闪存的级别标准
nand flash 分bin标准
NAND Flash分bin标准主要依据芯片的规格、性能和可靠性等指标进行分类。
以下是一些常见的NAND Flash分bin标准：
1.速度等级：根据NAND Flash芯片的读写速度进行分类。
例如，根据不同的工作频率或数据传
输速率，可以将芯片分为低速、中速和高速等不同等级。
2.容量等级：根据NAND Flash芯片的存储容量进行分类。
例如，根据不同的存储单元密度，可
以将芯片分为小容量、中容量和大容量等不同等级。
3.可靠性等级：根据NAND Flash芯片的寿命、数据保持能力、耐擦写次数等可靠性指标进行分
类。
例如，根据不同的质量标准或工作温度条件，可以将芯片分为普通级、工业级和汽车级等不同等级。
4.应用场景：根据NAND Flash芯片的应用场景进行分类。
例如，根据不同的使用环境、工作温
度范围、数据安全性要求等，可以将芯片分为消费级、工业级、汽车级和航空级等不同等级。
不同的分bin标准可能由不同的厂商或组织制定，因此具体的分bin标准和规格可能会有所不同。
在选择NAND Flash芯片时，需要根据实际需求和应用场景选择符合相应分bin标准的芯片。
性能差距竟达一倍! 买手机必须了解的闪存规格
性能差距竟达一倍！买手机必须了解的闪存规格作者：来源：《电脑报》2018年第07期除CPU/GPU芯片、内存大小、屏幕、摄像头等影响手机整体性能的硬件规格外，去年第二季度出现的华为闪存门事件更让小伙伴们对手机闪存规格的关注度直线提升，eMMC和UFS规格、性能更成为手机玩家讨论的焦点，而随着各技术类别的更新，2018年购买新手机时，恐怕需要在这块花费更多的精力了。
比UFS 2.1性能翻番的UFS 3.0真的来了过去的一年多时间里，不少手机厂商在推出重量级新品的时候，都会将UFS 2.1闪存作为宣传卖点，较高的读写速度的确让智能手机“流畅感”得到极大提升，而最新一代的UFS 3.0理论性能是UFS 2.1的一倍！1月底，固态技术协会（JEDEC）发布了Universal Flash Storage （UFS&UFSHCI，通用闪存存储） v3.0标准（JESD220D、JESD223D），和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。
简单来说，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。
由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。
实际上，在协会发布正式标准以及三星这类半导体厂商宣布UFS 3.0量产以前，外界已经传闻华为P11这样的新品极有可能采用UFS 3.0闪存颗粒，并用上了“比SSD还快”这样的句子来形容。
的确，2.9GB/s的接口带宽已经可以媲美PC领域高端的NVMe SSD了，而且比早先群联电子披露的性能还要强上不少。
当然，UFS 3.0控制器的面积、功耗和成本都会高于UFS 2.1 Gen2，但仍会明显低于UFS 2.0，未来会随着工艺技术的改进而不断优化。
同时，需要注意的是由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口，所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。
闪存颗粒命名规则
闪存颗粒命名规则
闪存颗粒的命名规则一般遵循以下原则：
1. 芯片功能和类型：第1位通常代表芯片功能，k代表的是内存芯片；第2位代表芯片类型，4代表的是DRAM。
2. 容量和刷新速率：第4、5位表示容量和刷新速率，例如64、62、63、65、66、67、6a代表64Mbit的容量；28、27、2a代表128Mbit的容量；
56、55、57、5a代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
3. 数据线引脚个数：第6、7位表示数据线引脚个数，例如08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
4. 厂商和内存类型：厂商通常会使用特定的字母或缩写来标识，例如Micron的厂商名称是MT。
第48位数字代表内存的类型，例如48代表SDRAM；46 代表DDR。
5. 供电电压和封装方式：LC代表3V供电电压；C 代表5V供电电压；V 代表供电电压。
封装方式通常会用特定的字母或缩写来表示，例如TG即TSOP封装。
6. 工作速率和内核版本号：-75代表内存工作速率是133MHz，-65则表示工作速率是150MHz。
内核版本号也会被记录下来，例如A2代表内存内核版本号。
请注意，以上规则可能因厂商和具体产品而有所不同，因此在实际应用中，建议查阅具体产品的技术规格书或联系厂商获取准确信息。
一文知道NAND闪存的类型
一文知道NAND闪存的类型由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。
NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。
