五邑大学模电2011-2012(2)模拟电子技术基础A(答案)

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模拟电子技术基础课后答案(共10篇)

模拟电子技术根底课后答案(共10篇)模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,单项选择题:1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕A.增加一倍B.不变C.减少一半D.减少一倍2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).A.夹断电压VpB.开启电压ViC.低频互(跨)导gmD.饱和漏电流IDss3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.A.选频正反应B.选频负反应C.放大负反应D.稳幅正反应4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.A.电流串联负反应B.电压串联负反应C.电流并联负反应D.电压并联负反应5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.已损坏多项选择题:1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.02.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔〕A.错误B.正确5.正弦振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的负反应放大电路.〔〕A.错误B.正确6.反相比例运算电路引入的是负反应,同相比例运算电路引入的是正反应.〔〕A.错误B.正确7.电流负反应可以稳定输出电流,电压反应可以稳定输出电压.( )A.错误B.正确2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔BCD 〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔ABD 〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔CD 〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔AD 〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔A 〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔B 〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔A 〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔A 〕A.错误B.正确模拟电子技术根底课后答案〔三〕: 有没有《电工与电子技术根底》主编毕淑娥的课后练习答案我有不齐全的模拟电子技术根底课后答案〔四〕: 模拟电子技术根底题,1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值才有导通电流,否那么处于〔〕状态.A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,那么三个电极分别是〔〕,该管是〔〕型.A、〔B、C、E〕 B、〔C、B、E〕 C、〔E、C、B〕D、〔NPN〕E、〔PNP〕3、对功率放大器的要求主要是〔〕、〔〕.A、Uo高B、Po大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小很简单.1、B；C；F；2、C；D；3、B、E4、B、E；5、B、E〔重复了〕模拟电子技术根底课后答案〔五〕: 模拟电子技术晶体管放大电路问题来自课本,《模拟电子技术根底》第四版华成英童诗白主编1.第96页中图2.3.13〔d〕中1/h22〔即rce〕的电流方向如何请看97页式〔2.3.7b〕是不是可以判断.2.再看第103页图2.2.5〔a〕,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾3.再看第194页图4.2.10〔b〕中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.请问rce中的电流方向到底如何谢谢requis能答复得这么详细,不过对你的答复我有些疑问,以下为疑问和我的理解：1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13〔c〕中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13〔c〕中的负载线上直观的看到ic增大〔相当于dic为正〕,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明：Ic与rce电流相反.2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问：如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释.我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.形象的说,如果ib＝0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1／h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一局部.这点在97页的h参数方程中,ic＝h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导〞.2问：没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,〞也没找到,略过.3问：rce1与1／h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4．2．10b中,或公式4．2．15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4．2．10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc 电阻,使实用电路的交流模型能够与图2．3．13d一致〔2．3．13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚〕.所以实际上4．2．15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔六〕: 关于PN结的问题《模拟电子技术根底》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N 指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的自由电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——自由电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合模拟电子技术根底课后答案〔七〕: 某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应A．(A) 电压串联B．(B) 电压并联C．(C) 电流串联D．(D) 电流并联这是注册电气工程师考试的一道真题,按照一本参考书的理论解释所选答案绝非网上流传的答案,请高手帮助看看哪个才是正确答案,劳烦说明理由.1、要稳定电流,必须用电流反应.2、信号源内阻很大,可以把它视作一个恒流源,可以通过减小放大电路的输入电阻,以使得电路获得更大输入电流,应该使用并联反应.所以D是正确答案.这个题目你可以参考,童诗白的《模拟电子技术根底》第四版,P292页,写得非常清楚.前面的朋友答复的结果不准确.【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔八〕: 电路与模拟电子的简单问题求解判断〔1〕半导体三极管的集电极电流仅由多数载流子的扩散运动形成。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u与u O的波形，并标出幅值。

