金属氧化物透明导电材料地基本原理
透明导电薄膜(TCO)之原理及其应用发展课件
透明导电薄膜
金属化合物薄膜(TCO)
泛指具有透明导电性之氧化物、氮化物、氟化物
a.氧(氮)化物：In2O3、SnO2、ZnO、CdO、TiN b.掺杂氧化物：In2O3:Sn (ITO)、ZnO:In (IZO)、ZnO:Ga (GZO) ZnO:Al (AZO)、SnO2:F、TiO2:Ta
c.混合氧化物：In2O3-ZnO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2.TCO的导电原理
3.TCO的光学性质
4. TCO薄膜之市场应用及未来发展
什么是透明导电薄膜?
在可见光波长范围内具有可接受之透光度
������ 以flat panel display而言透光度愈高愈好 ������ 以solar cell而言太阳光全波长范围之透光度及热稳定性
透明导电薄膜(TCO) 之原e
1.ITO及各种透明导电氧化物材料的介绍
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2.TCO的导电原理
3.TCO的光学性质
4. TCO薄膜之市场应用及发展
1.ITO及各种透明导电氧化物材料的介绍
特点：1.ZnO矿产产能大。 2.价格比ITO便宜(> 200% cost saving) 。 3.部分AZO靶材可在100%Ar环境下成膜，制程控制容易。 4.耐化性比ITO差，通常以添加Cr、Co于ZnO系材料中来 提高其耐化性。
1.ITO及各种透明导电氧化物材料的介绍
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
������ 2000年代，主要的透明导电性应用以ITO材料为主，磁控溅镀ITO成为 市 场上制程的主流.
氧化物材料的导电性研究
氧化物材料的导电性研究导电性是材料科学中一个重要的研究方向，而氧化物材料作为导电性材料的一种，也备受关注。
本文将通过对氧化物材料导电性的研究以及其在实际应用中的潜力进行探讨。
一、导电机制的研究在对氧化物材料的导电性研究中，我们不得不提到其导电机制。
传统上，导电机制可以分为电子导电和离子导电两种。
在电子导电方面，传统的金属材料往往能够提供自由电子来进行电流传输。
然而，氧化物材料往往因为其氧化性而导致电子无法轻易地完成电流传输。
因此，通过探索其电子掺杂、缺陷调控等方式，研究人员成功地将一些氧化物材料转化为电子导电材料，例如氧化铜、氧化锌等。
另一方面，离子导电机制主要是指通过离子在晶格中的迁移进行电流的传输。
在氧化物材料中，常见的离子包括氧离子、金属阳离子等。
通过控制材料的氧气分压、温度等条件，以及对氧化物材料进行掺杂等手段，可以显著提高其离子导电性能。
这种离子导电机制被广泛应用于固体氧化物燃料电池等领域。
二、氧化物材料导电性的应用氧化物材料的导电性在多个领域具有广泛的应用潜力。
1. 电子器件领域：氧化物材料的高导电性使其成为微电子器件中的重要材料。
例如，氧化铟锡（ITO）作为一种透明导电薄膜广泛应用于平板显示器、太阳能电池等领域。
2. 电池与储能技术：对于氧化物材料来说，其导电性能直接关系到电池和储能技术的性能。
研究表明，通过控制氧化物材料的导电性，可以大幅提高电池的循环寿命和充放电速率，进而提高电池的性能。
3. 功能性薄膜：氧化物材料不仅在导电性方面具有潜力，而且在光学、磁性等方面也有很多独特的性能。
例如，将导电氧化物材料与其他材料结合，可以制备具有光致发光、磁性等功能的薄膜，这对于光电子器件和磁存储技术等领域来说具有重要意义。
三、挑战与前景尽管氧化物材料在导电性方面具有巨大潜力，但同时也面临着一些挑战。
首先，氧化物材料导电性的提高往往要求复杂的制备工艺和高成本技术。
电子和离子掺杂、晶格缺陷的调控等需要精确的材料设计和制备手段，这增加了研究的难度和成本。
透明导电材料的研究及其应用
透明导电材料的研究及其应用导电材料在我们日常生活中扮演着重要角色。
无论是手机、电视还是电脑，导电材料都是不可或缺的元素。
然而，长期以来，电子设备中普遍使用的ITO导电材料不仅价格昂贵、资源有限，同时具有脆性较强、不易加工等弊端，因此研究发现透明导电材料（Transparent Conductive Materials，TCMs）成为了电子产业研究的热点。
透明导电材料兼备导电性和透光性，可以同时满足显示、光伏、照明等方面的需求，不仅可以替代ITO，同时也具有广泛的应用前景。
一、透明导电材料的种类透明导电材料的种类较为繁多，其中比较常用的有：1. 导电聚合物材料导电聚合物是一类能够在空气中导电的有机高分子材料，具有性能优异、适应性强、可塑性大等特点，因此在可拓展性、低成本、生物相容性、柔韧性等方面具有较大优势。
目前已经广泛应用于可穿戴设备、车辆电子、医疗器械等领域。
2. 导电金属氧化物材料导电金属氧化物材料代表作为氧化铟锡（ITO），不仅具有透明、导电、稳定的特点，而且材料稳定性好、加工性能强，尤其在光电子设备的导电玻璃表面，具有极好的应用性，但面临着价格昂贵、资源有限、脆性强、难加工等问题。
目前人们开始研究替代ITO的具有特殊优点导电材料，如利用掺杂控制，人们成功地将氧化铟锡薄膜的光透射率提高到了83%。
3. 导电碳材料导电碳材料种类繁多、性质多样，包括导电性较强的石墨烯、碳纳米管等材料以及导电性较弱的分子筛、金属有机框架等，利用这些材料可在太阳能电池、平板显示器、薄膜晶体管等领域实现低成本，同时也兼备高透过率和低反射率等优点。
二、透明导电材料的应用随着近年来信息产业和节能环保产业的高速发展，透明导电材料的应用在电池、显示器、LED照明等领域得到广泛的拓展。
1. 光电器件透明导电材料在光伏电池的制造中应用越来越广泛，如铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池和适用于有机太阳能电池的制造工艺技术日臻成熟。
同时透明导电材料在太阳能电池、液晶显示器、有机发光显示器等光电器件中的应用也在不断增加。
透明导电聚合物
透明导电聚合物透明导电聚合物透明导电聚合物是一种具有导电性和透明度的材料，可以在电子设备、太阳能电池、触摸屏等领域中发挥重要作用。