顾名思义，在相同的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。
另一种新型的NAND闪存称为3DNAND或V-NAND（垂直NAND）。
通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
浮栅晶体管闪存将信息存储在由浮栅晶体管组成的存储单元中。
为了更好地理解不同类型的NAND闪存，让我们来看看浮栅晶体管的结构、工作原理及其局限。
浮栅晶体管或浮栅MOSFET（FGMOS）跟常规MOSFET非常类似，有一点不同的是它在栅极和沟道之间添加了额外的电绝缘浮栅。
图1：浮栅MOSFET（FGMOS）与常规MOSFET对比。
由于浮栅是电隔离的，所以即使在去除电压之后，到达栅极的任何电子也会被捕获。
这使得存储器具有非易失性。
与具有固定阈值电压的常规MOSFET不同，FGMOS的阈值电压取决于存储在浮栅中的电荷量。
电荷越多，阈值电压越高。
与常规MOSFET类似，当施加到控制栅极的电压高于阈值电压时，FGMOS将开始导通。
因此，通过测量其阈值电压并与固定电压电平进行比较，就可以识别存储在FGMOS中的信息。
这称为闪存的读操作。
可以使用两种方法将电子放置在浮栅中：Fowler-Nordheim隧穿或热载流子注入。
对于Fowler-Nordheim隧穿，在带负电的源极和带正电的控制栅极之间施加强电场。
这使得来自源极的电子隧穿穿过薄氧化层并到达浮栅。
隧穿所需的电压取决于隧道氧化层的厚度。
对于热载流子注入方法，高电流通过沟道，为电子提供足够的能量以穿过氧化物层并到达浮栅。
通过在控制栅极上施加强负电压，并在源极和漏极端子上施加强正电压，使用Fowler-Nordheim隧穿可以从浮栅移除电子。
认识闪存的分类及参数介绍
认识闪存的分类及参数介绍我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。
而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。
闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
闪存的分类NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。
因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。
因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。
这种性能特点非常值得我们留意。
NAND型闪存的技术特点内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。
而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。
闪存的制式与寿命
闪存的制式与擦除寿命目前.我所知道的如下.基本接近. 速度问题我们就不讨论了。
同级制程的SLC基本都是比MLC快的。
50NM的SLC=100000次的写入寿命读无限制MLC=10000次的写入寿命读无限制34NM的SLC=50000次的写入寿命读无限制MLC=5000次的写入寿命读无限制TLC=不用说大家也知道,.这个直接无视25NM的SLC=30000次的写入寿命读无限制MLC=3000次的写入寿命读无限制TLC=不用说大家也知道,.这个直接无视那么现在很多其实是34和25的SLC.大家还以为它有10W次的写入吗????????还有种EMLC 会好些.不过少见.甚至还有种SLC可以达到30W的.是IM公司的FLASH不过非常昂贵.我们基本见不到.我们常见的就是这些饿.大家要买SLC还要看清制程啊闪存寿命是个妖怪：很恐怖但不真实王振发表于：13年07月09日 10:25 [编译] 存储在线闪存∙分享：∙∙∙[导读]大家都知道，固态硬盘有个缺点就是写入寿命太短。
我以前写过文章曾浅显地分析过受限于写入寿命的基于闪存的固态硬盘怎样在基于RAID的数据保护系统中出现问题。
大家都知道，固态硬盘有个缺点就是写入寿命太短。
我以前写过文章曾浅显地分析过受限于写入寿命的基于闪存的固态硬盘怎样在基于RAID的数据保护系统中出现问题。
从理论上来说，多个拥有相同写入寿命问题的固态硬盘可能会在同一时刻出现问题，引起数据损失。
但是我个人并不觉得这是个大问题。
下面我就进一步分析一下闪存写入寿命的问题，以及它深层的原因。
一个闪存单元是由一个浮置栅极来控制的，在浮置栅极旁边则是两层硅氧化物电介质和绝缘层。
当对浮置栅极充电或放电来写入或擦除信息时，单元通道内的电荷会通过电介质层，会对其造成一定的损害。
久而久之，电介质层就会出现一些问题，要不就是不允许通道通过，导致数据存储在闪存单元中保持0状态，要不就是高电压使得氧化层被破坏，数据无法存储，一直保持1状态。
闪存芯片的原装片、白片、黑片的区分
闪存芯片的原装片、白片、黑片的区分原装片、白片、黑片的区分：简单的说，黑片的概念主要用于芯片，白片的概念既用于芯片也用于闪存卡。
