经典三极管与场效应管的比较
浅谈“三极管与场效应管的对比”学习
浅谈“三极管与场效应管的对比”学习作者：李德亮来源：《读写算·基础教育研究》2016年第10期对于很多电子技术爱好者来说，要能正确地应用三极管和场效应管是不容易的，笔者从四个方面帮助初学者学习三极管和场效应管。
1.导流成分不同场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件.2.分类与符号三极管分为NPN型和PNP型；而场效应管则分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管（简称MOS管），而结型场效应管和绝缘栅型场效应管又可分别分为N沟道NPN三极管输入输出特性曲线对于NPN型三极管，C、B、三个电极的点位必须符合：UC>UB>UE；对于PNP型三极管，电源的极性与NPN型相反，应符合UC>UB>UE。
N沟道结型场效应管特性曲线P沟道结型场效应管特性曲线与N沟道结型场效应管特性曲线相反N沟道耗尽型MOS管特性曲线P沟道耗尽型MOS管特性曲线与N沟道耗尽型MOS管特性曲线相反P沟道增强型MOS管特性曲线N沟道增强型MOS管特性曲线P沟道增强型MOS管特性曲线与N沟道增强型MOS管特性曲线相反只要弄清楚三极管及场效应管的输入输出特性曲线，就可以正确的选用了。
4.怎样用万用表测量（1）三极管的测量三极管的管脚必须正确辨认，否则，接入电路不但不能正常工作，还可能烧坏晶体管。
己知三极管类型及电极，指针式万用表判别晶体管好坏的方法如下：万用表测小功率管时，一般选用R*100或R*1K挡；测大功率管时，可选用R*10挡。
首先判别管型找出基极。
以黑表笔为准，红表笔分别接另外两个管脚，如果测得两个组织均较小，则该管为NPN型，黑笔所接为基极；如果两次组织均较大，则该管为PNP型，黑表笔所接仍是基极。
基极找出后，第二步找集电极。
假设一脚为集电极C，管型是NPN型，将黑表笔接C，红表笔接发射极E，然后用手捏住基极和集电极（两级不能相碰），通过人体电阻，相当于B、C两极之间接入偏置电阻，观察指针偏转情况并记下偏转位置，再将两表笔交换极性，重复上述过程，则偏转角度大的一次黑笔所接脚为集电极。
场效应管与三极管特性比较
电流（基极电流或发 射极电流）
电压（栅-源电压）
电流控制电流源
电压控制电流源
42场/73
管型
效 比较内容 应
管 载流子类型
双极结型三极管
场效应管
多子扩散，少子漂移， 双 极 型 载 流 子 共 同 导 单极性载流子导电。
与
电。
三 输入电阻
发射结电阻较小
栅源两端电阻近似无穷大
极 管脚倒置使用情 集电极C和发射极E一 源极S和漏极D一般可以倒置
型、 P沟道增强型、P沟道耗尽型四种类型。增强型不存在
原始导电沟道，uGS只在单一极性或正或负工作；而耗尽型 存在原始沟道，uGS可正可负。 2. 场效应管是单极型电压控制器件，具有输入电阻高，一 般可达109。
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
管
况 温度特性
特 静电影响
般不可倒置使用 参数受温度影响大 不易受静电影响
使用。 参数受温度影响小 易受静电影响
性 噪声
较大
小
比 驱动能力
强
较弱
较 集成能力
易大规模集成
更易大规模集成
功耗
较大
较小
43/73
小结
1. 场效应管种类很多，主要有结型和绝缘栅场效应管。 结型有N沟道和P沟道两种， 栅源必须加反偏压才能 工作，如N沟道在uGS<0下工作， P沟道在uGS>0下工作。 绝缘栅场效应管MOSFET有N沟道增强型、 N沟道耗尽
场效应管与三极管特性比较
41场/73
管型
效 比较内容 应
管
与
三 种类 极
管
特
性 比 输入控制源
较 控制关系
场效应管和三极管的区别以及生产厂家介绍
场效应管和三极管的区别以及生产厂家介绍相信很多初学者在进行电路设计时，都曾经遇到过一个选择难题：三极管和场效应管选哪个更好一些呢？其实无论是三极管还是场效应管，它们都有自己的优势，也有各自的弊端，在今天的文章中，华强北IC代购网将会对这两种管子的优缺点和区别，展开简要分析。
场效应管和三极管工作原理区别尽管场效应管和三极管功能相近，场效应管也是由三极管衍生出来的，但是两者的工作原理是有所区别的。
具体如下：1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；2、场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。
场效应管和三极管的应用区别就目前三极管和场效应管的应用情况来看，它们两者主要有以下四种区别：1、三极管是用电流控制，场效应管属于电压控制；2、从成本上看，三极管要比场效应管便宜；3、在功耗方面，与场效应管相比，三极管损耗更大一些；4、最后一种区别就是两者的驱动能力不同，由于场效应管常用应用在开关电路上，因此场效应管的驱动能力要比三极管的好。
相关参数比较表生产厂家介绍1、ROHMRohm是在系统LSI以及最新半导体技术是首屈一指的主导企业，以“用不坏的零件”为目标，实现了世界最高质量和可靠性。
产品包括大规模集成电路、模块、光学元件、模块组件、分立元件、无源元件等。
2、Toshiba东芝半导体，拥有先进的加工技术，高精度的产品开发能力以及对全球客户在宽带设备销售方面的经验，将东芝定位于全球半导体市场的持续领导地位。
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3、ON Semiconductor安森美半导体(ON Semiconductor，其高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。
场效应管和三极管的比较总结
场效应管和三极管的比较总结场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。
三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。
场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。
场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。