以下是关于透明导电聚合物的详细描述：1. 基本原理：-透明导电聚合物由导电性高分子材料构成。
这些高分子材料通常具有良好的电子传导性和光透过性。
-透明导电聚合物通过在高分子材料中分散导电剂，如金属氧化物纳米颗粒或碳纳米管等，来实现电导性。
2. 透明度：-透明导电聚合物需要具备良好的透明度，以保持光的传输和显示设备的清晰度。
-高分子材料的选择和加工工艺对材料的透明度有重要影响。
优秀的透明导电聚合物应具备高透明度和低反射率。
3. 导电性能：-透明导电聚合物需要具备良好的导电性能以传导电流。
导电性能的好坏取决于导电剂的分散均匀性和浓度。
-透明导电聚合物通常具有较低的表面电阻和较高的电导率，以确保良好的电流传输。
4. 可塑性：-透明导电聚合物通常具备良好的可塑性，可以通过拉伸、压碾和注塑等加工方法制备成各种形状的薄膜、薄片或纤维。
-高分子材料的可塑性使得透明导电聚合物能够适应不同形状和尺寸的器件和设备。
5. 稳定性：-透明导电聚合物需要具备良好的化学稳定性和耐热性，以适应各种环境和工艺条件。
-优质的透明导电聚合物应具备耐腐蚀、抗氧化和耐高温能力，以延长材料的使用寿命和稳定性。
6. 应用领域：-透明导电聚合物可以广泛应用于电子设备、太阳能电池、触摸屏、柔性显示器和智能穿戴设备等领域。
-可以用作导电电极、传感器、导电薄膜和电子导线等关键组件，以满足先进电子器件的需求。
总结：透明导电聚合物是一种具有导电性和透明度的材料，通过导电剂的加入实现电导性。
这种材料具备良好的透明度、导电性、可塑性和稳定性，可在电子领域的各个方面得到广泛应用。
透明导电聚合物在电子设备、太阳能电池、触摸屏、柔性显示器和智能穿戴设备等高科技领域发挥着重要的作用。
复合透明导电薄膜光电原理
复合透明导电薄膜光电原理复合透明导电薄膜的光电原理主要基于光的透射和薄膜的导电性能。
这种薄膜通常由透明材料（如氧化物或氮化物）和导电材料（如金属或石墨烯）组成。
当光线照射到复合透明导电薄膜上时，一部分光线被反射，另一部分光线透射。
透射光在薄膜内部传播时，会与不同材料层之间发生相互作用，导致光能转化为电能。
这种光电效应是由半导体的电子结构和光子相互作用引起的。
在复合透明导电薄膜中，导电材料层能够吸收光能并将其转换为电能。
这些电能可以通过外部电路输出，实现光电转换。
由于这种薄膜具有高透光性和导电性，因此被广泛应用于太阳能电池、触控屏幕、显示器等领域。
具体来说，当光照射到复合透明导电薄膜上时，光子与电子相互作用，将电子从原子中激发出来。
这些激发出来的电子在导电材料层中自由移动，形成电流。
由于不同材料层的折射率和导电性能不同，光在薄膜内部发生反射和折射，增加了光的吸收和光电转换效率。
总之，复合透明导电薄膜的光电原理基于光的透射和吸收、材料的导电性能和电子结构的相互作用。
这种材料具有高透光性和良好的导电性能，可广泛应用于各种光电转换器件。
透明导电薄膜TCO之原理及其应用发展
透明导电薄膜TCO之原理及其应用发展透明导电薄膜（Transparent Conductive Films，TCO）是一种在光学透明度和电导率之间取得平衡的薄膜材料。
原理上，TCO薄膜是通过掺杂导电材料到光学材料中，达到同时具有高透明度和高电导率的效果。
TCO薄膜的主要原理是靠材料的电子结构来实现。
通常，TCO薄膜由两个主要成分组成：导电材料和基底材料。
导电材料通常是金属氧化物，如氧化锌（ZnO）或氧化锡（SnO2），它们具有高电子迁移率和低电阻率的特点。
基底材料通常是通过掺杂或添加导电剂的透明绝缘体，如玻璃或塑料。
TCO薄膜的应用非常广泛。
其中最重要的应用是透明导电电极，用于太阳能电池、液晶显示器、有机光电器件等光电器件中。
由于TCO薄膜在可见光范围内具有高透明度和低电阻率，所以能够有效传输光线并提供高效的电导率，从而改善光电器件的工作效率。
除此之外，TCO薄膜还常用于光催化、触摸屏、热电器件、光电探测器等领域。
然而，目前TCO薄膜仍然面临一些挑战。
例如，TCO薄膜的电导率和光学透射率之间存在着折中关系，很难在两者之间取得完美的平衡。
此外，一些常用的导电材料，如氧化锌和氧化锡，在高温、高湿度或强光照射条件下容易退化，从而限制了TCO薄膜的长期稳定性。
为了解决这些问题，当前TCO薄膜研究重点在于开发新型材料和改进工艺技术。
例如，研究人员尝试使用新型的导电材料，如氧化铟锡（ITO）和氟化锡（FTO），以提高TCO薄膜的电导率和稳定性。
另外，一些研究还涉及到利用纳米技术和多层结构设计，以进一步改善TCO薄膜的性能。
在未来，随着光电器件和可穿戴设备等领域的不断发展，对性能更好、更稳定的TCO薄膜的需求将会进一步增加。
因此，TCO薄膜的研究和应用前景非常广阔，有望在多个行业中发挥重要作用。
透明导电电极
透明导电电极一、概述透明导电电极是一种特殊的材料，它既具有优异的导电性能，又具有良好的透明性。
这种材料广泛应用于各种领域，如太阳能电池、触控屏幕、LED照明等。
透明导电电极主要由金属氧化物（如氧化铟锡）或掺杂的半导体材料制成，其导电性能来源于材料内部的自由电子。
同时，由于这些材料的晶体结构具有光透性，使得光线可以在其内部自由传播，从而实现在保持良好导电性能的同时保持透明性。
二、应用领域1. 太阳能电池：透明导电电极作为太阳能电池的重要组成部分，能够将光能转化为电能。
它不仅可以提高太阳能电池的光吸收效率，同时还能减小光的反射损失，从而提高光电转换效率。
2. 触控屏幕：在触控屏幕中，透明导电电极作为触控传感器，能够感知人体的触摸动作，并将其转换为电信号，从而实现对电子设备的控制。
透明导电电极的使用不仅提高了触控屏幕的灵敏度，而且增加了其使用寿命。
3. LED照明：在LED照明中，透明导电电极作为LED灯具的散热器，能够有效地将灯珠产生的热量传导至灯具的散热部位，从而延长LED的使用寿命。
同时，透明导电电极还能够提高灯具的透光率，使光线更加均匀。
三、发展趋势随着科技的不断发展，透明导电电极的应用领域也在不断拓展。
未来，随着人们对透明导电电极材料研究的深入，其性能将得到进一步提升。
同时，随着各种新兴技术的涌现，如柔性电子、透明机器人等，透明导电电极在未来的应用前景将更加广阔。