黑片就是指芯片工厂选出的淘汰的次品，没有打上工厂标和芯片型号的芯片，这样的芯片都经过各种渠道流通到市场上来。
现在很多U盘大厂大量的采购芯片厂选下的坏块多的芯片，经过技术处理，做成产品，来降低他们的成本！白片比黑片质量上好一点，人为的给打上各种标！但不是真正工厂打的标！同时白片也可指白卡，也就是表面什么都没有打的闪存卡。
一般闪存行业有黑片，白片，中性卡之说。
所谓黑片，主要是指表面没有打上雷刻的Flash芯片，如K9K8G08U0A-PCB0的SLC芯片，没有这个打上的型号，就是黑片。
白片主要是指表面什么都没有打的闪存卡，连是什么卡都没有标明。
中性卡是指表面有打上有Micro SD, SD等字样的闪存卡，但没有打上某指定品牌的LOGO。
目前市场上流行黑片、白片的说法，都是Downgrade Flash的类型，由于Flash制程和容量的提升，内部的构成越来越复杂。
而新的制程推出时，产品良率并不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是寿命不能达到要求，有些是测试不能通过，这些不能达到出厂要求的Flash都被称为Downgrade Flash。
Downgrade Flash有些由厂家推向市场，比如Spectech等就是镁光(Micron)的Downgrade Flash。
而另外一部分作为废品淘汰掉，但是利润驱使，这些废品也会低价被收购流入市场。
一些厂家以各种方案的扫描工具(Soting Board)来检验出来哪些能够使用。
这些厂家收购Flash按斤回收，通过少则数十台Soting Board，所则上千台Soting Board一同扫描，每天有上百K的产能。
大部分Downgrade Flash被做成SD卡，少数用于U盘，极少数厂家用于生产MP3。
Downgrade Flash的处理方式多数是降低容量出售。
固态硬盘闪存大揭秘：白片、黑片、划线片、拆机片
固态硬盘闪存大揭秘：白片、黑片、划线片、拆机片我们在选择SSD的时候，最为关注的除了SSD主控，便是SSD 的闪存了。
SSD的闪存类型和闪存芯片级别是SSD性能的根本。
SSD的闪存类型，市场上主流的无非四种：TLC、3D TLC、MLC、3D MLC（按照闪存性能从低到高排列）。
准确的说是三种，据我所知采用3D MLC NAND的，目前市面上好像只有阿斯加特AN Series M.2 SSD 256G这一款。
据说是因为全球首发，打开销量才这样不惜血本。
SSD闪存类型没什么好说。
我们今天要讲的是，SSD闪存的芯片级别。
闪存的芯片级别分为：正片：正片闪存通过了全部产品测试，然后激光打标了产品信息。
白片：白片是在测试时部分测试未通过的闪存芯片。
这些闪存芯片再经过一些测试后，如果不影响使用，就打标并和正片一样流向市场。
由于全球晶圆紧缺，闪存价格飞涨，正片供不应求。
正片做SSD 成本高昂，而且还没货。
因此市面上主流的SSD基本上都是使用的白片闪存。
白片闪存相对正片在价格上有优势，做成SSD同样有价格优势。
在性能上，好的白片性能与正片相差无几。
白片SSD可以说是物美价廉。
既然市面上白片很普遍。
那怎样去识别白片呢？我们拿镁光的白片来说。
镁光白片，网友称之为大S或者小S。
不是徐熙媛，也不是徐熙娣，是SpecTek。
SpecTek是镁光旗下的一个子公司。
镁光的白片就是交给它来进行各种测试，在测试完毕后上市的。
测试完以后SpecT ek会给白片闪存一个物料编号。
下面是SpecTek的物料编码规则。
对于这个编码规则，大家不用了解太多。
我们稍微讲一些重点问题。
镁光的SpecTek闪存芯片，物料编码前两位只能是FN/FT/FB/FX，如果不是，可能你就遇到黑片了。
由于上面说到，镁光的白片几乎都经过SpecTek才出货的，所以我们通过识别闪存物料号的前两位，也基本上能够识别出镁光的白片和黑片了。
镁光的SpecTek闪存芯片第4位是显示闪存的类型。
闪存芯片类型
闪存芯片类型闪存芯片是一种用于储存数据的半导体器件，应用广泛，包括个人电脑、手机、相机和其他电子设备。
闪存芯片具有非常高的存储密度、快速读写速度、低功耗和机械可靠性等特点，因此被广泛应用于各种嵌入式系统和消费电子产品中。
根据存储介质和存储技术的不同，闪存芯片可以分为以下几种类型：1. NOR闪存芯片：NOR闪存芯片是最早出现的闪存芯片类型之一。
它具有快速的随机存取速度和较长的寿命，适合存储程序代码和启动引导程序等，但存储密度相对较低，成本比较高。
2. NAND闪存芯片：NAND闪存芯片是目前应用最广泛的闪存芯片类型之一。
它通过并行读取和写入数据来实现高速的顺序访问，适合大容量数据存储。
相比于NOR闪存芯片，NAND闪存芯片具有更高的存储密度和较低的成本，但随机读写速度较慢。
3. SLC闪存芯片：SLC（Single-Level Cell）闪存芯片是一种将每个存储单元只存储一个比特数据的闪存芯片。
SLC闪存芯片具有更快的读写速度、更长的寿命和更好的数据可靠性，但相应地价格更高，存储密度较低。
4. MLC闪存芯片：MLC（Multi-Level Cell）闪存芯片是一种将每个存储单元存储多个比特数据的闪存芯片。