电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。
1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
经典三极管与场效应管的 比较
第2章晶体三极管和场效应管教学重点1．掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。
2．熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要参数及温度对参数的影响。
3．了解MOS管的工作原理、特性曲线和主要参数。
教学难点1．晶体三极管的放大作用2．输入、输出特性曲线及主要参数学时分配2.1晶体三极管晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。
特点：管内有两种载流子参与导电。
2.1.1一、晶体三极管的基本结构1．三极管的外形：如图2.1.1所示。
2．特点：有三个电极，故称三极管。
3．三极管的结构：如图2.1.2所示。
图2.1.1 三极管外形晶体三极管有三个区――发射区、基区、集电区；两个PN结――发射结(BE结)、集电结(BC结)；三个电极――发射极e(E)、基极图2.1.2 三极管的结构图b(B)和集电极c(C)；两种类型――PNP型管和NPN型管。
工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。
二、晶体三极管的符号晶体三极管的符号如图2.1.3所示。
箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。
文字符号：V三、晶体三极管的分类1．三极管有多种分类方法。
按内部结构分：有NPN型和PNP型管；按工作频率分：有低频和高频管；按功率分：有小功率和大功率管；图2.1.3 三极管符号按用途分：有普通管和开关管；按半导体材料分：有锗管和硅管等等。
2．国产三极管命名法：见《电子线路》P249附录二。
例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管；3CG表示高频小功率PNP型硅三极管；3AK表示PNP型开关锗三极管等。
2.1.2 三极管的工作电压和基本连接方式一、晶体三极管的工作电压三极管的基本作用是放大电信号；工作在放大状态的外部条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。
图2.1.4 三极管电源的接法如图2.1.4所示：V为三极管，G C为集电极电源，G B为基极电源，又称偏置电源，R b为基极电阻，R c为集电极电阻。
常用场效应管与三极管参数
常用场效应管与三极管参数一、场效应管（MOSFET）场效应管是一种基于场效应原理工作的半导体器件。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗和良好的高频响应。
场效应管有N沟道和P沟道两种类型。
常用的N沟道场效应管为N-沟道金属氧化物半导体场效应管（NMOS），而常用的P沟道场效应管为P-沟道金属氧化物半导体场效应管（PMOS）。
1. 阈值电压（Vth）- 阈值电压是场效应管的一个重要参数。
它指的是在场效应管的控制电压达到一定程度时，导电性开始有效的电压。
对于NMOS，控制电压高于阈值电压时，NMOS将开启，并使电流通过。
而对于PMOS，控制电压低于阈值电压时，PMOS将开启，并使电流通过。
2. 饱和电流（IDsat）- 饱和电流是场效应管导通时的最大电流。
当场效应管被完全点通时，达到饱和电流的最大值。
它决定了场效应管的能力和性能。
3. 导通电阻（Ron）- 导通电阻指的是场效应管在线性区域时的等效电阻。
导通电阻越小，线性区域的电流控制能力越强。
4. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）- 最大漏极-源极电压是场效应管可以承受的最大电压。
超过这个电压，场效应管可能损坏。
5. 输出电容（Coss）- 输出电容是场效应管的一种内部电容。
它与频率响应和开关速度有关。
较大的输出电容可能导致电压上升和下降的延迟。
6. 开关时间（ton、toff）- 开关时间指场效应管从关闭到打开的时间和从打开到关闭的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
7.漏极电流-漏极电压特性（Id-Vd）-这个特性曲线描述了场效应管的非线性特性。
在不同的漏极电压下，漏极电流的变化将给出场效应管的工作区域。
二、三极管（BJT）三极管是一种基于电流控制原理工作的半导体器件。
它由基极（B）、发射极（E）和集电极（C）三个区域组成。
常见的三极管有NPN和PNP两种类型。
1.饱和电流增益（β）-饱和电流增益是指集电极电流与基极电流之间的比率。
它决定了三极管的放大能力。
场效应管与三级管的比较
场效应管与三级管的比较：1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件；2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件；3）场效应管灵活性比三级管好；4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
发表于2007-5-30 05:23 资料个人空间短消息加为好友MOS,场效应管,三极管.区别场效应管。
它是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入电阻很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。
场效应管是靠一种极性的载流子导电，它又被称为单极性三极管，它分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）张先生管理员UID 3847精华8积分93131 帖子7799 经验77814 点人气96 点阅读权限200注册2007-3-24来自陕西咸阳状态在线#4发表于2007-5-30 05:48 资料个人空间短消息加为好友MOS = 金属氧化物绝缘栅半导体F ET=场效应管MOS管= 场效应管的一种，目前最常见的。