四、总结透明导电电极作为一种特殊的材料，具有广泛的应用前景和重要的研究价值。
随着科技的不断发展，其性能和应用领域将得到进一步提升和拓展。
未来，透明导电电极将在更多领域发挥重要作用，为人们的生活带来更多便利和惊喜。
透明导电极
透明导电极全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：透明导电电极是一种能够同时具备透明度和导电性的材料，广泛应用于光电子器件、触摸屏、液晶显示器、有机电致变色器件等领域。
透明导电电极的出现，极大地提升了这些领域设备的性能和实用性。
本文将介绍透明导电电极的原理、制备方法以及应用领域，并展望其未来发展前景。
一、透明导电电极的原理透明导电电极的原理是在保持材料透明性的同时提高其导电性能。
通常情况下，金属材料具有很好的导电性能，但不透明，无法用于透明器件。
而透明材料如ITO（氧化铟锡）具有很好的透明性，但导电性能较差。
研究人员通过将导电性能较好的材料（如金属纳米颗粒、碳纳米管等）与透明性较好的材料复合，制备出了具有优秀透明度和导电性能的透明导电电极。
透明导电电极的导电原理主要包括电子传输和光学性质。
透明导电电极在外加电场下，会出现电子的传导效应，使得电流可以在电极内部迅速传输。
材料的光学性质也会影响电极的透明度。
通常情况下，材料的透明度取决于其本身吸收、散射光的能力，因此透明导电电极的材料需要具有很好的透明性，使得光线可以顺利穿透到器件内部。
目前，透明导电电极的制备方法主要包括溶液法、蒸发法、喷涂法等。
溶液法是将导电性材料溶解在溶剂中，通过涂覆、印刷等方式将其均匀涂布在基底上，再通过烘烤等步骤制备固化的透明导电电极。
蒸发法是通过真空蒸发、磁控溅射等技术，在基底上沉积金属薄膜或其他导电材料，再通过退火等步骤提高其导电性能。
喷涂法是将导电材料溶解在溶剂中，通过高压气体将溶液喷射至基底上，再通过烘烤等步骤形成透明导电电极。
除了传统的制备方法外，近年来也出现了一些新的制备透明导电电极的方法。
有学者利用浸渍自组装技术，通过将导电材料溶解于溶剂中，再通过自组装的方法将其自发排列在基底上，制备出具有优异导电性能的透明导电电极。
还有学者通过纳米制备技术，利用纳米材料对传统透明导电电极进行改性，提高其电导率和透明性。
透明导电电极广泛应用于光电子器件、触摸屏、液晶显示器、有机电致变色器件等领域。
透明导电薄膜(TCO)之原理及其应用发展
触控面板
触控面板是TCO应用的另一个重要领域。TCO作为电极材料，能够实现触控面板的透明和导电功能。 通过在触控面板上涂覆TCO薄膜，可以提供良好的导电性和透光性，从而实现准确的触控感应。
未来发展前景
随着人们对环保和可持续发展的日益重视，TCO在可穿戴设备、物联网、智能窗户等领 域的应用前景广阔，尤其在柔性电子和光电器件领域，TCO的发展潜力巨大。
对未来研究和发展的建议
加强基础研究
深入研究TCO的物理机制、化学性质以及 制备工艺，提高TCO的性能和稳定性。
加强跨学科合作
加强与材料科学、物理学、化学等领域的 交叉合作，共同推动TCO技术的进步。
02
TCO的电子传输性能取决于其材 料组成和晶体结构，通常采用掺 杂技术来提高电子传输性能。
光子散射机制
TCO通过光子散射实现光的透射，即光子在TCO表面和内部受到散射，改变了光 的传播方向，从而使光线能够透射TCO。
光子散射性能取决于TCO的表面和内部结构，可以通过控制制备工艺来调节光子 散射性能。
拓展应用领域
积极探索TCO在新型显示技术、光电传感 器、能源转换等领域的应用，推动TCO技 术的创新发展。
加强人才培养
培养具备创新能力和实践经验的高素质人 才，为TCO的持续发展提供人才保障。
THANKS
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透明导电薄膜(TCO) 之原理及其应用发展
目录
• 引言 • TCO的原理 • TCO的应用领域 • TCO的发展趋势和挑战 • 结论
01
引言
目的和背景
金属氧化物透明导电材料的基本原理
金屬氧化物透明導電材料的基本原理一、透明導電薄膜簡介如果一種薄膜材料在可見光範圍內(波長380-760 nm)具有80%以上的透光率，而且導電性高，其比電阻值低於1×10-3 ·cm，則可稱為透明導電薄膜。
Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, A1, Cr等金屬，在形成3-15 nm厚的薄膜時，都有某種程度的可見光透光性，因此在歷史上都曾被當成透明電極來使用。
但金屬薄膜對光的吸收太大，硬度低而且穩定性差，因此人們開始研究氧化物、氮化物、氟化物等透明導電薄膜的形成方法及物性。
其中，由金屬氧化物構成的透明導電材料(transparent conducting oxide, 以下簡稱為TCO)，已經成為透明導電膜的主角，而且近年來的應用領域及需求量不斷地擴大。
首先，隨著3C產業的蓬勃發展，以LCD 為首的平面顯示器(FPD)產量逐年增加，目前在全球顯示器市場已佔有重要的地位，其中氧化銦錫(In2O3:Sn, 意指摻雜錫的氧化銦，以下簡稱為ITO)是FPD的透明電極材料。
另外，利用SnO2等製成建築物上可反射紅外線的低放射玻璃(low-e window)，早已成為透明導電膜的最大應用領域。
未來，隨著功能要求增加與節約能源的全球趨勢，兼具調光性與節約能源效果的electrochromic (EC) window (一種透光性可隨施加的電壓而變化的玻璃)等也可望成為極重要的建築、汽車及多種日用品的材料，而且未來對於可適用於多種場合之透明導電膜的需求也會越來越多。
二、常用的透明導電膜一些目前常用的透明導電膜如表1所示，我們可看出TCO佔了其中絕大部分。
這是因為TCO具備離子性與適當的能隙(energy gap)，在化學上也相當穩定，所以成為透明導電膜的重要材料。
表1 一些常用的透明導電膜三、代表性的TCO材料代表性的TCO材料有In2O3，SnO2，ZnO，CdO，CdIn2O4，Cd2SnO4，Zn2SnO4和In2O3-ZnO等。
液晶显示屏的基本结构和原理
液晶显示屏的基本结构和原理1.玻璃基板：液晶显示屏的两侧通常都有玻璃基板，其作用是提供稳定的支撑和保护内部电路。
