三极管的微变等效电路
npn型三极管的微变等效电路
npn型三极管的微变等效电路摘要：1.NPN 型三极管的基本结构2.微变等效电路的概念3.NPN 型三极管的微变等效电路分析4.微变等效电路的应用正文：1.NPN 型三极管的基本结构PN 型三极管是一种双极型晶体管，由两个n 型半导体（发射极和集电极）和一个p 型半导体（基极）组成。
发射极和集电极之间的电流放大主要依赖于基极电流的控制。
在实际应用中，三极管被广泛用于信号放大、开关控制等电路。
2.微变等效电路的概念微变等效电路是一种将复杂电路简化为等效电路的方法，主要用于研究电路的稳定性、动态响应等性能。
通过将原电路中的元器件替换为等效电路，可以大大简化问题，便于分析和计算。
3.NPN 型三极管的微变等效电路分析对于NPN 型三极管，其微变等效电路主要包括两个部分：发射极电阻Re 和集电极电阻Rc。
这两个电阻分别模拟了三极管的发射极和集电极的特性。
通过这两个电阻和基极电流Ib，可以构建一个等效电路，用于描述三极管的电流放大特性。
具体来说，发射极电阻Re 的作用是限制基极电流Ib 的大小，防止过大的基极电流导致三极管工作在非线性区。
集电极电阻Rc 的作用是限制集电极电流Ic 的大小，防止过大的集电极电流导致三极管损坏。
4.微变等效电路的应用PN 型三极管的微变等效电路在实际应用中有广泛的应用，例如在信号放大电路、振荡电路、脉冲发生电路等。
通过使用微变等效电路，可以简化电路分析过程，提高计算效率，同时也有助于理解三极管的工作原理和性能特点。
总之，NPN 型三极管的微变等效电路是一种重要的电路分析方法，对于理解三极管的工作原理和性能特点具有重要意义。
三极管的直流模型和中低频小信号等效模型
三极管简化直流电路模型
2、三极管的微变等效模型
（1）三极管的h参数：
在小信号情况下，对上两式取全微分得
Δ uBE
物理意义：输出端交流短路时的正向电流 传输比或电流放大系数（β ）； 几何意义：在uCE=UCEQ的竖线上Q点附 近，不同的两个iB和在对应两条输出特性 曲线上产生的iC变化值的比对
物理意义：输入端交流开路时的输 出电导(1/rce,非常小）。
几何意义：IB=IBQ的那条输出特性 曲线在Q点附近的斜率
பைடு நூலகம்
）
对于低频小功率管
与 点有关。
例1：
已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现 测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14 所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并 在圆圈中画出管子。
例2 ：习题12 例3：习题14
作业：习题11
ΔiC
Δ iC
Δ iB
四个参数量纲各不相同，故称为混合参数。
Δ uCE
（2）三极管的h参数等效电路
根据
可得小信号模型
的 参数模型
4. 简化的H参数等效模型（微变等效电路）
一般情况下：
H参数等效电路 则 的简化等效电路：
微变等效电路
5. H参数的确定 一般用测试仪测出；
npn型三极管的微变等效电路
npn型三极管的微变等效电路
pn型三极管是一种常见的双极型晶体管，由n型半导体（发射极）、p型半导体（基极）和n型半导体（集电极）组成。
它在电子电路中有着广泛的应用，如放大、开关、振荡等。
pn型三极管的工作原理如下：当基极电流（IB）流过时，发射极与基极之间的pn结呈现正向偏置，发射电子进入基极，再经过基极进入集电极。
这样，集电极的电流（IC）就与基极电流成正比，实现了信号的放大。
pn型三极管的微变等效电路是为了简化电路分析而提出的。
它将三极管的电流关系用一个等效的电流源表示，这个电流源的电流与实际三极管的电流关系相同。
微变等效电路包括三个部分：基极电流源（IB）、发射极电流源（IE）和集电极电流源（IC）。
基极电流源（IB）是一个恒流源，其电流大小与发射极-基极电压（VBE）有关。
发射极电流源（IE）是一个恒流源，其电流大小与集电极-发射极电压（VCE）有关。
集电极电流源（IC）是一个电压源，其输出电压等于集电极-基极电压（VCB）。
微变等效电路的应用主要包括以下几个方面：
1.电路分析：在进行电路分析时，将实际的三极管电路替换为微变等效电路，可以简化计算过程，更容易分析电路的性能。
2.电路设计：在设计电子电路时，利用微变等效电路可以更方便地确定元器件的参数，提高电路的工作效率。
3.电路仿真：通过将实际电路转换为微变等效电路，可以方便地进行电路
仿真，预测电路的性能。