其原理是由电场改变沟道宽度，从而改变漏源电阻，或者说电场控制漏源电阻。
还可以分P型沟道和N沟道，增强型和匮乏型。
三极管= 利用PN结的原理做成，分为NPN型，PNP型[本帖最后由张先生于2007-5-30 06:46 编辑]MOS,场效应管,三极管.区别他们是不是都是由三极管组成的，还是另外的芯片,能给我发个对应主板上的图片看看吗??我是刚开始学维修的，这两天看论坛我快被这三个管弄疯了,2007-5-30 05:22 张先生先看[url]/viewthread.php?tid=5144[/url]2007-5-30 05:23 黄定宇MOS,场效应管,三极管.区别场效应管。
它是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入电阻很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。
三极管和场效应管
4.极管和场效应管的比较可以归纳以下几点：一、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。
由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。
这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。
二、在放大状态工作时，三极管发射结正偏，有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。
三、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS 管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。
对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。
三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。
四、在低电压小电流状态下工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。
五、MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。
三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定。
在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。
六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化，场效应管的转移特性按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。
七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路，由于场效应管的栅极无电流，所以输入电阻R'i≈∞。
跨导gm比三极管的小一个数量级，gm我们可以用转移特性求导得到.三极管的一些特殊用法扩流把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其最大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图1。
图2为电容容量扩大电路。
利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。
这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。
场效应管和三极管的异同
场效应管和三极管的异同1.引言1.1 概述概述:场效应管和三极管是现代电子器件中常用的两种晶体管。
它们都是半导体器件，具有放大、开关、调节电流等功能。
虽然场效应管和三极管都属于晶体管的范畴，但它们在结构、工作原理和特性等方面存在一定的不同。
场效应管，又称为晶体管的一种，是一种基于电场调控电流的半导体器件。
场效应管的主要组成部分包括栅极、源极和漏极。
通过在栅极上施加电压来改变栅极和漏极之间的电场强度，从而控制漏极电流的大小。
场效应管具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点，在许多应用中得到了广泛的应用。
而三极管是另一种常见的晶体管类型，也被称为双向晶体管。
它由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，主要包括基极、发射极和集电极。
通过控制基极电流来控制发射极和集电极之间的电流放大倍数。
三极管具有高电流放大倍数、可靠性高等特点，被广泛应用于放大、开关和稳压等电路。
在工作原理上，场效应管是通过改变栅极电压来调节漏极-源极之间的电流，而三极管则是通过调节基极电流来控制发射极-集电极之间的电流。
由于两者的工作原理不同，它们的特性表现也有所区别。
总结起来，场效应管和三极管在结构、工作原理和特性等方面存在明显的差异。
场效应管主要通过改变电场来调节电流，而三极管则是通过改变电流来实现电流放大。
尽管存在差异，但它们都是现代电子器件中不可或缺的重要组成部分，两者在电子领域中都有着广泛的应用。
在接下来的章节中，我们将更加深入地探讨场效应管和三极管的工作原理、特性以及它们在实际应用中的优劣势。
1.2 文章结构文章结构:本文主要围绕场效应管和三极管展开讨论，分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分首先对场效应管和三极管进行了概述，介绍了它们的基本特点和在电子学中的应用。
接着，介绍了本文的结构以及各个部分的内容和目的。
正文部分分为两个小节，分别讨论了场效应管和三极管的特点和工作原理。
在场效应管部分，我们将重点探讨了它的两个要点。
第一个要点将介绍场效应管的基本结构和工作原理，包括栅极、漏极和源极的作用以及通过改变栅极电压控制漏电流。
三极管和场效应管