MLC闪存芯片的存储密度较高，价格相对较低，但相应地读写速度较慢，寿命和数据可靠性相对较差。
5. TLC闪存芯片：TLC（Triple-Level Cell）闪存芯片是MLC 闪存芯片的升级版，每个存储单元可以存储更多的比特数据。
TLC闪存芯片的存储密度更高，价格更低，但相应地读写速度更慢，寿命和数据可靠性相对更差。
随着技术的不断发展，闪存芯片的存储密度不断提高，读写速度不断提升，价格也不断下降。
同时，新型的闪存芯片如3D NAND闪存芯片和QLC闪存芯片等也逐渐应用于市场中，进一步提升了闪存芯片的性能和可靠性，满足了不同领域对数据存储的需求。
lpddr4 标准
lpddr4 标准LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）是一种低功耗、高速率的内存标准，由美国JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）制定。
它是DDR SDRAM的一种，也被称为mDDR （Mobile DDR SDRAM），专门用于移动式电子产品。
与LPDDR3相比，LPDDR4在性能、功耗和延迟方面实现了更好的平衡。
主要特点：
1. 传输速率：LPDDR4的输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，而LPDDR4X可以达到4266MHz。
2. 功耗：LPDDR4低功耗解决方案，与LPDDR3相比，功耗降低37%。
LPDDR4X在性能方面比超快的LPDDR4更进一步，而能耗比LPDDR4降低了17%。
3. 带宽：LPDDR4可提供32Gbps的带宽，为DDR3 RAM的2倍。
4. 封装：LPDDR4支持新的MCP、PoP及IoT封装，以及单通道设计。
LPDDR4标准适用于移动设备、电池供电应用和超便携设备等。
当前，许多移动设备如手机、平板电脑和笔记本电脑等已经开始采用LPDDR4内存。
U盘FLASH slc mlc tlc区别
SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(T oshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
内存和闪存要求 标准
内存和闪存要求的标准1. 引言随着计算机技术的快速发展，内存和闪存作为关键的存储部件，其性能和质量直接影响到整个系统的运行。
对于现代的电子产品而言，从笔记本电脑到智能手机，从服务器到数据中心，再到高性能计算，它们都对内存和闪存提出了更为苛刻的要求。
了解和明确内存和闪存的标准对于设计和制造高品质的电子产品至关重要。
2. 内存和闪存的概述内存（RAM）和闪存（Flash Memory）都是计算机存储设备，但它们在功能、特性和应用场景上有所不同。
内存提供快速的读写速度，但不具备持久性，即断电后数据会丢失。
而闪存可以持久存储数据，但其读写速度通常较慢。
3. 内存要求3.1容量：随着应用程序和操作系统的日益复杂，对内存容量的需求也在不断增长。
更大的内存容量意味着可以同时打开更多应用程序，处理更多任务。
3.2速度：对于需要快速读写操作的场景，如游戏、图形处理和高性能计算等，内存的速度至关重要。
高速的内存可以减少等待时间，提高用户体验。
3.3可靠性：内存必须能够稳定地存储数据，即使在面临各种挑战时（如温度变化、电压波动等）。
可靠的内存是保证系统稳定运行的关键。
4. 闪存要求4.1容量：随着大数据和多媒体内容的普及，闪存的容量需求也在持续增长。
大容量的闪存可以存储更多的文件、照片、视频等。
4.2读写速度：虽然闪存的读写速度较慢，但仍然需要确保在读取和写入大量数据时的速度是可接受的。
快速的读写速度可以提高数据传输效率。
4.3耐用性：闪存需要具备较高的耐用性，因为它的寿命往往取决于其可以承受的擦除和编程周期的次数。
长寿命的闪存可以确保数据的长期保存。
5. 比较内存和闪存的性能内存和闪存在性能上有明显的差异。
通常，内存的读写速度要快于闪存，因为其位于计算设备的内部，可以直接与CPU交互。
而闪存的写入速度相对较慢，尤其是与硬盘等其他存储介质相比。
但是，闪存的优点在于其持久的存储能力以及较高的耐用性。
6. 应用场景和选择建议选择合适的内存和闪存取决于特定的应用场景。
uhs标准规格
uhs标准规格
UHS（Ultra High Speed）是一种用于描述闪存设备的标准规格。
它确定了闪存设备的数据传输速度，并分为以下三个等级：
1. UHS-I: 这是最低的UHS等级，支持最低速度为10兆字节
每秒（MB/s）的数据传输速度。
它适用于SDHC和SDXC类
型的SD卡。
2. UHS-II: 这是中级的UHS等级，支持最低速度为30MB/s的
数据传输速度，并使用额外的引脚提供更高的性能。
它适用于SDHC和SDXC类型的SD卡。
3. UHS-III: 这是最高的UHS等级，支持最低速度为60MB/s的数据传输速度，并采用全新的接口设计提供更高的性能。
它适用于SDHC和SDXC类型的SD卡。
