练好基本功,加强高性能器件研究—国家自然科学基金2009(精)

Vol.31,No.2Journal of Semiconductors February2010

练好基本功，加强高性能器件研究—国家自然科学基金2009年半导体科学领域

申请项目概况分析

何杰

(国家自然科学基金委员会信息科学部，北京100085)

摘要:2009年度半导体科学领域申请项目数维持了稳步增长的势头，但各学科分支的发展仍不平衡。虽然经过近几年的迅猛发展，半导体学科在基础研究和应用研究方面都取得了丰硕的成果，与其他学科相互交叉渗透的项目逐年增多，有关新材料、新器件的探索层出不穷，但在很多关键科学问题和基础工艺方面的进展尚很不尽如人意，制约了学科的进一步发展，也导致许多成果难以转化为可实用化的技术，形成生产力。这需要引起广大科研人员的注意，如何在申请和评审基金过程中很好地把握这一点，需要我们今后几年不断地思索和探究。本文将简述2009年半导体领域基金申请与资助概况，分析近期动态及学科对策，并附2009年半导体学科领域资助的项目清单，供有关科技工作者参考。

关键词:自然科学基金;半导体科学;项目申请

国家自然科学基金委员会信息科学部半导体科学与信息器件学科组2009年度共受理面上基金申请557项（2008年482项），青年基金323项（2008年268项），地区基金16项（2008年9项），三类项目合计896项（2008年759项），总数较2008年小幅增长8.4%。表1列出了这三类项目的申请和资助情况。表中资助率和资助强度两列中括号内的数据是包含一年执行期的小额资助项目，括号外的数据只算了三年期的大额资助项目。从表1可以看出青年基金和地区基金的平均资助强度与面上基金存在较大差距，从2007年青年基金和地区基金划归人才系列后，青年基金将注重维持并逐步提高资助率，面上基金则会使其平均资助强度逐步向50万元靠拢。由于青年基金每人只有一次获资助机会，今后将尽量不安排小额资助；地区基金的申请规模太小，今后将加大宣传力度，鼓励符合条件地区的科研人员申请地区基金。2010年面上基金平均资助强度可能会在42万元左右，请广大申请人和评议人注意。

表2列出了面上基金和青年基金在各二级申请代码所代表的分支领域中的分布。从表中可以看出，与2008年相比面上基金中“半导体光电子器件”和“半导体微纳机电器件与系统”两个分支领域申请项目数增长较大，青年基金中“集成电路设计与测试”和“半导体物理”两个分支领域申请项目数增长较大；“新型信息器件”领域的申请项目数也显示出良好的增长势头，但总量尚小，今后还需要进一步地鼓励和倾斜支持，欢迎大家踊跃申请，促进各学科均衡发展。特别需要指出的是，“半导体晶体与薄膜材料”和“新型信息器件”两个分支领域面上基金比青年基金明显强势，长此以往可能不利于学科可持续发展。

2009年申请项目的一个突出特点是器件类项目大幅增加，特别是太阳电池、传感器件、微波功率器件方面的项目增加较多。这类项目通常给人的印象是在前沿性、基础性、学术创新性方面略显不足，但工艺技术性较强，具有重要应用前景和意义。但实际上这类项目在器件物理、结构、工艺及封装等方面都存在着深层次的问题且不易被人们轻易认识，也难以被人们解决，由于这类项目的应用意义较大，文献中通常很少述及这些深层次问题及其解决方案。今后我们将对这类器件研究予以倾斜支持，鼓励大家深入挖掘各类高性能信息器件方面的科学问题，大力开展器件物理、工艺、失效机理和可靠性方面的研究，为实现高性能的信息器件奠定科学基础，只有“练好基本功，加强高性能器件研究”，才能改变我国在高端器件方面短缺的现状。希望广大科研人员在申请和评审基金项目时能够充分关注这一点。

随着微电子技术的发展，32纳米工艺已经步入产业阶段，有关小尺寸器件的探索愈发迫切，关于SoC、NoC 和SiP的研究也会越来越走向现实；随着无线传感网和物联网的兴起，相关的芯片研究也将逐步受到重视，特别是射频技术和低功耗技术更是其中的关键；自旋器件和量子比特器件等新型器件的研究会更加活跃，相关的新材料、新器件探索会层出不穷，相关器件工艺和建模的研究也会增多；微纳结构光子学的研究是今后几年的热点，必将会促进光电集成和光子集成的发展；化石能源的日渐匮乏，使太阳能的利用愈发引人关注，半导体科学与信息器件领域太阳电池的研究大幅增加。但所有这些研究的进展都受制于我们的微纳加工能力和器件工艺，如何深入挖掘微纳加工和器件工艺中的深层次科学问题，加强对这方面研究的支持，突破困扰我们发展的瓶颈，将是我们今后几年工作的重点目标。希望广大科研人员多提好的项目和建议，为我国半导体科学与信息器件领域基础研究的发展献计献策，贡献智慧。

