74HC595史上最全的中文资料【中为电科】

合集下载

74HC595中文手册(手工翻译,可复制)

74HC595中文手册(手工翻译,可复制)

74HC595/74HCT595
它是带控制端的8位串行输入并行输入的移位寄存器,具有3态输出。

特点
➢8位串行输入
➢8位串行或并行输出
➢带有3态输出的存储寄存器
➢移位寄存器具有清零控制端
➢100MHz移位输出频率
➢输出能力:并行输出,总线驱动;串行输出,标准输出
应用
串行数据转并行
远程控制保持寄存器
相关描述
74HC/HCT595是高速硅栅CMOS元件与低功耗肖特基TTL引脚兼容。

它们符合JEDEC第7A号标准。

“595”是一个带存储器的8级串行移位寄存器,有3态输出。

移位寄存器以及存储寄存器有独立的时钟输入端。

当SH_CP端接收一个上跳沿时数据会发生移位。

当ST_CP端接收一个上跳沿时,移位寄存器中的数据将被送入存储寄存器。

当SH_CP端和ST_CP端短接时,移位寄存器当中所存储的数据将会永远比存储寄存器中的数据状态早一个时钟周期。

移位寄存器有一个串行输入(DS端)以及一个标准的串行级联输出端(Q7’)。

该芯片的8位移位寄存器有一个复位引脚(MR,低电平有效)。

存储寄存器有8条并行的3态总线连接至输出引脚。

只要芯片的输出使能引脚(OE)处于低电平,芯片就实时将存储寄存器中的数据输出至输出引脚。

74HC595完整中文资料

74HC595完整中文资料
74HC595
74HC595是8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器,具有 咼阻、关、断状态。
三态。特点8位串行输入8位串行或并行输出 存储状态寄存 器,三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能 力 并行输出,总线驱动 串行输出;
标准 中等规模集成电路应用 串行到并行的数据转换Remote c ontrol holding register.描述595是告诉的硅结构的CMO器件,
CPD决 定动态的能耗,PD=CPD< VCC< f1 +刀(CLXVCC2< f0) F 1=输入频率,。1=输出电容f0=输出频率(MHZ Vcc=电源电压 引脚说明符号引脚描述
内部结构
结合引脚说明就能很快理解595的工作情况
功能表:
管脚编号
管脚名
管脚定义功能
1、2、3、4、5、6、
7、15
QA—QH
2)74595的主要优点是具有数据存储寄存器,在移位的过程中,输出 端的数据可以保持不变。这在串行速度慢的场合很有用处,数码管没 有闪烁感。
与164只有数据清零端相比,595还多有输出端时能/禁止控制 端,可以使输出为高阻态。
3)595是串入并出带有锁存功能移位寄存器,它的使用方法很简单, 在正常使用时SCLR为高电平,G为低电平。从SER每输入一位数据, 串行输595是串入并出带有锁存功能移位寄存器,它的使用方法很简 单,如下面的真值表,在正常使用时SCLF为高电平,G为低电平。 从SER每输入一位数据,串行输入时钟SCK上升沿有效一次,直到八 位数据输入完毕,输出时钟上升沿有效一次,此时,输入的数据就被
送到了输出端。入时钟SCK上升沿有效一次,直到八位数据输入完毕, 输出时钟上升沿有效一次,此时,输入的数据就被送到了输出端。

74hc595资料

74hc595资料

74HC595芯片中文资料8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器,具有高阻关断状态。

三态。

特点8位串行输入8位串行或并行输出存储状态寄存器,三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力并行输出,总线驱动串行输出;标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件,兼容低电压TTL电路,遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入,在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入(Ds),和一个串行输出(Q7’),和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行8位的,具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。

参考数据符号参数条件TYP单位HC HCtt PHL/t PLH传输延时SHcp到Q7’C L=15pFVcc=5V 161714212019NsNsNsC PD 决定动态的能耗,P D =C PD ×V CC ×f 1+∑(C L ×V CC 2×f 0)F 1=输入频率,C L =输出电容 f 0=输出频率(MHz ) Vcc=电源电压 引脚说明 符号 引脚 描述 Q0…Q7 15, 1, 7 并行数据输出 GND 8 地 Q7’ 9 串行数据输出 MR 10 主复位(低电平) SH CP 11 移位寄存器时钟输入 ST CP 12 存储寄存器时钟输入 OE 13 输出有效(低电平) D S 14 串行数据输入 V CC 16 电源 功能表输入 输出功能SH CP ST CP OE MR D S Q7’ Q n× × L ↓ × L NC MR 为低电平时紧紧影响移位寄存器× ↑ L L × L L 空移位寄存器到输出寄存器 × × H L × L Z 清空移位寄存器,并行输出为高阻状态↑ × L H H Q 6’ NC 逻辑高电平移入移位寄存器状态0,包含所有的移位寄存器状态移入,例如,以前的状态6(内部Q6”)出现在串行输出位。

4HC595完整中文资料

4HC595完整中文资料

74HC595芯片是一种串入并出的芯片,在电子显示屏制作当中有广泛的应用。

74HC595是8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器,具有高阻、关、断状态。

三态。

特点 8位串行输入 8位串行或并行输出存储状态寄存器,三种状态输出寄存器可以直接清除 100MHz的移位频率输出能力并行输出,总线驱动串行输出;标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换 Remote contr ol holding register. 描述 595是告诉的硅结构的CMOS器件,兼容低电压TTL电路,遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入,在STcp 的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入(Ds),和一个串行输出(Q7’),和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行8位的,具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。