需要注意的是，不是所有设备都支持UHS等级的闪存卡。
因此，在购买闪存卡前，最好了解所需设备的兼容性，以确保最佳性能。
技术分析：了解UFS2.0新闪存标准闪存UFSeMMC
技术分析：了解UFS2.0新闪存标准闪存UFSeMMC本文来自太平洋电脑网一部手机由许多零部件组成，除了处理器、运行内存、图形处理器等核心硬件会影响手机的性能之外，闪传也是一个影响性能和手机读取速度的重要指标。
在手机兴起的这几年中，手机的闪传规格有了很大的提高，从eMMC规格的标准逐渐从eMMC 4.3时代发展到现时的eMMC 5.0存储产品，手机的闪传性能有了十分大的提高。
不过，在现在主流旗舰手机都采用eMMC 5.0规格的闪存的潮流中，一种新的闪传规格悄然出现，它就是UFS 2.0闪传标准，有着比eMMC 5.0更快的读取性能。
eMMC闪传规格eMMC 的全称为“embedded Multi Media Card”，是由MMC 协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，eMMC利用的是它将主控制器、闪存颗粒整合到了一个小的BGA封装内。
现在，eMMC 4.5已经问世，eMMC 4.4的读取速度大约为104MB/s、eMMC 4.5则为200MB/s，性能在当时也是十分优秀的；而在2013年7月29日三星开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品，其读取速度为400MB/s，但是因为使用的是8位并行界面，因此性能潜力已经基本到达瓶颈，以最新的eMMC 5.1规范来说，其理论带宽为600MB/s左右，性能的大提升基本是不可能的了。
UFS 2.0而UFS 2.0的闪存规格则采用了新的标准，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换。
并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。
相比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的，在速度上就已经是略逊一筹了。
而且UFS芯片不仅传输速度快，功耗也要比eMMC 5.0低一半，可以说是日后旗舰手机闪存的理想搭配。
其实，JEDEC在2013年9月就已经发布了UFS 2.0的新一代闪存存储标准，UFS 2.0闪存读写速度可以高达每秒1400MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌，除了在速度性能方面有着巨大优势之外，在功耗方面UFS 2.0也有更好表现。
最新SSD固态硬盘颗粒QLC、SLC、MLC、TLC详解
最新SSD固态硬盘颗粒QLC、SLC、MLC、TLC详解概要本⽂从SSD结构出发，详细介绍NAND闪存芯⽚QLC、SLC、MLC、TLC之间的区别、各⾃的优缺点以及其适⽤的⼈群。
?⽬录⼀、剖析SSD⼆、什么是NAND闪存三、单层单元（Single Level Cell，简称SLC）四、多层单元（Multi Level Cell，简称MLC）五、三层单元（Triple Level Cell，简称TLC）六、四层单元（Quad-level cells，简称QLC）七、总结⼋、四种闪存类型的固态硬盘价格任何尝试过SSD的⼈，⽆⼀不能向您证明SSD领先于传统HDD的优点，伴随着应⽤程序的加载速度更快、整体效率更⾼，以及更强的耐⽤性与稳定性，毫⽆疑问，SSD终将会成为每⼀台家庭计算机中的标配。
但您是否曾经想过，在同等容量下，为什么某些SSD⽐其他其他更贵？正如⾼性能赛车⼀样，这⼀切都是关于引擎盖下的学问。
2019最新更新：以往SSD均采⽤SLC、MLC、TLC芯⽚架构，⽽TLC则⽐较普遍。
但科技迅猛发展，⽤户的需求也⽇益增长，如今⼀款新型闪存芯⽚QLC已⾯世。
QLC（四层单元）的容量更⼤，价格也更便宜。
想要了解更多相关细节，请继续关注QLC（四层单元）的详细信息。
剖析SSD在详细分析这个问题前，我们可能需要先了解⼀下SSD的内部构造：A.?NAND闪存：SSD储存数据的部分，以⾮易失性，即断电后仍能保存数据的内存块。
?B.?DDR内存：少量的易失性内存（需要电源来维护数据）⽤于缓存未来访问的信息。
C.?主控芯⽚：连接NAND闪存与计算机之间的主要电⼦组件。
什么是NAND闪存？NAND闪存是⽐传统硬盘驱动器更好的存储设备，它使⽤的是⾮易失性存储技术，即断电后仍能保存资料的存储设备。
NAND闪存由多个以（bit）为单位的单元构成，这些位通过电荷被打开或关闭，如何组织这些开关单元来储存在SSD上的数据，也决定了NAND闪存的命名，⽐如单层单元（SLC）闪存在每个存储单元中包含1个位。
NANDNORFLASH闪存产品概述
NANDNORFLASH闪存产品概述随着国内对集成电路，特别是存储芯片的重视，前来咨询我们关于NOR Flash，NAND Flash，SD NAND, eMMC, Raw NAND的客户越来越多了。
这里我们专门写了这篇文章：1，把常用的存储产品做了分类; 2把一些产品的特点做一个描述。