2.透明导电层：液晶显示屏的上下两个玻璃基板上都覆盖有透明导电层，通常由透明金属氧化物（如ITO）组成。
透明导电层在电流通过时能够产生电场。
3.液晶层：液晶层位于两个玻璃基板之间，通常由两层玻璃基板中的其中一个上覆盖有液晶分子。
液晶分子具有极性，能够受到电场的影响而改变排列方向。
4.偏振片：液晶显示屏的最外层通常覆盖着偏振片。
偏振片的作用是调节光线的传播方向。
液晶显示屏利用液晶分子对电场的响应来实现图像的显示。
当电流通过透明导电层时，产生的电场作用于液晶层中的液晶分子，使得液晶分子发生定向排列的变化（根据电场的方向不同，液晶分子的排列方式也会不同）。
液晶分子的排列方式会改变透过液晶层的光线的偏振状态。
液晶分子的不同排列状态会引起光线的旋转和偏振状态的改变。
对于液晶显示屏，通常采用了TN（Twisted Nematic，扭转向列）结构。
在此结构下，液晶分子在发生电场作用下会扭转一定角度。
在不同的偏振状态下，通过液晶层的光线会旋转不同的角度，最终由偏振片控制部分光线能够透过，形成图像。
液晶显示屏中液晶分子的排列状态会受到控制电路的调节。
控制电路通常通过控制每个像素区域的电场大小来调整液晶分子的排列状态。
这些控制电路由电子设备中的信号处理器等组件提供。
根据不同的输入信号，控制电路能够控制每个像素点的液晶分子排列状态，实现图像的显示。
总结起来，液晶显示屏的基本结构包括玻璃基板、透明导电层、液晶层和偏振片。
通过控制电场来改变液晶分子的排列状态，从而改变光线的传播方向和偏振状态，实现图像的显示。
液晶显示屏的工作原理是基于液晶分子对电场的响应和光的偏振变化。
透明导电玻璃的工作原理
透明导电玻璃的工作原理
透明导电玻璃是一种能够同时具有透明性和导电性的材料，常用于制造触摸屏、显示器和太阳能电池等电子器件。
其工作原理基于以下两个基本原理：
1. 厚度电阻效应：透明导电玻璃通常由氧化铟锡(ITO)薄膜组成，这种薄膜的电阻主要取决于其厚度。
当外加电压施加到透明导电玻璃上时，电流会在导电层内流动，但由于导电层的厚度非常薄，电流可以很容易地通过导电层，从而导致材料能够显示透明。
2. 自由载流子效应：透明导电玻璃中的导电层通常注入了自由载流子，如电子或空穴。
这些载流子可以在导电层中自由移动，因此，当外加电压施加到透明导电玻璃上时，载流子会在导电层内移动，从而形成电流。
这种载流子的注入也有助于提高导电层的导电性能。
总的来说，透明导电玻璃的工作原理就是通过在导电层中形成电流来实现导电性，同时保持材料的透明性。
金属氧化物透明导电材料的基本原理
金屬氧化物透明導電材料的基本原理一、透明導電薄膜簡介如果一種薄膜材料在可見光範圍內(波長380-760 nm)具有80%以上的透光率，而且導電性高，其比電阻值低於1×10-3 ·cm，則可稱為透明導電薄膜。
Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, A1, Cr等金屬，在形成3-15 nm厚的薄膜時，都有某種程度的可見光透光性，因此在歷史上都曾被當成透明電極來使用。
但金屬薄膜對光的吸收太大，硬度低而且穩定性差，因此人們開始研究氧化物、氮化物、氟化物等透明導電薄膜的形成方法及物性。
其中，由金屬氧化物構成的透明導電材料(transparent conducting oxide, 以下簡稱為TCO)，已經成為透明導電膜的主角，而且近年來的應用領域及需求量不斷地擴大。
首先，隨著3C產業的蓬勃發展，以LCD 為首的平面顯示器(FPD)產量逐年增加，目前在全球顯示器市場已佔有重要的地位，其中氧化銦錫(In2O3:Sn, 意指摻雜錫的氧化銦，以下簡稱為ITO)是FPD的透明電極材料。
另外，利用SnO2等製成建築物上可反射紅外線的低放射玻璃(low-e window)，早已成為透明導電膜的最大應用領域。
未來，隨著功能要求增加與節約能源的全球趨勢，兼具調光性與節約能源效果的electrochromic (EC) window (一種透光性可隨施加的電壓而變化的玻璃)等也可望成為極重要的建築、汽車及多種日用品的材料，而且未來對於可適用於多種場合之透明導電膜的需求也會越來越多。
二、常用的透明導電膜一些目前常用的透明導電膜如表1所示，我們可看出TCO佔了其中絕大部分。
這是因為TCO具備離子性與適當的能隙(energy gap)，在化學上也相當穩定，所以成為透明導電膜的重要材料。
表1 一些常用的透明導電膜三、代表性的TCO材料代表性的TCO材料有In2O3，SnO2，ZnO，CdO，CdIn2O4，Cd2SnO4，Zn2SnO4和In2O3-ZnO等。
ito导电原理
ito导电原理
ITO导电原理是指利用氧化铟锡(ITO)薄膜的高导电性质，实现对光电器件进行导电控制的一种物理原理。
ITO薄膜是一种由铟和锡的氧化物混合物组成的透明导电材料，其具有高透过率和低电阻率的特性，能够在太阳能电池、液晶显示屏、触摸屏等光电器件中发挥重要作用。
ITO导电原理的实现主要依靠ITO薄膜的导电性质，当ITO薄膜受到外加电场或光照时，可以形成一种带电载流子的电子气体，从而实现电流的传导。
这种导电过程与常规的金属导电不同，ITO薄膜的导电机理主要是基于电荷输运和电子散射等量子力学效应，因此其导电特性与薄膜制备工艺、组成结构等因素密切相关。
在实际应用中，ITO导电原理可以通过控制ITO薄膜的厚度、掺杂浓度和晶体结构等方法进行优化，从而达到提高导电性能、降低电阻率、提高光电转换效率等目的。
同时，ITO导电原理还可以与其他光电效应相结合，如光电子发射、光致发光等，从而实现更加复杂的光电器件功能。
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TCO(透明导电层)的原理及其应用发展资料
磁、防护膜、太阳能电池之透明电极、防反 光涂布及热反射镜(heat reflecting mirror)等 电子、光学及光电装置上。
ITO是什么？
ITO＝Indium Tin Oxide(In2O3＋SnO2) ������ ITO的成分＝90wt%In2O3与10wt% SnO2混合物
Why choose ITO ?