CPD决定动态的能耗, PD=CPD×VCC×f1+∑(CL×VCC2×f0) F1=输入频率,CL=输出电容 f0=输出频率(MHz) Vcc=电源电压引脚说明符号引脚描述内部结构结合引脚说明就能很快理解 595的工作情况引脚功能表:管脚编号管脚名管脚定义功能1、2、3、4、5、6、7、15QA—QH 三态输出管脚8 GND 电源地9 SQH 串行数据输出管脚10 SCLR 移位寄存器清零端11 SCK 数据输入时钟线12 RCK 输出存储器锁存时钟线13 OE 输出使能14 SI 数据线15 VCC 电源端真值表:输入管脚输出管脚SI SCK SCLR RCK OEX X X X H QA—QH 输出高阻X X X X L QA—QH 输出有效值X X L X X 移位寄存器清零L 上沿H X X 移位寄存器存储LH 上沿H X X 移位寄存器存储HX 下沿H X X 移位寄存器状态保持X X X 上沿X 输出存储器锁存移位寄存器中的状态值X X X 下沿X 输出存储器状态保持74595的数据端:QA--QH: 八位并行输出端,可以直接控制数码管的8个段。

74HC595完整中文资料word资料5页

74HC595完整中文资料word资料5页

74HC595芯片是一种串入并出的芯片,在电子显示屏制作当中有广泛的应用。

74HC595是8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器,具有高阻、关、断状态。

三态。

特点 8位串行输入 8位串行或并行输出存储状态寄存器,三种状态输出寄存器可以直接清除 100MHz的移位频率输出能力并行输出,总线驱动串行输出;标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换 Remote contr ol holding register. 描述 595是告诉的硅结构的CMOS器件,兼容低电压TTL电路,遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入,在STcp 的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入(Ds),和一个串行输出(Q7’),和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行8位的,具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。

CPD决定动态的能耗, PD=CPD×VCC×f1+∑(CL×VCC2×f0) F1=输入频率,CL=输出电容 f0=输出频率(MHz) Vcc=电源电压引脚说明符号引脚描述内部结构结合引脚说明就能很快理解 595的工作情况引脚功能表:管脚编号管脚名管脚定义功能1、2、3、4、5、6、7、15QA—QH 三态输出管脚8 GND 电源地9 SQH 串行数据输出管脚10 SCLR 移位寄存器清零端11 SCK 数据输入时钟线12 RCK 输出存储器锁存时钟线13 OE 输出使能14 SI 数据线15 VCC 电源端真值表:输入管脚输出管脚SI SCK SCLR RCK OEX X X X H QA—QH 输出高阻X X X X L QA—QH 输出有效值X X L X X 移位寄存器清零L 上沿H X X 移位寄存器存储LH 上沿H X X 移位寄存器存储HX 下沿H X X 移位寄存器状态保持X X X 上沿X 输出存储器锁存移位寄存器中的状态值X X X 下沿X 输出存储器状态保持74595的数据端:QA--QH: 八位并行输出端,可以直接控制数码管的8个段。

LED驱动芯片-74HC595中文资料

LED驱动芯片-74HC595中文资料

2V
75
175
tPZL 的最大延迟时 CL =50pF
间(普通状态) CL =150pF 2V
100
245
CL =50pF 4.5V 15
35
TA=25 to 85℃ TA=-55 to 125℃
极限值
4.8
4.0
24
20
28
24
265
315
367
441
53
63
74
88
45
54
63
76
220
265
306
58
210
CL =150pF 2V
83
294
tPHL SCK 到 Q’H 的 CL =50pF 4.5V
14
42
tPLH 最大延迟时间 CL =150pF 4.5V
17
58
CL =50pF 6V
10
36
CL =150pF 6V
14
50
CL =50pF 2V
70
175
tPHL tPLH
RCK 到 QA 至 QH 的最大延迟
17
42
tPHZ
G 到 QA 至 QH 的最大延迟时
RL =1kΩ
2V 4.5V
75 15
175 35
tPLZ
间(高阻态) CL =50pF
6V
13
30
SER 到 SCK 最
tS
小状态建立时

2V
100
4.5V
20
6V
17
SCLR 到 SCK
tR
最小状态建立
时间
2V
50

74hc595中文芯片手册

74hc595中文芯片手册

74HC5958位移位寄存器与输出锁存器功能描述这种高速移位寄存器采用先进的硅栅CMOS技术。

该装置具有高的抗干扰性和标准CMOS集成电路的低功率消耗,以及用于驱动15个LS-TTL负载的能力。

此装置包含馈送一个8位D型存储寄存器的8位串行入,并行出移位寄存器。

存储寄存器具有8 TRI-STA TEÉ输出。

提供了用于两个移位寄存器和存储寄存器独立的时钟。

移位寄存器有直接首要明确,串行输入和串行输出(标准)引脚级联。

两个移位寄存器和存储寄存器的使用正边沿触发的时钟。

如果两个时钟被连接在一起时,移位寄存器的状态将总是提前存储寄存器的一个时钟脉冲。

该54HC/74HC逻辑系列就是速度,功能和引脚输出与标准54LS/74LS逻辑系列兼容。

所有输入免受损害,由于静电放电由内部二极管钳位到VCC和地面。

产品特点1低静态电流:80 mA最大值(74HC系列)2低输入电流为1mA最大38位串行输入,并行出移位寄存器以存储4宽工作电压范围:2V±6V5级联6移位寄存器直接明确7保证移频率:DC至30兆赫第十三章:干燥通过本章的学习,应熟练掌握表示湿空气性质的参数,正确应用空气的H–I 图确定空气的状态点及其性质参数;熟练应用物料衡算及热量衡算解决干燥过程中的计算问题;了解干燥过程的平衡关系和速率特征及干燥时间的计算;了解干燥器的类型及强化干燥操作的基本方法。

