高级维修电工[1]PPT课件

三．近似估算法：以分压式偏置电路为例： P．137图9-2。
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1．静态工作点：由直流通路求， 即求IbQ，ICQ，UceQ三个值。
其直流通路如下图所示：
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2．电压放大倍数、输入电阻与输出电阻： 由交流通路求。如下图
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A．求出三极管的输入电阻rbe：
rbe＝300＋(1＋β) 26mV／IeQmA
态时放大电路中各处的直流电流和直流电 压。即I bQ，I CQ，UceQ三个值。 (3) 直流通路的画法：
直流通路中，所有的电容器作开路处 理，其余的不变。 (4) 直流通路的作用：
用来求放大电路的静态工作点Q (即I bQ，I CQ，UceQ)。
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2．交流通路：即放大电路的交流等效电路。 也就是在动态时，放大电路输入回路和输 出回路的交流电流流过的路径。放大电路 进行动态分析时要用到交流通路。见下图
作用是将集电极电流变化成电压信号，以
实现电压放大。
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4．基极电阻Rb：一般为几十～几百千欧。
作用是提供适当的基极电流，使放
大器有适的工作状态。
5．耦合电容C1与C2：一般为几～几十微法
作用：(1) 隔直：C1隔断放大器与信号源
之间的直流通道；
C2隔断放大器与负载之
间的直流通道。
(2) 通交：(交流耦合)沟通信号源、
放大器和负载三者之间
的交流通道，使交流信
号畅行无阻。
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二．直流通路与交流通路： 1．直流通路：即放大电路的直流等效电路。
也就是在静态时，放大电路输入回路和 输出回路的直流电流流过的路径。放大 电路进行静态分析时要用到直流通路。 见下图
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(1) 静态——有加入交流信号的放大电路。 (2) 静态分析——求静态工作点Q，即分析静
高级维修电工
理论培训教材
2008．05
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整体概述
概况一
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概况二
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概况三
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§1．半导体三极管： 一．基本结构：
三层半导体(N、P、N或P、N、P)； 三个电极(基极B、发射极E、集电极C)； 两个PN结(发射结、集电结)。
B．求出交流负载电阻RL′： RL′＝ Rc∥RL
C．求输入电阻Ri：
Ri＝Rb1∥Rb2∥rbe ≈ rbe （∵Rb1 ＞＞rbe，Rb2 ＞＞rbe，
∴Ri ≈ rbe） D．求输出电阻R0：R0 ≈ Rc
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其中：RL′＝ Rc∥RL “－”号表示U0与Ui反相位。
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(2) 输出特性曲线： 是当基极电流IB为常数时，集电极回路中集
电极电流IC与集电极—发射极电压UCE 之间的关
系曲线。即 IC＝f(UCE)︱IB=C 如下图所示。
在不同的IB下可以得到不同的曲线，所以三极
管的输出特性曲线是一曲线组族。
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在输出特性曲线上可以划分三个区域： 1°截止区：
IB＝0以下的区域。对NPN型硅管而 言，当UBE＜0.5V时即已开始截止。为了 截止可靠，常使UBE≤0，此时集电结和 发射结都处于反向电压下，称为反向偏 置。但是由于温度影响，集电极回路中 仍有很小的电流ICEO—称为穿透电流流 过。硅管的穿透电流很小，常温下在微 安以下。 特点：集电结和发射结都处于反向偏置9。
2°放大区： 当发射结正向偏置时，曲线较平坦的
部分是放大区。对硅管来说,当UBE＞0.5V, 而集电结又有一定的反向电压时,发射区扩 散到基区的电子绝大部分被集电极所收集, IC≈IE, IB很小。此时IC只随着IB而改变，和 UCE的大小基本无关。从特性曲线和电流 形成过程都可以看出，IC的变化比IB的变 化大得多，晶体管具有很强的电流放大作 用。 特点：发射结正偏而集电结反偏。 10
如下图(a) (2) 共集电极接法：将集电极作为输入与输出的公共端。
如下图(b) (3) 共基极接法：将基极作为输入与输出的公共端。
如下图(c)
三种接法的性能比较见P.31表3-1
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3．特性曲线： (1) 输入特性曲线：
是当集电极—发射极电压UCE为常数时， 基极回路中基极电流IB与基极—发射极电压UBE 之间的关系曲线。即：
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(1) 动态——加入交流信号后的放大电路。 (2) 动态分析——求动态时(交、直流信
号的迭加) 的变化量。 (3) 交流通路的画法：
在交流通路中，将电容器和直 流电源都作短路处理(直流电源接地)。 (4) 交流通路的作用：
交流通路用来计算放大电路的 放大倍数，输入电阻，输出电阻等 交流电量。
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IB＝f (UBE)︱UCE=C 如下图所示：
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从图中可以看出：三极管的输入特 性曲线有一段死区，只有在发射结电压 大于死区电压时，三极管才会导通，出 现基极电流IB，硅管的死区电压约为 0.5～0.6V，锗管约为0.2～0.3V。导通 后，在正常工作情况下，NPN型硅管的 发射结电压UBE＝0.6～0.7V，PNP型锗 管的发射结电压UBE＝－0.2～－0.3V。
3°饱和区： 如果IC随IB增加时，使UCE下降为
UCE≤UBE，发射结和集电结都将处于正 向偏置，此时如果IB再增大，IC也不会按 IC＝βIB增加，晶体三极管失去放大作用， 这种情况称为饱和。我们把UCE＝UBE的 状态称为临界饱和，把UCE＜UBE的状态 称为过饱和。 特点：发射结和集电结皆正偏。
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§2．基本放大电路
一．共射极放大电路的组成： P．136图9-1(a)
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1．三极管V：放大电路的放大元件，是电流控制
元件。
2．集电极电源UGB：直流电源，
一般为几～几十伏
作用：(1) 为输出信号提供能量。
(2) 保证集电结处于反偏状态以及发射结
处于正偏状态。这样才能使三极管起
到放大作用。
3．集电极负载电阻Rc：一般为几～几十千欧。
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1．类型： 按频率可分为：高频管和低频管 按功率可分为：大功率管、中功率管 和小功率管 按半导体材料可分为：硅管和锗管 按结构可分为：NPN型和PNP型。 目前国产的NPN型晶体管多为硅 管(3D系列)，PNP型晶体管多为锗管 (3A系列)。
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2．放大器中晶体管的三种接线方式：以NPN型为例 (1) 共发射极接法：将发射极作为输入与输出的公共端。