版图设计规范

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版图设计规则

版图设计规则
版图几何设计规则
版图几何设计规则
版图几何设计规则可看作是对光刻掩 模版制备要求. 一般来讲,设计规则反映了性能和成 品率之间可能的最好的折衷.规则越保 守,能工作的电路就越多(即成品率越 高);然而,规则越富有进取性,则电路 性能改进的可能性也越大,这种改进可 能是以牺牲成品率为代价的.
版图几何设计规则
(1)微米规则 (2)λ规则
版图几何设计规则
大部分设计规则都可以归纳入以下描 述的四种规则之一. (1)最小宽度 (2)最小间距 (3)最小包围 (4)最小延伸
版图几何设计规则
设计规则(硅栅)举例:
0.6um 2p2m CMOS
0.6um 2p2m
版图几何设计规则-N阱
定义了P沟道器件的N阱尺寸,N型杂志注入该 区域形成N-well. N-well宽度 3.0 不同电势的N-well之间的距离-4.8 N-well中用于接触的N+与阱边沿的距离-0.4 N-well距阱外的N+的距离-4.0 N-well距阱外的P+的距离-0.4 N-well距阱内的P+的距离-1.8 距划线槽的距离8.0
版图几何设计规则-接触孔
0.6
0.6
0.4
0.6
0.7
0.4
0.6
0.4
版图几何设计规则
编号 1 2 描述 金属宽度 金属间距 尺寸 0.9 0.8 防止铝条接触 保证良好导电性
版图几何设计规则-金属1
metal1宽度:0.9 Metal1之间的距离:0.8 Metal1距接触孔的距离:0.3
版图几何设计规则-多晶硅
PMOS
NMOS
0.6
0.6
0.6
0.75
0.5

版图设计规则

版图设计规则

精选ppt
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设Байду номын сангаас规则
3、最小交叠(minOverlap) 交叠有两种形式: a)一几何图形内边界到另一图形的内边界长度(overlap),
如图 (a) b)一几何图形外边界到另一图形的内边界长度(extension),
如图 (b)
精选ppt
13
TSMC_0.35μm CMOS工艺版图 各层图形之间最小交叠
精选ppt
14
设计规则举例
Metal相关的设计规则列表
编号 描 述 尺 寸
5a 金属宽度 2.5
5b 金属间距 2.0
目的与作用
保证铝线的良好 电导
防止铝条联条
精选ppt
15
设计规则举例
精选ppt
16
tf文件(Technology File)和display.drf文件
这两个文件可由厂家提供,也可由设计人员根 据design rule自已编写。
•Sizing Commands(尺寸命令)
把整个图形扩展
扩展边沿
线扩精选展ppt
26
Layer Processing(层处理命令)
•Selection Commands(选择命令)
顶点
octagon
图形
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Layer Processing(层处理命令)
(NM OMS/1P-MM5O(7S8防m止O穿h通m/注sq入) T)hickVTN/VtoPpN-m=eNta/l P(1C8hmaOnhnmel/sq)
Threshold Voltage Adjust
(NMOS阈值电压调节注入)
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6
设计规则(design rule)

版图设计

版图设计
常见工艺误差
2. 设计规则
违背设计规则带来的误差(1)
若两层掩膜未对准会产生问题,如金属塞图形与n+区未 对准会导致n+有源区与p型衬底之间发生短路
2. 设计规则
符合设计规则
违背设计规则带来的误差(2)
不符合设计规则 源、漏短路
符合设计规则
不符合设计规则 源、漏变窄
2. 设计规则
违背设计规则带来的误差(3) Nhomakorabea2. 设计规则
CMOS反相器版图设计
确定晶体管最小尺寸的设计规则
2. 设计规则
CMOS反相器版图设计
• P型MOS管必须放在n阱区。 MOS管必须放在n • PMOS的有源区、n阱和n+区的最小重叠区决定n PMOS的有源区、n阱和n+区的最小重叠区决定n • •
阱的最小尺寸。 n+有源区同n阱间的最小间距决定了nMOS管和 +有源区同n阱间的最小间距决定了nMOS nMOS管和 pMOS管间的距离。 pMOS管间的距离。 通常,将nMOS管和pMOS管的多晶硅栅极对准, 通常,将nMOS管和pMOS管的多晶硅栅极对准, 这样可以由最小长度的多晶硅线条组成栅极连线。 在一般版图中要避免出现长的多晶硅连接的原因 在于多晶硅线条过高的寄生电阻和寄生电容会导 致明显的RC延时。 致明显的RC延时。
VLSI设计 VLSI设计
1、版图设计
• 版图设计入门 • 版图设计规则 • 基本工艺层版图 • 设计举例
1. 版图设计入门
版图设计的定义 版图(layout):
版图是集成电路从设计走向制造的桥梁,它包含了集 成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数 据。 集成电路制造厂家根据这些数据来制造掩膜。
CMOS反相器中 决定nMOS和 pMOS管的间 距的设计规 则