三极管和场效应管三极管是电子电路中最基本的元件，在数字电路中扮演着十分重要的角色。
三极管可以通过控制电流或电压，来控制另一个电路中的电流或电压，从而发挥重要作用。
在大多数应用中，三极管被用于去转换或控制一种信号，以达到控制电路的目的。
而场效应管是电路中比较常用的元件，它的特点是几乎没有体积，可以在微型电路中进行使用。
场效应管是由一个外部电源控制的一种可控制半导体，它具有很大的放大倍数。
它可以把输入信号变为输出信号，也可以把输入信号进行模拟或数字处理。
此外，场效应管还可以用来控制电流、电压或双向功率。
三极管和场效应管的最大区别在于它们的工作原理。
三极管是一种可放大和减小电流，从而控制对其他电路的输入和输出的元件。
它的工作原理是通过两个硅的双向电晶体管（一个叫n型晶体管，一个叫p型晶体管），来控制另一个电路中的电流或电压。
而场效应管是一种只有一个晶体管的可控制半导体。
它使用一个外部电源控制，以改变它的导通状态，从而影响另一个电路中的电流或电压。
在使用时，外部电源需要把输入电压和输出电压控制在一定的范围之内，以保证场效应管的正常工作。
三极管和场效应管都可以用于微型电路中，但它们的应用不同。
三极管可以用于放大小的电流或变换一种信号，以实现控制电路的功能。
另外，三极管也可以用来制作电路双向功率控制。
而场效应管多用于数字电路或器件的控制，可以把输入信号变为输出信号，也可以把输入信号进行模拟或数字处理。
即使三极管和场效应管有着不同的原理，但它们在微型电路中的应用也是有许多类似之处的。
它们可以被用来实现信号放大/缩小和控制电路的功能，也可以用来制作双向功率控制系统，还可以用来将输入信号变为输出信号。
总而言之，三极管和场效应管是电子电路中两种最基础的元件，它们可以用于实现信号放大/缩小和控制电路的功能，也可以用来制作双向功率控制系统，还可以用来将输入信号变为输出信号，在微型电路中应用极为广泛，是电子电路中不可缺少的重要元件。
电路中三极管、场效应管放大功能的区别
电路中三极管、场效应管放大功能的区别
三极管和场效应管都是常见的放大器件，但它们的工作原理和放大功能有所区别。
1. 工作原理:
三极管是一种双极型半导体器件，通过控制少数载流子对多数载流子的注入和流动，实现电流放大。
三极管的放大功能依赖于基极电流控制集电极电流的特性。
场效应管是一种单极型半导体器件，通过控制栅极电压调节通道中的电子浓度和电导率，实现电流放大。
场效应管的放大功能依赖于栅极电压控制漏极电流的特性。
2. 调节方式:
三极管中，放大比例通常是通过改变基极电流实现的。
基极电流的小幅度变化能够导致较大范围的集电极电流变化，实现对信号的放大。
场效应管中，放大比例主要是通过改变栅极电压实现的。
栅极电压的变化会调节漏极电流，从而实现对信号的放大。
3. 运行电压:
三极管通常需要一个较高的工作电压，如数十伏甚至上百伏的电压，以使其工作在适当的工作区间。
场效应管相比之下，通常可以在较低的电压下工作。
4. 输入电阻:
三极管的输入电阻较低，对输入信号的衰减较小，适用于输入信号比较弱的情况。
场效应管的输入电阻较高，对输入信号的影响较小，适用于输入信号比较强的情况。
总的来说，三极管和场效应管在放大功能上虽然有所区别，但它们都可以实现电流或电压的放大。
具体使用哪种放大器件，需要根据具体的应用和设计要求来选择。
场效应管与三极管
场效应管 与 三极管场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。
三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。
场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。
场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。
电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。
1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
场效应管与三极管的比较
6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
总起来说，在设计场效应管电路时需要考虑的更多Байду номын сангаас比如由于其输入阻抗高，就必须要考虑电路的抗干扰性能，正是因为输入阻抗太高所以小小的一点干扰即可造成mos管的一个动作，还有就是场效应管无法做到像三极管那么高的电压，当然现在的三极管和场效应管复合型器件IGBT已经能做到很高的电压了，mos管由于其特性比较适合做开关用，在低功耗产品中比三极管有优势。
1．场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极E、基极B、集电极C，它们的作用相似。
2．场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。驱动能力强。
3．场效应管栅极几乎不取电流（ig>>0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大， b
场效应管和三极管的区别
場效應管是場效應晶體管（Field Effect Transistor,FET）的簡稱。
它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、受溫度和輻射影響小等優點，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現已成為普通晶體管的強大競爭者。
普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時，多數載流子和少數載流子都參與運行，所以被稱為雙極型晶體管；而場效應管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。
場效應管和三極管一樣都能實現信號的控制和放大，但由于他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。
在某些特殊應用方面，場效應管優于三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應管區別見下表。