二、本章思考题1、工业上常用的去湿方法有哪几种?态参数?11、当湿空气的总压变化时,湿空气H–I图上的各线将如何变化? 在t、H 相同的条件下,提高压力对干燥操作是否有利? 为什么?12、作为干燥介质的湿空气为什么要先经预热后再送入干燥器?13、采用一定湿度的热空气干燥湿物料,被除去的水分是结合水还是非结合水?为什么?14、干燥过程分哪几种阶段?它们有什么特征?15、什么叫临界含水量和平衡含水量?16、干燥时间包括几个部分?怎样计算?17、干燥哪一类物料用部分废气循环?废气的作用是什么?18、影响干燥操作的主要因素是什么?调节、控制时应注意哪些问题?三、例题例题13-1:已知湿空气的总压为101.3kN/m2 ,相对湿度为50%,干球温度为20o C。

595中文资料

595中文资料

74HC595芯片中文资料8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器,具有高阻关断状态。

三态。

特点8位串行输入8位串行或并行输出存储状态寄存器,三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力并行输出,总线驱动串行输出;标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件,兼容低电压TTL电路,遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入,在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入(Ds),和一个串行输出(Q7Q7’’),和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行8位的,具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。

参考数据符号参数条件TYP单位HC HCtt PHL/t PLH传输延时SHcp到Q7Q7’’STcp到Qn MR到Q7Q7’’C L=15pFVcc=5V161714212019NsNsNsf max STcp到SHcp最大时钟速度10057MHzC L输入电容Notes1 3.53.5pF C PD Power dissipation Notes2115pFC PD 决定动态的能耗,P D =C PD ×V CC ×f 1+∑(C L ×V CC 2×f 0)F 1=输入频率,C L =输出电容f 0=输出频率(MHz )Vcc=电源电压引脚说明符号引脚描述Q0…Q715,1,7并行数据输出GND 8地Q7’9串行数据输出MR 10主复位(低电平)SH CP11移位寄存器时钟输入ST CP12存储寄存器时钟输入OE13输出有效(低电平)D S14串行数据输入capacitance per package.130V CC16电源功能表输入输出功能ST CP OE MR D S Q7’Q nSH CP××L↓×L NC MR为低电平时紧紧影响移位寄存器×↑L L×L L空移位寄存器到输出寄存器××H L×L Z清空移位寄存器,并行输出为高阻状态↑×L H H Q6’NC逻辑高电平移入移位寄存器状态0,包含所有的移位寄存器状态移入,例如,以前的状态6(内部Q6”)出现在串行输出位。

74HC595的中文资料-主要是针对时序图

74HC595的中文资料-主要是针对时序图

74HC595的中文资料
74HC595——具有三态输出锁存功能的8位串行输入、串行/并行输出移位寄存器
本文翻译自NXP的74HC595的datasheet
74HC595和74HCT595是带有存储寄存器和三态输出的8位串行移位寄存器,移位寄存器和存储寄存器有各自的时钟。

每当移位寄存器输入时钟SHCP上升沿来临之时,数据被移出。

每当存储寄存器输入时钟STCP上升沿来临之时,数据并行的存储到存储寄存器。

如果两个时钟上升沿同时到来,移位寄存器总是要比存储寄存器的提前一个时钟。

移位寄存器有一个串行出入(DS)和一个串行标准输出(Q7S)。

同时也提供一个异步复位端(低电平有效),存储寄存器有一个8位3态总线输出。

输出使能(OE)为低电平时,存储寄存器的值就输出。

下面是一个功能框图,有利于理解:
接着是一个逻辑符号:
各引脚的的说明如下:
符号引脚描述
Q1 1 并行输出1
Q2 2 并行输出2
Q3 3 并行输出3
Q4 4 并行输出4
Q1 5 并行输出5
Q2 6 并行输出6
Q3 7 并行输出7
GND 8 接地
Q7S 9 串行数据输出
MR 10 (master reset)复位-低电平有效
SHCP 11 移位寄存器输入时钟(shift register clock iuput)STCP 12 存储寄存器输入时钟(storage register clock iuput)OE 13 输出使能(地电位有效)
DS 14 串行数据输出输入
Q0 15 并行数据输出0
Vcc 16 电源
功能表如下:
时序图:。

74HC595中文

74HC595中文

74HC595芯片中文资料
8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器,具有高阻关断状态。

三态。

特点
8位串行输入
8位串行或并行输出
存储状态寄存器,三种状态
输出寄存器可以直接清除
100MHz的移位频率
输出能力
并行输出,总线驱动
串行输出;标准
中等规模集成电路
应用
串行到并行的数据转换
Remote control holding register.
描述
595是告诉的硅结构的CMOS器件,
兼容低电压TTL电路,遵守JEDEC标准。

595是具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。

移位寄存器和存储器是分别的时钟。

数据在SCHcp的上升沿输入,在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。

如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入(Ds),和一个串行输出(Q7’),和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行8位的,具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。

参考数据
C PD决定动态的能耗,
P D=C PD×V CC×f1+∑(C L×V CC2×f0)
F1=输入频率,C L=输出电容f0=输出频率(MHz)Vcc=电源电压
引脚说明
功能表
H=高电平状态
L=低电平状态
↑=上升沿
↓=下降沿
Z=高阻
NC=无变化
×=无效
当MR为高电平,OE为低电平时,数据在SH CP上升沿进入移位寄存器,在ST CP上升沿输出到并行端口。

74HC595的中文资料

74HC595的中文资料

74HC595的中文资料
74HC595——具有三态输出锁存功能的8位串行输入、串行/并行输出移位寄存器(本文翻译自NXP的74HC595的datasheet)
74HC595和74HCT595是带有存储寄存器和三态输出的8位串行移位寄存器,移位寄存器和存储寄存器有各自的时钟。