大型展版设计规则

大型展版设计规则

大型展版设计规则
大型展版设计规则主要包括以下几个方面:
1. 版面布局:版面布局要合理,以逻辑性为先,让展板看起来舒适简洁。

展示顺序一定要有逻辑,根据主题的清晰度和简略度来安排。

重心位置要放在展板上的中心点上,能够吸引更多人的目光。

2. 标题设计:标题要简洁明了,字体要大,有吸引力,易于吸引人的注意力。

副标题要突出展板的主题,不要太长,字体大小与标题相匹配。

3. 文字设计:文字要简明扼要,字体大小不宜过小,同时也要注意排版的规范性,尽量使各个方面的信息量均衡。

4. 插图设计:插图一定要与主题相关,形象生动,不要太小,同时避免太多干扰人眼。

5. 色彩搭配:色彩搭配要和谐统一,不要过于花哨,也不要过于单调。

可以使用色彩心理学来选择适合主题的颜色。

6. 展版材质:选择合适的材质可以让展板更耐用,更易于维护。

比如可以选择塑料板、玻璃板、木板等不同材质。

7. 灯光设计:灯光设计要合理,能够突出展品的特色和优势。

可以使用不同的灯光效果来营造氛围。

8. 版面尺寸:展板尺寸一定要经过精心考虑,不要太小,避免人看不清,同时也不能太大,造成视觉上的冲撞。

9. 版面留白:展板四周留边距,不要过于拥挤。

适当的留白可以让版面更加整洁,易于观看。

10. 统一性:整个展版的风格、色彩、字体等都要统一,避免给观众带来视觉上的混乱。

以上是大型展版设计规则的一些基本要素和注意事项,希望对你有所帮助。

版图设计

版图设计
1.微米准则:用微米表示版图规则中 诸如最小特征尺寸和最小允许间隔的绝对 尺寸。
2.λ准则:用单一参数λ表示版图规则, 所有的几何尺寸都与λ成线性比例。
2. 设计规则
设计规则分类
最小宽度
最小间距 拓扑设计规则(绝对值)
最短露头
离周边最短距离
λ设计规则(相对值)
最小宽度w=mλ 最小间距s=nλ 最短露头t=lλ 离周边最短距离d=hλ
2. 设计规则 违背设计规则带来的误差(3)
符合设计规则
不符合设计规则 有源区接触不良
2. 设计规则 违背设计规则带来的误差(4)
接触孔下不得有多晶或有源区边缘
3. 基本工艺层版图
N阱
3. 基本工艺层版图
有源区
用于制作nFET和pFET 有源区(Active) 被场氧(FOX)所隔开
3. 基本工艺层版图
尺寸确定:确定晶体管尺寸(W、L)、互连尺 寸(连线宽度)以及晶体管与互连之间的相对 尺寸等
1. 版图设计入门 版图设计的目标
设计目标:
满足电路功能、性能指标、质量要求 尽可能节省面积,以提高集成度,降低成本 尽可能缩短连线,以减少复杂度,缩短延时、
改善可靠性
1. 版图设计入门 EDA工具的作用
有源区上多晶硅层(晶体管的栅极)的宽度通常取最 小宽度。
2. 设计规则
CMOS反相器版图设计
确定晶体管最小尺寸的设计规则
2. 设计规则
CMOS反相器版图设计
P型MOS管必须放在n阱区。
PMOS的有源区、n阱和n+区的最小重叠区决定 n阱的最小尺寸。
n+有源区同n阱间的最小间距决定了nMOS管和 pMOS管间的距离。
掩膜版图的最后一步是在金属中形成输出节点 VDD和GND接触孔间的局部互连。

eetop[1].cn_【版图设计的一般规则】

eetop[1].cn_【版图设计的一般规则】

【版图设计的一般规则】版图设计总的原则是既要充分利用硅片面积,又要在工艺条件允许的限度内尽可能提高成品率.版图面积(包括压焊点在内)尽可能小而接近方形,以减少每个电路实际占有面积;生产实践表明,当芯片面积降低10%,则每个大圆片上的管芯成品率可以提高15%~25%。