場效應管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。
在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。
而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。
場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。
由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。
場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。
場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。
1．場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。
2．場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．場效應管柵極幾乎不取電流（ig?0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。
因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高。
4．場效應管只有多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。
三极管开关电路和场效应管电路优劣比较？
三极管开关电路和场效应管电路优劣比较？普通我们在做设计时候，开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区分：首先是三极管是用控制，MOS管属于控制;然后就是成本问题，三极管廉价，MOS管贵;第二是功耗问题，三极管损耗大;最后是驱动能力，MOS 管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
事实上就是三极管比较廉价，用起来便利，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
普通来说低成本场合，一般应用的先考虑用三极管，不可的话考虑MOS管。
事实上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。
要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才干明了。
三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极尾随器为例，当基极加不加电压时，基区和放射区组成的pn结为阻挡多子(基区为空穴，放射区为)的蔓延运动，在此pn结处会感应出由放射区指向基区的静电场(即内建电场)，当基极外加正电压的指向为基区指向放射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子(电子)才有可能从基区流向放射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上普通认为0.7v)。
但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时假如集电极-放射极加正电压，在电场作用下，放射区的电子往基区运动(事实上都是电子的反方向运动)，因为基区宽度很小，电子很简单越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合(逼近集电极)，为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。
集电极的电子通过电源回到放射极，这就是晶体管的工作原理。
三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，假如这时三极管截至，pn结感应的电荷要复原到平衡状态，这个过程需要时光。
而MOS三极管工作方式不同，没有这个复原时光，因此可以用作高速开关管。
是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
三极管与场效应管的差别
三极管与场效应管的差别•三极管（BJT）和场效应管（FET）是在放大、开关电路中应用非常普遍的电子元件，最初发明的是三极管，以其优异的性能迅速代替了电子管，但后来在应用中三极管暴露出一些先天不足--结构上问题所导致的缺陷，在这种形势下迫切要求制造一种能够克服三极管缺陷的晶体管，于是场效应管就应用而生了。
它的最大特点就是输入阻抗极高，这是三极管无法比拟的，然而它的出现并没有像晶体管淘汰电子管一样而完全取代三极管，它也不是万能的，在有些方面不如三极管，因此不能笼统的说谁好谁不好，由于它是在三极管的基础上研制而成的，所以它许多方面和三极管有相似的地方，二者珠联璧合应用广泛。
今天通过对比我们全面认识三极管和场效应管，以便更好的利用它们。
•1.电极区别：三极管有基极b、发射极e、集电极c三个电极，场效应管也有G极、源极S、漏极D三个电极，它们二者有对应关系，电极的作用相似，即基极-栅极都是控制极，发射极对应源极，集电极对应漏极，都是被控电极；•2.控制类型：三极管是电流控制型器件，也就是通过基极电流的变化控制集电极电流的变化；场效应管属于电压控制型器件，也就是通过栅极电压的变化来控制源漏极电流大小；二者的工作原理是不同的，三极管是通过基极电流来控制集电极电流大小的，而场效应管是通过栅压改变导电沟道的宽度来控制电流的变化；•3.阻抗差别：三极管输入阻抗较低，在几百欧姆-几千欧姆之间，基极电流较大，输出电阻较高，对前级电路影响较大，阻抗不匹配时几乎不能工作；场效应管的输入阻抗极高，达到兆欧以上，MOS管更高，栅极几乎没有电流，对前级电路影响较小，和三极管一样输出电阻也较高；•4.载流子差别：三极管有两种载流子参加导电，即少子与多子，属于双极性器件；场效应管只有一种载流子参加导电，属于单极性器件；•5.