画出上图的直流通路及微变等效电路
《电路与电子技术》课后习题参考答案
《电路与电子技术》课后习题参考答案《电路与电子技术》课后习题参考答案填空1．电压 2．都（发生）变化 3．iA=53sin(314t+30°)A 4．220V 5．增大 6．单向导电性单选题11.C 12.A 13.D 14.B 15.B 16.C 17.D 18.D 19.C 20.D21. 变压器绕组在流过电流的时候，由于其自身存在电阻的原因，将消耗一部分电能，并转换成热量。
因为大部分变压器绕组都采用铜线绕制而成，所以将绕组的损耗成为变压器铜损,也叫空载损耗。
铁损包括磁性材料的磁滞损耗和涡流损耗以及剩余损耗. 当变压器的初级绕组通电后，线圈所产生的磁通在铁心流动，因为铁心本身也是导体（由硅钢片制成），在垂直于磁力线的平面上就会感应电势，这个电势在铁心的断面上形成闭合回路并产生电流，好象一个旋涡所以称为“涡流”。
这个“涡流”使变压器的损耗增加，并且使变压器的铁心发热变压器的温升增加。
由“涡流”所产生的损耗我们称为“铁损”。
22. 集成运算放大器(简称运放)实际上是一个具有高增益、低漂移，带有深度负反馈并直接耦合的直流放大器，因为它最初主要用作模拟计算机的运算放大器，故称为集成运算放大器。
其性能优良，广泛地应用于运算、测量、控制以及信号的产生、处理和变换等领域。
运算放大器本身不具备计算功能，只有在外部网络配合下才能实现各种运算。
23. 反馈又称回馈，指将系统的输出返回到输入端并以某种方式改变输入，进而影响系统功能的过程。
反馈可分为负反馈和正反馈。
负反馈使输出起到与输入相反的作用，使系统输出与系统目标的误差减小，系统趋于稳定；24.射极输出器的输入阻抗高，输出阻抗低，常用来当做多级放大器输入级和低电压、高电流的输出级，或者叫做隔离级。
由于射极输出器的电压动态范围较小，且电压放大倍数略小于1，这是其固有的缺点，但因其有较高的输入阻抗，可有效减轻信号源的负担。
在大电流输出电路中，比如功率放大器中，由于它的高的电流放大倍数，所以其功率放大倍数还是较高的，通常被直接用来推动负载。
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错，可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路：
微变等效电路：
九、解：
1. 、 、
2.交流负载线：过Q点，与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ；到截止区的最大 。因此这道题要出现失真，应该是饱和失真，答同时出现也可以。
二、选择题
1.B，A，A2.B，A3.A，B，C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是：
观察放大电路的波特图。当 时，若幅频响应曲线在零点以下，则电路稳定；否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入C
(2)为了实现电流-电压转换，应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力，应引入A
(4)为了实现电流放大，应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈？
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈？
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
基础电子技术试卷
基础电子技术试题一、填空或选择（20分）1. N 型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其中多数载流子是 。
2. 在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 区；在数字电路中三极管一般工作在 区或 区，此时也称它工作在 状态。
3. 电路如图1.1所示，TG 为CMOS 传输门，G 为TTL 与非门，则当C=0时 P= ；当C=1时P= 。
B &TG ACCΩk 10PG图1.14. 乙类功放电路如图1.2所示。
已知V 12CC=V 、Ω=8L R 、CES 0U =，i u 为正弦输入，则负载上可能得到的最大输出功率为 ；每个管子的管耗至少应为 。
Lu图1.25. 低电平有效的最小项译码器有n 个输入端，有 输出端。
每个输出对应一个 （最大项，最小项）。
6. 当TTL 门电路的输入端悬空时，应视为 （高电平，低电平，不定）。
此时，如用万用表测量其输入端电压，读数约为 （0V ，1.4V ，3.6V ）。
7. 某电路的电压放大倍数的频率特性表达式为：⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+=642u1011011015.0f j f j f j fA该电路的上限截止频率f H 为 ，下限截止频率f L 为 。
8. 组合逻辑电路如图1.3所示。
该电路输出逻辑函数P 的最简与或式为 ；该电路实现 逻辑功能。
