音频功率放大器、射频功率放大器等方面，提供强大的信号放大能力。

在开关电路中，场效应管可实现高速的电路开关，用于高频开关电源、逆变器和驱动电机等方面。

在数模转换器中，场效应管可以将模拟信号转换成数字信号，实现模数转换器和数模转换器的功能，用于音频采样、传感器信号处理等方面。

总的来说，三极管和场效应管的应用场景非常广泛。

它们在电子放大器、开关控制和电路逻辑等方面发挥着重要作用。

无论是在消费电子产品中，还是在工业控制和通信领域，三极管和场效应管都扮演着不可或缺的角色。

因此，学习和掌握三极管和场效应管的原理和应用，对于电子工程师和电子爱好者来说都具有重要的指导意义。

只有深入理解它们的特性和应用场景，才能更好地设计和实现各种电子电路，提高电子产品的性能和功能。

三极管和场效应管多级放大器电压倍数

《三极管和场效应管多级放大器电压倍数》一、引言在现代电子技术领域，放大器是电路中十分重要的组成部分，它可以放大电压信号并驱动负载。

而多级放大器是由多个级联的放大电路组成，能够将输入信号进行多次放大，从而得到更大的输出信号。

本文将围绕三极管和场效应管多级放大器的电压倍数展开讨论，深入探究其原理和应用。

二、关于三极管和场效应管三极管和场效应管是两种常见的半导体器件，它们在放大器电路中扮演着重要的角色。

三极管是一种由三个不同掺杂的半导体材料构成的电子器件，具有放大功能。

而场效应管则是一种利用电场调控导电性质的器件，其放大性能也十分出色。

三、多级放大器的原理多级放大器通过级联多个放大电路来实现对输入信号的多次放大。

在每个放大级中，输入信号都会得到一定程度的放大，然后输送到下一个放大级。

通过多级放大，最终可以得到一个相对较大的输出信号。

四、电压倍数的计算在多级放大器中，电压的放大倍数可以通过每个级别的增益相乘来计算。

假设每个级别的增益分别为A1、A2、A3……An，那么总的电压放大倍数AV可以表示为AV = A1 * A2 * A3 * …… * An。

五、三极管和场效应管多级放大器的比较在实际应用中，三极管和场效应管都可以用于构建多级放大器。

三极管具有较高的放大增益和较大的电压输出范围，但存在非线性失真较大的问题。

而场效应管具有输入电阻高、功耗低以及频率响应优秀等优点，但其输出电阻相对较大。

六、个人观点在我看来，三极管和场效应管多级放大器都有其独特的优势和局限性。

在设计电子电路时，我们应该根据具体的应用需求，选择合适的器件并深入理解其原理，以求得最佳的性能和稳定性。

总结通过本文的分析和讨论，我们对三极管和场效应管多级放大器的电压倍数有了更加深入的理解。

在实际应用中，我们应该充分发挥器件的优势，合理设计电路结构，从而达到更好的放大效果。

在这篇文章中，我们深入探讨了三极管和场效应管多级放大器的电压倍数，并就相关知识进行了详细介绍。

场效应管与三级管的比较

场效应管与三级管的比较：1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件；2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件；3）场效应管灵活性比三级管好；4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。

发表于2007-5-30 05:23 资料个人空间短消息加为好友MOS,场效应管,三极管.区别场效应管。

它是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入电阻很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。

场效应管是靠一种极性的载流子导电，它又被称为单极性三极管，它分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）张先生管理员UID 3847精华8积分93131 帖子7799 经验77814 点人气96 点阅读权限200注册2007-3-24来自陕西咸阳状态在线#4发表于2007-5-30 05:48 资料个人空间短消息加为好友MOS = 金属氧化物绝缘栅半导体F ET=场效应管MOS管= 场效应管的一种，目前最常见的。

其原理是由电场改变沟道宽度，从而改变漏源电阻，或者说电场控制漏源电阻。

还可以分P型沟道和N沟道，增强型和匮乏型。

三极管= 利用PN结的原理做成，分为NPN型，PNP型[本帖最后由张先生于2007-5-30 06:46 编辑]MOS,场效应管,三极管.区别他们是不是都是由三极管组成的，还是另外的芯片,能给我发个对应主板上的图片看看吗??我是刚开始学维修的，这两天看论坛我快被这三个管弄疯了,2007-5-30 05:22 张先生先看[url]/viewthread.php?tid=5144[/url]2007-5-30 05:23 黄定宇MOS,场效应管,三极管.区别场效应管。