特点：1.ZnO矿产产能大。 2.价格比ITO便宜(> 200% cost saving) 。 3.部分AZO靶材可在100%Ar环境下成膜，制程控制容易。 4.耐化性比ITO差，通常以添加Cr、Co于ZnO系材料中来 提高其耐化性。
1.ITO及各种透明导电氧化物材料的介绍
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
History of TCO
������ 1907年最早使用CdO材料为透明导电镀膜，应用在photovoltaiccells. 1940年代，以Spray Pyrolysis及CVD方式沉积SnOx于玻璃基板上. ������ 1970年代，以Evaporation及Sputtering方式沉积InOx及ITO. ������ 不 1980年代，磁控溅镀﹙magnetron sputtering﹚开发，使低温沉膜制程， 论在玻璃及塑料基板均能达到低面阻值、高透性ITO薄膜. ������ 使 1990年代，具有导电性之TCO陶瓷靶材开发，使用DC磁控溅镀ITO， 沉积制程之控制更趋容易，各式TCO材料开始广泛被应用.
具有导电特性
������ 电阻比(resistivity)愈小愈好，通常ρ <10-4 Ωּ cm ������
一般而言，导电性提高，透光度便下降，反之亦然。可见光 范围具有80 %以上的透光率，其比电阻低于1×10-4 Ωּcm，即 是良好透明导电膜。
ITO膜的主要性能参数
ITO的发展之路
1.高透光率 2.极低的面电阻及高透过率 3.超平坦透明导电膜 4.在塑料基本成膜（室温成膜） 5.靶材的回收再利用
掺锡氧化铟（即Indium Tin Oxide, 简称ITO）材料是一种n型半
导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率，In2O3里掺 入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形 式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一 个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成 1020 至1021cm-3的载流子浓度和10至 30cm2/vs的迁移率。这 个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄 膜具有半导体的导电性能。 ITO是一种宽能带薄膜材料，其 带隙为3.5-4.3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为 3.75ev，相当于330nm的波长，因此紫外光区ITO薄膜的光穿透 率极低。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生 反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的，但可见 光区ITO薄膜的透过率非常好.同时ITO还具有高的机械硬度和 化学稳定性。
致了膜具有较强的化学和机械特性
a) 耐碱性 镀层在温度为60±2℃, 浓度为10%的氢氧化钠(分析纯)溶液中浸泡5分钟, ITO 膜的方电阻与浸泡前的方电阻相比不得超过110%。 b) 耐酸性 在25±2℃, 6%盐酸(分析纯)溶液中浸泡2分钟, ITO膜的方电阻与浸泡前的方电 阻相比不得超过110%。 c) 耐溶剂性能 将镀膜玻璃放入丙酮(分析纯)、无水乙醇(分析纯) 中浸泡5分钟后，ITO膜的方 电阻与浸泡前的方电阻相比不得超过110%。 d）热稳定性:在空气中经30分钟300±5℃（触摸屏用ITO玻璃是在200±5℃）高 温后，ITO膜的方阻的变化率小于300% e）附着力: 用3M胶带粘在玻璃表面迅速撕开,ITO层无明显开裂现象 f）摩擦力 在1KG条件下用橡片摩擦ITO层表面1000次,无明显开裂现象.,
TCO(透明导电层)的原理及其应用发展
1980年代，磁控溅镀﹙magnetron sputtering﹚开发，使低温沉膜制程， 不
论在玻璃及塑料基板均能达到低面阻值、高透性ITO薄膜.
