器件培训讲义01 (2)知识课件

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电极
晶界层
ZnO晶粒
氧化锌压敏电阻器的微观结构
氧化锌晶粒的电阻率很 低,而晶界层的电阻率很高, 相邻两个晶粒之间形成一个 压敏单元。每个单元的击穿 电压大概是3.5V。在压敏电 阻器内许许多多这样的单元 进行串联和并联便构成了压 敏电阻器的基体。
串联的单元越多,其击 穿的电压就越高;基体的横 截面积越大,其通流容量也 越大。
(1)工作原理(电磁感应原理) CT一次绕组串联在电路中,且其匝数很少,电流完全取决于电路中的
负荷电流,而与二次负荷无关。
(2)作用
a. 大电流变小电流; b. 隔离作用。
(3)工作特点和要求
a. 一次绕组和高压回路串联,I 取决于高压回路电流而与二次负荷无关; b. 二次回路不允许开路,否则会产生高压危险; c. 二次回路必须有一点直接接地,防止一二次绕组绝缘击穿后产生高电
特点:线性好。
在电能表中的使用:用于温度检测电路。
107 105
电阻率 ρ(?.cm )
103
10
TC
TN
0 50 100 150 200 温度T
PTC热敏电阻器的ρ-T曲线
PTCR (Positive Temperature Coefficient of Resistance)
PTC的工作原理:
主要的电气特性参数: 直流击穿电压、冲击击穿电压、
耐冲击电流、耐工频电流能力、使用 寿命等。
如何改变以上参数? 通过改变气体种类、压力、电极
涂敷材料成分及电极间的距离来实现。
TRJ用到的防雷管有:
玻璃的:YS-301M 、SPG-301W 、YS-501M 、MM350L
陶瓷的:B5G800L 、B8G800L 、2R800L-5
TRJ用到的TVS有:
插件:SA33CA 、 SA12CA 、SA16CA 、SA5.0CA 、 P6KE22CA 、 P6KE33A 、
贴片:SMBJ5.0CA 、SMBJ6.0A 、SMBJ12A
A – 单极性 CA – 双极性
(3)防雷管---气体放电管
放电间隙
瓷管
电极
引线
激活化合物
导电带
使用时注意事项
1. 对压敏电阻器应采取保护措施,避免外界不确定因素对压敏电阻器和装 置造成损害。
2. 压敏电阻器的工作电压不应超过最大连续工作电压。
3. 在浪涌电流重复产生的应用场合,通过压敏电阻器的浪涌电流峰值和浪涌 能量不应超过脉冲寿命特性的规定。
4. 当浪涌脉冲以很短的间歇重复施加在压敏电阻器上时,应使此时的平均功 率低于最大静态功率。
10
20 30 40 50
60 70 80 90 TEMP
T e m p u ra tu re c o re ffic ie n t o f re s is ta n c e .......±.0 0 0 0 1 5 b e tw e e n 4 0 -6 0
2. 电流互感器(Current Transformer)
⑦ 额定工作电流
⑧ 测量功率
⑨ 最大电压
⑩ 最高工作温度Tmax
⑪ 开关温度Tb
PTC热敏电阻器的电阻值开始发生跃增时的温度。
⑫ 耗散系数 H:
温度增加1℃时,热敏电阻器所耗散的功率,单位为mW/ ℃。
现TRJ用到的PTC热敏电阻器有:
三宝:
① SPMZB-3(1-2KΩ)、SPMZB-3(2-3KΩ)…… ② SPMZB-4(120-250Ω)、SPMZB-4(240-300Ω)、SPMZB-4(1.6-
(5)铁心材料
a. 坡莫合金金属磁芯 有着较高的温度稳 定性和时效稳定性 。
b.微晶磁芯 较高的饱和磁感应强度(1.1~1.2T),高导磁率,低矫顽力,低损耗
及良的 稳定性,耐磨性,耐蚀性,同时具有较低的价格,在所有的金属 软 磁材料芯中具 有最佳的性价比,用于制作微晶铁芯的材料被誉为 “绿色材料".
2. 电压互感器(Voltage Transformer)
电源的组成部分
二、电源
PT C201 t 1
T1 4
Hale Waihona Puke Baidu
R V 201
Input20K 5 10
5 6
2
3
7
T rans former
D201 1N4007
U201
M C7805CT
1
ViV nout
3
D202 1N4007
GND C 2 0 3 0.1uF
1.电流互感器在运行中为什么要严防二次侧开路? 当运行中电流互感器二次侧开路后,一次侧电流仍然不
变,二次侧电流等于零,则二次电流产生的去磁磁通也消失 了。这时,一次电流全部变成励磁电流,使互感器铁芯饱和, 磁通也很高,将产生以下后果:
(1)由于磁通饱和,其二次侧将产生数千伏高压,且波形 改变,对人身和设备造成危害。
2. 温度敏感器件---热敏电阻器
温敏元件是一种将温度直接变换成电量的敏感元件,主要用于温度控制、 温度测量、温度补偿及过载保护等场合。
(1) 热敏电阻器
电阻率 ρ(?.cm)
电阻率 ρ ?(.cm )
120 100 80 60 40 20
0 -100 0 100 200 300
温度T
NTC热敏电阻器的ρ-T曲线
用于温度测量(10K)
107
105
103
10 TC 0 50 100 150 200 温度T CTR热敏电阻器的ρ-T曲线
(没用的)
NTC热敏电阻工作原理:
NTC(Negative Temperature Coefficient)
泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件,所谓NTC热敏 电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等 金属氧化物为主要材料, 采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属 氧化物材料都具有半导体性质,因为在导电方式上完全类似锗、 硅等半导体材料。温度低时,这些氧化物材料的载流子(电子 和孔穴)数目少,所以其电阻值较高;随着温度的升高,载流 子数目增加,所以电阻值降低。NTC热敏电阻器在室温下的变 化范围在10O~1000000欧姆,温度系数-2%~-6.5%。NTC热 敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等 场合。
14、20-----瓷片直径; D、K--------电压误差,D( ±5% ),K(±10%)
(2)瞬变电压抑制二极管(TVS)
TVS是一种安全保护器件,对电路中瞬间出现的浪涌电压脉 冲可起到分流嵌位作用,可有效降低由于雷电及电路中开关通断时 感性元件产生的高压脉冲,避免高压脉冲对电子设备的损坏。
5. 压敏电阻器不应靠近发热或可燃器件安装,以保证它工作在规定的工作温 度范围。
6. 压敏电阻器在使用时,应避免阳光的直接照射。
7. 避免在高温高湿条件下工作,也避免在沙尘、盐露及有害气体条件下工作。 必要时应采用保护盒进行保护。
现TRJ用到的压敏电阻器有: 西无二:14D681K 、 20K420 、20K510 、20K510ZT、20K625 成都铁达:MYN23-821K 西门子 :S20K510 、S20K420
主要技术参数:
① 标称阻值Rc(25℃)
② 实际阻值Rt
③ 材料常数B(B值越大,灵敏度越高)
④ 电阻温度系数αT
⑤ 时间常数τ :(描述热敏电阻器热惯性的参数)