稳定性差别：三极管由于少子也参与了导电，而少子容易受到温度的影响，热稳定性较差，故其噪声高，且制造复杂；场效应管由于其由多子导电，热稳定性较好，故噪声小；制造工艺简单，容易集成、功耗低、体积小、安全工作区域广；大规模、超大规模集成电路均大多由场效应管制作；•6.分类差别：晶体管按结构分PNP和NPN型两种；而场效应管种类就多了，按导电沟道分n型和p型，按原理结构分结型场效应管JFET和绝缘栅场效应管MOSFET，mos管又分增强型、耗尽型两种；•7.特性曲线差别：三极管特性曲线分截止区、放大区、饱和区、击穿区；场效应管分截止区、放大区、可变电阻区、击穿区，二者有对应关系；在特性曲线上均有输入、输出特性曲线；从电路分析计算，场效应管较三极管简单；三极管的转移特性（IC-Vbe）是按指数规律变化，场效应管的转移特性是按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管大；•8.放大能力：表征三极管放大能力的重要参数是电流放大倍数β，场效应管用跨导表示gm，其值较小，放大能力差，电压放大倍数小于三极管电路；•9.灵活性差别：三极管的发射极、集电极不能互换，否则β极低，不能正常工作，而场效应管对于一些特定条件的（衬底没有和源极连着一起），源极和漏极是可以互换的。
场效应管和三极管的区别之欧阳歌谷创作
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor,FET）的简称。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
欧阳歌谷（2021.02.01）普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。
而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。
场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。
由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。
场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。
场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。
因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
了解下：三极管和场效应管的小同大异
了解下：三极管和场效应管的小同大异三极管(BJT)和场效应管(FET)都有信号放大的作用，也都有3个管脚，且封装大小两者都类似，然而这么如此相似的两种管，无论是材质组成、工作原理、使用方式，它们都不一样。
三极管定义三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，一般在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应优先选用三极管。
场效应管定义场效应晶体管(FET)简称场效应管，也称为单极型晶体管，主要有两种类型，JFET管和MOS-FET管。
和三极管不一样，它是属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者，只允许从信号源取较少电流的情况下应优先选用场效应管。
使用区别1、三极管之所以又被称为双极型管子，是因为管子在工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
主要工作原理是对基极和发射极之间的流过的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极之间的电流源，使基极-发射极间电流的十至数百倍的电流在集电极和发射极之间流动。
换言之，三极管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。
场效应管也被称为单极型管子，因为该管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子。
通过G极电压来控制D、S极间的电流放大信号，在电路设计中主要应用的是增强型的NMOS管和PMOS管，其中增强型的NMOS管更加常用，因为NMOS的导通电阻小并且容易制造，在开关电源和马达驱动的应用中，一般采用NMOS，主要原因是NMOS的导通电阻小并且容易制造，另外在MOS管内部，漏极D和源极S之间会寄生一个二极管，这个叫体二极管，当MOS管工作的时候，不管是PMOS还是NMOS，电流流动的方向都是必须与体二极管的方向相反。
三极管开关电路与场效应管电路有哪些不同？
三极管开关电路与场效应管电路有哪些不同？相信很多工程师在进行电路设计时，都曾经遇到过一个选择难题：三极管开关电路和场效应管开关电路，选哪个更好一些呢？其实无论是三极管开关电路，还是MOS开关电路，它们都有自己的优势，也有一些自己的弊端。
在今天的文章中，我们将会对这两种开关电路的优缺点和不同之处，展开简要分析。
就目前的三极管开关电路和场效应管电路的应用情况来看，它们两者主要有以下四种区别：首先是三极管是用电流控制，MOS管属于电压控制。
然后就是成本问题，三极管便宜，MOS管则要贵一些了。
第三个差异来自于是功耗方面，与MOS管相比，三极管损耗要更大一些。
最后一个区别是二者驱动能力不同，因为MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来比较方便，常用在数字电路开关控制。
而就场效应管的应用情况来看，它一般会用于高频高速电路、大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
所以在平时的设计过程中，一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话再考虑MOS管。
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。
要真正理解得了解三极管和MOS晶体管的工作方式才能明白。
首先来看三极管的工作原理和工作状态。