A B图1.3二、（20分）已知某放大电路如图3a)所示，设Ω=k 6L R 、Ω=200bb'r ，U BE 忽略不计，请回答： 1. 请画出该电路的直流通路、微变等效电路；2. 该电路的直流负载线和交流负载线如图3b)所示，请计算电路参数R B 、R C1、R C2、V CC 和β；3. 计算电路的电压放大倍数i o u U U A=； 4. 计算电路的输入阻抗R i 、输出阻抗R o ；5. 定性说明若将电容3C 开路，对电路会产生什么影响？6. 当(mV) sin 25it u ω=时，o u 波形是否会产生失真？R LA μCE Va) b)图3 三、（10分）差分放大电路如图3所示。
电工第六版课后答案第15章秦增煌
15.2.5晶体管放大电路图如图15.01（a）所示，已知Ucc=12V，Rc=3kΩ，RB=240kΩ,晶体管的β=40。
（1）试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;（2）如晶体管的输出特性如图15.01（b）所示，试用图解法作出放大电路的静态工作点;（3）在静态时（ui=0）在C1和C2上的电压各为多少？并标出极性。
解：（1）如图（a）所示的直流通路：C1,C2上的电压极性标在原图。
-6由 IB= Ucc-UBE=12-0.7=50X10 A=50μARB 240Ic=Βib=40x50=20mAUCE=Ucc-IcRc=12-2x3=6v。
（2）由输出特性作出直流负载线UCE=Ucc-IcRc已知：Ic=0，UCE=12V,UCE=0时。
Ic=Ucc=12=4mARc 3过（0，12），（4，0）两点，于是可作如图(b)所示，即为直流负载线。
由图可知IB=50βA时，Q点（2，6），即Ic=2mA，UCE=6v。
（3）静态时，Uc1=UBE,Uc2=UCE=6V。
极性在原图（a）中。
15.2.6在图中，U cc=10V，今要求U cE=5V,I c=2mA,试求R和R的阻值。
设晶体管的β=40。
解：由于U cE = U cc– I c R cR c ==2.5kΩ由于I c=βI B，I B ==I c ==50μ AR B ==200k15.2.7在图15.02中，晶体管是PNP型锗管。
（1）Ucc和C1，C2的极性如何考虑？请在图上标出；（2）设Ucc=-12v,Rc=3千欧姆，β=75，如果要将静态值Ic调到1.5毫安，问RB应调到多大？（3）在调整静态工作点时，如不慎将RB调到0，对晶体管有无影响？为什么？通常采取何种措施来防止这种情况发生？解答：（1）PNP三极管的电源极性和NPN型三极管相反，故电容C1和C2极性也和15.25中所示相反，用-或者+标明在图15.25中。
（2）由于Ic=βIB，于是IB=Ic／β=1.5／75=20µA此时RB=(-Ucc+UBE) ／IB≈600千欧姆（3）若RB=0时，UBE=12V＞＞0.7V（硅管）或UBE=12V＞＞0.3（锗管），于是IB大大增加，使得PN结发热而损坏。
模拟电子技术题库答案
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
模电复习题(1)
1.直流稳压电源由变压器、整流(电路) 、滤波(电路) 和稳压(电路) 四部分组成。
2.双端输出差动放大器在电路完全对称时，其共模增益为0 ，共模抑制比为 。
3.正弦波振荡器一般由放大电路、正反馈电路和选频电路电路、稳幅电路四部分组成。
4.三极管具有放大作用的前提条件是发射结正偏、集电结反偏。
5. 三极管工作在截止区时，其发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置。
6. 电压射极输出器的输出电阻R0的值越小越好好。
7 为消除乙类功放的交越失真，给三极管发射结加一定的正向偏压，使Q点上移，摆脱_____死区（门坎）____电压的影响。
这时，电路工作在甲乙类状态。
7\锗二极管的门坎电压约为0.1V 。
8\放大器输出产生非线性失真的原因是设置的静态工作点不合适或输入信号过大晶体管特性的非线性。
9、在P型半导体中，多数载流子为空穴。
10、双端输出差动放大器在电路完全对称时，共模增益为0 。
11、直流稳压电源电路由变压器、整流、滤波、稳压等4部份构成。
12、正弦振荡电路的振荡条件是_________。
13、为了等到稳定的输出电压和较高的输入电阻，应采用反馈。
14、集成运算放大器的输入级一般由电路组成，利用它的电路对称性可以提高整个电路的性能。
15、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，为了消除交越失真要采用电路。
16、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
17、三极管工作在截止区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。
18、电压射极输出器的输出电阻R0的值越好。
19、为消除乙类功放的交越失真，给三极管发射结加一定的偏压，使Q点上移，摆脱_________电压的影响。
这时，电路工作在状态。
20 运算放大器的输出电阻越小，它带负载的能力，如果是恒压源，带负载的能力。
21 深度负反馈是指，负反馈深度等于。
1·在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。