总之，npn型三极管的微变等效电路在电子电路设计和分析中具有重要的应用价值。
(完整版)三极管及放大电路原理
测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。
图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。
由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。
在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。
二、PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。
将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。
根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c 极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
三极管微变等效电路
ui
uo
解：（1）
µ = = −23 A I BQ = V CC − U BE
−12 + 0.3
RB
510
I CQ = β I BQ = 50 × ( − 23 µ A ) = − 1.15 mA
UCEQ = VCC − ICQ (RC + RC′ ) = −7.4V
rbe
=
300 +
(1 +
β
)
般可忽略它们的影响，得到
简化电路
ib rbe ube µT uce
uce
ic
β ib rce uce
关于小信号模型的说明
v H参数均是针对变化量的，因此模型只能用来求 动态变化量，不能用来求静态直流量；
v H参数均是在Q点附近确定的，因此只有在输入信 号幅度不大，晶体管工作在线性区时应用此模型 误差较小；
A&u
=
U&o U&i
=
− βI&b ( RC // RL ) I&brbe + (1 + β )I&b RE1
I&b
bc
= − β ( RC // RL ) I&c rbe + (1 + β )RE1
= − 50(2 // 2) 0.85 + (1+ 50) × 0.5
+
UU&&ii
rbe
RB
e
βI&b
（2）
RS
+ U&s
-
I&b b c I&c
+
r U&i R1
三极管微变等效电路输入输出电阻
三极管微变等效电路输入输出电阻导论：在电子电路中，三极管是一种重要的元件，具有放大、开关等功能。
在三极管的应用中，经常需要考虑其输入输出电阻。
本文将介绍三极管微变等效电路输入输出电阻的相关知识，并讨论其计算方法及影响因素。
第一部分：三极管微变等效电路三极管微变等效电路是用来描述三极管的小信号特性的电路模型。
它是基于小信号近似的原理，将三极管的非线性特性线性化，从而方便进行分析和计算。
在这个等效电路中，通常包括输入电阻、输出电阻等参数。
第二部分：输入电阻的定义和计算输入电阻是指在三极管的输入端口，当输入信号电阻源电压为零时，引起输入端口电流变化的电压变化比。
通常表示为rπ。
在三极管的等效电路中，输入电阻可以通过计算交流小信号模型中的参数来获得。
一般来说，输入电阻的计算方法有两种：基本计算方法和近似计算方法。
其中，基本计算方法需要根据三极管的基本参数和特性方程进行繁琐的计算，而近似计算方法则是进行一定假设的条件下的简化计算。
除了上述方法，还可以通过实验测量的方法来获得三极管的输入电阻。
例如可以将三极管接入一个小信号测试中，通过改变输入信号的电压和测量输入端口的电流，从而获得输入电阻。
第三部分：输出电阻的定义和计算输出电阻是指在三极管的输出端口，当输出信号电压为零时，引起输出端口电流变化的电流变化比。
通常表示为ro。
在三极管的等效电路中，输出电阻可以通过计算交流小信号模型中的参数来获得。
与输入电阻一样，输出电阻的计算方法包括基本计算方法和近似计算方法。
在实际工程中，通常采用近似计算方法，因为它更加简便。
除了计算方法，实验测量也是获得输出电阻的一种有效方法。
同样可以通过测量输出端口的电流和电压来得到输出电阻。
第四部分：影响因素分析三极管的输入输出电阻受到多种因素的影响。
主要包括管子几何尺寸、基材电阻、电子浓度、应力效应、温度效应等。
其中，管子几何尺寸是决定输入输出电阻的关键因素。
电阻效应被电子浓度和基材电阻共同影响。
第7讲 微变等效电路法 - 副本
一、电路组成
+VCC
——分压式偏置电路
Rb2 iR C1+ iB
Rc+ C2 iC
+
+ ui
