模拟电子技术基础简明教程[第三版]杨素行课后答案解析

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模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解

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模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案
学 习 计 划 表
周一至周五
时间
内容
要求
18:00~19:30
做作业
1.限时;2.不要看书;3.不会的题先放过。
19:40~20:00
测试
如没有,则休息。
20:10~20:40
补习
1. 对作业和测试中未掌握的内容进行补习。
2. 对相关知识进行检测,直至真正掌握。
3. 对当天所学新课行梳理与归纳。
具体方法: 先自己回顾老师上课讲的,找差距。
4. 如果没有学习新课程,将上次学习的疏漏的知识点进行补习。
20:45~21:00
预习
对将要学习的知识点进行预习。
21:03~21:23




1.21:03~21:10英语:
掌握5个单词(1.拼写 2.发音3.翻译4.词性5.运用)并记录。
2.21:10~21:15数学:
对以往的知识点进行考查(每周2个);
对未掌握的知识点进行补习;

模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解

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模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1

模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1

第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。

如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oU R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变u A完美WORD 格式编辑i U +oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1完美WORD 格式编辑Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V ,R b =530k Ω,R L =5M Ω,试:①估算静态工作点;值;,输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档):直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管,已知第一个管子的,当该管的时,其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1-

模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1-

第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。

如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。

定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↓,↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变,r be ↑,基本不变u AWORD 完美格式编辑i U +--oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1WORD 完美格式编辑Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解:①直流负载线方程为:()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V ,R b =530k Ω,R L =5M Ω,试:①估算静态工作点;值;,输入电阻。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程杨素行(第三版)

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=这个很棒,好好看不错我们一台习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管,已知第一个管子的,当该管的时,其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

模拟电子技术基础简明教程杨素行(第三版)

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管,已知第一个管子的,当该管的时,其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第二章的课后习题答案)

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第二章的课后习题答案)

习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用,简单说明理由。

答:(a)无放大作用(发射结反偏);(b)不能正常放大(发射结无直流偏置);(c)无放大作用(集电结无直流偏置);(d)无放大作用(发射结无直流偏置);(e)有放大作用(是射极跟随器);(f)无放大作用(输出交流接地);(g)无放大作用(输入交流接地);(h)不能正常放大(栅极无直流偏置);(i)无放大作用(电源极性接反);R bR e i U +o UR i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。

①增大R b ;②增大V CC ;③增大β。

答:①增大R b ,则I BQ 减少,I CQ 减少,U CE Q 增大。

②增大V CC ,则I BQ 增大,I CQ 增大,U CE Q 不确定。

③增大β,则I BQ 基本不变,I CQ 增大,U CE Q 减少。

定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变u Ai U +oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处,0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3放大电路如图P2-7(a)所示,试按照给定参数,P2-7(b)中:①画出直流负载线;R b 211k Ωi U oU (b)P2-7(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ωi U oUC图P2-6(b),输入电阻u A iU o U +_(u R A β=-(u R A β=-?ou iU A U ==o ii i oU R U R R =+i U o U +_(u R A β=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR iU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k (//c u R A r β=习题2-19 P107解:(a)共基电路(b)共射电路(c)共集电路(d)共射电路(e)共射-共基电路R 1i U oU -g m =1.5mS(1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩC R E 1sU习题2-27P110答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档):直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

第三版模拟电子技术基础简明教程及答案

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管,已知第一个管子的,当该管的时,其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行课后答案

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行课后答案

U BE≈ 0.7V ,试分别估算各电路中的 iC和 uCE ,判断它们各自
工作在哪个区(截止、放大或饱和),并将各管子的
iC 和
uCE 对应在输出特性曲线上的位臵分别画在图
P1-14(g)上。
2k?
20k? 10V
2V
(a)
I B 0.065 m A I C 3.25 m A U C E 3.55 V
习题 1-4 已知在下图中, uI = 10sinω t (V), R L=1k?,试 对应地画出二极管的电流 i D、电压 uD以及输出电压 uO 的波
形,并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向
电流可以忽略。
uI /V
10 + uD -
0
+
uI -
+
iD
RL
uD -
iD/mA
10
t
( a)
U CE
36.5 V
以上算出的 IC 与 UCE值是荒谬 的,实质上此时三极管巳工作 在饱和区,故 IB=0.465 mA, I C≈ V CC / RC=5 mA, UCE=U CES ≈ 0.3V,见图 P1-14(g)中 C点。
2k?
20k? 10V
2V
(d)
IB 0 IC 0 U C E VC C
①稳压管中的电流 I Z = ?
②当电源电压 U升高到 12V 时, I Z 将变为多少?
③当 U仍为 10V ,但 RL改为 2k?时, IZ 将变为多少?
解:①
IR
UZ
6mA
L
RL
U UZ
I
20 m A
R
+Leabharlann U -IZVD Z RL