A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定2·可以放大电压，但不能放大电流的是___C______组态放大电路。
《电工学》试卷A卷_参考答案）
华东理工大学2009–2010学年第_二_学期《电工学》课程期末考试试卷 A 2010.6开课学院：信息学院，专业：大面积考试形式：闭卷，所需时间考试形式：闭卷，所需时间 120 120 120 分钟分钟考生姓名：学号：班级任课教师题序一二三四五六七八九总分得分评卷人一．选择题（每题1分，共10分）1、图示电路中，当R 1增加时，电压U 2将____C________。
A ．变大B ．变小C ．不变R 1U I S2R 2+2、三相四线制供电系统中，为了实现短路保护，中线上应该、三相四线制供电系统中，为了实现短路保护，中线上应该__B_____B_____B___熔断器。
熔断器。
A. A. 装接装接装接B. B. B. 不能装接不能装接不能装接C. C. C.根据需要可以装接也可以不装接根据需要可以装接也可以不装接3、图中所示电路，、图中所示电路，ab ab 端电压Ｕab ＝___C______C___。
A. 15VB. 4VC. 5VD. 10V4、在实际生产、生活应用中，为了提高功率因数，可以采用、在实际生产、生活应用中，为了提高功率因数，可以采用___B___ ___B___ ___B___ 。
A. A. 串联谐振串联谐振串联谐振B. B. B.并联谐振并联谐振并联谐振5、在正弦交流电路中，如果电流超前电压，称电路是、在正弦交流电路中，如果电流超前电压，称电路是____A________A________A____。
A.A.电容性的电容性的电容性的B. B. B. 电感性的电感性的电感性的C. C. C. 电阻性的电阻性的电阻性的 6、下列表达式不正确的是、下列表达式不正确的是__A_____A_____A___。
A. 102sin(31430)I t A =+°B. 1030I A =аC. 3010j I eA °= D. 8.75I j A =+7、三盏规格相同的白炽灯按图所示接在三相交流电路中都能正常发光，现将S2断开，则EL1EL1、、EL3将__D______D____。
电工学与电子技术B复习题及参考答案_(1)
一、 选择题6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（D ） A ．串联反馈；B 并联反馈；C ．正反馈；Ｄ．负反馈。
7、由一个三极管组成的基本门电路是（B ） A ．与门；B ．非门；C ．或门；Ｄ．异或门。
8、在脉冲门电路中，应选择（B ）的三极管。
A ．放大能力强；B ．开关速度快；C ．价格便宜；Ｄ．集电极最大耗散功率高。
9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（D ） A ．与门；B ．非门；C ．或门；Ｄ．与非门。
24、对半导体而言，其正确的说法是（C ）A ．P 型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电；B ．N 型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电；C ．P 型半导体和N 型半导体本身都不带电；D ．在Ｎ型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子25、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为9V 、4V 、3.7V ，则这3 个极分别为（A ） A ． C 、B 、E ； B ．C 、E 、B ； C ．E 、C 、B 。
26、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为-6V 、-2.3V 、-2V ，则这-2.3 V 的那个极为（B ）A ．集电极；B ．基极；C ．发射极。
27、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V 、1.2V 、1V ，则该管为（C ） A ．NPN 型硅管；B ． PNP 型锗管； C ．NPN 型锗管；D ． PNP 型硅管。
28、对某电路中的一个NPN 型硅管测试，测得U BE >0,U BC >0,U CE >0, 则此管工作在（B ） A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。
29、对某电路中的一个NPN 型硅管测试，测得U BE <0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在（C ） A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。
30、对某电路中的一个NPN 型硅管测试，测得U BE >0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在（A ） A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区。