uB
Rb1
iE
uE +
Re
RL Ce
uo
由于
UBQ
不随温度变化，
图
2.5.2
分压式工作点稳定电路
T ICQ IEQ UEQ UBEQ (= UBQ – UEQ)
IBQ ICQ
——电流负反馈式工作点稳定电路
2.5 工作点的稳定问题
2.5.1 温度对静态工作点的影响
三极管是一种对温度十分敏感的元件。温度变化对管 子参数的影响主要表现有：
1. UBE 改变。UBE 的温度系数约为 –2 mV/C，即温度 每升高 1C，UBE 约下降 2 mV 。
2. 改变。温度每升高 1C， 值约增加 0.5% ~ 1 %， 温度系数分散性较大。
其中 Ie (1 )Ib
引入发射极电阻
后， Au 降低了。
若满足(1 + ) Re >> rbe
Au
RL Re
Au 与 三 极 管 的 参 数 、rbe 无关。
b +
Ui Rb
Ib
Ic c
rbe e
Ib Rc
Ie Re
+
RLUo
2. 放大电路的输入电阻
Ri
Ui Ii
rbe (1 )Re
+
uBE
iC c
+
uCE
iB b
+
uBE rbe
iC c
+
iB uCE
小信号模型分析法(微变等效电路法)
ic hoe vce
β = hfe
rce= 1/hoe
• ur很小，一般为10-3∼10-4 ， 很小，一般为10 • rce很大，约为100kΩ。故 很大，约为100kΩ 100k 一般可忽略它们的影响， 一般可忽略它们的影响， 得到简化电路 BJT的 BJT的H参数模型为
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模拟电子技术基础
2
β 一般用测试仪测出； 一般用测试仪测出；
H参数的确定 H参数的确定
rbe 与Q点有关，可用图示 点有关，
仪测出。 仪测出。 也用公式估算 rbe rbe= rb + (1+ β ) re
rb为基区电阻，约为200Ω 为基区电阻，约为200 200Ω
VT (m ) V 26(m ) V re = = IEQ(m ) IEQ(m ) A A
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模拟电子技术基础
二
建立小信号模型的思路
当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管 当放大电路的输入信号电压很小时， 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替， 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三 极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。
dvBE = ∂vBE ∂iB
VCE ⋅ di + B
ic ib + vbe – b e c + vce –
∂iC d iC = ∂iB
∂iC VCE ⋅ diB + ∂vCE
∂vBE ∂vCE
IB
⋅ dvCE
IB
⋅ dvCE
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模拟电子技术基础
vbe = hieib + hrevce ic = hfe ib + hoevce
小信号模型分析法(微变等效电路法)
参数）。
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模拟电子技术基础
1 模型的简化
一般采用习惯符号
即 rbe= hie ur = hre
= hfe
rce= 1/hoe
ib hie vbe hrevce
ur很小，一般为10-310-4 ， rce很大，约为100k。故
一般可忽略它们的影响，
得到简化电路
BJT的H参数模型为
C 1
C
2
vi
T RL
vo
交流通路
vi
RB
T
RC RL vo
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模拟电子技术基础
vi
RB
T
RC RL vo
(2) 画出微变等效电路
Ib
T
bc
Ic
Vi
R B rbe
ib R C
e
将BJT微变 等效
R L Vo
放大电路的微 变等效电路
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hie
vB E iB
VCE
输出端交流短路时的输入电阻；
hfe
iC iB
VCE
输出端交流短路时的正向电流传输比或电 流放大系数；
