太阳能利用技术补充习题

太阳能利用技术补充习题

一、选择题

[ A ]1、太阳天顶角为30°时，其相应的大气质量是

A. AM1.2

B. AM0.5

C. AM0.9

D.AM2

[ A ]2、连云港地区(北纬34.61°)夏至日中午12点的太阳高度角为

A、78.84°

B、81.16°

C、31.94°

D、101.16°

[ C ]3、春分日时，太阳升起和降落的方位角分别为

A、-90.11°，90.11°

B、-89.89°，89.89°

C、-90°，90°

D、无法确定，与纬度有关系

[ D ]4、当太阳高度角为30°时，由Lane经验公式求水平面上的太阳直射辐射度为

A、0.9226 kW/m2

B、0.7726kW/m2

C、1.0938kW/m2

D、0.3863 kW/m2

[ B ] 5、北纬45°，春分日时全天的日照时间为

A、11h

B、12h

C、11.95h

D、无法确定

[ C ]6、试由Cooper方程计算今年6月30日的太阳赤纬角为

A、23.45°

B、2.13°

C、23.12°

D、-12.48°

[ C ]7、下面哪个不是

．．国际上统一规定的地面太阳能电池的标准测试条件

A. 光源辐照度为1000W/m2

B. 测试温度为25℃

C.AM1.0地面太阳光谱辐照度分布

D.AM1.5地面太阳光谱辐照度分布

[ A ]8、在大同地区(北纬40.1°，东京113.3°)建一太阳能光伏电站，若所用太阳能电池板方阵高度为2m，方阵最佳倾斜角为45°，则两排方阵之间的最小距离为

A. 5.673m

B. 4.259m

C. 1.414m

D. 3.011m

[ D ]6、以下说法正确．．

的是 A. 对于直接带隙半导体，当入射光子能量小于其禁带宽度时，将不会被该半导体吸收。

B. 在间接带隙半导体中，电子不可能发生直接跃迁。

C. 在直接带隙半导体中，电子不可能发生间接跃迁。

D. 在间接带隙半导体的吸收光谱中存在一肩形结构，而直接带隙半导体中无肩形结构。

[ A ]9、考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs ，俄

歇复合寿命为50μs ，陷阱复合过程的寿命为25μs ，假设没有其它的有效复合过程，那

么该材料少子的净寿命是

A. 15μs

B. 225μs

C. 1.5μs

D. 20μs

[ A ]10、 面积为10cm 2的硅太阳能电池在100mw/cm 2光照下，开路电压为600mV ，

短路电流为400mA ，填充因子为0.8，则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为

A. 19.2℅

B. 17.6℅

C. 15.6℅

D. 20.3℅

[ C ] 11、砷化镓材料对波长为800nm 光子的光吸收系数为104cm -1，则此波长光子通

量在砷化镓中减小到它刚进入半导体时数目的21e 时的深度为(已知

()()01x x e αρ-Φ=Φ- )

A. 5.5μm

B. 3μm

C. 2μm

D. 0.6μm

[ C ]12、关于反向饱和电流密度，以下说法中错误．．

的是 A. p-n 结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。

B. 在一定温度下，与Si 材料相比，GaAs 具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所

以GaAs 可获得更低的反向饱和电流密度。

C. p-n 结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。

D. 与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽

度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的V OC 。

[ D ]13、以下有关晶硅太阳能电池的温度和光照特性说法错误

．．的是

A. 随着温度的升高，短路电流密度升高，开路电压下降，但光电转换效率下降。

B. 温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。

C. 光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。

D. 与晶硅太阳能电池相比，GaAs太阳能电池的禁带宽度较大，所以晶硅太阳能电池具

有更好的温度特性。

[ C ] 14、单晶硅电池的制造工艺主要流程为

A. 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜

B. 表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极

C. 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极

D. 表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极

[ B ] 15、非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种？

A. 梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极

B. 梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS

C. 梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃

D. 梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

[ C ]16、关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是

A. 在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡

献。

B. 非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单

晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。

C. 多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。

D. 与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效

率随温度升高下降较慢。