电工学与电子技术B复习题及参考答案

一、 选择题

6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取得反馈类型就是（D ） A ．串联反馈；B 并联反馈；C ．正反馈；Ｄ．负反馈。

7、由一个三极管组成得基本门电路就是（B ） A ．与门；B ．非门；C ．或门；Ｄ．异或门。

8、在脉冲门电路中，应选择（B ）得三极管。

A ．放大能力强；

B ．开关速度快；

C ．价格便宜；Ｄ．集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍得门电路就是（

D ） A ．与门；B ．非门；C ．或门；Ｄ．与非门。 24、对半导体而言，其正确得说法就是（C ）

A ．P 型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电；

B ．N 型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电；

C ．P 型半导体与N 型半导体本身都不带电；

D ．在Ｎ型半导体中，空穴就是多子，自由电子就是少子

25、在放大电路中，若测得某晶体管3个极得电位分别为9V 、4V 、3、7V ，则这3 个极分别为（A ） A ． C 、B 、E ； B ．C 、E 、B ； C ．E 、C 、B 。

26、在放大电路中，若测得某晶体管3个极得电位分别为-6V 、-2、3V 、-2V ，则这-2、3 V 得那个极为（B ）

A ．集电极；

B ．基极；

C ．发射极。

27、在放大电路中，若测得某晶体管3个极得电位分别为6V 、1、2V 、1V ，则该管为（C ） A ．NPN 型硅管；B ． PNP 型锗管； C ．NPN 型锗管；D ． PNP 型硅管。

28、对某电路中得一个NPN 型硅管测试，测得U BE >0,U BC >0,U CE >0, 则此管工作在（B ） A ．放大区；B ．饱与区；C ．截止区。

29、对某电路中得一个NPN 型硅管测试，测得U BE <0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在（C ） A ．放大区；B ．饱与区；C ．截止区。

30、对某电路中得一个NPN 型硅管测试，测得U BE >0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在（A ） A ．放大区；B ．饱与区；C ．截止区。 31、晶体三极管得控制方式为（B ）

A ．输入电流控制输出电压；

B ．输入电流控制输出电流；

C ．输入电压控制输出电压。 32、场效晶体管得控制方式为（C ）

A ．输入电流控制输出电压；

B ．输入电压控制输出电压；

C ．输入电压控制输出电流。 33、射极输出器（A ）

A ．有电流放大作用，没有电压放大作用；

B ．有电流放大作用，也有电压放大作用；

C ．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。

34、某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（B ）

A ．并联电流负反馈；

B ．串联电流负反馈；

C ．串联电压负反馈；

D ．并联电压负反馈。

35、与D C B A •••相等得为（C ）

A ．D C

B A •••；B ．)()(D

C B A +•+；C ．

D C B A +++。 36、与BC A A +相等得为（B ） A ．A+B ；B ．A+BC ；C ．BC A +。 37、若1=+=AC B A Y ，则（C ）

A ．ABC=001；

B ．ABC=110；

C ．ABC=100。

38、已知函数C B B A F +=，则它得“与非—与非”表达式为（ B ）。 A 、C B B A + B 、 C B B A C 、AB BC

39、组合逻辑电路得分析就是指（C ）。

A ．已知逻辑图，求解逻辑表达式得过程；

B ．已知真值表，求解逻辑功能得过程；

C ．已知逻辑图，求解逻辑功能得过程。

46、如图4所示得晶体管，测得三电极得电位分别就是V 6U 1=，V 3U 2=，V 3.2U 3=，则该晶体管得得得类型及各电极得名称为：（ A ）

A ．NPN 型，①就是集电极、②就是基极、③发射极

B ．PNP 型，①就是发射极、②就是基极、③集电极

C ．NPN 型，①就是集电极、②发射极、③基极

D ．PNP 型，①就是集电极、②发射极、③基极 47、PNP 型晶体三极管处于放大状态时，各极电位关系必须满足：（ B ）

A ．U C >U

B >U E ； B ．U

C U E > U B ； 50、共集电极放大电路得电压放大倍数Au ( B )

A ．大于1；

B ．小于并接近1 ；

C ．等于1 ；

D ．远大于1． 51、下列哪一个不就是逻辑函数得表示方法（ C ）。

A ．真值表；

B ．逻辑图；

C ．波形图；

D ．逻辑表达式、 53、P 型半导体中得多数载流子就是（ B ） A ．自由电子； B ．空穴； C ．正离子。 三、填空题

6．最常用得半导体材料有 硅 与 锗 两种。

7．晶体二极管导通时得正向压降：硅管约为 0、6～0、7 V ，锗管约为 0、2～0、3 V 。通常硅二极管得死区电压约为 0、5 V ，锗二极管得死区电压约为 0、1 V 。

8．逻辑代数得三种最基本得运算关系有 与 、 或 、 非 ；写出异或逻辑函数表达式Y=B A B A +(其输入变量为A 、B)，其逻辑符号为：

9、晶体二极管就是由一个 PN 结 作为管芯，其最主要得电特性就是 单向导电性 ：加正向电压时PN 结处于 导通 状态，加反向电压PN

结处于 截止 状态。

10、晶体三极管有两个PN 结，即 发射 结与 集电 结；要具有电流放大作用必须具备得外部条件就是： 发射结正偏 与 集电结反偏 。

11、晶体三极管有三种工作状态： 放大 状态、 饱与 状态与 截止 状态。

12、某放大电路中正常工作得三极管各极对地电位分别就是：U 1=2V,U 2=2、7V,U 3=10V,则该管1脚就是 E 极，2脚就是

B 极，3脚就是

C 极，该管采用 硅 材料，类型就是 NPN 型。

13、在本征半导体内掺入微量得3价元素，可形成 P 型杂质半导体。其中得多子就是 空穴 。 14、射极输出器得特点就是输入电阻 高（大） ，输出电阻 低（小） 。

19．根据晶体管得结构特点， 基 区得掺杂浓度最低。 发射 区得掺杂浓度最高。 20．就单管共发射极放大电路而言，当静态工作点过低（基极电流I B 过小）时，输出波形易发生