hre
vBE vCE
IB
输入端电流恒定（交流开路）的反向电压传输比
hoe
iC vCE
IB
输入端电流恒定（交流开路）时的输出电导。
四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H (hybrid)
求输出电阻 的等效电路
当 VS 0 时
电路与电子技术基础总复习题及解 (1)
总复习题及解总复习题及解一、问 答第一章答题1. 电流与电压为关联参考方向是指什么？答：电流参考方向（箭头方向）与电压降参考方向（“+”到“-”的方向）一致的方向。
第二章答题1. 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为短路，理想电流源不作用时视为 开路。
2、求含有受控源单口网络的戴维南（诺顿）等效电路的内阻时，屏蔽掉电源后须用 外施电压、电流 法求得。
第三章答题1、对于电容C 和电感L ，电压和电流间的关系为：，2、换路定律是指： 3、全响应解的两种表达式：（1）全响应=（零输入响应）+（零状态响应） （2）三要素法： 第四章答题1、直流电路中，感抗为0，容抗为无穷大。
2、正弦电压u(t) =2U cos (?t + ?u )对应的相量表示为uUUθ∠=•。
3、任意一个相量乘以j相当于该相量逆时针旋转90o 。
4、三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为相电压是线电压的31倍，且相电压滞后对应线电压30°。
对称电源△接线时，线电流、相电流之间关系为线电流等于3倍相电流，相位滞后对应相电流30°。
5、电阻元件的电压电流的有效值满足：U=IR，关联参考方向下电压和电流同相位，即第五章答题无第六章答题1、本征半导体电子浓度等于空穴浓度；N型半导体的电子浓度大于空穴浓度；P型半导体的电子浓度小于空穴浓度。
2、场效应管属于电压控制型器件，晶体三极管则属于电流控制器件。
3、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结正向偏置；集电结反向偏置。
4、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
5、 PN结的单向导电性，就是PN结正偏时导通，反偏时截止。
6、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic 增加，发射结压降U BE减小。
第七章答题1、共模抑制比K CMR是差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）之比。
2、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用差放电路。
3、差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。
课件9-共射放大电路的微变等效电路[11页]
![课件9-共射放大电路的微变等效电路[11页]](https://img.taocdn.com/s3/m/bb4aa19e767f5acfa0c7cd28.png)
rbe rbb 1
VT mV I EQ mA
3. 画出放大电路的微变等效电路
ib
ic
vi
i
vo
4. 列出电路方程并求解
南京A信v息职业技rbb术eR学L' 院, RL' RL || RC
Ri Rb || rbe Ro Rc
输出电阻 根据定义：
Ro
=
Vo Io
RL ,
Vs 0
模拟电子技术
所以：
ii I i
Ro
Vo Io
Rc
0
Iibb
Rb
r be
南京信息职业技术学院
Iicc
Io
+
β ib Rc Vo
-
Ro
归纳等效电路法的步骤
模拟电子技术
1. 先确定Q点（IBQ、ICQ、VCEQ）
2. 求Q点处的β和rbe
β通常会给出
模拟电子技术基础
共射放大电路的微变等效电路
南京信息职业技术学院
小信号等效电路分析法
模拟电子技术
思路：将非线性的BJT等效成一个线性电路
适用范围：放大电路的输入信号是变化量 且电压很小时适用
南京信息职业技术学院
1.三极管的小信号等效电路
ΔiB与ΔuBE成正比
rbe
uBE iB
uCE 常数
模拟电子技术
负号表示输出电压与 输入电压反相
β ib (Rc // RL ) β (Rc // RL )
ib rbe
rbe
南京信（息可职作业为技术公学式院）
输入电阻
IRb
VS
ui
Ri
Ri
ui ii
ui (Rb // rbe ) ii