三极管和场效应管

4.极管和场效应管的比较可以归纳以下几点：一、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。

由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。

这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。

二、在放大状态工作时，三极管发射结正偏，有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。

三、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS 管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。

对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。

三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。

四、在低电压小电流状态下工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。

五、MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。

三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定。

在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。

六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化，场效应管的转移特性按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。

七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路，由于场效应管的栅极无电流，所以输入电阻R'i≈∞。

跨导gm比三极管的小一个数量级，gm我们可以用转移特性求导得到.三极管的一些特殊用法扩流把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其最大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图1。

图2为电容容量扩大电路。

利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。

这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。

场效应管和三极管的异同

场效应管和三极管的异同1.引言1.1 概述概述:场效应管和三极管是现代电子器件中常用的两种晶体管。

它们都是半导体器件，具有放大、开关、调节电流等功能。

虽然场效应管和三极管都属于晶体管的范畴，但它们在结构、工作原理和特性等方面存在一定的不同。

场效应管，又称为晶体管的一种，是一种基于电场调控电流的半导体器件。

场效应管的主要组成部分包括栅极、源极和漏极。

通过在栅极上施加电压来改变栅极和漏极之间的电场强度，从而控制漏极电流的大小。

场效应管具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点，在许多应用中得到了广泛的应用。

而三极管是另一种常见的晶体管类型，也被称为双向晶体管。

它由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，主要包括基极、发射极和集电极。

通过控制基极电流来控制发射极和集电极之间的电流放大倍数。

三极管具有高电流放大倍数、可靠性高等特点，被广泛应用于放大、开关和稳压等电路。

在工作原理上，场效应管是通过改变栅极电压来调节漏极-源极之间的电流，而三极管则是通过调节基极电流来控制发射极-集电极之间的电流。

由于两者的工作原理不同，它们的特性表现也有所区别。

总结起来，场效应管和三极管在结构、工作原理和特性等方面存在明显的差异。

场效应管主要通过改变电场来调节电流，而三极管则是通过改变电流来实现电流放大。

尽管存在差异，但它们都是现代电子器件中不可或缺的重要组成部分，两者在电子领域中都有着广泛的应用。

在接下来的章节中，我们将更加深入地探讨场效应管和三极管的工作原理、特性以及它们在实际应用中的优劣势。

1.2 文章结构文章结构:本文主要围绕场效应管和三极管展开讨论，分为引言、正文和结论三个部分。

引言部分首先对场效应管和三极管进行了概述，介绍了它们的基本特点和在电子学中的应用。

接着，介绍了本文的结构以及各个部分的内容和目的。

正文部分分为两个小节，分别讨论了场效应管和三极管的特点和工作原理。

在场效应管部分，我们将重点探讨了它的两个要点。

第一个要点将介绍场效应管的基本结构和工作原理，包括栅极、漏极和源极的作用以及通过改变栅极电压控制漏电流。

三极管和MOS管具体有哪些区别

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。

3、功耗问题：三极管损耗大。

4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。

MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。

二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。

MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。