电路与模拟电子技术基础(第2版)_习题解答_第6章习题解答
M i9习 题 6确定图中晶体管其它两个电流的值β=200I B =125μAI CI E β=100I BI CI E =5mAβ=120I BI C =3mA I E (a)(b)(c)图 习题图(a) I C =βI B =200×=25(mA) I E =I B +I C =(mA)(b) I B =I E /(1+β)=5/(1+100)=(μA) I C =I E －I B =(mA) (c) I B =I C /β=3/120=25(μA) I E =I B +I C =(mA)测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图所示，试判断晶体管的类型（NPN 或PNP ），说明①、②、③中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ，求出电流放大系数 。
图 习题图(a) ①-c ②-b ③-e PNP β==40 (b) ①-b ②-e ③-c NPN β==150有两只工作于放大状态的晶体管，它们两个管脚的电流大小和实际流向如图所示。
求另一管脚的电流大小，判断管子是NPN型还是PNP型，三个管脚各是什么电极；并求它们的 值。
①②③(a)①②③(b)图习题图(a) ①-c ②-e ③-b NPN I E=I B+I C=4+=(mA) β=4/=40(b) ①-e ②-c ③-b NPN I C=I E－I B=－=5(mA) β=5/=50试判断图所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的I B最大；放在哪个位置时的I B最小，为什么+V CC图习题图在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时I B就等于此导通电流。
在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时I B等于两个二级管导通电流之和，所以此时的电流最大。
在③时，发射极导通，集电结反偏，集电结收集电子，所以I B电流下降，此时电流最小。
测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图所示，判断晶体管三极管的类型（NPN或PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。
电子技术习题解答.第2章.基本放大电路及其分析习题解答
第 2 章基本放大电路及其分析习题解答2.1 三极管放大电路为什么要设置静态工作点，它的作用是什么？解：防止产生非线性失真。
2.2 在分压式偏置电路中，怎样才能使静态工作点稳定，发射极电阻的旁路电容C E 的作用是什么，为什么？解：使静态工作点稳定条件l2»l B和V B»U B E。
称为发射极电阻的旁路电容C E 对直流而言，它不起作用，电路通过R E 的作用能使静态工作点稳定；对交流而言，它因与R E并联且可看成短路，所以R E不起作用，保持电路的电压放大倍数不会下降。
2.3 多级放大电路的通频带为什么比单级放大电路的通频带要窄?解：因为多级放大电路的电压放大倍数大于单级放大电路的电压放大倍数，而放大电路的电压放大倍数和通频带的乘积基本为常数，所以多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。
2.4 对于共集电极放大电路，下列说法是否正确?(1) 输出信号方向与输入信号方向相反。
(2) 电压放大倍数小于且约等于1。
(3) 输入电阻大。
(4) 输出电阻小。
解：(1) 不正确。
(2) 、(3) 和(4) 正确。
2.5 放大电路的甲类、乙类和甲乙类三种工作状态各有什么优缺点？解：甲类：静态工作点Q大致落在交流负载线的中点，功率损耗大效率低，不失真。
乙类：静态工作点Q下移到截止区处，功率损耗很小，效率高。
但此时将产生严重的失真。
甲乙类：静态工作点Q下移到接近截止区，功率损耗较小，失真也较小。
2.6 什么是交越失真？如何克服交越失真，试举例说明？解：放大电路工作于乙类状态，因为三极管的输入特性曲线上有一段死区电压，当输入电压尚小，不足以克服死区电压时，三极管就截止，所以在死区电压这段区域内(即输入信号过零时)输出电压为零，将产生失真，这种失真叫交越失真。
为了避免交越失真，可使静态工作点稍高于截止点，即避开死区段，也就是使放大电路工作在甲乙类状态。
2.7为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏压电路？ 解：因为增强型绝缘栅场效应管的U GS 为正，所以，自给偏压电路不适应增强型绝缘栅场效应管，只适应耗尽型绝缘栅场效应管。
第2章 基本放大电路复习题
6.解：（a）根据T1、T2管的电流流向，符合复合管的构成规则，且T1为 PNP型，所以复合管的管型为PNP型，如图（a）所示。
(b) 根据T1、T2、T3管的电流流向，符合复合管的构成规则，且T1 为NPN型，所以复合管的管型为NPN型，如图（b）所示。
7.解：（a）根据T1、T2管的电流流向，符合复合管的构成规则，且T1为 NPN型，所以复合管的管型为NPN型，如图（a）所示。
1.