i图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。

试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。

图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

五邑大学模拟电子技术基础卷A参考答案

命题人: 廖惜春试卷分类(A 卷或B 卷 A五邑大学试卷学期: 2006 至 2007 学年度第二学期课程: 低频电子线路专业: 班级:姓名: 学号:一、选择题 (共7分1.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( CA.掺杂工艺B.杂质浓度C.温度D.晶体缺陷 2.如图A 所示电路由理想二极管组成,其输出电压o u 为( D A.+12V B.+6V C.+3V D. 0V3.若要求提高多级放大器的输入电阻并稳定输出电压,则应当选用( AA.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈4.在某放大电路中,测得三极管三个极的静态电位分别为0V 、-10V 、-9.3V ,则这只三极管为( AA. NPN 型硅管B. NPN 型锗管C. PNP 型硅管D. PNP 型锗管 5. FET 的电流由( A 组成,故称为( D 。

它是通过改变( G来改变漏极电流的。

A. 多子;B. 少子;C. 两种载流子;D. 单极型;E.双极型;F. 栅极电流; G . 栅源电压; H 漏源电压二、填空题 (共13分6. 在差分放大电路中,大小相等、相位相同的两个输入信号称为信号共模输入信号 ;大小相等、相位相反的两个输入信号称为差模输入信号信号。

7桥式整流电容滤波电路是一种将正弦交流电压转换为直流电压的变换电路。

8.若电源变压器副边电压的有效值为2U ,,则半波整流无滤波电容、有负载时的输出电压约为245.0U ;桥式整流有滤波电容、有负载时的输出电压约为22.1U 。

图 A⋅⋅⋅=±=+,2,1,0 π2F A n n ϕϕ ;振荡器起振的幅度条件是 1>AF ,相位条件是⋅⋅⋅=±=+,2,1,0 π2F A n n ϕϕ。

10. 乙类互补对称低频功率放大器存在交越失真,应调整电路结构使其工作在甲乙类。

11. 要使放大器的输入电阻和输出电阻均提高,应采用电流串联负反馈。

(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案

模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。

模拟电子技术基础试卷(含答案)

电路与电子技术基础复习资料一、填空（25分）1．二极管最主要的特性是。

2．三极管是控制型器件，而场效应管是控制型器件。

3．射极输出器具有______________恒小于1、接近于1，______________ 和__________同相，并具有_____________高和_______________低的特点。

5．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V，经过电容滤波后为________V二极管所承受的最大反向电压为 V。

6、在门电路中，最基本的三种门电路是门门和门。

7．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为时序电路和时序电路。

8. 逻辑代数又称为代数。

最基本的逻辑关系有、、三种。

9、T触发器的特征方程为，JK触发器的特征方程为。

10、二进制码11000101表示的十进制数为，相应的8421BCD码为。

二、单项选择题（每小题 2分，总共20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为（）。

A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。

A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。

A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．效率高 D．无交越失真5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。

A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。

A7.同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者。

A.没有触发器B.没有统一的时钟脉冲控制C.没有稳定状态D.输出只与内部状态有关8. 基本RS触发器的原始状态Qn为“0”态，只要SD来负脉冲触发，就会使触发器。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）

（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。

a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。

a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。

a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。

五邑大学2012-2013学年二学期模拟电子技术基础期末考试试卷(A卷)答案

2．限幅电路中应加限流电阻R。

正确电路如图所示。

u IO四、填空题（1小题，共8分）1、1.（同相输入）过零比较器2.积分器3.窗口（或双限）比较器五、非客观题（6小题，共65分）1、1．I BQ≈60μA2．作直流负载线如图所示，I CQ≈6mAU CEQ≈6V010V I CEQ3．作交流负载线，U om ＋≈4.5V ，U om －≈U CEQ －U CES ≈5.5V ，取U om ＝U om＋＝4.5V2、AD3、e 、c 对地交流电压为同相。