我们平时用到的三极管，无论哪种类型，归根结底都是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场，即内建电场，当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子才有可能从基区流向发射区，。
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第2章晶体三极管和场效应管教学重点1 •掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。
2 •熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要参 数及温度对参数的影响。
3•了解MOS 管的工作原理、特性曲线和主要参数。
教学难点1 •晶体三极管的放大作用2 •输入、输出特性曲线及主要参数学时分配序号内 容 学时1 2.1晶体三极管 42 2.2场效应管43 本章小结与习题4本章总课时82.1晶体三极管晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。
特点：管内有两种载流子参与导电。
2.1.1三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构1 •三极管的外形：如图 2.1.1所示。
2 •特点：有三个电极，故称三极管。
3•三极管的结构：如图2.1.2所示。
晶体三极管有三个区一一发射区、 基区、集电区；两个PN 结一一发射结（BE 结）、集 电结（BC 结）；三个电极一一发射极 e （ E ）、基极图2.1.2三极管的结构图图2.1.1三极管外形雄対箱革极集电姑坯射纬UK 堆电紬b(B)和集电极c(C)；两种类型一一PNP 型管和NPN 型管。
工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。
二、 晶体三极管的符号 晶体三极管的符号如图 2.1.3所示。
箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。
文字符号：V三、 晶体三极管的分类1 .三极管有多种分类方法。
按内部结构分：有 NPN 型和PNP 型管； 按工作频率分：有低频和高频管； 按功率分：有小功率和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。
2 .国产三极管命名法：见《电子线路》 P 249附录二。
例如：3DG 表示高频小功率 NPN 型硅三极管；3CG 表示高频小功率 PNP 型硅三极 管；3AK 表示PNP 型开关锗三极管等。
2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式一、晶体三极管的工作电压 三极管的基本作用是放大电信号； 工作在放大状态的外部条件是发射结加正向电压,集电结加反向电压。
如图2.1.4所示：V 为三极管，G C 为集电极电源，G B 为基极电源，又称偏置电源， R b 为基极电阻，R c 为集电极电阻。
二、晶体三极管在电路中的基本连接方式如图2.1.5所示，晶体三极管有三种基本连接方式： 共发射极、共基极和共集电极接法。
最常用的是共发射极接法。
但八PIS 型 (b) 型 图2.1.3三极管符号图2.1.4 三极管电源的接法2.1.3三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系 动画三极管的电流分配关系测量电路如图2.1.6所示：调节电位器 R P ,测得发 射极电流I E 、基极电流I B 和集电极电流I C 的对应数据 如表2.1.1所示。
何状发射极接法 巾)共恳扱按法 心戏集収规接法图2.1.5 三极管在电路中的三种基本联接方式I B /mA-0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 I c /mA 0.001 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91 k/mA 0 0.01 0.57 1.161.772.372.96表 2.1.1 由表2.1.1可见，三极管中电流分配关系如下： I E = I C +1 B 因I B 很小，贝U (2.1.1)I C ： I E 说明： 1 . I E =0 时，I c _ _ I B = I CBO 。
I CBO 称为集电极 -------------------- 基极反向饱和电流， 见图2.1.7(a)。
一般I CBO 很小，与温度有关。
2.咕=0 时，I c =丨 E =I CEO 。
I CEO 称为集电极一一发射极反向电流，又 叫穿透电流，见图 2.1.7(b)。
I CEO 越小，三极管温度稳定性越好。
硅管 的温度稳定性比锗管好。
二、晶体三极管的电流放大作用 动画三极管的电流放大作用由表2.1.1得出玉 0.58 mAI B 一 0.01 mA结论:L 群£ !!■ ■图2.1.7 I CBO 和I CEO 示意图1 •三极管有电流放大作用一一基极电流微小的变化，引起集电极电流I C较大变化。
2.交流电流放大系数一：一一表示三极管放大交流电流的能力二土（2.1.3）应B3.直流电流放大系数――表示三极管放大直流电流的能力4.通常，『-■: I-'，所以l c =了4可表示为l c =曰 B 考虑IcEO,则1 C = ■ 1 B 1 CEO(2.1.6)2.1.4三极管的输入和输出特性一、共发射极输入特性曲线动画三极管的输入特性输入特性曲线：集射极之间的电压V CE一定时, 发射结电压V BE 与基极电流I B之间的关系曲线，如图2.1.9所示。
由图可见：1.当V CE _2V时，特性曲线基本重合。
2 .当V BE很小时，I B等于零，三极管处于截止状态；3.当V BE大于门槛电压（硅管约0.5 V ,锗管约0.2 V）时，I B逐渐增大，三极管开始导通。
4 .三极管导通后，V BE基本不变。
硅管约为0.7 V，锗管约为0.3 V，称为三极管的导通电压。
5.V BE与I B成非线性关系。
二、晶体三极管的输出特性曲线动画三极管的输出特性输出特性曲线：基极电流I B一定时，集、射极之间的电压V CE 与集电极电流I c的关系曲线，如图2.1.10 所示。