无功耗的状况下,当环境温度由一个特定温度向另一个特定温度突然改
变时,热敏电阻体的温度变化了两个特定温度之差的63.2%所需的时间。
⑥ 额定功率
常见的电压敏感器件有: 压敏电阻器、瞬态电压抑制二极管(TVS)、气体放电管(防雷管)。
(1)压敏电阻器
1mA

O Uc
伏安特性曲线

工作原理:
当外加电压较低时,流过电阻的 电流很小,压敏电阻器呈高阻状态; 当外加电压达到或超过压敏电阻Uc时, 压敏电阻的阻值急剧下降并迅速导通, 其工作电流会增加几个数量级,从而 达到有效地保护电路中其他元件不会 因过压而损坏。
2
1DN2400307C 0 .210u1C 1F020002u F /3 5 VD205
D204
1N4007
1N4007
VDD
C 204 470 uF
1. 电压敏感器件
当外加电压发生一定变化时,特性参数急剧变化的元件称为电压敏感元 件。电压敏感元件常用于抑制瞬变电压,以及对半导体器件和电子设备进行 保护。
电阻率 ρ ?(.cm )
107 105
103
10
TC
TN
0 50 100 150 200 温度T
PTC热敏电阻器的ρ-T曲线
PTC热敏电阻器特性:
① 当温度低于居里点Tc时,具有半 导体特性。
② 当温度高于居里点Tc时,电阻随 温度升高而急剧增大,至Tn时 出现负阻现象。
③ 具有通电瞬间产生强大电流而后 很快衰减的特性。
约 40