波形图如下：4、1．35b ZBEQ CC BQ ≈--=R U U V I μAmA 75.1 BQ CQ ≈=I βIV 2.4Z c CQ CC CEQ ≈--=U R I V U 2．.3．()Ω≈++='843 1EQT b b be I U βr r 119bec -≈-=r R A u β Ω≈=840//be b i r R R Ω==k 2c o R R4．57b BEQCC BQ ≈-=R U V I μA （或 53b D BEQ CC BQ ≈--=R U U V I μA ）mA 8.2CQ ≈I ，V 4.6CEQ ≈UuA 增大，R i 减小，R o 不变5、1．1012I O -=-=R R u uV u I2．O u 波形图s u O V6、1．5.2143i om =+==R R U U A u V 8.25.22V102mom i ≈⨯==u A UU2．4321//R R R R =+ Ω=-=k 50)//(2431R R R R 3．Hz 32π2111L ≈=R C f。

模拟电子技术第五版基础习题与解答

模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的学习中，模拟电子技术无疑是一座重要的基石。

而对于学习模拟电子技术的同学来说，通过基础习题的练习和正确的解答来加深对知识的理解和掌握是至关重要的。

首先，让我们来谈谈模拟电子技术的一些基本概念。

模拟电子技术主要研究的是连续变化的电信号，例如电压和电流。

它涉及到半导体器件，如二极管、三极管等，以及由这些器件组成的各种电路，如放大器、滤波器、振荡器等。

在基础习题中，经常会出现关于二极管的问题。

二极管是一种最简单的半导体器件，但它的特性却非常重要。

例如，会让我们计算二极管在不同的电路中的导通和截止状态，或者分析其在整流电路中的作用。

就拿一个简单的二极管整流电路来说，假设输入是一个正弦交流电压，我们需要判断在正半周和负半周二极管的导通情况，从而得出输出电压的波形。

在正半周，二极管导通，电流可以通过；在负半周，二极管截止，没有电流流过。

通过这样的分析，我们就能理解二极管是如何将交流信号转换为直流信号的。

三极管也是模拟电子技术中的核心器件之一。

习题中可能会涉及三极管的放大作用、输入输出特性曲线的理解，以及三极管组成的共射、共集、共基三种基本放大电路的分析。

比如说，在共射放大电路中，我们要考虑三极管的静态工作点设置是否合适，以及输入信号在不同频率下的放大情况。

这就需要我们熟练掌握三极管的工作原理和相关的电路分析方法。

还有一类常见的习题是关于集成运算放大器的。

集成运算放大器具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特点，广泛应用于各种模拟电路中。

在习题中，可能会让我们设计一个基于集成运算放大器的加法器、减法器或者积分器、微分器等。

要完成这些设计，就必须清楚集成运算放大器的“虚短”和“虚断”概念，以及各种运算电路的基本结构和工作原理。

再来说说滤波器，这也是模拟电子技术中的重要内容。

滤波器可以分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。

习题可能会要求我们根据给定的技术指标，设计相应的滤波器电路，并计算其参数。

模拟电子技术基础试卷及答案Word版

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是单向导电性。

2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。

3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O0 ；若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90V 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。

5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。

6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。

7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。

二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。

五邑大学光电子技术试题和答案1

五邑大学试卷答案命题人：李阳审核人：试卷分类（A卷或B卷）B学期：2011至2012学年度第1学期课程：光电子技术课程代号：010A1860（30分，每小题3分）零1分。

2、常见的固体激光器有红宝石激光器、钕激光器或钛宝石激光器 1.5分（写出两种），常见的气体激光器有He-Ne激光器、CO激光器或Ar+激光器 1.5分（写出两2种）。

3、电致折射率变化是指晶体介质的介电系数与晶体中的电荷分布有关，当晶体被施加电场后，将引起束缚电荷的重新分布，并导致离子晶格的微小形变，从而引起介电系数的变化，并最终导致晶体折射率变化的现象。

