单片机原理及应用第3章习题解答

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第 3 章思考题及习题 3 参考答案

一、填空

1. 访问SFR,只能使用寻址方式。答:直接。

2. 指令格式是由和组成,也可仅由组成。答:操作码,操作数,操

作码。

3. 在基址加变址寻址方式中,以作为变址寄存器,以或作为基址寄存器。答:A,PC,

DPTR

4. 假定累加器A 中的内容为30H,执行指令

1000H:MOVC A,@A+PC 后,把程序存储器单元的内容送入累加器A中。

答:1031H

5. 在AT89S52中,PC和DPTR都用于提供地址,但PC是为访问存储器提供地址,

而DPTR是为访问存储器提供地址。答:程序,数据

6. 在寄存器间接寻址方式中,其“间接”体现在指令中寄存器的内容不是操作数,而是操作

数的。答:地址

7. 下列程序段的功能是。答:A 的内容与B 的内容互换。

PUSH Acc

PUSH B

POP Acc

POP B

8. 已知程序执行前有(A)=02H,(SP)=52H,(51H)=FFH,(52H)=FFH。下述程序执行后,

(A)= ,(SP)= ,(51H)= ,(52H)= ,(PC)=。

POP DPH

POP DPL

MOV DPTR,#4000H

RL A

MOV B,A

MOVC A,@A+DPTR

PUSH Acc

MOV A,B

INC A

MOVC A,@A+DPTR

PUSH Acc

RET

ORG 4000H

DB 10H,80H,30H,50H,30H,50H

答:(A)=50H,(SP)=50H,(51H)=30H,(52H)=50H,(PC)=5030H

9. 假定(A)=83H,(R0)=17H,(17H)=34H,执行以下指令后,(A)= 。

ANL A,#17H

ORL 17H,A

XRL A,@R0

CPL A 答:(A)=0CBH。

10. 假设(A)=55H ,(R3)=0AAH,在执行指令“ANL A,R3” 后,(A)= ,

(R3)= 。

答:(A)=00H,(R3)=0AAH。

11. 如果(DPTR)=507BH,(SP)=32H,(30H)=50H,(31H)=5FH,(32H)=3CH,则执行下列

指令后,(DPH)= ,(DPL)= ,(SP)= 。

POP DPH

POP DPL

POP SP 答:(DPH)=3CH,(DPL)=5FH,(SP)=50H

12. 假定,(SP)=60H,(A)=30H,(B)=70H,执行下列指令后,SP的内容为,61H 单

元的内容为,62H单元的内容为。

PUSH Acc

PUSH B 答:(SP)=62H,(61H)=30H,(62H)=70H。

二、判断对错

1. 判断以下指令的正误。

(1)MOV 28H,@R;2(2)DEC DPTR ;(3)INC DPTR;(4)CLR R0 ;(5)CPL R5

(6)MOV R0,R1;(7)PHSH DPTR;(8)MOV F0,C;(9)MOV F0,Acc.3 ;

(10)MOVX A,@R;1(11)MOV C,30H;(12)RLC R0

答:(1)错(2)错(3)对(4)错(5)错(6)错(7)错(8)对(9)错(10)对(11)对(12)错。

2. 判断下列说法是否正确。

A. 立即数寻址方式是被操作的数据本身就在指令中,而不是它的地址在指令中。

B. 指令周期是执行一条指令的时间。

C. 指令中直接给出的操作数称为直接寻址。

D. 内部寄存器Rn(n=0~7)可作为间接寻址寄存器。

答: A.对; B.对; C.错; D.错。

3. 以下指令中,属于单纯读引脚的指令是(

A. MOV P1,A;

B. ORL P1,#0FH ;

C. MOV C, P1.5 ;

D. ANL P1,#0FH 答:C。

三、单选

1. 程序在运行中,当前PC的值是。

A .当前正在执行指令的前一条指令的地址

B .当前正在执行指令的地址。

C .当前正在执行指令的下一条指令的首地址

D .控制器中指令寄存器的地址。答:C

2. 判断下列哪一种说法是正确的?

A .PC是一个可寻址的寄存器

B .单片机的主频越高,其运算速度越快。

C.AT89S52单片机中的一个机器周期为1μs

D.特殊功能寄存器SP内存放的是堆栈栈顶单元的内容。答:B

3. 对程序存储器的读操作,只能使用()。

A. MOV 指令 B .PUSH指令C.MOVX指令 D .MOVC指令

答:D。

四、程序分析与编程

1. 下列程序段经汇编后,从1000H 开始的各有关存储单元的内容是什么?

ORG1000H

TAB1EQU 1234H

TAB2EQU 3000H

DB"MAIN"

DW TAB1,TAB2,70H

答:从1000H开始的各有关存储单元的内容(16 进制)如下:4DH,41H,49H,4EH,12H,34H,30H,00H,00H,70H

2. 编写程序,将内部RAM中45H单元的高4位清“ 0”,低4位置“1 答:参考程序如下:

MOV A,45H

ANL A,#0FH

ORL A,#0FH

MOV 45H, A

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