下面讨论版图设计时所应遵循的一般原则。

①隔离区的数目尽可能少pn结隔离的隔离框面积约为管芯面积的三分之一,隔离区数目少,有利于减小芯片面积。

集电极电位相同的晶体管,可以放在同一隔离区。

二极管按晶体管原则处理。

全部电阻可以放在同一隔离区内,但隔离区不宜太大,否则会造成漏电大,耐压低。

为了走线方便,电阻也可以分别放在几个隔离区内。

各压焊块(地压焊块除外)都故在隔离区内,以防止压焊时压穿SiO2,造成与衬底短路,管芯外围也要进行大面积隔离扩散,以减少输入端箝位二极管的串联电阻。

②注意防止各种寄生效应隔离槽要接电路最负电位,电阻岛的外延层接最高电位。

这是保证pn隔离效果的必要条件,使pn隔离区结始终处于反偏置状态。

输入与输出端应尽可能远离,以防止发生不应有的影响。

电阻等发热元件要故在芯片中央。

使芯片温度分布均匀。

设计铝条时,希望铝条尽量短而宽。

铝条本身也要引入串连电阻,因此也需计算铝条引入的串联电阻对线路的影响。

铝条不能相交,在不可避免的交叉线时,可让一条或几条铝条通过多发射极管的发射极区间距或发射区与基区间距,也可从电阻上穿过,但不应跨过三次氧化层。

必须采用“磷桥”穿接时,要计算“磷桥”引入的附加电阻对电路特性的影响。

一般不允许“磷桥”加在地线上。

但是在设计IC时应尽可能避免使用扩散条穿接方式,因为扩散条不仅带来附加电阻和寄生电容,同时还占据一定面积。

在LSI中,当一层布线无法保证实现元件之间的必要联接时,普遍使用多层布线,如图所示。

铝条压焊点电极要有合理分布,应符合引出脚排列。

④保证元件的对称性参数要求相互一致的元件,应放在邻近的区域。

几何结构尽可能对称,不能只考虑走线方便而破坏对称性。

版图设计需要的知识点

版图设计需要的知识点

版图设计需要的知识点在进行版图设计时,我们需要掌握一些基本的知识点,以确保设计出整洁美观、功能合理的版图。

以下是一些常用的版图设计知识点。

一、版图设计的基本原则1. 对齐原则:确保版面上的元素在水平和垂直方向上保持对齐,使版面看起来整齐有序。

2. 平衡原则:在版面上合理分布内容,避免让某些部分显得过于空旷或过于拥挤。

3. 留白原则:适当运用留白,使版面更加清晰和易读,也能凸显出重要信息。

4. 重点突出原则:通过字体、颜色、大小等手段,突出版面中的重点内容,引导读者关注。

二、版图设计的基本要素1. 标题:标题应该简洁明了,具有吸引力,能够准确传达信息。

2. 副标题:副标题可以补充主标题的内容,增加版面的丰富度。

3. 正文:正文的排版要求清晰易读,段落之间要有适当的间距,字体大小要一致,文字要有层次感。

4. 图片和插图:图片和插图的使用可以使版面更加生动有趣,但要注意与正文的配合,避免过于拥挤。

5. 表格和图表:表格和图表的使用可以清晰地展示数据,但要保持简洁明了,避免信息过多造成混乱。

6. 色彩和字体:选择合适的色彩和字体可以增加版面的美观度,但要注意搭配的和谐性和统一性。

三、版图设计的流程1. 确定需求:根据设计的目的,明确版图所要传达的信息和目标群体。

2. 规划布局:根据版图的内容和要求,合理规划版面,确定各部分的位置和大小比例。

3. 设计元素:根据布局确定的位置和大小比例,安排标题、副标题、正文、图片等元素的分布。

4. 调整细节:对版面的各个部分进行微调,使之更符合设计要求和审美标准。

5. 审核修改:对设计的版图进行审核,并根据需要进行适当修改,以确保版面的质量和可读性。

6. 最终呈现:将设计好的版图输出为相应的格式,准备用于印刷或网络发布。

四、版图设计的软件工具1. Adobe InDesign:广泛应用于版面设计,具有丰富的功能和灵活的排版方式。

2. Adobe Photoshop:用于图像处理和编辑,可用于调整图片大小、裁剪、色彩处理等。

版图设计规则

版图设计规则

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设计规则举例
Metal相关的设计规则列表
编号 描 述 尺 寸
5a 金属宽度 2.5
5b 金属间距 2.0
目的与作用
保证铝线的良好 电导
防止铝条联条
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15
设计规则举例
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16
tf文件(Technology File)和display.drf文件
这两个文件可由厂家提供,也可由设计人员根 据design rule自已编写。
• 版图的设计有特定的规则,规则是集成
电路制造厂家根据自已的工艺特点而制定
的。因此,不同的工艺就有不同的设计规
则。设计者只有得到了厂家提供的规则以
后,才能开始设计。
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设计规则(design rule)
两种规则: (a) 以λ(lamda)为单位的设计规则—相对单位 (b) 以μm(micron)为单位的设计规则—绝对单位 如果一种工艺的特征尺寸为S μm,则λ=S/2 μm, 选用λ为单位的设计规则主要与MOS工艺的成比例 缩小有关。
设计规则主要包括各层的最小宽度、层与层之 间的最小间距、最小交叠等。ห้องสมุดไป่ตู้
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设计规则(design rule)
1、最小宽度(minWidth) 最小宽度指封闭几何图形的内边之间的距离
在利用DRC(设计规则检查)对版图进行几何规则检查时,对于宽度低 于规则中指定的最小宽度的几何图形,计算机将给出错误提示。
原始层
poly
diff
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Layer Processing(层处理命令)
•Relational Commands (关系命令)

版图设计规则分析

版图设计规则分析

设计规则(design rule)

2、最小间距(minSep) 间距指各几何图形外边界之间的距离。
TSMC_0.35μm CMOS工艺版图 各层图形之间的最小间距
设计规则
3、最小交叠(minOverlap) 交叠有两种形式: a)一几何图形内边界到另一图形的内边界长度(overlap), 如图 (a) b)一几何图形外边界到另一图形的内边界长度(extension), 如图 (b)
版图设计规则
版图概述