每当移位寄存器输入时钟SHCP上升沿来临之时,数据被移出。

每当存储寄存器输入时钟STCP上升沿来临之时,数据并行的存储到存储寄存器。

如果两个时钟上升沿同时到来,移位寄存器总是要比存储寄存器的提前一个时钟。

移位寄存器有一个串行出入(DS)和一个串行标准输出(Q7S)。

同时也提供一个异步复位端(低电平有效),存储寄存器有一个8位3态总线输出。

输出使能(OE)为低电平时,存储寄存器的值就输出。

下面是一个功能框图,有利于理解:
接着是一个逻辑符号:
功能表如下:
时序图:
在SH CP上升沿进入移位寄存器,在ST CP上升沿输出到并行端口。

74HC595完整中文资料

74HC595完整中文资料

74HC595芯片是一种串入并出的芯片 ,在电子显示屏制作中间有宽泛的应用。

74HC595是8 位串行输入/ 输出或许并行输出移位寄存器,拥有高阻、关、断状态。

三态。

特色8 位串行输入8 位串行或并行输出储存状态寄存器,三种状态输出寄存器能够直接消除 100MHz 的移位频次输出能力并行输出,总线驱动串行输出;标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据变换Remote controlholding register. 描绘 595 是告诉的硅构造的CMOS器件,兼容低电压TTL电路,恪守 JEDEC标准。

595 是拥有 8 位移位寄存器和一个储存器,三态输出功能。

移位寄存器和储存器是分其他时钟。

数据在 SCHcp的上涨沿输入,在 STcp的上涨沿进入的储存寄存器中去。

假如两个时钟连在一同,则移位寄存器老是比储存寄存器早一个脉冲。

移位寄存器有一个串行移位输入( Ds),和一个串行输出( Q7’),和一个异步的低电平复位,储存寄存器有一个并行 8 位的,具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),储存寄存器的数据输出到总线。

CPD决定动向的能耗, PD=CPD× VCC× f1+ ∑ (CL × VCC2=×输f0)入F1频次, CL =输出电容 f0=输出频次( MHz) Vcc=电源电压引脚说明符号引脚描绘内部构造联合引脚说明就能很快理解595 的工作状况功能表:真值表:74595 的数据端:QA--QH: 八位并行输出端,能够直接控制数码管的8 个段。