由图可见：输出特性曲线可分为三个工作区。
1.截止区条件：发射结反偏或两端电压为零。
特点：I B =0, I c =I CEO。
2.饱和区条件：发射结和集电结均为正偏。
特点：V CE =V CES。
(2.1.4)(2.1.5)f ll图2.1.9 共发射极输入特性曲线图2.1.10三极管的输出特性曲线V CES称为饱和管压降，小功率硅管约0.3 V，锗管约为0.1 V。
3.放大区条件：发射结正偏，集电结反偏。
特点：I C受I B控制，即%二I B。
在放大状态，当I B一定时，I c不随V CE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。
2.1.5三极管主要参数三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。
一、共发射极电流放大系数1.直流放大系数「。
2.交流放大系数1。
电流放大系数一般在10 ~ 100之间。
太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。
一般取30、80为宜。
二、极间反向饱和电流1.集电极----- 基极反向饱和电流I CBO。
2.集电极---- 发射极反向饱和电流I CEO。
I CEO=(1 -：)I CBO(2.1.7)反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。
因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。
硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。
三、极限参数1.集电极最大允许电流I CM三极管工作时，当集电极电流超过I C M时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。
2.集电极最大允许耗散功率P CM当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。
3.集电极--- 发射极间反向击穿电压V(BR)CEO管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。
当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。
2.1.6三极管的简单测试一、硅管或锗管的判别判别电路如图2.1.11所示。
当V =0.6、0.7V时，为硅管；当V =0.1 •-0.3V时，为锗管。
图2.1.11判别硅管和锗管的测试电路图2.1.12 估测：的电路二、 估计比较1的大小NPN 管估测电路如图 2.1.12所示。
万用表设置在 R 1k 「挡，测量并比较开关 S 断开和接通时的电阻值。
前后两个读数相差越大，说明管子的［越高，即电流放大能力越大。
估测PNP 管时，将万用表两只表笔对换位置。
三、 估测I CEONPN 管估测电路如图2.1.13所示。
所测阻值越大，说 明管子的I CEO 越小。
若阻值无穷大，三极管开路；若阻值 为零，三极管短路。
测PNP 型管时，红、黑表笔对调，方法同前。
四、 NPN 管型和PNP 管型的判断 将万用表设置在R 1］或R 100门挡，用黑表笔和任一管脚相接(假设它是基极b)，红表笔分别和另外两个管脚相 接，如果测得两个阻值都很小，则 黑表笔所连接的就是基极，而且是 NPN 型的管子。
如图 2.1.14(a)所 示。
如果按上述方法测得的结果均 为高阻值，则黑表笔所连接的是PNP 管的基极。
如图 2.1.14(b)所示。
五、e 、b 、c 三个管脚的判断 首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测"直的方法判断c 、e 极。
方法是先假定一个待定电极为集电极 (另一个假定为发射极)接入电路，记下欧姆表的摆动幅度，然 后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下欧姆表的摆动幅度。
摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极c ,红表笔所连接的管脚为发射极 e ,如图2.1.12所示。
测PNP 管时，只要把图 2.1.12电路中红、黑表笔对调位置，仍照上述方法测试。
2.2场效应管场效应管：是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。
特点：管子内部只有一种载流子参与导电，称为单极型晶体三极管。
2.2.1结型场效应管一、结构和符号N 沟道结型场效应管的结构、符号如图2.2.1所示；P 沟道结型场效应管如图 2.2.2所示。
特点：由两个 PN 结和一个导电沟道所组成。
三个电极分别为源极 S 、漏极D 和栅极G 。
漏极和源极具有互换性。
图2.1.13G O 的估测红笔工作条件：两个 PN 结加反向电压。
、工作原理动画结型场效应管的工作原理当栅源电压V GS 向负值方向变化时，漏极电流I D 逐渐减小;当栅源电压 V GS -V P 时，漏极电流I D -0 , V P 称为夹断电压。
2.输出特性曲线表示在栅源电压一定条件下，漏极电流与漏源电压之间的关系。
如图(1) 可调电阻区(图中I 区)图2.2.1 .N 沟道结型场效应管以N 沟道结型场效应管为例，原理电路如图2.2.3所示。
工作原理如下:G DS 0 ； G GS ：：：0。
在漏源电压V DS 不变条件下，改 变栅源电压V GS ,通过PN 结的变化，控制沟道宽窄，即 沟道电阻的大小，从而控制漏极电流I D 。
结论：1 .结型场效应管是一个电压控制电流的电压控制 型器件。
2.输入电阻很大。
一般可达107、108。
三、结型场效应管的特性曲线和跨导1 •转移特性曲线反映栅源电压 V GS 对漏极电流I D 的控制作用。
如图 2.2.5所示，若漏源电压一定： 当栅源电压V GS =0时，漏极电流1D = 1DSS ,1DSS 称为饱和漏极电流;环丿图2. 2. 6结型场效应管的输岀特性曲线2.2.6所示。