激光器

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最大模式增益 载流子反转程度 内损耗 腔面损耗 量子点密度、 量子点均匀性、 波导结构 能级结构、 注入电流、 注入效率 ② 外延质量 腔长L、
腔面反射率R



量子点激光器
量子点激光器的增益损耗机制
J. Appl. Phys. 101, 013108 (2007)
量子点激光器
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点
半导体激光器
大数据Big Data/数据中心Data Center
半导体激光器
光互连
半导体激光器
自由空间光通信
半导体激光器
系统
半导体激光器
模块
半导体激光器
器件
半导体激光器
外延片和芯片
半导体激光器
通信波段半导体激光产业 国外:英国IQE,日本三菱、NEC
外延片
国内:海信宽带,光迅科技(低端) 联亚光电(台湾)
半导体激光器
半导体激光器
1310 nm量子阱激光器
半导体激光器
1.3Q InGaAsP well compressive 7913ppm
1.1Q InGaAsP barrier tensile 480ppm
量子点激光器
量子点
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e
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体材料
量子点激光器
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点
AIXTRON 紧耦合喷淋MOCVD系统
量子点激光器
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点
光致发光谱(PL) InAs/GaAs量子点 InAs/InP 量子点
20-35meV
100-120meV
Energy
量子点激光器
化合物半导体材料生长与表征 2016春季
半导体激光器生长与表征
半导体激光器
半导体芯片产业 集成电路IC(英特尔) LED(三安光电) 半导体激光器
半导体激光器
半导体激光器
半导体激光器
半导体激光芯片
0.8微米-1.1微米 泵浦 材料加工 激光显示
1.3、1.55微米 互联网通信 星地通信 空间通信
485 oC
455 oC
425 oC
1 µm × 1 µm
量子点激光器
量子点激光器
激光器外延结构
p+ GaAs 200 nm p-Al0.4Ga0.6As 1.4 µm GaAs 30 nm GaAs 10 nm GaAs 5 nm (undoped/Be-doped ) GaAs 25 nm In0.17Ga0.83As 4 nm GaAs 70 nm n-Al0.4Ga0.6As 1.4 µm n+ GaAs buffer 300 nm n+ GaAs (100) substrate ×5
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点激光器
啁啾结构量子点激光器
量子点激光器
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点
啁啾结构量子点激光器
量子点激光器
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点
锁模量子点激光器
脉冲序列周期为22.1ps,对应重复频率45.5GHz。
2 ML
InAs淀积量
2.7 ML
3.3 ML
量子点激光器
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点激光器
量子点激光器
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点激光器
量子点激光器
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点激光器
啁啾结构量子点激光器
量子点激光器
激光器测试
小信号调制
量子点激光器
激光器测试
大信号调制
原理
0 1 1 0 0 0 0 1 1 0 0 1
随机数字信号叠加形成眼图
量子点激光器
激光器测试
大信号调制
量子点激光器
量子点激光器的增益损耗机制
Γg= αtotal Γgmax[fc(Ith)-fv(Ith)]=αi+ln(1/R1R2)/2L
量子点激光器
量子点制备
量子点激光器
量子点制备
量子点激光器
1.3微米InAs/GaAs量子点
材料 GaAs InAs Eg@300K 1.424 eV 0.354 eV 晶格常数 5.6533 A 6.0583 A
晶格失配度 =
aepi − asub asub
InAs/GaAs — 7.16%
量子点激光器
1.3微米InAs/GaAs量子点
InAs QDs
1 µm × 1 µm (a)
(b)
量子点激光器
1.3微米InAs/GaAs量子点
Veeco GEN II分子束外延系统
量子点激光器
1.3微米InAs/GaAs量子点
量子点激光器
1.3微米InAs/GaAs量子点
原子力显微镜AFM
1.55微米InAs/InGaAsP/InP量子点
540oC
优化生长温度和淀 积量后得到高密度 单层量子点、以及
生长温度
荧光强度线性变化 510oC 而半高宽不变的叠 层量子点,有助于 4.4 ×1010 cm−2 470oC
1µm2
激光器增益的提高。
S. Luo et al Chin. Phys. Lett. Vol.30 No.6 2013
Refractive index
量子点激光器
激光器制作
量子点激光器
激光器制作
SEM 图像
量子点激光器
激光器测试
光功率-电流曲线
量子点激光器
激光器测试
量子点激光器
激光器测试
量子点激光器
激光器测试
量子点激光器
激光器测试
小信号调制
原理
∆S/ ∆I
量子点激光器
芯片
国外:Finisar,Avago,JDSU, Oclaro 国内:光迅科技,旭创科技, 华工正源,海信宽带,华为
器件 模块Байду номын сангаас
半导体激光器
PON(Passive Optical Network, 无源光网络)是光纤到户网络的主要技术。
Optical Line Terminal
Optical Network Terminals
Optical Network Units
半导体激光器
PON(Passive Optical Network, 无源光网络)是光纤到户网络的主要技术。
国际电信联盟电信标准化部门 (ITU-T)
电气电子工程师协会 (IEEE)
EPON(Ethernet Passive Optical Network) GPON(Gigabit-capable Passive Optical Network)
1.4-1.8微米 瓦斯检测 工矿检测 激光成像 光纤传感
1.8-2.5微米 气体检测 激光手术 中红外泵浦 塑料加工
半导体激光器
Communications & optical storage
半导体激光器
光纤到户 Fiber-to-the-home (FTTH)
半导体激光器
云计算 Cloud Computing
GaAs 100 nm InxGa1-xAs GaAs buffer GaAs (100) S.I. substrate
光致荧光谱PL
量子点激光器
2 µm × 2 µm
2.5 ML
2.25 ML
2.0 ML
量子点激光器
量子点激光器
2 µm × 2 µm
量子点激光器
InxGa1-xAs SRL
量子阱
量子线
量子点
量子点激光器
什么是“量子点”
载流子在纳米尺度空间受到三维限制 具有量子尺寸效应
1 µm × 1 µm
量子点激光器
什么是“量子点”
量子点激光器
什么是“量子点”
GaAs基
量子点激光器
InP基
量子阱激光器
Mitsuru Sugawara and Michael Usami, Nature Photonics 3, 30 (2009)
半导体激光器
PON optical spectrum / Wavelength Plan
半导体激光器
半导体激光器
半导体激光器
一、10G直调1260-1330nm DFB激光器 InAs/GaAs QD InGaAsP/InP QW AlGaInAs/InP QW 二、10G直调1550-1580nm DFB激光器 InAs/AlGaInAs/InP QD InGaAsP/InP QW AlGaInAs/InP QW
量子点激光器
激光器外延结构
Energy
量子点激光器
激光器外延结构
3.4 3.3 3.2 0
InAs QDs
0.5
Al0.4Ga0.6As
1
GaAs
2 Length (µm)
Al 0.4Ga0.6As
3
0.0
Nomarlized optical field intensity
3.5
Epitaxy direction
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