在正式开始介绍之前，我们给大家推(an)荐(li)一款非常易用稳定的Flash产品：CS创世 SD NAND。
具备如下特点：1，免驱动使用；2，可机贴；3，尺寸小巧。
6*8mm，LGA-8封装；4，擦写寿命长；5，耐高低温冲击；6，容量适宜（128MB~4GB）具体可以可以看链接：我们把存储产品大概分为E2PROM，NOR，NAND 3类，他们框架如下：一，E2PROM容量非常小，目前存在于一些MCU内部，遥控器，电风扇等小家电里。
用来存储一些基础信息。
用户基本不关心这个。
因此这里不做详细描述。
二，NOR Flash是目前应用领域最广泛的一种存储芯片了.基本上主流的电子产品里都有使用。
甚至我们手机摄像头内部，屏幕驱动电路板上都会用到。
主要用来存储代码和一些比较小的数据文件。
主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装：SOP-8居多，也有更小的；尺寸也都比较小。
NOR Flash架构决定了它的容量不能做大，而且读取速度比较慢。
好处在于比较简单易用。
甚至可以直接用地址访问到数据，不需要建立文件系统。
（这点攻城狮朋友们比较喜欢）三，NAND Flash应该是目前最热门的存储芯片了。
因为我们生活中经常使用的电子产品都会涉及到它。
比如你买手机，肯定会考虑64GB，还是256GB？买笔记本是买256GB，还是512GB容量的硬盘呢？（目前电脑大部分采用了基于NAND Flash产品的固态硬盘）。
这里我们从如下几方面做一个分类：3.1 内部材质NAND FLASH从材质上可以分为SLC/MLC/TLC/QLC，本质区别就是在最小的存储单元内能存放多少bit的信息。
【原作者释疑,闪存卡CLASS级别测定标准最终详解】
起初在IMP3上发了个帖子,只是发表个人看法,言论可能过于绝对了.大家看到的“【拒绝虚标，拒绝被骗】TF卡class级别真正定义”不是原版真正的出处:/thread-840599-1-1.html当时有很多因素没有考虑,最重要的就是测试设备的差异没有考虑.以下就我发表帖子的缘由作一下阐述.起因: 当时市场乱象四起,不同厂商相同CLASS级别的TF卡差别迥异.为了还原真相,我就自己研究了一下.依据: 1.SD2.0标准我看了,里面确实没有说8K之类的测试方法.但是明确说了class x就是最低有xM/S的传输速度2.class级别最初是用来干什么的?答案是为了保证摄影设备流畅的拍摄而生.而摄影设备写数据并不像电脑里面拷贝文件,很多时候会有K级别的数据段存取.这个时候要保证流畅,就必须保证最低传输速度大于视频玛率,最高速度完全不适用.3.最低传输速度的量化测定可以采用atto disk benchmark的K分级速度测试结果来辨别.4.既然class是根据最低速度,那具体是指几K的速度呢?找遍网络也没有具体说明,那我就只好用"先入为主"的思维了.SANDISK是闪存的鼻祖,其它都是模仿者.那就用SANDISK的顶级产品mobile ultra作标准吧经过对比class2 4 6 在8K处速度最接近其对应CLASS级别,再参考其它厂商的产品基本靠谱.结果: 8K之于CLASS级别的论断就诞生了.问题: 1.测试设备差异可以导致结果的较大出入.2.8K的选择没有明文依据,属于"先入为主"的经验性标准.争议: 就以上两个问题引发的争议有很多,首先要感谢热心网友的批评指教.但是总结看来,网友指出的现象又从另一方面验证了8K标准的广泛适用性.从很多测试结果表明,8K速度任然是验证CLASS级别,最可靠,最直观的手段之一.当然你先得买个好一点的读卡器SD协议中重要信息的翻译：一.CLASS定义"五个速度等级是以最低性能的数值来定义的"--------->奸商的最高速度论不攻自破"10级是大于或等于10 MB /秒的性能"----------->class10是指最大速度为10M/S的言论不攻自破二.性能曲线横坐标中的分数(r)是指, (RU大小-碎片大小)/RU大小,RU大小是文件系统最小簇的倍数.图中R=0表示,以RU为碎片单位的连续存取,也就是说以簇的倍数存取.联系我的"8K论",就是以8K为单位的存取速度就是CLASS级别,图中R=0时分别对应2 4 6M/S这里要注意"碎片写入"和"碎片文件写入"的区别通俗的讲"碎片写入"就是把一个完整文件分成若干碎片段写入."碎片文件写入"就是数量很多的小文件批量写入. ATTO中的8K速度比直接复制大量8K文件速度要快,就是这个原因.这里的R=0就是"碎片写入"并且碎片大小=RU大小,而并不是连续写入.有童鞋误认为R=0就相当于大文件拷贝,从而认为CLASS是最大速度.这是理解错误!!!三.测试方法上图验证了16K与8K的通用性20MHz可以看作垃圾读卡器,其应当以16K速度作为CLASS的标志40MHz可以看作高速读卡器,在C6中可以看到(40MHz+16K)=(20MHz+64K)推断在C2 C4中可以用(40MHz+4K)的测试方法然而这些测试并不是在PC下测定的,必须使用专业仪器.凡是试图用"PC+软件"来测试CLASS级别的方法都是近似的.专业仪器比PC更灵敏,所以使用PC测定,如果直接用4K作为RU单位，测出来的值会偏低。