定义:版图(Layout)是集成电路设计者将设计 并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形, 包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相 关的物理信息数据。 集成电路制造厂家根据这些数据来制造掩膜。 掩膜上的图形决定着芯片上器件或连接物理层 的尺寸。因此版图上的几何图形尺寸与芯片上 物理层的尺寸直接相关。
举例:
gate = geomAnd( GT TO ) connect = geomAndNot( GT TO ) drc( connect TO ( sep < 2.0) " Field Poly to Active spacing < 2.0") drc( gate TO (sep < 1.5) " Active Poly to Active spacing < 1.5")
drc(GT TO (enc<2) "Poly Overhang out of Active into Field<2.0")
DRC规则文件
geomAnd()把括号内层次“与”之后再 赋给前面的新层次。 geomAndNot()是把括号内层次“与非” 之后再赋给前面的新层次。

版图设计规则(最新版).ppt

版图设计规则(最新版).ppt

设计规则(design rule)
•TSMC_0.35μm CMOS工艺中各版图层的线条最小宽 度
设计规则(design rule)
2、最小间距(minSep) 间距指各几何图形外边界之间的距离。
TSMC_0.35μm CMOS工艺版图 各层图形之间的最小间距
设计规则
3、最小交叠(minOverlap) 交叠有两种形式: a)一几何图形内边界到另一图形的内边界长度(overlap),
DRC规则文件
saveDerived 语句输出坏的接触孔图形到错 误层中。
举例: saveDerived( geomAndNot( W1 geomOr( TO GT ) ) "Contact not inside Active or Poly" ) saveDerived( geomAndNot( W1 A1 ) "Contacts not covered by Metal" ) drc( W1 width < 4.0 "Contact width < 4.0" ) drc( W1 sep < 2.0 "Contact to Contact spacing < 2.0" ) drc( TO W1 enc < 1.5 "Contact inside Active < 1.5" )
;接触孔
A1 = geomOr( "A1" )
;铝线
drc(GT TO (enc<2) "Poly Overhang out of Active into Field<2.0")
DRC规则文件
geomAnd()把括号内层次“与”之后再 赋给前面的新层次。

版图设计规范

版图设计规范
1.1mm
±0.10mm
2.70 mm~2.85mm
2.40 MAX
0.7mm
±0.07mm
1.90 mm~2.10mm
1.60 MAX
0.55mm
±0.05mm
1.60 mm~1.80mm
1.30 MAX
在客户无要求的前提下,玻璃整体厚度取其上限值。
3.1.4.11 COG屏外形需注意的事项:
a.注意IC是否需要翻转;
3.1.1.2视图法:采用第三视图法,即主视图、右视图、仰视图。
3.1.1.3单位
一般采用毫米(mm)为单位。当客户原始资料以英制为单位时,采用公制毫米(mm)为单位绘制,器件外形图尺寸、视区尺寸在尺寸标注时可附注英制尺寸。
3.1.1.4比例:
按1:1比例绘制,图纸以归一化(F/T)方式,即有效图界充满图纸方式输出。
b. 标注每个象素在真值表中的代号;
c.客户要求标注的图形按客户要求进行标注,细小的图形应放大标注;
d. 标注的字体字母统一使用romans.shx,汉字统一使用宋体,另外注意标注的箭头大小要和图形比例协调;
e.若客户对产品尺寸精度有特殊要求,在工艺水平能够达到的情况下,按客户要求标注;
f.如对客户要求的产品尺寸精度达不到要求,要填写《绘图问题反馈登记表》,在征得到客户同意的条件下,按现有工艺水平能达到的参数标注,并在图中注明做改动的参数,使客户确认。
当PITCH≥1.00 mm时,其公差为±0.05mm;
当1.00>PITCH≥0.50 mm时,其公差为±0.04mm;
当0.50>PITCH>0.20 mm时,其公差为±0.03mm;
现工艺要求电极引脚宽度不能小于0.05mm。
3.1.4.7管脚连接产品,电极中心距设计要求:

版图设计基础

版图设计基础
例:Min.M1 Enclosure for V1:0.01 μm 第一层金属的边缘要超出通孔边缘0.01μm
• 交叠规则
• 两层之间交叠的最小尺寸。交叠规则定义 的两层为不同的层。
• 两层交叠,并且一层要伸出另一层的最小 尺寸
• 两层交叠,两层之间的最小尺寸
设计规则举例 • N阱层相关的设计规则及其示意图
• P+、N+有源区层相关的设计规则及其示意图
• Poly层相关的设计规则及其示意图
• Contact层相关的设计规则及其示意图
• Metal层相关的设计规则及其示意图
• Pad层相关的设计规则及其示意图
二、几何设计规则 -举例及问题讨论
当给定电路原理图设计其版图时,必须根据 所用的工艺设计规则,时刻注意版图同一层上 以及不同层间的图形大小及相对位置关系。然 而对于版图设计初学者来说,第一次设计就能 全面考虑各种设计规则是不可能的。为此,需 要借助版图设计工具的在线设计规则检查 (DRC)功能来及时发现存在的问题。
为了工艺上按比例缩小或版图编辑的需要, 合并接触采用图4.9(a)所示的分离式接触结 构,而不采用图4.9(b)的合并长孔结构。
版图的验证
• 版图设计完成后,还需要进行一系列的检 查和验证。
• 版图的验证包括:设计规则检查(DRC)、 电学规则检查(ERC)、版图参数提取以 及电路图与版图一致性检查(LVS)
• CIF格式 用文本命令来表示掩膜分层和版图图形,通过对 基本图形的描述、图形定义描述、附加图样调用 功能,可以实现对版图的层次性描述。采用字符 格式,可读性较强
EDIF格式 是电路的一种二进制描述,带有电路的单元符号 (symbol)信息,也是纯文本,主要用于电路数 据交换。EDIF文件可读性强