当放大电路的负载电阻增大时，放大电路的输出电阻RO
。
A、减小
B、不变
C、增大
D、不确定
2．在如图所示的电路中，已知晶体管T的＝80，rbe＝1kΩ，＝
20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。
下列结论正确的是
。
A、 B、 C、 D、
3．在如图所示的电路中，已知晶体管T的＝80，rbe＝1kΩ，＝
六、分析与计算题（每题10分）
1.电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、 1V、1.5V三种情况下晶体管T的工作状态及输出电压uO的值。
2.电路如图所示，已知晶体管的＝100，rbe＝1.4kΩ，各电容器对 交流信号可视为短路，其他参数如图中所示。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，请画出该电路的直流通道， 并估算Rb约为多少千欧； （2）若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV，请画出该电路的交 流通道，并计算负载电阻RL为多少千欧？
1. 画出图示电路的直流通路和交流通路。电路中所有电容对交流 信号均可视为短路。
2. 画出图示电路的直流通路和交流通路。电路中所有电容对交流 信号均可视为短路。
3. 画出图示电路的直流通路和交流通路。电路中所有电容对交流 信号均可视为短路。
模拟电子技术基础试题及答案
1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；【】A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当i则输出电压的幅值将；【】A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。
【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。
【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。
【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。
【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
【】A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
【】A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
模拟电子技术教程第3章习题答案
第3章 习题1. 概念题：（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
（2）电源的作用是 为能量转换提供能源 ，如果离开电源，放大器可以工作吗（ 不能 ）（3）单管放大器的讲解从电容耦合形式开始，这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ，如果信号和负载直接接入，其 工作点 的计算将要复杂的多。
（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还能认为是共射放大器吗（ 能 ）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还能认为是共集放大器吗（ 能 ）（5）在模电中下列一些说法是等同的，（A 、C 、F ）另一些说法也是等同的。
（B 、D 、E ）A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析（6）PN 结具有单向导电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大，这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
（7） β大的三极管输入阻抗 也大 ，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
（8）画直流通路比画交流通路复杂吗（不）在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ，直流电流源可认为 开路 ，二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
（9）求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ，单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器，其次是共 源 放大器。
（10）对晶体管来说，直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ，交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ，对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗（ 无 ）（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
（12）放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真，引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
电子技术(电工学,13机械)试卷A答案
考试课程：电子技术班级：学号：姓名：注：学生不得在草稿纸上答题，答题不得超出框题4图题5图门电路的输入和输出之间存在的基本逻辑关系为（“与”）“或”）、（“非”）三种，如图所示电路表示（“或”逻辑关系。
考试课程： 电子技术 班级： 学号： 姓名：注：学生 不 得 在 草 稿纸 上 答 题，答 题 不 得 超 出框体。
项-∞＋R F 2题5图40V ，最小值为 0V 40V ，最小值为 +10V 10V ，最小值为 －40V 10V ，最小值为 0VI 值为（ B )。
题6图 题7图无法确定当输入电压u 的有效值为10V u0平均值为 ( D )。
CXX7905的输出电压是（ C ）B.－5VC.+5VD.+50VC ）考试课程：电子技术姓名：注：学生不得在草稿纸上答题，答题不得超出框体。
A .2位B .3位 C. 4 位 D. 5位10. 若逻辑表达式F=1CDBA=++，则ABCD分别为（ DA.1000B.0100C.0110D.1011三、简答题(24分，每题4分)1.已知：电路如图所示 V1、V2为理想二极管。