3分4、光纤色散的主要危害是使脉冲信号展宽，限制了光纤的带宽或传输容量；1.5分多模光纤的色散主要有模色散、材料色散、波导色散。

1.5分5、光束扫描根据其应用的目的来可以分为模拟式扫描和数字式扫描2分两种；前者主要应用各种显示 1.5分后者主要应用于光存储 1.5分6、在电光调制器中，为了得到线性调制，在调制器中插入一个λ/4波片，波片的轴向取向为快慢轴与晶体的主轴x成45︒角3分时最好。

7、单片硅光电池的开路电压约为0.45～0.6V 1.5分，短路电流密度约为150～300A/m21.5分。

8、光子效应是指指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应1.5分，其主要特点有：对光波频率表现出选择性，响应速度一般比较快。

1.5分9、固体摄像器件主要有三大类，它们是电荷耦合器件、互补金属氧化物半导体图像传感器、电荷注入器件3分。

10、液晶是液态晶体的简称；1分，热致液晶可以分为近晶相、向列相和胆甾相三种2分二、问答题（50分，每小题10分）1、简述激光产生的条件、激光器的组成及各组成部分的作用。

（10分）得分必要条件：粒子数反转分布和减少振荡模式数。

2分充分条件：起振——阈值条件：激光在谐振腔内的增益要大于损耗。

1分稳定振荡条件——增益饱和效应（形成稳定激光）。

1分组成：工作物质、泵浦源、谐振腔。

11模电考题试卷答案

诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学广州汽车学院---- 2011-2012学年第二学期期末考试《模拟电子技术》试卷(A 卷)注意事项：1. 考前请将密封线内填写清楚； 2. 所有答案请直接答在试卷上； 3．考试形式：闭卷；4. 本试卷共三大题，满分100分，考试时间120分钟。

一、（6分）分析计算题1. 如图所示：D 导通时V D =0.7v 问：( 1) V=5V 时二极管中的直流电流为多少？(2.) 若输入电压的有效值为5mV ，此时二极管中的交流电流各为多少？2 （6分）如图中所示，稳压管的技术参数:如下：Uz=6V , I Zmin =5mA, I Zmax =25mA,，输入电压U 1=10V 负载 R L =600 ._____________ ________图题2求限流电阻R 的取值范围。

3. （8分）已知电路如图（1）. 分别分析u I =0V 、5V 时T 是工作在截止状态还是导通状态；（2）. 已知T 导通时的U BE ＝0.7V ，若u I =5V ，则β在什么范围内T 处于放大状态? 在什么范围内T 处于饱和状态？截止导通题图3临界饱和时，，小于56，放大，＞56，饱和56BCm ax≈=i i βu oU V V U U U Z R 4)610(1=-=-=L D R I I I Z +=mA A A I U I L Z L 1001.06006====mAI R )35~15(=Ω≈Ω⨯==-227101543min max R R I U RΩ≈Ω⨯==-114354103m ax m in R U R R μA 43mA 1007.05(b BE I B =-=-=R U u i mA4.2mA )512(c CC Cmax ===R V i4.（7分）已知电路如图4.1，其中管子的静态工作点改变如图4.2图4.1图4.2（1）. 在什么参数、如何变化时Q 1→ Q 2 → Q 3 → Q 4？（2）. 从输出电压上看，哪个Q 点下最易产生截止失真？哪个Q 点下最易产生饱和失真？哪个Q 点下U om 最大？答案：（1）Q1、Q2在同一条输出特性曲线上，但不在同一条输出负载线上判断：Rb 、VBB 无变化，RC 有变化，RC 减小。

西南交1112考试批次模拟电子技术基础A习题与参考答案

模拟电子技术基础A第1次作业本次作业是本门课程本学期的第1次作业，注释如下：一、单项选择题(只有一个选项正确，共10道小题)1. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。

(A) 带负电(B) 带正电(C) 不带电正确答案：C解答参考：2.电路如图所示，二极管 D、D 为理想元件，判断 D、D的工作状态为（）。

(A)(B)(C)(D)正确答案：A解答参考：3.电路如图所示，RF 引入的反馈为 ( ) 。

(A) 串联电流负反馈(B) 串联电压负反馈(C) 并联电流负反馈(D) 并联电压负反馈正确答案：C解答参考：4. 自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置，此装置之所以能输出信号是因为（）。