版图设计中的设计规则

版图设计中的设计规则

VDD
OUT
5.1
《集成电路设计基础》
28
电学设计规则

电学设计规则给出的是将具体的 工艺参数及其结果抽象出的电学 参数,是电路与系统设计、模拟 的依据。
《集成电路设计基础》
29
电学设计规则描述
《集成电路设计基础》
30
电学设计规则描述
《集成电路设计基础》
31
电学设计规则
与上述的几何设计规则一样,对于不同 的工艺线和工艺流程,数据的多少将有 所不同,对于不同的要求,数据的多少 也会有所差别。
《集成电路设计基础》 9
1. 设计规则或规整格式设计规则
70年代末,Meed和Conway倡导以无量纲的“” 为单位表示所有的几何尺寸限制,把大多数尺寸(覆 盖,出头等等)约定为的倍数。通常取栅长度L的 一半,又称等比例设计规则。由于其规则简单,主要 适合于芯片设计新手使用,或不要求芯片面积最小, 电路特性最佳的应用场合。在这类规则中,把绝大多 数尺寸规定为某一特征尺寸“”的某个倍数。与工 艺线所具有的工艺分辨率有关,线宽偏离理想特征尺 寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差。 优点:版图设计独立于工艺和实际尺寸。
标示图
Locos
N+或P+有源区层
Poly
多晶硅层
Contact
接触孔层
Metal
金属层
Pad
焊盘钝化层 《集成电路设计基础》 13
版图几何设计规则
NWELL层相关的设计规则
编 号 描 述 尺 寸 目的与作用
1.1
N阱最小宽度
10.0
保证光刻精度和器件尺寸
1.2
N阱最小间距
10.0
防止不同电位阱间干扰

混凝土结构版图设计规格

混凝土结构版图设计规格

混凝土结构版图设计规格一、前言混凝土结构是现代建筑中常用的一种结构形式,其具有承载能力强、耐久性好、施工方便等优点,因此在各种建筑物中广泛应用。

本文旨在规范混凝土结构版图设计,确保设计的准确性和可行性,提高混凝土结构的建造质量。

二、版图设计规范1.版图基本要求(1)版图应符合设计要求,且布局合理,便于施工。

(2)版图应清晰明了,标注准确,符号规范。

(3)版图应美观整洁,字迹工整,不得擦改。

2.版图材料与规格(1)混凝土结构版图应使用白色半透明纸,规格为A1或A2。

(2)版图应使用黑色或蓝色水性笔,字迹清晰,不得模糊。

(3)版图上的线条应粗细适中,不得过于细小或粗大,线条的粗细应根据图形的大小和重要性来确定。

(4)版图应注明比例尺,比例尺应根据图形的大小和实际尺寸来确定。

3.版图内容(1)版图应包括建筑物的平面布置图和各层的剖面图。

(2)平面布置图应标注建筑物的地理位置、建筑物的名称、建筑物的用途、建筑物的总平面布置图、建筑物的每层平面布置图和建筑物的梯形图。

(3)剖面图应标注建筑物的地理位置、建筑物的名称、建筑物的用途、建筑物的总剖面图、建筑物的每层剖面图和建筑物的立面图。

(4)版图应标注混凝土结构的尺寸、数量、材料、强度等信息。

(5)版图应标注混凝土结构的施工方法、工艺要求、技术参数等信息。

4.版图标注(1)版图标注应使用标准符号,符号应统一规范,便于理解。

(2)版图标注应使用清晰明了的字体,字体应统一规范,便于阅读。

(3)版图标注应包括混凝土结构的尺寸、数量、材料、强度等信息,以及混凝土结构的施工方法、工艺要求、技术参数等信息。

5.版图审查(1)版图应由专业人员进行审查,确保版图的准确性和可行性。

(2)版图审查应从版图的布局、标注、符号、比例尺等方面进行检查。

(3)审查结果应及时反馈,对存在的问题应提出改进措施。

三、结语本文对混凝土结构版图设计进行了规范化要求,旨在确保混凝土结构的建造质量和安全性。

版图设计规则

版图设计规则
•Logical Commands(逻辑命令)
ndiff
poly Original layer
Layer Processing(层处理命令)
•Logical Commands(逻辑命令)
原始层
poly
diff
Layer Processing(层处理命令)
•Relational Commands (关系命令)
利用这些原始层次的“与或非”关系可以生成 设计规则检查所需要的额外层次
drcExtractRules( bkgnd = geomBkgnd() NT = geomOr( "NT" ) TO = geomOr( "TO" ) GT = geomOr( "GT" ) W1 = geomOr( "W1" ) A1 = geomOr( "A1" )
•当technology file 创建后,用于divDaRDCR的C.r规ul则 在drcExtractRules 中定义
DRC (Design Rule Check)的命令
•DRC Function DRC函数
槽口
DRC (Design Rule Check)的命令
DRC规则文件
geomOr( )语句的目的是把括号里的层次合并起 来,也就是或的关系。
DRC规则文件
举例:
gate = geomAnd( GT TO ) connect = geomAndNot( GT TO ) drc( connect TO
( sep < 2.0) " Field Poly to Active spacing < 2.0") drc( gate TO