1990年代，具有导电性之TCO陶瓷靶材开发，使用DC磁控溅镀ITO， 使
年代：1934年被美国铟矿公司最早合成出来
世界最大ITO薄膜制造国：日本
选用率：在TCO材料中，75%应用在平面显示器 主要应用：平面显示器、透明加热组件、抗静电膜、电
磁、防护膜、太阳能电池之透明电极、防反 光涂布及热反射镜(heat reflecting mirror)等 电子、光学及光电装置上。
TCO薄膜之质量需求
1.高穿透度、吸收小 2.低电阻比﹙以较低之薄膜厚度得到较佳之导电性﹚ 3.膜厚均匀性 4.良好的附着力 5.蚀刻制程容易 6.耐候性佳，受环境影响小 7.无Pin hole 8.无Hill lock
1.ITO及各种透明导电氧化物材料的介绍
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2.TCO的导电原理
3.TCO的光学性质
4. TCO薄膜之市场应用及未来发展
TCO的光学性质
TCO在短波长的透光范围：由能隙(energy gap)决定 在长波长的透光范围：由电浆频率(ωp，plasma frequence)决定
由电浆频率决定的波长 (此一波长随载子浓度而移动)
入射光将价带的 电子激发到导带
1.ITO及各种透明导电氧化物材料的介绍
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2.TCO的导电原理
导电玻璃原理
导电玻璃原理导电玻璃，又称为ITO玻璃，是一种具有透明性和导电性能的特殊材料，被广泛应用于各种不同领域，如平板电视、太阳能电池、触控屏等。
在具体的应用场景中，ITO玻璃的导电性能至关重要，那么，导电玻璃的导电原理又是怎样的呢？步骤一：什么是导电玻璃？导电玻璃是一种透明导电材料，是一种金属氧化物材料，主要成分是氧化铟和氧化锡。
导电玻璃的透明性能能够达到80％以上，在可见光波段有良好的透过率。
步骤二：导电玻璃的导电原理导电玻璃的导电原理是阳极氧化法和直流磁控溅射法相结合。
导电玻璃表面制成的透明导电膜通常是由氧化铟和氧化锡的混合物组成，其中氧化铟含量在90％以上，氧化锡含量在10％以下。
导电膜具有良好的光学透明性，同时具有优异的电导率。
导电膜的制备过程主要是在高真空下，将铟、锡等金属以靶材的形式放在反应介质中，在较高电压下激发电弧或者电子束来瞬间击穿反应介质，在气氛中产生大量的离子，离子加速而来，击穿导电玻璃表面，并在表面上沉积成均匀的导电膜，形成透明导电玻璃。
步骤三：导电玻璃的制造方法导电玻璃的制造方法主要有两种，一种是阳极氧化法，另一种是直流磁控溅射法。
阳极氧化法是一种常见的制备导电玻璃的方法，制作时先将玻璃基板进行清洗处理，然后将其浸入含有铟锡氧化物溶液的电解槽中，进行阳极氧化反应，再在其表面制备出一层导电膜。
这种方法操作简单、成本低，适用于大规模生产。
而直流磁控溅射法则是一种质量更高的制备方法，需要的设备较为昂贵，但制备的导电玻璃更为优异。
在直流磁控溅射法中，先将铟锡靶材放置在真空室中，通过高能的离子轰击铟锡靶材，使其表面材料蒸发，并在玻璃基板表面形成导电膜。
综上所述，导电玻璃的导电原理是阳极氧化法和直流磁控溅射法相结合，而导电玻璃的制备主要有两种方法，一种是阳极氧化法，另一种是直流磁控溅射法。
导电玻璃的导电原理和制备方法的不断改进和完善，为其广泛应用于各种领域提供了坚实的技术支撑。
透明导电薄膜之原理及其应用发展
透明导电薄膜之原理及其应用发展透明导电薄膜（Transparent Conductive Oxide, TCO）是一种具有高透明度和高电导性能的薄膜材料。
它的主要成分是一种氧化物，如二氧化锡（SnO2），氧化铟锡（ITO）和氧化铟锡锌（ITZO）。
TCO薄膜由于其特殊的物理和化学性质，被广泛应用于电子器件、太阳能电池、光电显示器、光电器件等领域。
TCO薄膜的原理是通过掺杂适当的金属或非金属元素，改变薄膜的导电性能，同时保持其高透明度。
掺杂的元素会引入额外的自由电子或空穴，从而增加电导率。
同时，薄膜的高透明性是由于导电层中的自由载流子只占一小部分，不会对光的透过率产生明显的影响。
TCO薄膜的应用发展非常广泛。
以下是几个重要的应用领域：1.光电显示器：TCO薄膜广泛应用于液晶显示器和有机发光二极管（OLED）等光电显示器中。
TCO薄膜作为透明电极，使电流能够均匀地在显示面板上流动，同时确保透明度和显示质量。
2.太阳能电池：TCO薄膜在太阳能电池中的应用十分重要。
它可以作为透明电极，用来收集并导出电流，提高光能的利用效率。
TCO薄膜的高透明性和低电阻率可以提高电池的光吸收和转化效率。
3.电子器件：TCO薄膜在其他电子器件中也有广泛的应用，如触摸屏、柔性电子器件、光纤通信器件等。
TCO薄膜作为透明导电材料，可以为这些器件提供高透明度和高电导性能。
4.光学材料：在光学领域，TCO薄膜可以作为抗反射涂层，改善光学仪器的透光性能。
它还可以用于红外传感器、光学滤波器和反射镜等器件中，以提高其性能。
总之，TCO薄膜是一种重要的功能材料，具有高透明度和高电导性能。
它在电子器件、太阳能电池、光电显示器等领域都有广泛应用，并且不断发展和创新。
随着科技的不断进步，TCO薄膜的性能将不断改进，为各种应用提供更好的解决方案。
透明导电材料的制备和应用
透明导电材料的制备和应用透明导电材料制备及应用透明导电材料是指具有透明性和导电性的材料，常用于智能电子产品、光电器件、触摸屏、光伏电池等领域。
如何制备出高质量的透明导电材料，已成为研究领域的热门话题之一。
一、透明导电材料的特点透明导电材料应具备以下特点：1.高透过率：透明导电材料必须具备良好的透过率，对于光学和显示器件是至关重要的。
2.低电阻率：透明导电材料应具备低电阻率，以应对电流流经的阻碍，从而发挥高效率的电导特性。
3.稳定性：透明导电材料必须具备稳定的性质，能够持久地维持其透明度和导电性。
4.成本低廉：为了在市场上具备竞争优势，透明导电材料应当具有成本低廉的特点。