702(第3节 微变等效电路,第4节 多级放大电路)
' I b R' R L L AU
C
I b r be
r be
例：电路如图，β=40，计算Q、Au、Ri、Ro 。 (UBE=0) ○ 4K +12V 解：（1）确定Q
U CC 12 0.04m A IB 300 Rb I C I B 40 40 1.6mA
第三节
•
•
•
微变等效电路法
晶体管的微变等效电路
共射放大电路的微变等效电路
放大器的性能分析
一、晶体管的微变等效电路
1. 微变等效电路: 将三极管在小范围内等效为线性元件的电路。 2．三极管微变等效电路 输入回路：Q点附近近似看成直线。
U BE IB (μA) 恒量 r be IB 三极管b,e之间等效为一个电阻rbe。 Q △I B
RB
rbe
ic iO β ib
RC RL
uO
U i I b rbe rO r 3. 输出电阻 r i o ' // U I ( // ) R R RC b 0 － L L R R C L U I O O RO ro 可在输入电压为零，负载开路的 ' I b R L 条件下求得。 R R
26mV r be 300 (1 ) I EQ (mA)
△UBE
UBE (V)
输出回路：
Q点附近可看成平行于X轴
的直线，则
IC (mA)
Ic Ib －－受控电流源
三极管c,e之间等效为受控电流源。 ib B C B E E rbe
ic
UCE (V)
β ib
C
三极管的开关等效电路
02
三极管开关等效电路的参 数分析
输入电阻
输入电阻：指三极管输入端的等效电阻，它反映了三极 管对输入信号的阻碍作用。
在放大状态下，输入电阻通常较大，而在饱和或截止状 态下，输入电阻较小。
输入电阻的大小取决于三极管的材料、结构以及工作状 态。
输入电阻的大小对电路的性能和稳定性有重要影响。
输出电阻
01
输出电阻：指三极管输 出端的等效电阻，它反 映了三极管输出信号的 负载能力。
02
输出电阻的大小也取决 于三极管的材料、结构 以及工作状态。
03
在放大状态下，输出电 阻通常较小，而在饱和 或截止状态下，输出电 阻较大。
04
输出电阻的大小对电路 的输出信号幅度和稳定 性有重要影响。
开关时间
开关时间：指三极管从饱和状 态到截止状态，或从截止状态 到饱和状态转换所需的时间。
工艺改进
随着微电子制造工艺的不断发展，新型工艺技术如纳米加工、薄膜工艺等被应用于三极管制造中。这些新工艺能 够实现更精细的器件结构，提高三极管的开关速度和集成度，进一步优化三极管开关等效电路的性能。
三极管开关等效电路的应用拓展
通信领域
三极管开关等效电路在通信领域具有广泛应用，如无线通信、卫星通信等。随着5G、6G通信技术的发展，对高速、 高频、低功耗的电子器件需求增加，三极管开关等效电路将发挥重要作用。
三极管的开关控制精度受限于其制造工艺和 材料特性，难以实现高精度的控制。
可靠性问题
三极管在高温、高湿等恶劣环境下工作的可 靠性较低，容易出现性能退化和失效。
05
三极管开关等效电路的发 展趋势
新型三极管材料的研发
硅基材料
作为传统的半导体材料，硅基材料在三极管制造中占据主导地位。随着技术的进步，硅基材料的性能 不断提升，使得三极管开关等效电路的性能得到优化。
三极管及放大电路
第2章 三极管及放大电路
例2.1 已知图2.7中各晶体管均为硅管，测得各管脚的电压值分别如图中所示值，试判别各晶体管的 工作状态。
图2.7 例2.1的图
2021-07-31
第2章 三极管及放大电路
解： （1）在图2.7（a），发射结零偏；UCB=-2V＜0，集电结反偏，故中，因为UBE=0.7V＞0， 发射结正偏；UBC=0.5V＞0，集电结正偏，故可判断它工作在饱和区。 （2）在图2.7（b）中，因为UBE=0.7V＞0，发射结正偏；UBC= -5.3V＜0，集电结反偏， 故可判断它工作在放大区。 （3）在图2.7（c）中，因为UEB=0V可判断它工作在截止区。
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第2章 三极管及放大电路
（3）饱和区。IC随UCE的增大而增大的区域是饱和区。此时发射结正偏，集电结正偏。对NPN型管，当UCE ＜UBE时，三极管工作于饱和状态。当增加IB使工作点上移到Q1点时，三极管即进入饱和区，此时IB的变化对 IC的影响较小，IC≠IB，其管压降UCE称为饱和压降UCES，一般硅管约为0.3V，锗管约为0.1V，都可近似为0V。 因UCES≈0，C，E极近似于短路，UBE≈0.7V，B，E极也近似于短路，等效电路如图2.6（c）所示。