第三讲 版图设计规则

第三讲 版图设计规则
5. 接触孔——多晶硅,注入区和金属线1接触端子。 6. 金属线1——做金属连线,封闭图形处保留铝 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 8. 金属线2——做金属连线,封闭图形处保留铝
25
版图验证
版图检查和验证主要包括对版图进行几何设计规 则检查DRC (Design Rule Check)、电学规 则检查ERC(Electrical Rule Check)、版图与 原理图一致性检查LVS(Layout Versus Schematic)
17
②解剖同类型的IC的产品
解剖同类型IC产品,可作为自己设计和生 产的借鉴。解剖工作包括版图分析和基本尺寸 的测量,元件性能测试和工艺解剖和分析三个 方面。通过版图分析和基本尺寸的测量可获得 实际的线路图和逻辑功能图,可了解到版图布 局,还可取得各种元件尺寸的数据以了解其它 单位或国外制版和光刻水平。但应注意“侵权” 问题。
24
硅栅CMOS 版图和工艺的关系
1. 阱——做N阱和P阱封闭图形处,窗口注入形成P管和N管 的衬底
2. 有源区——做晶体管的区域(G、D、S、B区),封闭图形 处是氮化硅掩蔽层,该处不会长场氧化层
3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处,保留多晶 硅
4. 有源区注入——P+、N+区(select)。做源漏及阱或衬底 连接区的注入
• 尽量使VDD、VSS接触孔的长边相互平行。
• 接VDD的孔尽可能离阱近一些。
• 接VSS的孔尽可能安排在阱的所有边上(P阱)。
22
(2)尽量不要使多晶硅位于p+区域上 多晶硅大多用n+掺杂,以获得较低的电阻
率。若多晶硅位于p+区域,在进行p+掺杂时多 晶硅已存在,同时对其也进行了掺杂——导致 杂质补偿,使多晶硅。

版图设计准则

版图设计准则

伸展
Space 间距
Overlap 重叠
Enclosure 覆盖 1.请记住这些名称的定义 2.后面所介绍的 layout rules 必须熟记, 在画layout 时须遵守这些规则。
版图设计准则 (‘Rule’ for performance)
• • • • 匹配 抗干扰 寄生的优化 可靠性
匹配设计
设计规则
• 设计规则的目的是 确定掩膜版的间距, 它是提高器件密度 和提高成品率的折 衷产物。 • 设计规则决定最小 的逻辑门,最小的 互连线,因此可以 决定影响延迟的寄 生电阻,电容等。 • 设计规则常表达为 λ ,λ 是最小栅长 的0.5倍。
影响匹配的一些因素
晶体管的匹配问题
• 用大小一致的晶体管 • 把大晶体管分解为几 个大小相同的晶体管 • 所有要匹配的晶体管 的电流方向要求一致 • 所有匹配的器件都要 求有相同的边界条件, 如果不同,则要加虚 假(dummy)器件 • 差分对要采用共质心 设计
电源线
掩蔽技术
• 掩蔽技术可以防护来自于或者去向衬底的电容耦 合。可以减小两条金属线之间的cross-talk
引言
所设计的版图:
引言
加工后得到的实际芯片版图例子:
引言
• 加工过程中的非理想因素
– – – – – 制版光刻的分辨率问题 多层版的套准问题 表面不平整问题 流水中的扩散和刻蚀问题 梯度效应
典型的IC设计流程
A. 总体设计流程
行为描述
将行为级描述(HDL)转 换成寄存器传输级(RTL)的 结构描述 • 将逻辑级的行为描述
(状态转移图、布尔方程、真值表、 转换成逻辑级的结构描述(逻辑门 的网表); • 逻辑优化 • 逻辑仿真,采用硬件仿真(PLD、FPGA) • 测试综合(提供自动测试图性生成,可消 除设计中的冗余逻辑,诊断设计中的 不可测逻辑结构)
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Q/AT 中国电子科技集团公司第十三研究所企业标准Q/AT 43016.×××-2005第十六专业部薄膜电路版图设计规范拟制:审核:批准:2005-9-6版中国电子科技集团公司第十三研究所批准目录•1.版图一般要求•2.版图元件要求•3.基片和组装材料选择•4.薄膜电阻最大允许电流•5. 版图和组装图审核要求•附录1 元器件降额准则(摘要)•附录2 版图和组装图审核表•附录3 组装图模版(AUTOCAD格式)薄膜电路版图设计规范版本:2005-9-61版图一般要求:1.1基片和掩模版尺寸1.3非标准尺寸基片:50mm×60mm。