求：1）哪只二极管导通？说明理由2）UAO=？说明理由解：1）V2导通理由：将V1、V2断开，则A点电位为+10V，即V1为+10V；V1原两端点电压为+15V；但后者比前者大，因此V2导通；2）UAO=-5V理由：V1不能导通，V2导通，由于V2的钳位作用，A5V。
BB CD ADB+已知：电路如图示：，R1=500Ω，R2=1KΩ；求：输出考试课程： 电子技术注：学生 不 得 在 草 稿纸上答 题，答 题 不 得 超 出框 体。
4.已知F007运算放大器开环电压放大倍数0100u A dB =，电阻2id r M =Ω，最大输出电压13opp U V =±。
区，试求：①u +和u -的最大允许误差；②输入端电流的最大允许值 解：5010010u A dB == ①5131310oppuoU u u V A μ+-±-===± ②5613100.065210d id u u I nA r -+--⨯===⨯5.试计算u o 的大小。
(完整版)14级模拟电路第1-4单元复习自测题
14级 《模拟电路》第1-4单元 复习自测题第一单元 半导体器件1.1 在P 型半导体中，多数载流子是 [ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.2 在N 型半导体中，多数载流子是 [ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.3 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.4下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.5二极管的主要特性是 [ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.6. 左下图，设二极管导通压降为0.7V ，判断二极管是否导通，并求输出电压 U O 。
1.7 二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为0.7V ，判断二极管是否导通，求输出电压U o （D1导通，D2截止。
U O = -0.7V ）1.8左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为[ A ]。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止B. VD2导通， VD1 、 VD3截止C. VD3导通， VD1 、 VD2截止D. VD1， VD2 、 VD3均导通1.9. 判断右上图电路中二极管的工作状态。
[ A ]A. VD1导通， VD2截止B. VD2导通， VD1 截止C. VD1 、 VD2均导通D. VD1， VD2均 截止1.10 如左下图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
（当u i >0,D 通，u 0=u i ;当u i <0,D 截止，u 0=0）VD VD 21 3.5 导通截止，O V U1.11在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1(左图)所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图1.1 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V1.12测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是[ D ]A. NPN型硅管；B. PNP型硅管；C. NPN型锗管；D. PNP型锗管1.13 某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏1.14双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ B ]A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏1.15当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[ A ]A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿1.16当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[ B ]。
电子技术(非电类)第三章课后习题答案
第三章习题参考答案3-1 电路如图3-40所示，设40=β，试确定各电路的静态工作点，指出晶体管工作于什么状态图3-40 题3-1图解 a ）A I BQ μ5.71102007.0153=⨯-=mA I CQ 86.20715.040=⨯= V U CEQ 14.12186.215=⨯-= 晶体管工作于放大状态。
b ）A I BQ μ8010]1)401(200[7.0203=⨯⨯++-=mA I CQ 2.308.040=⨯=V U CEQ 39.10)12(2.320=+⨯-= 晶体管工作于放大状态。
c ）设晶体管工作在放大状态。
+15Vk 200+15V +15V+20Vk 200mA I BQ 257.010757.0203=⨯-=mA I CQ 3.10257.040=⨯= V U CEQ 9.1533.1015-=⨯-= 说明晶体管已经深度饱和。
d) 由于发射结反偏，晶体管工作于截止状态。
3-2 试判断图3-41中各电路能否放大交流信号，为什么a ） b) c)d) e) f) 图3-41 题3-2图解 a) 晶体管的发射结正偏，集电结反偏，故可以放大交流信号。
b) 缺少直流负载电阻C R ，故不能放大交流信号。
c) 晶体管为PNP 型，偏置电压极性应为负，故不能放大交流信号。
d) 电容C1、C2的极性接反，故不能放大交流信号。
e) 缺少基极偏置电阻B R ，故不能放大交流信号。
f) 缺少直流电源CC V ，故不能放大交流信号。
3-3 在图3-42中晶体管是PNP 锗管，（1）在图上标出CC V 和21,C C 的极性；（2）设V 12-=CC V ，k Ω3=C R ，75=β，如果静态值mA 5.1=C I ，B R 应调到多大（3）在调整静态工作点时，如果不慎将B R 调到零，对晶体管有无影响为什么通常采取何种措施来防止这种情况发生（4）如果静态工作点调整合适后，保持B R 固定不变，当温度变化时，静态工作点将如何变化这种电路能否稳定静态工作点 解 1)CC V 和21,C C 的极性如题3-3解图所示。