2021-07-31
第2章 三极管及放大电路
表2.1 实验测试数据
电流
1
2
IB（mA）
0
0.02
IC（mA）
＜0.001
0.70
IE（mA）
＜0.001
0.72
实验次数
3
4
0.04
0.06
1.50
2.30
1.54
2.36
5 0.08 3.10 3.18
pnp微变等效电路
pnp微变等效电路
PNP微变等效电路是一种利用负反馈技术来控制基极电流的电路。
它的作用是将大电流转化为小电流，从而起到保护电路元件的作用。
下面将对PNP微变等效电路进行分步骤阐述：
第一步，了解PNP微变等效电路的原理和结构。
PNP微变等效电
路由三个部分组成：一个PNP三极管、一个电阻和一个电容。
PNP三极管的集电极和基极之间串联一个电阻，电容则连接在基极和负电源之间。
第二步，了解PNP微变等效电路的工作过程。
当外界的信号输入
到PNP微变等效电路中，通过负反馈作用，使得基极电流得到控制，
从而通过晶体管的放大作用，输出一个稳定的电压信号。
第三步，了解PNP微变等效电路的优缺点。
与其他保护电路相比，PNP微变等效电路具有功耗小、反馈稳定等优点。
同时，它的缺点是输入电压范围狭窄不便于调节和控制。
第四步，了解PNP微变等效电路的应用范围。
PNP微变等效电路
广泛应用于各种电子产品中，如放大器、自动控制系统和起动电路等。
总之，PNP微变等效电路是一种重要的电路保护手段，能够将大
电流转化为小电流，从而保护电路元件及其它设备。
对于需要使用该
电路的工程师们来说，了解PNP微变等效电路的原理、工作过程、优
缺点以及应用范围，是非常必要的。
三极管电路的小信号模型分析方法
μA
ic ib 100 5.5sint μ A 0.55 sint mA
uce
ic
( RC
//
RL
)
0.5 5s int
2.7 2.7
3.6 3.6
V
0.8 5s int
V
例2.2.3 解续：
（5）求总量 uBE、iB、iC、uCE
uBE U BEQ ube (0.7 7.2 10 3 sint ) V
简 化
rbe
uBE iB
uCE UCEQ
ube ib
uCE UCEQ
称为三极管的共发射极输入电阻，
为动态电阻
rce
uCE iC
iB IBQ
uce ic
iB IBQ
称为三极管的共发射极输出电阻，
为动态电阻。很大。
如何获取三极管小信号模型参数？
rbe
r bb
(1 ) UT
I EQ
r bb
沟道。改变uGS可控制导电沟道的宽窄，当uGS UGS(off) 时，
沟道全夹断。
二、N 沟道耗尽型 MOSFET
1. 结构、符号与工作原理
制造时在Sio2 绝缘层中掺入正离子，故在 uGS = 0 时已形成 沟道。改变uGS可控制导电沟道的宽窄，当uGS UGS(off) 时， 沟道全夹断。
2. 理解三极管放大电路的小信号模型分析法，了解 饱和失真和截止失真现象及其原因、措施。
3. 了解三极管开关电路及其分析。
重点：
1. 直流通路、交流通路、放大电路小信号等效电路 的画法。
2. 三极管直流电路的工作点估算。
课间休息
2.3 单极型半导体三极管 及其电路分析
三极管放大电路的分析-等效电路法
3、用h参数模型计算交流性能
⑴、基本共射放大电路 ⑵、直接耦合共射放大电路 ⑶、阻容耦合共射放大电路
微变等效电路的画法：1-2-3
看动画4.3-2
34 49
3、用h参数模型计算交流性能
⑴、基本共射放大电路
使用双电源
35 49
3、用h参数模型计算交流性能
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3、用h参数模型计算交流性能
39 49
3、用h参数模型计算交流性能
⑵、直接耦合共射放大电路
40 49
3、用h参数模型计算交流性能
41 49
3、用h参数模型计算交流性能
①电压放大倍数
Rb1 + Rb 2 // rbe Ui = I b rbe Rb 2 // rbe
′ U O = I C ( RC // RL ) = β I b RL ′ Rb 2 // rbe β RL Au = = = Rb1 + Rb 2 // rbe Rb1 + Rb 2 // rbe rbe Ui I b rbe Rb 2 // rbe
2 49
三、等效电路分析法
1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 2、晶体管共射h参数等效模型 3、用h参数模型计算交流性能 4、应用举例
3 49
1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算