图形阵列最大尺寸不应大于46mm×56mm。

采用非标准基片要与工艺负责人商量。

1.4划线框尺寸:微晶玻璃基片200um,陶瓷基片 300um。

1.5基片厚度进口瓷片厚度 0.38mm 0.25mm。

国产瓷片厚度0.4mm 0.5mm, 0.8mm,1.0mm。

需要其它厚度陶瓷基片时,要提前预订。

1.6单元基片最大尺寸(包括划线槽)必须同时满足以下两个要求:(1)单元基片的每个边(角)到管座台面对应边(角)的最小距离0.5mm,(D-C>1)(2)单元基片边长比管壳对应管柱中心距应小1.5mm以上(A-B >1.5)。

表2 TO-8系列管壳对应最大正方形基片尺寸1.7常规生产应采用铬版。

1.8有薄膜电阻的版,要制作三层版。

第1层负版。

金块图形。

第2层正版。

金块图形加上电阻图形。

第3层正版。

仍为金块图形。

1.9没有薄膜电阻的版,制作2块版。

第1层负版。

金块图形第2层正版。

仍为金块图形。

1.10带金属化通孔的版,制作2层版。

,第1层正版。

金块图形,包括孔焊盘。

第2层正版。

金块图形加上电阻图形。

1.10.1小孔的位置在正式的版图中不应画出,也不用标记。

可以在不制版的图层中标出。

1.10.2版图上应设计一个十字对位标记,用于孔化基片光刻对位,如下图所示。

1.11掩模版要有标识:在版图的空隙应加上版号或更新的编号。

比如,版号为741,一次改版时,标示为 741A。

旧版仍沿用旧的版号。

新版号由各研究室主任给出1个3位数版号,遇到旧版号跳过。

1.12标准薄膜电阻。

在电阻图形中,应包含一个较宽的正方形电阻,以便精确地测量方块电阻。

比如:200μm×200μm。

1.13方块电阻标准值微晶玻璃上方块电阻R□=100Ω;陶瓷基片上方块电阻R□=50Ω。

应当尽量使用标准方块电阻,特殊的要求与工艺负责人商量。

1.14负版增加对位图形。

负版精缩时应在的图形阵列对角外,多曝光6个单元图形,如图A所示。

负版直扫时应在的图形阵列对角外作“L”图形,条宽1mm,长度5mm。

如图B所示。

1.15采用新材料和新工艺(精细线条,通孔,安装孔,焊接或烧结等)时,制版前要与工艺室负责人商讨工艺途径。

2版图元件要求2.1金条宽度要求精确时(比如lange耦合器)。

2.1.1如果电镀版用负版正胶时,金条图形应减少6um。

2.1.2如果电镀版为正版负胶时,金条图形应减少4um。

2.1.3第2、3块版金条图形条宽按正常要求设计。

2.2电阻,电感,导线的条宽表3 条宽与间隔2.2.1特殊要求时,金条宽度可以成25um,间距25um。

2.2.2螺旋电感条宽推荐40-60um,间距40-60um。

2.2.3电阻条在拐弯处应用金块覆盖,以防电流分布不均匀,造成局部烧毁。

2.3电阻值设计2.3.1要用键合调阻时版图上的电阻值应比目标值大20%。

2.3.2要用激光调阻时版图上的电阻值应比目标值低20%。

2.3.3激光调阻后电阻条宽度仍要满足功率密度降额要求。

2.4激光调阻2.4.1光修调薄膜电路时,激光刻蚀的宽度为20~30um。

2.4.2版图设计时要留有调阻探针的电极,尺寸不小于300um×300um。

2.4.3多个电阻相连时不要形成环路,否则无法修调。

2.4.4修调以前要注明精度要求,比如±2%,±1%,±0.5%。

2.4.5有特殊要求的注明修调方式。

2.4.6可以在划片以前,对阵列图形修调,利于提高效率。

2.5 对焊盘的要求2.5.1相同类型的元件取向应尽量在相同方向,这样组装时不易出错。

2.5.2所有芯片边取向应与基片的边平行。

2.5.3用环氧胶粘接时,焊盘的边长应比芯片对应边长200um以上。

2.5.4用共熔焊贴片时,焊盘的边长应比芯片对应边长300um以上。

2.5.5焊盘尺寸应比片状元件的尺寸大200um以上。

2.5.6贴片焊盘边缘到相邻图形的间距,推荐200um以上,最小100um。

2.6 常用MINI管焊盘参考尺寸:SOT-143封装mini管(如415):4电极外形尺寸2.6×2.63电极mini管外形尺寸(如R25):2.6×3.062.7 常用的SMT元件尺寸和最小焊盘尺寸:2.8与键合有关的规定2.8.1键合点与贴装元件(如0805)边缘的距离应大于0.4mm。

2.8.2芯片边到基片上键合点的最小距离是0.3mm。

2.8.3键合点到管壳壁的最小距离是1.0mm。

2.8.4布线图上从点到点测量的线焊最大长度应小于2.5mm。

2.8.5键合丝尽量设计在X,Y方向上,尽量减少斜线。

2.8.6键合丝禁止跨过贴装元器件。

2.9 键合丝额定电流2.9.1金丝的熔断电流: 17.5um~0.3A,30um~0.6A,50um~1.4A。

额定电流: 25um~250mA。

2.9.2硅铝丝熔断电流: 25um~0.5A。

额定电流: 25um~200mA。

2.10通孔的要求2.10.1半孔,浅槽常被用来侧壁接地2.10.2共享通孔:如果电路空间不足,可以在两个电路间打共享通孔来接地。

划片后,留在电路里面的部分不小于150um。

.2.10.3孔尺寸的规定圆孔主要是接地。

方孔用来贴装某些元件或芯片,有利接地或散热。

2.10.4采用氧化铝陶瓷基片小孔金属化有利于提高电路组装效率,性能和可靠性。

多基片模块可以利用小孔金属化实现单基片模块(如“对瓣”VCO)。

基片孔中贴装元器件的情况也可采用通孔方式贴装在基片上表面。

3基片和组装材料选择表8 微晶玻璃基片与Al2O3陶瓷基片比较4薄膜电阻的最大电流按照GJB/Z 35-93 元器件降额准则,混合集成电路薄膜功率密度为6W/cm2。

