氧化铟锡薄膜熔化阈值

价值工程

0引言

在平板显示器和太阳能电池的生产中透明导电薄膜的工业应用是不可缺少的———而这两大市场元素正在快

速成长起来。

工业上人们可以在此类薄膜上设计安装各类电路图，而这类薄膜在可见光范围内具有很高的透光率。

为了使ITO 薄膜的优良性能得到应用，工业上需要将其进行剪裁，从而得到所需要的功能结构。半导体工业中剪裁ITO 薄膜的传统的工业方法利用所谓的湿法刻蚀法。而此方法需要各种不同的制造平台，大型昂贵的机器设备，使用有毒化学物质。全球平板显示器市场上价格的竞争使得制造上不得不需求新的制造方法。

据现存的等离子平板显示器生产工艺显示，湿法刻蚀的生产中，单单一个生产平台就至少需要6个工作站，而每个工作站只能加工最多7个2160×2460mm 大小的平板玻璃毛坯。然而每个加工站的花费就要达到几百万美元之多，而单个薄片步进需要花费大约12美元左右。每套模型设备价值大约100百万美金，此外，湿法刻蚀需要对有毒作物，酸性化学材料进行处理，以免对环境造成污染。

于此相比较而言，激光快速图案成型工艺在平板显示器的生产中只需要两个加工站就可以完成所有的加工程序：其中一个应用于平板显示器的加工，而另一个应用于玻璃基体的冲洗。据估计，工业上应用的激光快速图形成型机，单台花费不到6百万美元———大大节省了设备成本。不仅如此，另外一个好处在于：应用此种方法可以省去大量的生产步数———有效的省去了三分之二加工步数———包含激光快速图案成型模型在内的花费最多也只不过几千美元而已。而且快速激光图案成型工艺是个干加

工工艺过程，在第二步玻璃基体的洗涤中，也是采用蒸馏

法进行操作———这就避免了对有毒洗剂和酸性化学物质的使用，也大大节省了用于对此类物质进行处理的花费。而此技术最杰出的贡献在于，它克服了湿法刻蚀工业在加工大型平板中刻线不一致的加工缺陷[1][2][3][4]。

本论文中将要对高频率皮秒激光下基于玻璃基体上的ITO 薄膜材料的烧蚀过程进行研究。实验中将采用远红外激光（1064nm ）。激光实验结束后还将采用在一系列光学仪器对靶材进行观察和分析，比如，这其中将使用扫描电子显微镜和白光干涉仪。

而本论文的主要目的在于找出基于玻璃基体上的ITO 薄膜在高频率激光烧蚀下的关键熔化阈值。此外，在ITO 薄膜图案成型过程中的加工系数也将在论文中进行优化，以求在能量消耗最少的情况下得到最好的加工质

量。具体的说，

在ITO 薄膜烧蚀过程中所需要的最佳的激光刻蚀速度和激光能量，既能够将ITO 材料完全移除，又不对玻璃基体造成损伤。

ITO 薄膜在皮秒时间域内的激光烧蚀实验：

本章主要通过实验的方法对ITO 薄膜在皮秒激光烧蚀下的过程及规律进行研究。实验过程分为两个部分，远红外激光实验和紫外光激光实验，本文基于实验数据对ITO 在两种不同波长激光下的烧蚀过称做了总结，找出二者之间的异同。在本章的最后，将给出ITO 和玻璃在1064nm 和355nm 波长下的物理性能。

1实验设置

实验设置由激光器以及一系列光学仪器组成。光束放大器beam expander ，反光镜mirror ，激光扫描器scanner ，

移动平台motion stage 。另外不可缺少的还有电脑控制设

备和相关的软件，

用来控制激光束和移动平台。激光从激光器发射出后，被放大器进行3倍放大，再通过一系列的反光镜被引入到扫描器中，通过电脑软件可以控制激光器——————————————————————

—作者简介：沈斌（1955-），男，上海人，中共党员，教授，博士学位，

主要研究方向为制造系统及其自动化；杨扬（1983-），女，天津人，硕士研究生，主要研究方向为制造系统及

其自动化。

氧化铟锡薄膜熔化阈值的研究

Study on the Melting Threshold of IDO Film

沈斌SHEN Bin ；杨扬YANG Yang

（同济大学中德学院，上海200092）

（Chinesech-Deutsches Hochschulkolleg ，Tongji University ，Shanghai 200092，China ）

摘要：太阳能电池薄膜在平板显示器的生产中得到大量应用。而这其中Indium Tin Oxide(ITO)薄膜是应用最广的透明半导体薄

膜之一。本文主要针对ITO 薄膜在超短波激光烧蚀下的熔化规律进行研究。论文通过一系列激光实验，目的在于找出ITO 薄膜在远

红外激光下熔化现象的基本物理机制和熔蚀过程。经过实验，

找出了在不同激光能量密度下，熔化阈值能量密度和熔化率，以及薄膜厚度与阈值能量密度之间的关系。

Abstract:Solar cell film has been widely used in the production of flat panel displays.And the ITO film is one of the most widely transparent semiconductor films.This paper mainly studied the melting law of ITO film under ultrashort wave laser ablation.Through a series of laser experiments,this paper aimed to identify the basic physical mechanisms and melting and ablation process of ITO film in the far-infrared laser.After the experiment,this paper identified the melting threshold energy density and the melting rate under different laser energy density and the relationship between the film thickness and the threshold energy density.

关键词：太阳能电池；ITO 薄膜；激光直写技术；超短波激光烧蚀；阈值能量密度Key words:solar cells ；ITO film ；laser direct writing ；ultrashort wave laser ablation ；threshold energy density 中图分类号：TH11文献标识码：A 文章编号：1006-4311（2012）31-0032-03

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