版图设计规范
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Q/AT 中国电子科技集团公司第十三研究所企业标准
Q/AT 43016.×××-2005
第十六专业部
薄膜电路版图设计规范
拟制:
审核:
批准:
2005-9-6版
中国电子科技集团公司第十三研究所批准
目录•1.版图一般要求
•2.版图元件要求
•3.基片和组装材料选择
•4.薄膜电阻最大允许电流
•5. 版图和组装图审核要求
•附录1 元器件降额准则(摘要)•附录2 版图和组装图审核表
•附录3 组装图模版(AUTOCAD格式)
薄膜电路版图设计规范
版本:2005-9-6
1版图一般要求:
1.1基片和掩模版尺寸
1.3非标准尺寸基片:50mm×60mm。图形阵列最大尺寸不应大于46mm×56mm。
采用非标准基片要与工艺负责人商量。
1.4划线框尺寸:微晶玻璃基片200um,陶瓷基片 300um。
1.5基片厚度
进口瓷片厚度 0.38mm 0.25mm。
国产瓷片厚度0.4mm 0.5mm, 0.8mm,1.0mm。
需要其它厚度陶瓷基片时,要提前预订。
1.6单元基片最大尺寸(包括划线槽)
必须同时满足以下两个要求:
(1)单元基片的每个边(角)到管座台面对应边(角)的最小距离0.5mm,(D-C>1)(2)单元基片边长比管壳对应管柱中心距应小1.5mm以上(A-B >1.5)。
表2 TO-8系列管壳对应最大正方形基片尺寸
1.7常规生产应采用铬版。
1.8有薄膜电阻的版,要制作三层版。
第1层负版。金块图形。
第2层正版。金块图形加上电阻图形。
第3层正版。仍为金块图形。
1.9没有薄膜电阻的版,制作2块版。
第1层负版。金块图形
第2层正版。仍为金块图形。
1.10带金属化通孔的版,制作2层版。,
第1层正版。金块图形,包括孔焊盘。
第2层正版。金块图形加上电阻图形。
1.10.1小孔的位置在正式的版图中不应画出,也不用标记。可以在不制版的图层中标出。
1.10.2版图上应设计一个十字对位标记,用于孔化基片光刻对位,如下图所示。
1.11掩模版要有标识:
在版图的空隙应加上版号或更新的编号。比如,版号为741,一次改版时,标示为 741A。
旧版仍沿用旧的版号。
新版号由各研究室主任给出1个3位数版号,遇到旧版号跳过。
1.12标准薄膜电阻。
在电阻图形中,应包含一个较宽的正方形电阻,以便精确地测量方块电阻。
比如:200μm×200μm。
1.13方块电阻标准值
微晶玻璃上方块电阻R□=100Ω;
陶瓷基片上方块电阻R□=50Ω。
应当尽量使用标准方块电阻,特殊的要求与工艺负责人商量。
1.14负版增加对位图形。
负版精缩时应在的图形阵列对角外,多曝光6个单元图形,如图A所示。
负版直扫时应在的图形阵列对角外作“L”图形,条宽1mm,长度5mm。如图B所示。
1.15采用新材料和新工艺(精细线条,通孔,安装孔,焊接或烧结等)时,制版前要与工艺
室负责人商讨工艺途径。
2版图元件要求
2.1金条宽度要求精确时(比如lange耦合器)。
2.1.1如果电镀版用负版正胶时,金条图形应减少6um。
2.1.2如果电镀版为正版负胶时,金条图形应减少4um。
2.1.3第2、3块版金条图形条宽按正常要求设计。
2.2电阻,电感,导线的条宽
表3 条宽与间隔
2.2.1特殊要求时,金条宽度可以成25um,间距25um。
2.2.2螺旋电感条宽推荐40-60um,间距40-60um。
2.2.3电阻条在拐弯处应用金块覆盖,以防电流分布不均匀,造成局部烧毁。
2.3电阻值设计
2.3.1要用键合调阻时版图上的电阻值应比目标值大20%。
2.3.2要用激光调阻时版图上的电阻值应比目标值低20%。
2.3.3激光调阻后电阻条宽度仍要满足功率密度降额要求。
2.4激光调阻
2.4.1光修调薄膜电路时,激光刻蚀的宽度为20~30um。
2.4.2版图设计时要留有调阻探针的电极,尺寸不小于300um×300um。
2.4.3多个电阻相连时不要形成环路,否则无法修调。
2.4.4修调以前要注明精度要求,比如±2%,±1%,±0.5%。
2.4.5有特殊要求的注明修调方式。
2.4.6可以在划片以前,对阵列图形修调,利于提高效率。
2.5 对焊盘的要求
2.5.1相同类型的元件取向应尽量在相同方向,这样组装时不易出错。
2.5.2所有芯片边取向应与基片的边平行。
2.5.3用环氧胶粘接时,焊盘的边长应比芯片对应边长200um以上。
2.5.4用共熔焊贴片时,焊盘的边长应比芯片对应边长300um以上。
2.5.5焊盘尺寸应比片状元件的尺寸大200um以上。
2.5.6贴片焊盘边缘到相邻图形的间距,推荐200um以上,最小100um。
2.6 常用MINI管焊盘参考尺寸:
SOT-143封装mini管(如415):4电极外形尺寸2.6×2.6
3电极mini管外形尺寸(如R25):2.6×3.06
2.7 常用的SMT元件尺寸和最小焊盘尺寸:
2.8与键合有关的规定
2.8.1键合点与贴装元件(如0805)边缘的距离应大于0.4mm。
2.8.2芯片边到基片上键合点的最小距离是0.3mm。
2.8.3键合点到管壳壁的最小距离是1.0mm。
2.8.4布线图上从点到点测量的线焊最大长度应小于2.5mm。
2.8.5键合丝尽量设计在X,Y方向上,尽量减少斜线。
2.8.6键合丝禁止跨过贴装元器件。
2.9 键合丝额定电流
2.9.1金丝的熔断电流: 17.5um~0.3A,30um~0.6A,50um~1.4A。
额定电流: 25um~250mA。
2.9.2硅铝丝熔断电流: 25um~0.5A。
额定电流: 25um~200mA。