注:电流单位(mA),方块电阻100Ω/□(1)上表的数据是孤立的电阻条实验结果。

没有考虑相邻电阻或大功率器件的热区叠加的影响。

实际设计时,必须考虑电阻的散热范围。

如果电阻附近(相当于基片厚度范围)有大功耗器件或电阻时,电阻的最大电流必须进一步降额设计。

(2)电阻条宽加倍,要保持同样结温,通过的电流并非加倍。

上表中微晶玻璃为例,在Ⅰ级降额时,100un条宽通过最大8mA电流,而500un条宽只能通过最大18mA电流。

条宽增加到5倍,电流仅增加到2.25倍。

(3)在高可靠电路设计时,电阻推荐使用Ⅰ级降额。

若电路功耗较大时,必须对样品进行结温和电阻温度测试.(4)采用氧化铝陶瓷基片上烧结的芯片结温明显低于微晶玻璃基片粘接芯片结温.。

以HE391为例,芯片和基片都采用烧结工艺,管芯功耗为0.9W时结温为125.2℃;若采用粘接工艺,结温达到146.9℃;若用微晶玻璃基片结温可达250℃以上。

大于1W的管芯应采用散热更好的材料作基片,比如氧化铍。

5版图和组装图的审核要求由于版图设计问题,常常造成基片制作和电路组装困难。

为此特作如下要求:5.1 版图画完后必须经过富有经验的工程师的认真审核,包括从电路到版图。

5.2 交付制版前,先画出组装图。

在征求装架组和键合组意见后,交工艺室负责人审核签字,方可制版。

5.3 组装图应包括:1)管壳的管柱和内部轮廓线;2)基片版图;3)所有要贴装的元器件;4)键合引线。

(注意元器件尺寸与版图尺寸成比例)5.4 组装图中版图部分应采用填充图。

1)薄膜电阻图形用青色填充;2)金块图形用黄色填充;3)元器件用黑色粗线框图;4)键合引线用黑色的弧线;5)键合引线在显示顺序中放在最前面。

5.5 把图纸模版复制到组装图旁边。

调整图纸模版大小以适应组装图。

然后将组装图移动到图纸模版内。

组装图应尽量大点。

5.6 按序号填写元器件表中内容,将表格多余部分删除。

打印时按“范围”打印。

5.7 图纸模版分为长方形模版和正方形模版两种供选用。

为AUTOCAD格式。

附录1 GJB/Z 35-93 元器件降额准则(摘要)表1. 不同应用的降额等级表6. 混合集成电路降额准则组成混合集成电路的器件均应按本标准有关规定实施降额。

混合集成电路基体上的互连线,注:1)直流,交流和瞬态电压或电流的最坏组合不大于降额后的极限值(包括感性负载)。

2)适用于MOSFET栅-源电压降额。

附录2. 混合电路版图和组装图设计评审表版图型号/名称:设计者:日期:请回答下列问题, “是”划“V ”,“否”划“×”, “不适用”划“0”。

1、 线条宽度要求非常精确吗? ——2、 最小键合焊盘是100um ×100um 吗? ——3、 全部线长都小于2.5mm 吗? ——4、 从芯片的边到键合点的最小距离是0.3mm 吗? ——5、 从键合点到管壳壁的距离>1.0mm 吗? ——6、 片状元件到键合点的距离>0.4mm 吗? ——7、 电路引出端焊盘与管壳引脚对准了吗? ——8、 有从芯片到芯片的线焊吗? ——9、 有任何焊线跨过另一条键合线或另一芯片吗? ——10、 有微调探针的金属化盘吗? ——11、 有足够的微调面积使阻值达到标称值吗? ——12、 电阻功耗符合降额要求吗? ——13、 有较宽(200um 以上)的正方形测试电阻吗? ——14、 贴装元件的下面有电路吗? ——15、 全部方形芯片都在X-Y 轴方向上吗? ——16、 全部环氧贴装的焊盘比芯片尺寸大200um 吗? ——17、 烧结的焊盘比芯片尺寸大300um 吗? ——18、 片状元件焊盘比元件长度大200um 吗? ——19、 贴装焊盘边缘与相邻图形的距离大于200um 吗? ——20、 孔化的版有孔对位标记吗? ——21、 考虑过烧结的基片太大会裂吗? ——22、图纸标识了“静电敏感”吗? ——23、 可靠性考虑过吗? ——附录3 组装图模版_________________________________________ 拟制:王合利日期:2005-9-7。

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