二、透明导电材料的制备方法制备透明导电材料的方法多种多样，最常见的方法是化学法和物理法。
1. 化学法常用的化学法有溶胶-凝胶法、溶液法、沉淀法等。
(1) 溶胶-凝胶法通过在溶胶中加入适量的荧光素硅氧烷，混合均匀后得到膜材料。
该方法制备得到的透明导电材料能够在高温下保持较好的透明度和导电性。
(2) 溶液法将纳米颗粒或氧化物与有机或无机溶剂混合，在温度较高的条件下使其溶解或沉淀，并经过烘干后得到透明导电材料。
该方法制备得到的透明导电材料能够在中等温度下保持较好的透明度和导电性。
(3) 沉淀法通过沉淀反应制备透明导电材料，沉淀后的物质需要进行多次洗涤和烘干。
该方法制备得到的透明导电材料适用于在室温下使用。
2. 物理法常用的物理法有热蒸发法、磁控溅射法、激光蒸镀法等。
(1) 热蒸发法通过在真空环境下加热金属或纳米颗粒，蒸发出来的金属或纳米颗粒在基板上形成一层透明导电膜。
该方法制备得到的透明导电材料具有很高的透明度和导电性。
(2) 磁控溅射法通过磁控溅射器，将金属或合金材料溅射到基板上，在高真空环境下形成一层薄膜。
该方法制备得到的透明导电材料性能稳定，但需要消耗较高的能量和金属材料。
3. 综合法为了克服单一方法的缺点和局限性，研究人员开始采用综合方法制备透明导电材料。
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金屬氧化物透明導電材料的基本原理一、透明導電薄膜簡介如果一種薄膜材料在可見光範圍內(波長380-760 nm)具有80%以上的透光率，而且導電性高，其比電阻值低於1×10-3 ·cm，則可稱為透明導電薄膜。
Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, A1, Cr等金屬，在形成3-15 nm厚的薄膜時，都有某種程度的可見光透光性，因此在歷史上都曾被當成透明電極來使用。
但金屬薄膜對光的吸收太大，硬度低而且穩定性差，因此人們開始研究氧化物、氮化物、氟化物等透明導電薄膜的形成方法及物性。
其中，由金屬氧化物構成的透明導電材料(transparent conducting oxide, 以下簡稱為TCO)，已經成為透明導電膜的主角，而且近年來的應用領域及需求量不斷地擴大。
首先，隨著3C產業的蓬勃發展，以LCD為首的平面顯示器(FPD)產量逐年增加，目前在全球顯示器市場已佔有重要的地位，其中氧化銦錫(In2O3:Sn, 意指摻雜錫的氧化銦，以下簡稱為ITO)是FPD的透明電極材料。
另外，利用SnO2等製成建築物上可反射紅外線的低放射玻璃(low-e window)，早已成為透明導電膜的最大應用領域。
未來，隨著功能要求增加與節約能源的全球趨勢，兼具調光性與節約能源效果的electrochromic (EC) window (一種透光性可隨施加的電壓而變化的玻璃)等也可望成為極重要的建築、汽車及多種日用品的材料，而且未來對於可適用於多種場合之透明導電膜的需求也會越來越多。
二、常用的透明導電膜一些目前常用的透明導電膜如表1所示，我們可看出TCO佔了其中絕大部分。
這是因為TCO具備離子性與適當的能隙(energy gap)，在化學上也相當穩定，所以成為透明導電膜的重要材料。
表1 一些常用的透明導電膜三、代表性的TCO材料代表性的TCO材料有In2O3， SnO2， ZnO， CdO， CdIn2O4， Cd2SnO4，Zn2SnO4和In2O3-ZnO等。
這些氧化物半導體的能隙都在3 eV以上，所以可見光(約1.6-3.3 eV)的能量不足以將價帶(valence band)的電子激發到導帶(conduction band)，只有波長在350-400nm(紫外線)以下的光才可以。
因此，由電子在能帶間遷移而產生的光吸收，在可見光範圍中不會發生，TCO對可見光為透明。
這些材料的比電阻約為10-1~10-3⋅Ωcm 。
如果進一步地在In 2O 3中加入Sn(成為ITO)，在SnO 2中加入Sb 、F ，或在ZnO 中加入In 、Ga(成為GZO)或A1(成為AZO)等摻雜物，可將載子(carrier)的濃度增加到1020-1021cm -3，使比電阻降低到10-3~10-4⋅Ωcm 。
這些摻雜物，例如在ITO 中為4價的Sn 置換了3價的In 位置，GZO 或AZO 中則是3價的Ga 或A1置換了2價的Zn ，因此一個摻雜物原子可以提供一個載子。
然而現實中並非所有摻雜物都是這種置換型固溶，它們有可能以中性原子存在於晶格間，成為散射中心，或偏析在晶界或表面上。
要如何有效地形成置換型固溶，提昇摻雜的效率，對於低電阻透明導電膜的製作是非常重要的。
In 2O 3、SnO 2與ZnO 是目前三種最為人所注意的TCO 材料，其中的In 2O 3:Sn(ITO)因為是FPD 上的透明電極材料，近年來隨著FPD 的普及成為非常重要的TCO 材料。
FPD 上的透明電極材料之所以使用ITO ，是因為它具有以下的優良性質：(1) 比電阻低，約為1.5510-4 Ω·cm(2) 對玻璃基板的附著力強，接近TiO 2或金屬chrome 膜(3) 透明度高且在可見光中央區域(人眼最敏感區域)透光率比SnO 2好 (4) 適當的耐藥品性，對強酸、強鹼抵抗力佳 (5) 電及化學的穩定性佳SnO 2膜由於導電性較ITO 差，1975年以後幾乎沒有甚麼用途，但因為化學穩定性優良，1990年左右起又開始成為非晶矽太陽電池用之透明導電基板。
非晶矽太陽電池是以電漿CVD成膜，而電漿是由SiH4氣體與氫氣形成，成為很強的還原性氣氛，這會使ITO之透光率由85%降到20%，而SnO2仍會保持在70%。
因此在非晶矽太陽電池上不使用ITO膜，而使用SnO2膜。
近年來ZnO也是備受矚目的TCO材料，其中尤其是摻雜鋁的氧化鋅(ZnO:Al, 簡稱為AZO)被認為最具有成為ITO代用品的潛力。
由於製程的改善，實驗室中製出的ZnO薄膜物性已經接近於ITO，但在生產成本及毒性方面，鋅則優於銦；尤其鋅的價格低廉，對於材料的普及是一大利點。