三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。

一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。

实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。

要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。

三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。

但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。

三极管和场效应管

三极管和场效应管三极管是电子电路中最基本的元件，在数字电路中扮演着十分重要的角色。

三极管可以通过控制电流或电压，来控制另一个电路中的电流或电压，从而发挥重要作用。

在大多数应用中，三极管被用于去转换或控制一种信号，以达到控制电路的目的。

而场效应管是电路中比较常用的元件，它的特点是几乎没有体积，可以在微型电路中进行使用。

场效应管是由一个外部电源控制的一种可控制半导体，它具有很大的放大倍数。

它可以把输入信号变为输出信号，也可以把输入信号进行模拟或数字处理。

此外，场效应管还可以用来控制电流、电压或双向功率。

三极管和场效应管的最大区别在于它们的工作原理。

三极管是一种可放大和减小电流，从而控制对其他电路的输入和输出的元件。

它的工作原理是通过两个硅的双向电晶体管（一个叫n型晶体管，一个叫p型晶体管），来控制另一个电路中的电流或电压。

而场效应管是一种只有一个晶体管的可控制半导体。

它使用一个外部电源控制，以改变它的导通状态，从而影响另一个电路中的电流或电压。

在使用时，外部电源需要把输入电压和输出电压控制在一定的范围之内，以保证场效应管的正常工作。

三极管和场效应管都可以用于微型电路中，但它们的应用不同。

三极管可以用于放大小的电流或变换一种信号，以实现控制电路的功能。

另外，三极管也可以用来制作电路双向功率控制。

而场效应管多用于数字电路或器件的控制，可以把输入信号变为输出信号，也可以把输入信号进行模拟或数字处理。

即使三极管和场效应管有着不同的原理，但它们在微型电路中的应用也是有许多类似之处的。

它们可以被用来实现信号放大/缩小和控制电路的功能，也可以用来制作双向功率控制系统，还可以用来将输入信号变为输出信号。

总而言之，三极管和场效应管是电子电路中两种最基础的元件，它们可以用于实现信号放大/缩小和控制电路的功能，也可以用来制作双向功率控制系统，还可以用来将输入信号变为输出信号，在微型电路中应用极为广泛，是电子电路中不可缺少的重要元件。

三极管与场效应管的差别

三极管与场效应管的差别•三极管（BJT）和场效应管（FET）是在放大、开关电路中应用非常普遍的电子元件，最初发明的是三极管，以其优异的性能迅速代替了电子管，但后来在应用中三极管暴露出一些先天不足--结构上问题所导致的缺陷，在这种形势下迫切要求制造一种能够克服三极管缺陷的晶体管，于是场效应管就应用而生了。

它的最大特点就是输入阻抗极高，这是三极管无法比拟的，然而它的出现并没有像晶体管淘汰电子管一样而完全取代三极管，它也不是万能的，在有些方面不如三极管，因此不能笼统的说谁好谁不好，由于它是在三极管的基础上研制而成的，所以它许多方面和三极管有相似的地方，二者珠联璧合应用广泛。

今天通过对比我们全面认识三极管和场效应管，以便更好的利用它们。

•1.电极区别：三极管有基极b、发射极e、集电极c三个电极，场效应管也有G极、源极S、漏极D三个电极，它们二者有对应关系，电极的作用相似，即基极-栅极都是控制极，发射极对应源极，集电极对应漏极，都是被控电极；•2.控制类型：三极管是电流控制型器件，也就是通过基极电流的变化控制集电极电流的变化；场效应管属于电压控制型器件，也就是通过栅极电压的变化来控制源漏极电流大小；二者的工作原理是不同的，三极管是通过基极电流来控制集电极电流大小的，而场效应管是通过栅压改变导电沟道的宽度来控制电流的变化；•3.阻抗差别：三极管输入阻抗较低，在几百欧姆-几千欧姆之间，基极电流较大，输出电阻较高，对前级电路影响较大，阻抗不匹配时几乎不能工作；场效应管的输入阻抗极高，达到兆欧以上，MOS管更高，栅极几乎没有电流，对前级电路影响较小，和三极管一样输出电阻也较高；•4.载流子差别：三极管有两种载流子参加导电，即少子与多子，属于双极性器件；场效应管只有一种载流子参加导电，属于单极性器件；•5.稳定性差别：三极管由于少子也参与了导电，而少子容易受到温度的影响，热稳定性较差，故其噪声高，且制造复杂；场效应管由于其由多子导电，热稳定性较好，故噪声小；制造工艺简单，容易集成、功耗低、体积小、安全工作区域广；大规模、超大规模集成电路均大多由场效应管制作；•6.分类差别：晶体管按结构分PNP和NPN型两种；而场效应管种类就多了，按导电沟道分n型和p型，按原理结构分结型场效应管JFET和绝缘栅场效应管MOSFET，mos管又分增强型、耗尽型两种；•7.特性曲线差别：三极管特性曲线分截止区、放大区、饱和区、击穿区；场效应管分截止区、放大区、可变电阻区、击穿区，二者有对应关系；在特性曲线上均有输入、输出特性曲线；从电路分析计算，场效应管较三极管简单；三极管的转移特性（IC-Vbe）是按指数规律变化，场效应管的转移特性是按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管大；•8.放大能力：表征三极管放大能力的重要参数是电流放大倍数β，场效应管用跨导表示gm，其值较小，放大能力差，电压放大倍数小于三极管电路；•9.灵活性差别：三极管的发射极、集电极不能互换，否则β极低，不能正常工作，而场效应管对于一些特定条件的（衬底没有和源极连着一起），源极和漏极是可以互换的。