QH': 级联输出端。

我将它接下一个595 的 SI端。

SI: 串行数据输入端。

74595 的控制端说明:/SRCLR(10脚): 低点平常将移位寄存器的数据清零。

往常我将它接Vcc。

SRCK(11脚):上涨沿时数据寄存器的数据移位。

QA-->QB-->QC-->...-->QH;降落沿移位寄存器数据不变。

74HC595中文资料

74HC595中文资料

概述:74HC595 是一款漏极开路输出的CMOS 移位寄存器,输出端口为可控的三态输出端,亦能串行输出控制下一级级联芯片。

特点:高速移位时钟频率Fmax>25MHz标准串行(SPI)接口CMOS 串行输出,可用于多个设备的级联低功耗:TA =25℃时,Icc=4μA(MAX)图2 74HC595逻辑图真值表:输入管脚输出管脚SI SCK SCLR RCK OEX X X X H QA—QH 输出高阻X X X X L QA—QH 输出有效值X X L X X 移位寄存器清零L 上沿H X X 移位寄存器存储LH 上沿H X X 移位寄存器存储HX 下沿H X X 移位寄存器状态保持X X X 上沿X 输出存储器锁存移位寄存器中的状态值X X X 下沿X 输出存储器状态保持引脚功能表:管脚编号管脚名管脚定义功能1、2、3、4、5、6、7、15QA—QH 三态输出管脚8 GND 电源地9 SQH 串行数据输出管脚10 SCLR 移位寄存器清零端11 SCK 数据输入时钟线12 RCK 输出存储器锁存时钟线13 OE 输出使能14 SI 数据线15 VCC 电源端图1 74HC595引脚图Absolute Maximum Ratings绝对最大额定值参数数值Supply Voltage电源电压(VCC)−0.5 to +7.0VDC Input Voltage 直流输入电压(VIN)−1.5 to VCC +1.5V DC Output Voltage 直流输出电压(VOUT)−0.5 to VCC +0.5V Clamp Diode Current 钳位二极管电流(IIK, IOK)±20mADC Output Current直流输出电流,每个引脚(输出)±35mADC VCC or GND Current,per pin (ICC)±70mAStorage Temperature Range 储存温度范围(TSTG)−65℃ to +150℃Power Dissipation 功耗(PD)(Note 3)600mWS.O. Package only500mWLead Tem perature (TL) (Soldering 10 seconds)260℃Recommended Operating Conditions建议操作条件参数最小最大单位Supply Voltage电源电压(VCC)26v DC Input or Output Voltage(VIN, VOUT)输入输出电压0VCC V Operating Tem perature Range工作温度范围(TA)−40+85℃Input Rise or Fall Times 输入上升或下降时间(tr,tf) VCC = 2.0V-1000ns VCC = 4.5V-500ns VCC = 6.0V-400ns DC SPEC IFICATIONS直流电气规格Symbol 符号Parameter 参数Conditions 条件VCCTA=25℃TA=−40to85℃TA=−55to125℃UNIT单位典型Guaranteed Limits保证界限VIH Minimum HighLevel Input Voltage最大高电平输入电压-2.0V- 1.5 1.5 1.5V4.5V- 3.153.15 3.156.0V- 4.2 4.2 4.2VIL Maximum LOWLevel Input Voltage最大低电平输入电压-2.0V-0.50.50.5V4.5V- 1.351.35 1.356.0V- 1.8 1.8 1.8VOH Minimum HIGHLevel OutputVoltage最大高电平VIN=VIH orVIL|IOUT|≤20μA2.0V2.01.9 1.9 1.9V4.5V4.54.4 4.4 4.46.0V6.05.9 5.9 5.9输出电压Q'H VIN = VIH or VILV |IOUT| ≤4.0mA 4.5V 4.2 3.98 3.84 3.7|IOUT| ≤5.2mA 6.0V5.25.485.34 5.2QA thru QH VIN = VIH or VILV |IOUT| ≤6.0mA 4.5V 4.2 3.98 3.84 3.7IOUT| ≤ 7.8mA 6.0V5.75.485.34 5.2VOL Maximum LOWLevel OutputVoltage最大低电平输出电压VIN=VIH orVIL|IOUT| ≤20μA2.0V00.10.10.1V4.5V00.10.10.16.0V00.10.10.1Q'HVIN = VIH or VILV |IOUT| ≤ 4mA 4.5V 0.2 0.26 0.33 0.4|IOUT| ≤5.2mA 6.0V0.20.260.33 0.4QA thru QHVIN = VIH or VILV |IOUT| ≤6.0mA 4.5V 0.20.26 0.33 0.4|IOUT| ≤7.8mA 6.0V0.20.260.330.4IIN Maximum InputCurrent最大输入电流VIN=VCC orGND6.0V-±0.1±1.0±1.0μAIOZ Maximum 3-STATEOutput Leakage最大3态输出泄漏电流VOUT = VCC orGND G = VIH6.0V-±0.5±5.0±10μAICC MaximumQuiescent SupplyCurrent电源电流VIN=VCC orGND IOUT = 0μA6.0V-8.080160μA交流电气特性:Symbol 符号Parameter 参数Conditions条件典型GuaranteedLimitUNIT单位fMax最高工作频率-5030MHztPHL, tPLH Maximum Propagation Delay,最大传输延迟SCK to Q’ HCL = 45 pF1220nstPHL, tPLH Maximum Propagation Delay, 最大传输延迟RCK to QA thru QHCL = 45 pF1830nstPZH, tPZL Maximum Output Enable Tim e from G to QAthru QH 最大输出启用时间G to QA thru QHRL=1kΩCL=45pF1728nstPHZ, tPLZ Maximum Output Disable Tim e from G to QAthru QH最大输出禁用时间G to QA thru QHRL=1kΩCL=5pF1525nstS Minimum Setup Time from SER to SCK--20nstS Minimum Setup Time from SCLR to SCK--20ns tS Minimum Setup Time from SCK to RCK--40ns tH Minimum Hold Time from SER to SCK--0ns tW Minimum Pulse Width of SCK or RCK--16ns 交流电气特性:(续)Symbol 符号Parameter 参数Conditions条件VCCTA = 25℃TA =−40 to85℃TA =−55 to125℃UNIT单位典型Guaranteed Limits 保证界限fMax Maximum OperatingFrequency最高工作频率CL = 50 pF2.0V106 4.8 4.0MHz4.5V453024206.0V50352824tPHL, tPLH Maximum PropagationDelay from SCK to Q’ H最大传输延迟传播延迟CK to QCL = 50 pF 2.0V 58 210 265 315nsCL = 150 pF 2.0V83294367441CL = 50 pF 4.5V 14 42 53 63CL = 150 pF 4.5V17587488CL = 50 pF 6.0V 10 36 45 54CL = 150 pF 6.0V14506376tPHL, tPLH Maximum PropagationDelay from RCK to QA thruQHCK to QCK to Q最大传输延迟RCK to QA thru QHCKto QCK to QCL = 50 pF 2.0V 70 175 220 265nsCL = 150 pF 2.0V105245306368CL = 50 pF 4.5V 21 3544 53CL = 150 pF 4.5V28496174CL = 50 pF 6.0V 18 30 37 45CL = 150 pF 6.0V26425363tPHL, tPLH Maximum PropagationDelay from SCLR to Q’ H最大传输延迟to Q’ H-2.0V-175221261ns4.5V-3544526.0V-303744tPZH, tPZL Maximum Output Enablefrom G to QA thru QH最大输出启用RL=1kΩCL=50pF2.0V 75 175 220 265nsRL=1kΩCL=150pF2.0V100245306368CL= 50pF 4.5V 15 35 44 53CL = 150pF 4.5V20496174CL = 50 pF 6.0V13303745CL = 150 pF 6.0V17425363CPD Power DissipationCapacitance,G = VCC-90 ---pFG = GND150---OutputsEnabled (Note 6)功耗电容CIN Maximum InputCapacitance最大输入电容--5101010pFCOUT Maximum Output最大输出电容--15202020pF图3 74HC595 时序图图应用电路图:图4 87LPC76x与74HC595单片机构成的键盘显示电路图5。