(A) 有外加输入信号(B) 满足了自激振荡条件(C) 先施加输入信号激励振荡起来，后去掉输入信号正确答案：B解答参考：5.电路如图所示，二极管为理想元件，ui=6sint V，U=3V，当t =π/2瞬间，输出电压 uO 等于（）。

(A) 0 V(B) 6 V(C) 3 V正确答案：B解答参考：6. 电容滤波器的滤波原理是根据电路状态改变时，其（）。

(A) 电容的数值不能跃变(B) 通过电容的电流不能跃变(C) 电容的端电压不能跃变正确答案：A解答参考：7.放大电路如图所示，其中的晶体管工作在( )。

(A) 放大区(B) 饱和区(C) 截止区正确答案：B解答参考：8.整流电路如图所示，输出电流平均值I0=50mA，则流过二极管的电流平均值I D是（）。

(A) I D=50mA(B) I D=25mA(C) I D=12.5mA正确答案：B解答参考：9.直流电源电路如图所示，用虚线将它分成四个部分，其中滤波环节是指图中（）。

(A) (1)(B) (2)(C) (3)(D) (4)正确答案：C解答参考：10. 单相半波整流、电容滤波电路中，设变压器副边电压有效值为U2，则通常取输出电压平均值U0等于（）。

电子科技大学模电试卷A卷(2011-12)答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学2011-2012学年第一学期期末考试A 卷课程名称：模拟电路和脉冲电路基础考试形式：闭卷考试日期：2012年1月11日考试时长：120分钟课程成绩构成：平时20 %，期中20 %，实验0 %，期末60 %本试卷试题由三部分构成，共5 页。

一、简答题（共30分，共6题，每题5分）1、简述常用的电压放大器与功率放大器的不同点？1）任务不同：电压放大—不失真地提高输入信号的幅度，以驱动后面的功率放大级，通常工作在小信号状态。

（2分）功率放大—信号不失真或轻度失真的条件下提高输出功率，通常工作在大信号状态。

（2分）2）分析方法不同：电压放大—采用微变等效电路法和图解法;功率放大—图解法。

（1分）2、简述引入负反馈改善波形失真的原因？失真的反馈信号（1分），使净输入产生相反的失真（2分），从而弥补了放大电路本身的非线性失真。

（2分）3、什么叫脉冲电路？简述脉冲电路构成和常见脉冲电路？脉冲电路是用来产生和处理脉冲信号的电路。

（1分）脉冲电路可以用分立晶体管、场效应管作为开关和RC或RL电路构成，也可以由集成门电路或集成运算放大器和RC充、放电电路构成。

（2分）常用的有脉冲波形的产生、变换、整形等电路，如双稳态触发器、单稳态触发器、自激多谐振荡器、射极耦合双稳态触发器（施密特电路）及锯齿波电路。

（2分）………密………封………线………以………内………答………题………无………效……4、一般地，CE 、CC 和CB 晶体管基本放大电路的带宽哪个最小？哪个最大？一般地，基本的BJT 共射放大器的带宽最小（2分），共集放大器的带宽最大（3分）。

5、简述乙类互补对称电路交越失真产生的原因，如何进行克服？当输入信号vi 在0~V BE 之间变化时，不足以克服死区电压，三极管不工作。

因此在正、负半周交替过零处会出现一些非线性失真，这个失真称为交越失真。

模拟电子技术基础-五邑大学

附件2《低频电子线路》教学大纲课程英文名称：Low Frequency Electronics Technique Fundamentals 课程编号：005A1630 学时：56＋16（实验）学分：4.0一、课程教学对象（宋体小三号字）低频电子线路（又称模拟电子技术基础、电子线路基础等）是电子信息与通信类、电气工程及自动化类、自动控制类、仪器仪表类以及计算机应用类等专业的重要技术基础课。