电路中三极管、场效应管放大功能的区别

电路中三极管、场效应管放大功能的区别
三极管和场效应管都是常见的放大器件，但它们的工作原理和放大功能有所区别。

1. 工作原理:
三极管是一种双极型半导体器件，通过控制少数载流子对多数载流子的注入和流动，实现电流放大。

三极管的放大功能依赖于基极电流控制集电极电流的特性。

场效应管是一种单极型半导体器件，通过控制栅极电压调节通道中的电子浓度和电导率，实现电流放大。

场效应管的放大功能依赖于栅极电压控制漏极电流的特性。

2. 调节方式:
三极管中，放大比例通常是通过改变基极电流实现的。

基极电流的小幅度变化能够导致较大范围的集电极电流变化，实现对信号的放大。

场效应管中，放大比例主要是通过改变栅极电压实现的。

栅极电压的变化会调节漏极电流，从而实现对信号的放大。

3. 运行电压:
三极管通常需要一个较高的工作电压，如数十伏甚至上百伏的电压，以使其工作在适当的工作区间。

场效应管相比之下，通常可以在较低的电压下工作。

4. 输入电阻:
三极管的输入电阻较低，对输入信号的衰减较小，适用于输入信号比较弱的情况。

场效应管的输入电阻较高，对输入信号的影响较小，适用于输入信号比较强的情况。

总的来说，三极管和场效应管在放大功能上虽然有所区别，但它们都可以实现电流或电压的放大。

具体使用哪种放大器件，需要根据具体的应用和设计要求来选择。

场效应管与三极管

场效应管与三极管场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。

三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。

场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。

场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。

电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。

就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。

1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。

场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。

在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。

BJT与MOS的区别

因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数很小。

在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

2、三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。

高输入电阻是场效应管的突出优点。

3、场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，灵活性比三极管强。

但要注意，分立的场效应管，有时已经将衬底和源极在管内短接，源极和漏极就不能互换使用了。

4、场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。

但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作，具有功耗低，热稳定性好，容易解决散热问题，工作电源电压范围宽等优点，且制作工艺简单，易于集成化生产，因此在目前的大规模、超大规模集成电路中，MOS管占主要地位。

5、MOS管具有很低的级间反馈电容，一般为5-10pF，而三极管的集电结电容一般为20pF 左右。

6、场效应管组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。

7、由于MOS观的栅源极之间的绝缘层很薄，极间电容很小，而栅源极之间电阻又很大，带电物体靠近栅极时，栅极上感应少量电荷产生很高的电压，就很难放掉，以至于栅源极之间的绝缘层击穿，造成永久性损坏。

因此管子存放时，应使栅极与源极短接，避免栅极悬空。

尤其是焊接MOS管时，电烙铁外壳要良好接地。

8、BJT是利用小电流的变化控制大电流的变化；JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小；MOSEFET是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

场效应管与三极管的比较

值将减小很多。
6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
总起来说，在设计场效应管电路时需要考虑的更多Байду номын сангаас比如由于其输入阻抗高，就必须要考虑电路的抗干扰性能，正是因为输入阻抗太高所以小小的一点干扰即可造成mos管的一个动作，还有就是场效应管无法做到像三极管那么高的电压，当然现在的三极管和场效应管复合型器件IGBT已经能做到很高的电压了，mos管由于其特性比较适合做开关用，在低功耗产品中比三极管有优势。
1．场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极E、基极B、集电极C，它们的作用相似。
2．场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。驱动能力强。
3．场效应管栅极几乎不取电流（ig>>0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大， b