74HC595中文资料_数据手册_参数

74HC595中文资料_数据手册_参数

图 SERIAL数据 INPUT 14 11 10 12 13转移时钟重启 LATCH时钟 OUTPUT ENABLE转 移寄存器 LATCH 15 1 2 3 4五 6 7 9 Q A Q B Q C Q D Q E Q F Q G Q H SQ H一个 V CC = PIN 16 GND = PIN 8平行数据产出 SERIAL数据 OUTPUT引脚分配 13 14 15 16 9 10 11 12五 4 3 2 1 8 7 6锁定时钟输出启用一个 Q A V CC SQ H重启 SHIFT CLOCK Q E Q D Q C Q B GND Q H Q G Q F订购信息设备包 运输 ? 74HC595DR2G SOIC-16 (无铅) 2500磁带和卷轴 74HC595DTR2G TSSOP-16 * 2500磁带和卷轴 ?有关磁带和 卷轴规格的信息,包括零件方向和磁带尺寸,请参阅我们的74hc595磁带和卷轴包 74hc595装规格手册,BRD8011 / D. *该封装本身具有无铅功能.74HC595中文资料第3 页精选内容: 74HC595 3最大额定值符号参数值单元 V CC 直流电源电压(参考GND) - 0.5至+ 7.0 V V IN直流输入电压(参考GND) - 0.5至 V CC + 0.5 V V OUT直流输出电压(参考GND) - 0.5至V CC + 0.5 V 我 在直流输入 电流,每个引脚 ±20嘛 我 出去了直流输出电流,每个引脚 ±35嘛 我 CC DC电源 电流,V CC 和GND引脚 ±75嘛 P D.静止空气中的功率耗散, SOIC封装? TSSOP封 装? 500 450毫瓦 T STG储存温度 - 65至+ 150 _C T L引线温度,距壳体1毫米,持续10 秒 (SOIC或TSSOP封装) 260 _C74hc595强调超过最大额定值74hc595可能会损坏设 备.最大额定值是压力仅限评级.不建议在推荐操作条件之上进行功能操作.长时间暴 露在高于推荐操作条件的应力下可能会影响设备74hc595可靠性. ?降额 - SOIC封 装: - 从65到125°C时为7 MW / _C TSSOP封装: - 从65_到125_C的6.1 MW / _C有 关高频或高负载考虑事项,请参阅安森美半导体高速CMOS数据手册(DL129 / D) 的第2章.推荐工作条件符号参数敏马克斯单元 V CC直流电源电压(参考GND) 2.0 6 V V IN ,V OUT 直流输入电压,输出电压 (参考GND) 0 V CC V T A.工作温 度,所有封装类型 - 55 + 125 _C T R ,T F输入上升和下降时间 V CC = 2.0 V (图1) V CC = 4.5V V CC = 6.0 V 0 0 0 1000 500 400 NS此设备包含保护防止损坏的电路由于高静态电压或电领域.但是,必 须采取预防措施被采取以避免任何应用程序电压高于最大额定值这个高阻抗电路 的电压 - CUIT. 为了正确的操作,V IN 和 V OUT 应该受到限制 范围GND V(V IN 或V OUT )V V CC .未使用的输入必须始终为绑定到适当的逻辑电压 电平(例 如,GND或V CC ).未使用的输出必须保持打开状态.74HC595中文资料第1页精选 内容:74HC595中文资料第7页精选内容: 74HC595 7功能表 手术输入结果函数重启串行输入一个转移时钟闩时钟产量启用转移寄存器内容闩 寄存器内容串行产量 SQ H平行输出 Q A - Q H复位移位寄存器大号 X X L,H, ↓ 大→号SR大N号+ 1üü大S号R Gü→将S数R 据H 移ü入移换74h档c5寄95存位器寄H存D器↑保持L,不H变,H↓X大L号,DH→,S↓R LA,; SHR,N↓ 大号 ü ü ü ü转移移位寄存器内容锁定寄存器 H X L,H,↓ ↑大号 ü SR N →LR N ü SR N锁存寄存器保持不变不变 X X X L,H,↓大号 * ü * ü启用并行输 出 X X X X大号 * ** *启用强制输出为高阻抗状态 X X X X H * ** * ? SR =移位寄存器 内容 D =数据(L,H)逻辑电平 ↑=低到高 * =取决于复位和移位时钟输入 LR =锁 存寄存器内容 U =保持不变 ↓=从高到低 ** =取决于锁存时钟74hc595输入引脚说明 I1N4)PU7T4ShcA5(95串引行脚数据输入.该引脚上的数据被移入 8位串行移位寄存器.控制输入移 位时钟(引脚11)移位寄存器时钟输入.从低到高的过渡该输74hc595入会导致串行

74hc595中文资料 (2)

74hc595中文资料 (2)

74HC595中文资料1. 引言74HC595是一款非常常用的串行输入并行输出(Serial-in Parallel-out)移位寄存器。

它具有广泛的应用场景,在数字电路设计、控制器和驱动器等领域发挥着重要作用。

本文将介绍74HC595的基本信息、功能特点、电气参数以及使用方法。

2. 产品概述74HC595是一款8位移位寄存器,它采用了串行输入、并行输出的方式。

它具有以下主要特点:•输入端采用串行方式,输出端采用并行方式。

•支持数据级联,可以通过多个74HC595进行级联扩展输出。

•内部集成串行至并行转换电路,具有较高的工作频率。

•采用CMOS技术,具有低功耗特点。

•提供了灵活的控制引脚,可根据需要进行编程。

3. 功能特点3.1 输入输出74HC595的输入端包括以下信号线:•SER(串行数据输入):用于输入要移位的数据。

•SRCLK(移位寄存器时钟):用于触发数据移位操作。

•RCLK(存储寄存器时钟):用于将移位寄存器的数据更新到并行输出。

•OE(输出使能):控制并行输出的使能与禁止。

输出端包括以下信号线:•Qa-Qh(并行输出):共8个输出引脚,用于输出存储在移位寄存器中的数据。

3.2 数据级联74HC595支持数据级联,可以通过多个74HC595进行级联扩展输出。

在级联模式下,从第一个74HC595的SER引脚输入的数据,经过多级移位后,最终在最后一个74HC595的并行输出引脚上显示。

3.3 时序控制通过控制时钟信号的触发,可以实现74HC595的不同工作状态。

具体的时序控制包括以下几个方面:•数据移位时钟:通过SRCLK信号触发,将SER输入的数据逐位移入移位寄存器。

•数据存储时钟:通过RCLK信号触发,将移位寄存器中的数据存入存储器,并行输出。

•输出使能控制:通过OE信号控制,并行输出的使能与禁止。

4. 电气参数以下是74HC595的一些重要电气参数:•工作电源:2V至6V•工作电流:20mA(典型值)•运行频率:最高68MHz•静态电流:1μA(典型值)•输出电流:±35mA(典型值)•输入电压:-0.5V至VCC+0.5V需要注意的是,以上参数仅为一般情况下的典型值,具体的应用环境和使用条件可能会有所不同。