2010年修订了多项基金管理办法，特此提醒广大申请者注意查询最新规定，认真阅读2010年项目指南和申请书填写须知，不要只凭经验，造成不必要的失误，影响项目申请的受理和送审。特别提请申请人填写真实的个人信息，所有参加人员亲笔签名，申请代码填写至第三级。

表3、4、5、6分别列出了2009年半导体科学与信息器件学科组获资助的面上、青年、地区和重点项目，供感兴趣的科技工作者参考。

通信作者.Email:hejie@

Received21January2010c 2010Chinese Institute of Electronics

表1半导体与信息器件学科组面上、青年和地区基金申请与资助概况

项目类别申请

项目大额

项数

小额

项数

总项

目数

大额金额

(万元)

小额金额

(万元)

总金额

(万元)

资助率(%)资助强度

(万元)

面上项目5577816942969160312914.00(16.88)38.06(33.29)青年基金3235805812850128517.9622.16

地区基金162025205212.526

表2面上项目和青年基金在各分支领域中的分布及对比

申请领域名称面上青年申请资助代码申请资助资助率(%)申请资助资助率(%)面上/青年面上/青年F0401半导体晶体与薄膜材料961919.843818.6 2.2 2.4

F0402集成电路设计与测试1001616711014.1 1.4 1.6

F0403半导体光电子器件1332216.5731824.7 1.8 1.2

F0404半导体电子器件5459.339410.3 1.4 1.3

F0405半导体物理531222.634823.5 1.6 1.5

F0406集成电路制造与封装46510.928517.9 1.61

F0407半导体微纳机电器件与系统531120.826415.4 2.0 2.8

F0408新型信息器件22418.29111.1 2.44

合计5579416.93235818.0 1.7 1.6

表3半导体科学与信息器件学科组2009年批准资助面上项目一览

序号姓名依托单位学科代码项目名称审定金额1徐岭南京大学F040102纳米尺度下硫系化合物相变材料非晶态、晶态相变机理和

导电机制的研究

36

2徐春祥东南大学F040102纳米氧化锌表面的生物分子组装与免疫检测45

3孙立涛东南大学F040102石墨烯的掺杂与热稳定性研究10

4王依婷华东师范大学F040102荧光磁性复合量子点可控制备及其在多摸成像中的应用研

究

40

5孙志梅厦门大学F040102相变存储材料GeSbTe中空位的研究45

6秦福文大连理工大学F040103掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性10

7王敬清华大学F040103硅基锗薄膜选择性外延及其位错控制10

8杨少延中国科学院半导体研究

所

F0401硅基氮化镓厚膜制备中的大失配应力调控方法与机制研究46

9张国义北京大学F0401GaN单晶衬底及其同质外延的研究50

10杜国同吉林大学F0401ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问

题研究

44

11黎大兵中国科学院长春光学精

密机械与物理研究所F040103非极性高Al组分AlGaN的高温MOCVD外延生长及其物性研究

10

12王业伍浙江大学F040104廉价衬底上硅线阵列的构筑及其太阳能电池器件化研究35 13周卫清华大学F040104硅上生长化合物半导体所用过渡层单晶研究36 14郁可华东师范大学F040104基于Kirkendall效应制备CuO粒子填充的一维核壳纳米结

构及其稀磁性能研究

40

15王海龙曲阜师范大学F040104GSMBE1.55微米InAs/InGaAsP量子点激光器材料与器件40 16张伟风河南大学F040104钙钛矿氧化物薄膜的阻变机制及室温低场阻变式存储器研

究

35

17景玉鹏中国科学院微电子研究

所

F040106新型半导体清洗技术10 18郝玉英太原理工大学F040108有机电致磷光器件异质结界面的电特性与器件寿命的关系38 19凌启淡南京邮电大学F040108稀土金属有机聚合物电存储材料的合成与器件研制45 20杜慧敏西安邮电学院F040201路由器SoC结构与复用技术研究30 21杨胜齐上海大学F040201面向NBTI的SOC芯片可靠性设计关键技术研究38 22吴斌中国科学院微电子研究

所

F040201面向可重构Gbps VLSI的MIMO检测关键技术研究36

23吴南健中国科学院半导体研究

所

F040201半导体数模混合阵列式高速视觉芯片设计的研究42 24骆丽北京交通大学F040202亚阈模数转换电路结构及性能研究35 25仲顺安北京理工大学F04020225GHz超宽带分布式放大器的设计理论与方法学研究10 26李斌华南理工大学F040202生物医学用植入式无线能量传输及射频集成电路的研究35