tf卡和sdhc标准及速度等级分析
TF卡和SDHC标准及速度等级分析目前机友们使用高速闪存TF卡的越来越多了，4GB、8GB、已经很平常了，甚至16GB和32GB也有测试上机的，牛人多啊。
但大部分机友还是对什么是SD卡，TF卡，SDHC标准，和Class传输速度等级不是很明白，而且很多人对买卡还是比较盲目，本人特搜集了关于这方面的知识、加上个人的理解和经历作个简单综合性的分析，有错误之处望指正1：SD卡和TF卡大家知道我们的手机使用的是指甲盖大小的存储卡，这个卡其实就是TF卡。
而经常提到的SD卡又是什么卡呢？简单的说吧，SD卡体积比较大，大家买卡的时候应该记得那个白色的小塑胶盒子里面有两个卡，小的就是TF卡，大的是适配器〔大家也称为卡托〕，这个TF卡可以插进卡托里面，这样就形成了一个SD卡，可以简单的理解为TF卡+卡托=SD卡，这样的SD卡可以插到读卡器里用于数据传输，也可以适用于某些例如数码相机一类的兼容性数码产品，而我们的手机就只要这个小小的TF卡就可以了。
〔用于非手机等较大的数码产品的存储卡是一个完好的SD卡，不像我们买到的手机卡这样可以组合和拆分的〕看图：2：SDHC标准和CLASS传输速度等级什么是SDHC标准？SDHC是“High Capacity SD Memory Card〞的缩写，即“高容量SD存储卡〞。
2022年5月SD协会发布了最新版的SD 2.0的系统标准，在其中规定SDHC是符合新的标准、且容量大于2GB小于等于32GB的SD卡。
SDHC最大的特点就是高容量〔2GB-32GB〕。
另外，SD协会规定SDHC必须采用FAT32 文件系统，这是因为之前在SD卡中使用的FAT16文件系统所支持的最大容量为2GB，并不能满足SDHC的要求。
SDHC标志如以下图：作为SD卡的继任者，SDHC主要特征在于文件格式从以前的FAT12、FAT16提升到了FAT32，而且最高支持32GB。
同时传输速度被重新定义为Class2(2MB/sec)、Class4(4MB/sec)、Class6(6MB/sec)等级别，高速的SD卡可以支持高分辨视频录制的实时存储。
芯片的质量等级
芯片的质量等级原装片：三星、现代等厂商，生产出来的晶圆是按容量分等级的，高于93%容量的晶圆被称为A级品，简称A片，原厂封装并提供质保，品牌闪存一般使用此类芯片。
白片：低于93%容量的晶圆被称为Downgrade Flash，不再打上原厂的雷刻标识，由一些小封装厂进行加工。
其中相对足量，稳定使用的一般称之为白片。
价格一般为A级品的7成至8成。
黑片：待封装芯片中容量严重不足、质量难以保障的为黑片。
另外部分不良商家回收废旧闪存芯片，打磨而成的闪存芯片一般也称之为黑片。
详细解释：X上图为Intel的25nm NAND Wafer： wafer 即为图片所示的晶圆，由纯硅（Si）构成。
一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基于这个wafer上生产出来的。
Wafer上的一个小块，就是一个晶片晶圆体，学名die，封装后就成为一个颗粒。
一片载有Nand Flash晶圆的wafer，wafer首先经过切割，然后测试，将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片。
那么，在wafer上剩余的，要不就是不稳定，要不就是部分损坏所以不足容量，要不就是完全损坏。
原厂考虑到质量保证，会将这种die宣布死亡，严格定义为废品全部报废处理。
品质合格的die切割下去后，原来的晶圆就成了下图的样子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。
这些残余的die，其实是品质不合格的晶圆。
被抠走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。
说了这么多，各位读者应该对晶圆的制造过程有了一定了解，也就是说，晶圆生产出来后，合格的die被工厂留下继续封装成颗粒，不合格的die单元成为残次品被抛弃不用。
这一留一抛，就分别成为了“原片”与“黑片”。
由此我们立刻就能知道，原片是价格较高的产品，而黑片因为被当做垃圾，出售价格非常低，是按照吨计算的。
固态硬盘：正片、白片、黑片，有什么不同？
固态硬盘：正片、白片、黑片，有什么不同？固态硬盘，大家应该都认识，别看它拿在手里面还不足巴掌大小，却是全球顶级工业制造技术的结晶，SSD包含两大核心部件：闪存颗粒、主控芯片，SSD的关键技术就集中在闪存和主控上，尤其是闪存，早就被全球几大闪存厂商所垄断了。
经常关注固态硬盘的朋友，可能听说过这几个名词：正片、白片、黑片，大家没听过也不打紧，接下来我会带大家了解一下，所谓的正片、白片、黑片等说法，是对闪存颗粒等级的一种划分方法，它们代表着不同档次的闪存颗粒，用途也各不相同。