74HC595的中文资料-主要是针对时序图

74HC595的中文资料-主要是针对时序图

74HC595的中文资料
74HC595——具有三态输出锁存功能的8位串行输入、串行/并行输出移位寄存器
本文翻译自NXP的74HC595的datasheet
74HC595和74HCT595是带有存储寄存器和三态输出的8位串行移位寄存器,移位寄存器和存储寄存器有各自的时钟。

每当移位寄存器输入时钟SHCP上升沿来临之时,数据被移出。

每当存储寄存器输入时钟STCP上升沿来临之时,数据并行的存储到存储寄存器。

如果两个时钟上升沿同时到来,移位寄存器总是要比存储寄存器的提前一个时钟。

移位寄存器有一个串行出入(DS)和一个串行标准输出(Q7S)。

同时也提供一个异步复位端(低电平有效),存储寄存器有一个8位3态总线输出。

输出使能(OE)为低电平时,存储寄存器的值就输出。

下面是一个功能框图,有利于理解:
接着是一个逻辑符号:
各引脚的的说明如下:
符号引脚描述
Q1 1 并行输出1
Q2 2 并行输出2
Q3 3 并行输出3
Q4 4 并行输出4
Q1 5 并行输出5
Q2 6 并行输出6
Q3 7 并行输出7
GND 8 接地
Q7S 9 串行数据输出
MR 10 (master reset)复位-低电平有效
SHCP 11 移位寄存器输入时钟(shift register clock iuput)STCP 12 存储寄存器输入时钟(storage register clock iuput)OE 13 输出使能(地电位有效)
DS 14 串行数据输出输入
Q0 15 并行数据输出0
Vcc 16 电源
功能表如下:
时序图:。

74HC595的中文资料

74HC595的中文资料

74HC595 的中文资料
74HC595 具有三态输出锁存功能的8 位串行输入、串行/并行输出移位寄存器
本文翻译自NXP 的74HC595 的datasheet
74HC595 和74HCT595 是带有存储寄存器和三态输出的8 位串行移位寄存器,移位寄存器和存储寄存器有各自的时钟。

每当移位寄存器输入时钟SHCP 上升沿来临之时,数据被移出。

每当存储寄存器输入时钟STCP 上升沿来临之时,数据并行的存储到存储寄存器。

如果两个时钟上升沿同时到来,移位寄存器总是要比存储寄存器的提前一个时钟。

移位寄存器有一个串行出入(DS)和一个串行标准输出(Q7S)。

同时也提供一个异步复位端(低电平有效),存储寄存器有一个8 位3 态总线输出。

输出使能(OE)为低电平时,存储寄存器的值就输出。

下面是一个功能框图,有利于理解:
接着是一个逻辑符号:。

74HC595中文芯片手册

74HC595中文芯片手册

74HC5958位移位寄存器与输出锁存器功能描述这种高速移位寄存器采用先进的硅栅CMOS技术。

该装置具有高的抗干扰性和标准CMOS集成电路的低功率消耗,以及用于驱动15个LS-TTL负载的能力。

此装置包含馈送一个8位D型存储寄存器的8位串行入,并行出移位寄存器。

存储寄存器具有8 TRI-STATE e输出。

提供了用于两个移位寄存器和存储寄存器独立的时钟。

移位寄存器有直接首要明确,串行输入和串行输出(标准)引脚级联。

两个移位寄存器和存储寄存器的使用正边沿触发的时钟。

如果两个时钟被连接在一起时,移位寄存器的状态将总是提前存储寄存器的一个时钟脉冲。

该54HC/74HC逻辑系列就是速度,功能和引脚输出与标准54LS/74LS逻辑系列兼容。

所有输入免受损害,由于静电放电由内部二极管钳位到VCC和地面。

产品特点1低静态电流:80 mA最大值(74HC系列)2低输入电流为1mA最大38位串行输入,并行出移位寄存器以存储4宽工作电压范围:2V ± 6V5级联6移位寄存器直接明确7保证移频率:DC至30兆赫TL/F/5342-1Top ViewOrder Number MM54HC5S5 or MM74HC595DuaHn-Line Package RCK SCK SCLR G FunctionX X X H Q A thruQH = TRI-STATEXXLLShift Register cleared Q H -O XTH L Shift Register clockedC)N = Qnd ,Qo = SERTXHLCon tents of Shift Register transferred to output latchesOperating ConditionsSupply Voltage (V QC ) -0.5 to +7.0V DC Input Voltage (V IM ) -1.5 toV C c+15V DC OutpiX Voltage (V OUT )-0.5 toVcc+0.5VClamp Diode Current (I IK . I(X ) ±20 mADC Output Current, per pin (lour) ±35 mA DC Vcc or GND Current, per pin (Icc) ±70 mA Storage Temperature Range (T STG ) -65"Cto+15(rCPower Dissipation (P Q )(Note 3)600 mW S.O. Package only500 mW Lead Temp. (TO (Sobering 10 seconds)2«TCMin Max UnitsSupply Voltage (Vcc) 2 6 V DC Input or Outpu* Voltage 0VccV(Vw. VOUT ) Operating Temp. Range (T A )MM74HC -40 +85 •c MM54HC -55+ 125•c Input Rise or Fall TimesVOC-20V 1000 ns V QC -4.5V 500 ns Vcc-6.0V400nsAbsolute Maximum Ratings(Notes 1&2) IfMilitary/Aerospace specified devices are required, please contact the National Semiconductor Sales Office/Distributors for availability and specifications ・DC Electrical Characteristics (Note 4)Physical Dimensions inches (millimeters) TYPTYP1:-U0.005 [0.151 MIN TYP 0.01810.003 TYP(0.46 ±0.08] ,,r^20:0.060np0.10010.010 Tvp(2.54 10.25] 0.200 【$•08] MAX HP0.037*0.005 TYP (0.94 f 0.13] ITr0.055 1 [1.40 t0.125-0.200 TYP 13.18-5.08] TYP0.080 g■ 12.03] MAXF BOTH ENDS ,15Q MM GLASS SEALANTTVPp 257-M3f95° 仝 5。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