In2O3、SnO2與ZnO的性質如表2所示。
TCO的導電及透光原理和表2中的一些性質，在後面有較詳細的說明。
表2 In2O3、SnO2與ZnO的性質材料名稱In2O3SnO2ZnO晶體結構名bixbyite rutile wurtz晶體結構圖導帶軌域In+35s Sn+45s Zn4s-O2p之σ反鍵結價帶軌域O-22p O-22p Zn4s-O2p之σ鍵結(上部為O2p,底部為Zn4s)能隙(eV) 3.5 - 4.0 3.8 - 4.0 3.3 - 3.6施主能階來源氧空孔或Sn摻雜物氧空孔或晶格間固溶之Sn氧空孔或晶格間固溶之Zn摻雜物(dopant) Sn(+4)Sb(+5)Al(+3)施主能階位置E d= E d0- an d1/3 (eV) 導帶下15-150 meV 導帶下200 meV四、TCO的導電性1. TCO的導電原理如果材料要具備導電性，材料內部必須有攜帶電荷的載子(carrier)與可供載子高速移動的路徑。
材料的導電率σ可用下式來表示：σ = neμ其中n=載子濃度，e=電子之電量，μ=載子之遷移率(mobility)。
當組成固體的相鄰原子之間的電子軌域重疊(交互作用)大，也就是軌域在空間的擴張程度大時，載子容易由一個原子位置移動到另一個原子位置，也就是遷移率較大。
要解釋TCO導電性的來源，可以簡單地敘述如下：金屬原子與氧原子鍵結時，傾向於失去電子而成為陽離子，而在金屬氧化物中，具有(n-1)d10ns0(n≧4，n為主量子數)電子組態的金屬陽離子，其s軌域會作等向性的擴展。
如果晶體中有某種鎖狀結構，能讓這些陽離子相當接近，使它們的s軌域重疊，便可形成傳導路徑。
再加上可移動的載子(材料本身自有或由摻雜物而來)，便具有導電性了。
2. 能帶、軌域與遷移率如果加上簡單的式子，上面的描述可以進一步說明如下：遷移率其中τ為relaxation time (載子移動時，由一次散射到下一次散射的時間)，與結晶構造有關；而m*為載子的有效質量。
有效質量越小，載子在電場中的移動越快，因此μ主要取決於有效質量。
有效質量m*的定義為其中E為能帶的能量，k為波向量(wave vector)的大小。
可以看出E 曲線彎曲程度越大者，m*越小。
在k-space的原點(Γ點)附近，E 可表示為：E=H nn+2H mn cos(ka) ≈ H nn+2H mn-2H mn(ka)2其中Hmn=⎰φ*(x m)Hφ(x n)dx，為m軌域(orbital)與n軌域之交互作用；a為原子間隔。
由此可看出，相鄰原子的電子軌域交互作用越大時，m*越小。
大多數的寬能隙(wide-gap)氧化物，導帶底部主要由陽離子的空軌域構成，價帶由被佔據的氧2p軌域所構成。
n型透明導電材料中，陽離子的空軌域為電子的移動路徑；因此，這個空軌域的擴大對於高速移動路徑的形成非常重要。
前面已經提到過，一般而言，具有(n-1)d10ns0(n≧4，n為主量子數)電子組態的金屬陽離子，其s軌域會作等向性的擴展，在這種陽離子互相接近的晶體結構中，軌域間重疊程度大，形成寬廣的導帶；因此，若想得到高的遷移率，要選擇軌域在空間擴展程度大的陽離子，而且要使陽離子間的距離縮短。
這個方針不只適用於離子排列整齊的晶體，對非晶形物質也適用。
氧化物中的陽離子與氧離子交互排列，形成氧離子多面體，因此陽離子間的距離與氧離子多面體的立體配置有關。
就導電性而言，為了形成晶體中的載子移動路徑，多面體必須連續排成一列。
多面體的連續排列有「頂點共有」、「稜共有」、「面共有」等方式，而離子間的距離，依「頂點共有>稜共有>面共有」之順序而減少，因此很容易理解，陽離子軌域之間的重疊依「頂點共有<稜共有<面共有」的順序而增大。
實際上因陽離子間的庫侖力排斥，具有連續的「面共有」多面體的晶體幾乎不存在。
所以具有較大遷移率之物質，集中在有「稜共有」的多面體鎖之晶體結構中。
在n型的結晶性導電氧化物中，除了ZnO之外，所有的晶體結構都具有氧八面體的「稜共有」Rutile鎖結構。
非晶形氧化物無法直接形成氧離子八面體的「稜共有」結晶構造，但陽離子的周圍也配有氧離子。
雖然不能得到如晶體那樣程度的軌域重疊，但如果陽離子的空軌域能充分的擴展，那就能夠得到有導電性的軌道重疊。
在有(n-1)d10ns o(n≧4)電子組態之陽離子中，Cd+2或In+3等有寬廣的軌域，若能引進載子則會呈現導電性。
3. n型與p型TCO上面所說的導電原理主要是針對n型TCO。
在不含過渡金屬的寬能隙氧化物中，呈現p型導電性的物質，比起n型要少得多。
p型TCO電洞的移動路徑在價帶的上部，這主要是由被佔據的氧2p軌域所構成。
在典型的金屬氧化物MO的軌域中，導帶底部主要是金屬陽離子的空ns軌域，而價帶上部主要是非鍵結性的氧2p軌域。
所謂非鍵結性，是指與其他的元素幾乎沒有交互作用，這時能帶的擴張很小，即使有電洞也會局部化。
因此寬能隙 p型導電氧化物較少。
為了克服這個問題，以價帶上部可大幅擴展的物質為候補，可選用含Cu+的物質。
Cu+是d10的閉殼電子組態，沒有一般過渡金屬離子因d軌域遷移而引起的光吸收，而且它的d軌域能量大致與氧的2p軌域能量相同。
在這兩個能階非常近的軌域之間，很容易形成一般的鍵結性軌域或混成軌域，使軌域構成的能帶擴展開來，形成電洞的移動路徑。
Cu+之外的大多數金屬陽離子並沒有與氧2p軌域能量相近的軌域，價帶上部的氧2p軌域呈非鍵結性；所以常見的p型物質，都是因含有Cu+而使價帶擴展而產生導電性。
4. 載子的生成影響導電性的另一個因素是載子的生成及其濃度。
TCO和半導體相同，當材料本身是純粹的理想晶體時，則載子不存在而成為絕緣體。
室溫的熱能量約為30 meV，而TCO的能隙一般都在3 eV以上，因此載子在室溫不會熱激發。
載子由廣義的缺陷所生成，此處廣義的缺陷包括離子的欠缺或摻雜物(dopant)的混入等。
載子移動的快慢及能隙的大小(透明性)是與材料本身有關的特性，但載子的生成則不同。