约12 约3 余
约13 约5 余
电阻温度系数
α
×10-5/℃
β
×10-5/℃
<±40
-2~+2 -3~+5 -5~+10
0~0.7
0~40
0~0.7
电阻率
(Ωmm2/m)
0.44~0.5 0
0.44~0.5 0
0.40~0.4 8
延伸 率
(%) 6~15
6~15
6~15
抗拉强度
(N/mm2)


对铜势 电势
(μV/℃)
(0~100℃)
电阻年变 化率
(ppm/year)
390~ 585
≥635
-45
340~ 535
≥635
≤1
≤5 ≤20
390~ 535
≥585
≤2
锰铜分流器温度特性曲线
% C hange of resistance
+ 0 .0 4 + 0 .0 2
0 -0.02 -0.04 -0.06 -0.08 -0.10
压,但仅一点接地; d. 变换的准确性。
(4)极性判断
按减极性原则标准,即当电流通过一次和二次绕组同极性端子时,铁心 产生的磁通量同方向。
当系统中一次电流从极性端子流入时,二次电流从绕组极性端子流出。
L 1 i1 → L2
I
K1
i2 →
K2
L1
* * K1
K2 L2
电流互感器使用时注意的一些事项:
主要构成:BaTiO3陶瓷(一种典型的铁电材料),经过半 导体掺杂。
在多晶BaTiO3半导体材料的晶粒边界存在一个由表 面态引起的势垒层,在居里温度下,高阻的晶界具有铁电性, 介电常数很大,势垒高度很低,电子很容易穿过势垒,相应 的材料电阻率很小。但在居里温度以上时,高阻层发生 晶格转变,铁电性消失,介电常数急剧减小(按照居里外斯定律下降),所以势垒随之升高。随之势垒急剧增 高,电子难以越过势垒,相应材料的电阻率急剧上升。
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一般电子式电能表的结构框图
(5)
IA
(1)采样

IB
IC


VA

VB
VC
(6)
CPU
(7)显示器 (8)存储器 按键输入 脉冲输出 (9红) 外接口
(104)85接口
红外遥控器 掌上电脑
VA VB VC
(2)
电源
(3)
电源 管理
(4)
数据保持电池
一、采样器件
(1)电流采样:锰铜分流器(Shunt)、 电流互感器(Current Transformer)
(2) 电压采样:电压互感器(Voltage Transformer), 电阻分压采样(常用)。
45X 2X\48X\23X\...
常用(成本低) 不常用(成本高) 不常用(成本高) 工作原理:(欧姆定律)
UIR
锰铜的特性参数
名称
康铜

0
密 锰

1

2
F2型分流 锰铜
主要成分

镍铜
1.0~2. 0
I
V c V BR V W M
ID
U
IR
IPP
I
0
U
(a) 单极型
(b) 双极型
使用时注意事项
1. 关断电压(工作电压)VMM应大于被保护的电路的最大工作电压。 2. 最大嵌位电压(最大抑制电压)Vc应小于被保护电路的损坏极限电压。 3. 最大峰值脉冲功耗Pm必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。 4. 在确定了最大嵌位电压后,最大脉冲峰值电流Ippm应大于瞬态浪涌电流。 5. 对于数字接口电路保护用的TVS,应注意其电容量是否满足使用的要求。 6. 根据用途和需要选用TVS的极型和封装形式。交流电路宜选用双极型TVS。
(2)由于铁芯磁通饱和,使铁芯损耗增加,产生高热,会 损坏绝缘。
(3)将在铁芯中产生剩磁,使互感器比差和角差增大,失 去准确性,所以电流互感器二次侧是不允许开路的。
2.电流互感器的二次负载阻抗为什么不能太大?
电流互感器二次负载阻抗的大小对互感器的准确度有很大影 响。这是因为,如果电流互感器的二次负载阻抗增加得很多, 超出了所容许的二次负载阻抗时,励磁电流的数值就会大大增 加,而使铁芯进入饱和状态,在这种情况下,一次电流的很大 一部分将用来提供励磁电流,从而使互感器的误差大为增加, 其准确度就随之下降了。
2KΩ)、SPMZB-4(800-1.2KΩ)…… ③ SPMZB-6(1-2KΩ)、SPMZB-6(30-60Ω)… ④ SPMZB-8(15-25Ω)、SPMZB-8(100-250Ω) ⑤ SPMZB-10(30-60Ω)
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