X X 注:
X X
H L L L
L H H H
X H X X
L Q6S NC Q6S
Z NC QnS QnS
清空移位寄存器,并行输出高阻态 移位寄存器数据分别移动一位; 第 6 位数据 移入 Q7S 移位寄存器的内容传给存储寄存器并输出 移位寄存器的所有数据移动一位; 移位寄存 器中的所有数据转入存储寄存器并输出
7. 8. 9. 10. 11. 12. 13.
1 / 15
科技效法自然 中为电科
74HC595;74HCT595
8 位串行输入,串行或并行输出移位寄存器,输出具有锁存、三态功能
1. 简介
74HC595、 74HCT595 是一款高速硅栅 (Si‐gate) COMS 器件, 并且与低压肖特基 TTL (LSTTL) 兼容。它们符合 JEDEC 7A 号文件标准。 74HC595、74HCT595 是一个 8 位串行并且带有存储寄存器和三态输出的移位寄存器, 存储寄存器和移位寄存器同步于不同的时钟。 数据在移位寄存器时钟(SHCP)的正跳变下移动,在存储寄存器时钟(STCP)的正跳 变下数据由移位寄存器转存到存储寄存器。假如 SHCP 和 STCP 被连在一起,移位寄存器将 总是超前于存储寄存器一个时钟脉冲。 移位寄存器有一个串行输入端(DS) ,还有一个用于级联的串行输出端。8 位移位寄存 器可以异步复位 (低电平复位) 。 存储寄存器有一个 8 位三态并行输出端。 当输出使能端 (OE) 被使能(低有效)数据将从存储寄存器中输出至器件引脚。
4 / 15
科技效法自然 中为电科
6. 引脚定义
6.1 引脚图
图 4 引脚定义 6.2 引脚描述 符号 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 GND Q7S MR SHCP STCP OE DS Q0 Vcc 引脚号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 地(0V) 数据串行输出 复位(低有效) 移位寄存器时钟(输入) 存储寄存器时钟(输入) 输出使能(低有效) 数据串行输入 数据并行输出 0 电源 数据并行输出 1 ~ 7 描述
目录 录
1. 2. 3. 4. 5. 6. 简介 ............................... .............................................................. ............................................... 2 特性和优点 点.................... .............................................................. ............................................... 2 应用 ............................... .............................................................. ............................................... 2 订购信息 ....................... .............................................................. ............................................... 3 功能框图 ....................... .............................................................. ............................................... 3 引脚定义 ....................... .............................................................. ............................................... 5 6.1 引脚图 .................... .............................................................. ............................................... 5 6.2 引脚描述 述 ................. .............................................................. ............................................... 5 功能描述 ....................... .............................................................. ............................................... 5 最大值 ........................... .............................................................. ............................................... 6 推荐操作条 条件................ .............................................................. ............................................... 7 静态特性 ....................... .............................................................. ............................................... 7 封装 ............................... .............................................................. ............................................. 10 参考文献 ....................... .............................................................. ............................................. 15 声明 ............................... .............................................................. ............................................. 15
10.静态特性
推荐操作条件,电压参考至地(GND = 0V) 符号 参数 74HC595 Vih 高电平输入电压 Vcc=2V Vcc=4.5V Vcc=6V Vil 低电平输入电压 Vcc=2V Vcc=4.5V Vcc=6V Voh 高电平输出电压 Vi=Vih/Vil 所有输出 Io=‐20uA; 1.9 Vcc=2V Io=‐20uA; 4.4 Vcc=4.5V Io=‐20uA; 5.9 Vcc=6V Q7S 输出 Io=‐4mA; 3.84 Vcc=4.5V Io=‐5.2mA ;Vcc=2V
最小值 ‐0.5 — — — — — —
最大值 +7 ±20 ±20 — ±25 ±35 70
单位 V mA mA — mA mA mA
供电电流

6 / 15 d Tstg Ptot
地电流 存储温度 总功率 DIP16 封装 SO16 封装 SSOP16 封装 TSSOP 封装 DHVQFN16 封装
2. 特性和优点
8 位串行输入 8 位串行或并行输出 三态输出的存储寄存器 移位寄存器直接清空 100MHz(典型值)移位输出频率 HBM(人体模型) JESD22‐A114F 2KV 以上 MM(机器模型) JESD‐A115‐A 0.2KV 以上 多种封装 ‐ 40℃ ~ + 80℃,‐ 40℃ ~ + 125℃不同温度等级
科技效法自然 中为 为电科
74H HC595/7 74HCT595 数据手 手册
==== =========== =========== ============ =========== =========== ====================== ==== Date e:2014‐8‐2 Reve ersion:1.0 Author:eco QQ:2970 E‐ma ai:zhongwe eidianzikeji@ 0904654 ==== =========== =========== ============ =========== =========== ====================== ====
H = 高电平 L = 低电平 X = 不关心 Z = 高阻态 NC = 没变化 = 低到高转变
图 5 时序图
8. 最大值
根据最大值标准(IEC 60134)电压参考到地(GND = 0V) 符号 Vcc Iik Iok Io 参数 供电电压 输入钳位电流 输出钳位电流 输出电流 条件 — Vi<‐0.5V or Vi>Vcc+0.5V Vo<0.5V or Vo>Vcc+0.5V Vo=0.5V to (VCC+0.5V) Q7S 引脚 Qn 引脚 Icc
相关文档
最新文档