⑴输入特性的等效
4 49
1、晶体管的直流模型及静态工作点的计态工作点的计算
ube = hiei + hreuce b i = hfei + hoeuce b c
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⑵、晶体管 h参数模型的导出
若输入为正弦量，则可用向量表示，并得出h参数模 型。
ube = hiei + hreuce b c b i = hfei + hoeuce
三极管的微变等效电路
三极管的微变等效电路
NPN型三极管的微变等效电路如图1（b）所示，。
晶体管的输入端加交流信号vi时，在其基极将产生相应的变化电流ib，如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。
因此晶体管的输入端b、e之间用一个等效电阻代替，这个电阻称为三极管的输入电阻rbe，其大小为
(a) (b)
图1三极管的微变等效电路
在输入小信号的情况下，rbe基本上不随信号而变化，可以用下面的近似公式
式中rbb’是晶体管基区电阻，在小电流（IEQ约为几毫安）工作情况下，约为80Ω左右，26mV为温度的电压当量，在室温(300K)时的值。
应当注意的是，上式的适用范围为0.1mA＜IE＜5mA，实验表明，超越此范围，将带来较大的误差。
从上式可看出，rbe与静态电流IE有关。
值得注意的是，rbe是三极管b、e之间的交流等效电阻，而不是直流电阻。
npn型三极管的微变等效电路
npn型三极管的微变等效电路摘要：I.引言A.介绍npn 型三极管B.阐述微变等效电路的概念II.npn 型三极管的构造和工作原理A.结构组成B.工作原理III.微变等效电路的推导A.静态工作点的确定B.微变等效电路的推导过程IV.微变等效电路的特性A.电流放大作用B.电压放大作用C.输入和输出阻抗特性V.微变等效电路在实际应用中的意义A.在放大器电路中的应用B.在稳压电路中的应用VI.结论A.总结npn 型三极管的微变等效电路B.展望微变等效电路在电子技术领域的未来应用正文：I.引言pn 型三极管作为一种常用的半导体元器件，广泛应用于放大器、稳压器等各种电子设备中。
为了更好地理解npn 型三极管的工作原理和特性，我们引入了微变等效电路的概念。
本文将详细介绍npn 型三极管的微变等效电路。
II.npn 型三极管的构造和工作原理pn 型三极管主要由发射极、基极和集电极三个区域组成。
当发射极施加正电压时，电子从发射极向基极注入，使得基极变得高度导电。
此时，基极和集电极之间的电流放大作用使得集电极上的电流增大，从而实现信号的放大。
III.微变等效电路的推导为了简化npn 型三极管的电路分析，我们引入了微变等效电路。
首先，静态工作点是指三极管工作在稳定状态时，基极电流IB、集电极电流IC 和发射极电流IE 之间的比例关系。
在此基础上，我们可以将npn 型三极管的微变等效电路推导出来。
IV.微变等效电路的特性pn 型三极管的微变等效电路具有以下特性：A.电流放大作用：微变等效电路能够将基极电流IB 的微小变化放大为集电极电流IC 的较大变化，从而实现信号的放大。
B.电压放大作用：微变等效电路能够将输入电压信号转换为输出电压信号，从而实现电压的放大。
C.输入和输出阻抗特性：微变等效电路具有较低的输入阻抗和较高的输出阻抗，这使得三极管能够放大输入信号并驱动负载。
V.微变等效电路在实际应用中的意义pn 型三极管的微变等效电路在实际应用中具有重要意义。
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三极管的微变等效电路
NPN型三极管的微变等效电路如图1（b）所示，。
晶体管的输入端加交流信号vi时，在其基极将产生相应的变化电流ib，如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。
因此晶体管的输入端b、e之间用一个等效电阻代替，这个电阻称为三极管的输入电阻rbe，其大小为
(a) (b)
图1三极管的微变等效电路
在输入小信号的情况下，rbe基本上不随信号而变化，可以用下面的近似公式
式中rbb’是晶体管基区电阻，在小电流（IEQ约为几毫安）工作情况下，约为80Ω左右，26mV为温度的电压当量，在室温(300K)时的值。
应当注意的是，上式的适用范围为0.1mA＜IE＜5mA，实验表明，超越此范围，将带来较大的误差。
从上式可看出，rbe与静态电流IE有关。
值得注意的是，rbe是三极管b、e之间的交流等效电阻，而不是直流电阻。