可控硅,场效应管,三极管的区别

其他2条回答
2008-08-07 19:40linzy58 | 十二级
这可都是基础啊！一口吃不成胖子，慢慢学吧！
最简单的区别就是:
三级管是电流控制型.
场效应管是电压控制型.
可控硅也称作晶闸管,有单向和双向之分.
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向
可控硅，场效应管，三极管的区别？
2008-08-07 10:37改变司令 | 分类：工程技术科学 | 浏览8652次 | 该问题已经合并到>>
可控硅，场效应管，三极管的区别？
分享到：
2008-08-07 12:34提问者采纳
场效应管 VS 三极管
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
可控硅二极管可用两个不同极性（P-N-P和N-P-N）晶体管来模拟。当可控硅的栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使BG1的基极电位下降，BG1因此开始道通，BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高，BG1的基极电位进一步下降，经过这一个正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压，由于BG1和BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL的阻值使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少，当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为维持电流。在实际应用中，我们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极从而达到可控硅的关断。

场效应管和三极管的区别

場效應管是場效應晶體管（Field Effect Transistor,FET）的簡稱。

它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、受溫度和輻射影響小等優點，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現已成為普通晶體管的強大競爭者。

普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時，多數載流子和少數載流子都參與運行，所以被稱為雙極型晶體管；而場效應管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。

場效應管和三極管一樣都能實現信號的控制和放大，但由于他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。

在某些特殊應用方面，場效應管優于三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應管區別見下表。

場效應管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。

在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。

而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。

場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。

由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。

場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。

場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。

1．場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。

2．場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。

3．場效應管柵極幾乎不取電流（ig?0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。

因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高。

4．場效應管只有多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。

场效应管与三极管的区别：

場效應管與三极管的區別：三极管是通過基极電流的變化來控制集電极電流的改變，是個電流控制元件。

場效應管工作時不需要從信號源汲取電流，是電壓控制元件，顯現出极高的輸入電阻。

主要應運於大規模集成電路中。

場效應管有兩种類型：(1) 結型場效應管(2) 絕緣柵型場效應管，又稱ＭＯＳ管它的三個工作區：可變電阻區恆流區夾斷區：當柵極電壓ＵGS＜ＵGSOFF之後導電溝道被夾斷，這時漏极電流Ｉd=0三极管分類：NPN型PNP型它的三個工作區:截止區：Ｉ=0Ｕbe＜0ｖＣ-Ｅ极間相當於開路飽和區：Ｉc不再隨Ｉb增加而增加;NPN：Ｖb＞Ｖc＞ＶeＣ—Ｅ相當於開關接通所以常利用三极管作電路中的開關，接通（飽和）斷開（截止）放大區：處在截止與飽和之間主要系數參數：1.電流放大系數β通常使用：β值為20～100大功率：β值較低為20～30β值太小電流放大作用差,β值過高100時管子性能受環境溫度影響大，性能不穩定，所以β值過高過低都不合用。

2.穿透電流ＩCEOＩCEO過大，管子性能下降，溫度升高時，ＩCEO也增大3.极限參數✧集電极最大允許電流Ｉcm，Ｉc過大β值下降✧ＵCE＞ＵBRCE，Ｉc增加表明管子已被擊穿✧集電极最大允許耗散功率Ｐcm。

一般硅管最高允許溫度為150℃，鍺管最高溫度為70℃集成運算放大器的主要技術指標：✧開環差模電壓放大倍數ＡOD是運放在沒有引入反饋情況下所具有的差模放大倍數。

ＡOD般均在100dB，性能較好的集成運放可140dB。

✧共模抑制比K CMR集成運放的K CMR一般在100dB左右。

✧輸入失調電壓ＵIO是指靜態時，為使輸出電壓為零需要在輸入端加的差值電壓（實際工作時，是通過運放外接調零電位器將輸出電壓調為零）。

ＵIO的大小反映運放內部線路對稱性的程度。

✧輸入失調電壓的溫漂d UIo/Dt指在規定的環境溫度範圍內，溫度每變化一度引起輸入失調電壓的變化值。

通常要求d UIo/Dt越小越好。

✧輸入失調電流Ｉio映集成運放輸入級輸入電流不對稱的程度。