首先，为什么会产生正片、白片、黑片这些不同等级的闪存颗粒？闪存颗粒的生产步骤非常繁琐，但我们可以简化去看，把切割晶圆当作闪存颗粒制造的第一个步骤（在这之前的工序属于晶圆制造工艺，也就是从沙子到晶圆片这个过程，不在本文范畴，咱们不管它），从切割晶圆开始，到闪存颗粒封装出厂供应给SSD厂商（客户），这个过程里面包含了多道工序，每道工序都有一定的良品率，良品率肯定不可能做到100%（不现实），所以，每道工序都会产生一些合格、不合格产品，根据品级对它们进行划分，就有了正片、白片、黑片。
接下来我们看看正片、白片、黑片的等级是怎样划分出来的？被切割之前，晶圆是一个整体，晶圆需要被切割成很多四方形的小片（die）才能进一步进行封装工序，别看这些die都是一个妈生的（由一片晶圆上切割出来），它们的品质其实是参差不齐的，通过质量检测，检测合格的die会被当作原片取走，不合格的会被留下当作黑片另行处理。
这里说明一下，在这些合格的原片当中，品质最好的die会被当作‘特选颗粒’拿去封装成生产企业级固态硬盘颗粒，因为这部分颗粒的耐磨性、性能更好，被闪存厂商称为e*LC颗粒，比如对应MLC产品的是eMLC颗粒，对应TLC产品的则是eTLC颗粒，毫无疑问，这样能赚更多的钱。
挑选出来合格的原片，需要经过封装之后才会成为平常所见到的闪存颗粒，闪存颗粒的封装工艺颇为复杂，需要将N个die以2D或者3D结构进行堆叠（现在主流的封装都是采用3D结构），实现48层、72层、96层等复杂的3D NAND结构，封装步骤也有良品率，其中能够通过完整检测的闪存颗粒，会被打上闪存原厂logo和产品标号，被称为正片，小部分检测无法通过的颗粒，其实这些颗粒也仅仅是有一点点瑕疵（因为闪存原厂的封装标准太严格了），它们会被打上其他标签（比如美光的大S）、或者在原有标签的基础上另行标记（先期已经打上logo的厂商），这部分颗粒即为白片，白片其实问题也不大，仅仅是略微不如正片。
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最优秀的是A+级，然后是A级和B级。在读写次数速度、功耗等方面，同种规格的A+级的芯片要优于A级芯片，而A级芯片又优于B级芯片。
行业标准对于级别的评价标准主要是闪存的写入次数/每单元，A级Flash芯片的使用10万次/每存储单元。另外A级Flash芯片还具备低坏块率，行业里把坏块率低于5%的Flash称为A级Flash，而坏块率高于5%的Flash称为B级Flash。
一个晶圆上有成百上千个芯片，在晶圆生产好后要经过测试并把不好的标记上；买裸片的厂家买回未切割的晶圆自己切割、邦定，标记为不好的芯片(die)就会被丢弃；测试过的晶圆的另一个出路是被送去切割并封装，封装好后就是我们看到的带管脚的芯片了，在封装阶段标记为不好的芯片同样会被丢弃。通常正规的测试流程是很费时的，因此提高了成本，有些晶圆厂会把未经过测试的晶圆卖给需要裸片的厂家，并由后者自己测试，对于后者可以买到较便宜的die，但是买未测试过晶园的厂家通常没有好的测试设备，同时为省钱减少测试项目，致使一些本来在半导体厂不能通过的die用在了最终的产品中，造成产品质量的不稳定。大白菜官网
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简单的说，黑片的概念主要用于芯片，白片的概念既用于芯片也用于闪存卡。黑片就是指芯片工厂选出的淘汰的次品，没有打上工厂标，和芯片型号的芯片，这样的芯片都经过个种渠道流通到市场上来，现在很多U盘大厂大量的采购芯片厂选下的坏块多的芯片，经过技术处理，做成产品，来降低他们的成本！白片比黑片好一点质量的，人为的给打上各种标！但不是真正工厂打的标！同时白片也可指白卡，也就是表面什么都没有打的闪存卡。一般闪存行业有黑片，白片，中性卡之说。所谓黑片，主要是指表面没有打上雷刻的Flash芯片，如K9K8G08U0A-PCB0的SLC芯片，没有这个型号打上，就是黑片。白片主要是指表面什么都没有打的闪存卡，连是什么卡都没有标明。中性卡是指表面有打上有Micro SD, SD等字样的闪存卡，但没有法，都是Downgrade Flash的类型，由于Flash制程和容量的提升，内部的构成越来越复杂。而新的制程推出时，产品良率并不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是寿命不能达到要求，有些是测试不能通过，这些不能达到出厂要求的Flash都被称为Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由厂家推向市场，比如Spectech等就是镁光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作为废品淘汰掉，但是利润驱使，这些废品也会低价被收购流入市场。一些厂家以各种方案的扫描工具(Soting Board)来检验出来哪些能够使用。这些厂家收购Flash按斤回收，通过少则数十台Soting Board，所则上千台Soting Board一同扫描，每天有上百K的产能。大部分Downgrade Flash被做成SD卡，少数用于U盘，极少数厂家用于生产MP3。Downgrade Flash的处理方式多数是降低容量出售。不论怎样处理，都还是存在问题隐患。但由于价格低廉，Downgrade Flash的市场正在进一步成长。