是信息学院教学平台的重要必修课程之一。

本课程教学对象为五邑大学信息学院：电子信息工程、通信工程、电气工程及其自动化、自动化、交通控制工程、计算机应用工程、软件工程等专业的本科学生。

二、课程性质、目的和任务（宋体小三号字）本课程是五邑大学信息学院各专业本科学生必修的重要专业技术基础课程之一。

该课程包括理论教学(56学时)和实践教学(16学时)两个环节。

本课程的作用与任务是：使学生获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。

通过理论课的教学，学生应了解半导体器件的结构与基本工作原理，掌握放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术。

熟悉半导体器件的外部特性与测试方法；掌握各种基本放大电路的组成、工作原理、分析方法和典型应用，注重培养学生的工程应用能力和创新精神；在学习分离元件放大电路的基础上，学习通用集成运算放大器的结构、工作原理和特点，掌握由集成运算放大器组成的各种典型基本运算电路的组成和分析方法；熟悉集成直流稳压器的应用电路。

培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术某些领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。

本课程是一门实践性较强的课程。

学生应结合理论教学的进度，通过实践教学环节的训练，进一步加深对器件特性和各种单元电路工作原理的理解，培养分析问题和解决问题的能力和实际动手能力。

初步掌握模拟低频电子线路的工程设计与测试方法，学会正确使用常用电子仪器、工具，掌握常用元器件的测试方法和电路参数的测试方法。

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命题人：项华珍审批人：试卷分类（A 卷或B 卷） A
五邑大学试卷答案
学期： 2011 至 2012 学年度第二学期课程：模拟电子技术课程代号： 005A1670
使用班级：信息工程学院2010级姓名：标准答案学号：
一、选择题（20分）（每空2分）1、功率放大电路负载上所获得的功率来源于（ C ）。

A ．输入信号 B ．功放管 C ．直流电源 2、运放中采用有源负载，是为了（ B ）。

A ．提高输入电阻
B ．增大电压放大倍数
C ．减小输入电阻 3、电压比较器工作在运放输出特性的（ B ）。

A ．线性区 B ．非线性区 C ．截止区
4、理想运放在深度负反馈时工作于线性区，具有虚断、虚短特性，表现为（ C ）。

A ．-+=i i 、-+=u u B ．-+=i i 、0==-+u u C ．0==-+i i 、-+=u u
5、为了抑制直接耦合时的零点漂移，集成运算放大的输入级一般采用（ A ）。

A ．差分放大电路 B ．其集电极电路 C ．共发射极电路
6、场效应管的输出漏极电流受输入栅源电压的控制，故其为（ A ）。

A ．电压控制器件
B ．电流控制器件
C ．电阻控制器件
7、由NPN 管组成的单级共射放大电路中，当静态工作点过高时，首先出现（ A ）。

A ．饱和失真 B ．截止失真 C ．线性失真 8、共集电路常常作为多级放大电路的输出级，是因为其（ A ）。

A ．输出电阻小 B ．输出电阻大 C ．输入电阻大 9、双极性三极管作为恒流源使用时，管子工作在输出特性的（ A ）。

A ．放大区 B ．饱和区 C ．截止区
10、双极性三极管的温度特性差，是因为（ A ）浓度受温度影响。

二、基本分析计算题（19分）
1、（3分）电路如图所示。

已知V 5.3=i u ，发光二极管的正常工作电压为1.5V ，发光二极管正常工作的电流为10~25mA ，求电阻R 取值范围？
解：Ω=-=-=
200~8025
~105
.15.3D i I U u R
2、（5分）OCL 互补对称功率放大电路如图所示，Ω=8L R ，三极管的饱和压降V 0ces =U 。

（1）功放管工作于何种状态（甲类、乙类、甲乙类）？（2）电路的最大不失真输出功率为多少？
解：（1）乙类（2）W 48
282)(2L 2CES CC om
=⨯=-=R U U P
3、
（5分）文氏电桥RC 振荡电路如图所示。

（1）为了电路满足振荡的相位条件，请标出运放的同相、反相输入端；（2）要使电路满足起振幅值条件，电路参数应R r 、R 1满足什么条件？
解：（1）A 的上端为同相、下端为反相输入端。

（2）311
t u >+=R R
A
1t 2R R >
4、
（6分）两级放大电路如图所示。

为了降低输入电阻、稳定输出电流，应该接入何种反馈？如何将反馈支路f R 、f C 连接,并在图中画出）。

解：应接并联电流负反馈。

将反馈支路的左边连在T1的基极，右边连T2的发射极。

o
f
R f
C o
R
∙
F
三、（9分）
电路如图所示，已知t u 314sin 2102=V 。

（1）输出电压U o1为多少？画出其大致波形o1u 。

（2）如果电容C 断开，输出电压U o2为多少？画出此时输出电压o2u 的大致波形（3）如果有一个整流二极管D 2断开，同时C 断开，输出电压U o3为多少？画出此时输出电压o3u 的大致波形。

解：（1）U o1＝1.2U 2
（2） U o2＝0.9U 2
（3）U o3＝0.45U 2
四、（15分）
电路如图所示。

电路参数均已知，C 1、C 2、C 3可视为交流短路。

要求：（1）计算电路的静态工作点（C I 、CE U ）；（2）画出电路的微变等效电路；（3）求放大器的输入电阻R i 、输出电阻R o ；（4）求电压增益∙
∙
∙
=i o u U U A 。

解：（1）CC b2b1b2B U R R R R U ++=
，e
BE
B C R U U I -=，
)(e c C CC CE R R I U U +
-=
（2）图略
（3）C
be 26
)
1(200I r β++= ])1(//[//e be b2b1
i R r R R R β++=，c o R R =
（4）e
be L c u )1()
//(R r R R A ββ++-
=∙
L
R t
t
u u u
五、（9分）
如图所示共源极放大电路中，电路参数均已知。

（1
）画出电路的微变等效电路；（2）求电压放大倍数∙
u A 、输入电阻i R 和输出电阻0R 。

解：（1）图略（2）2
m L D m u 1)
//(R g R R g A +-
=∙
G2G1i //R R R =，D o R R =
六、（10分）如图所示电路中，运算放大器均为理想的。

写出o1u 、o2u 、o u 的表达式。

解：i11
3o1
)1(u R R
u +=
i2o2u u -=
o14
7o256647o )1(u R R u R R R R R u -++
=
七、（8分）
如图所示反馈放大电路，由R f 、C f 构成的为电流串联负反馈，试在深度负反馈条件下，计算反馈系数∙
F 和闭环电压增益∙
uf A 。

解：
4
c2f
747
f
R I R R R R U ⋅++= ==c2f r I U F Ω=⋅++k 1814f 747R R R R R mS F U I U I A 181r
f c2i c2gf ==≈=
275.118)//()//(L 6gf f
L 6c2i o uf -=⨯-=-=-==R R A U R R I U U A
八、（10分）
差分电路如图所示。

已知V 12CC =U ，Ω=k 10b R 、Ω=k 20c R ，mA I 4.0=，100=β，V 6.0BE =U ，Ω=200bb'r 。

（1）试估算静态电流1C I 、2C I 及两管集电极电位1C U 、2C U ；
（2）当mV 041=i u 、2i u 接地时，电路的共模输入电压、差模输入电压是多少？（3）电路的共模输出电压和差模输出电压各为多少？
解：（1）mA I I I 2.02
12C
1C ===
V 8c C1C 2C 1C =-==R I U U U C
（2）mV 022
i2i1ic =+=u
u u
mV 04i2i1=-=u u u id
（3）0oc =u
Ω=++=k 2.1326
)1(200C1
be I r β 2.86be
b c
ud -=+-
=r R R A β
V 448.3id ud od -==u A u。