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案

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在80℃时的反向电流约为� 23 �10� A � 80� A
+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3

I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA

I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案之欧阳理创编

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+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)-杨素行-课后答案汇编

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+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案杨素行 (2)

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案杨素行 (2)

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案杨素行引言模拟电子技术是电子工程的基础学科之一。

它研究和应用与模拟电子信号相关的电路和系统。

无论是在通信、控制、电力等领域中,模拟电子技术都发挥着重要的作用。

本文是根据《模拟电子技术基础简明教程(第三版)》的答案整理而成,旨在帮助读者更好地理解和掌握模拟电子技术的基本原理和应用。

第一章电子元器件1.1 二极管1.1.1 二极管的基本结构和特性二极管是一种最简单的电子元器件,它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。

二极管有两个端子,分别为阳极(A)和阴极(K)。

在正向偏置情况下,即给阳极加正电压,阴极加负电压,二极管呈现导通状态,其导通电流与阳极电压呈正相关关系;在反向偏置情况下,即给阳极加负电压,阴极加正电压,二极管呈现截止状态,其反向电流非常小,接近于零。

1.1.2 二极管的常见应用二极管在电子电路中有着广泛的应用,以下是一些常见的应用场景:•整流器:二极管可以将交流电转换为直流电,广泛应用于电源电路中;•稳压器:二极管可以用于稳压器电路,起到稳定电压的作用;•信号检测:二极管可以用于信号检测电路,将波形剪裁成为符合要求的信号;•发光二极管(LED):LED是一种特殊的二极管,可以将电能直接转换为光能,常用于指示灯、显示屏等。

1.2 三极管1.2.1 三极管的基本结构和工作原理三极管是一种具有放大作用的半导体器件,它由三个区域组成,分别为发射结(E)、基极结(B)和集电结(C)。

在工作中,通过在基极和发射极之间加上控制信号,可以控制集电极处的电流放大倍数。

1.2.2 三极管的常见应用三极管被广泛应用于放大和开关电路中,以下是一些常见的应用场景:•放大器:三极管可以被用作放大电路中的核心元件,常见的有共射放大器、共集放大器和共基放大器;•开关电路:三极管可以用于控制电流的开关,常见的有开关电源、触发器、多谐振荡器等。

第二章放大电路2.1 放大器基本参数2.1.1 增益放大器的增益是衡量其放大能力的重要参数。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_课后答案

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_课后答案

+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

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+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?
答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。

解:在20℃时的反向电流约为:3
210 1.25
A A
μμ
-⨯=
在80℃时的反向电流约为:321080
A A
μμ
⨯=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?
答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i A
μ=80A
μ60A μ40A μ20A μ0A
μ0.9933.22
安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。

已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。

解:20℃时,()131CEO CBO I I A
βμ=+=50℃时,8CBO I A
μ≈()
()
()0
5020
011%3011%301301%39
t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mA
βμ=+==
习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?
②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。

解:①查图可知,I CE O =0.5mA ,死区电压约为0.2V ;
②为了使三极管工作在放大区,对PNP 型:u BE <0,u BC >0;对NPN 型:u BE >0,u BC <0。

F
D 、E
A
B
C
图P1-14(g)
DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V
由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,
4 1.2
2.84.5
3.5
D m GS i g mS u ∆-=
==∆-
习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。

如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U
GS(th)= +3V ,I DO
=4mA ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图
习题1-19图
习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用,简单说明理由。

答:(a)无放大作用(发射结反偏);
(b)不能正常放大(发射结无直流偏置);(c)无放大作用(集电结无直流偏置);(d)无放大作用(发射结无直流偏置);(e)有放大作用(是射极跟随器);(f)无放大作用(输出交流接地);(g)无放大作用(输入交流接地);(h)不能正常放大(栅极无直流偏置);(i)无放大作用(电源极性接反);
R b
R e i U +
-
-
o U
R i U +
-
-
o
U R 1i U '+
-2
1
i i N U U N '=
L R '=
习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。

①增大R b ;②增大V CC ;③增大β。

答:①增大R b ,则I BQ 减少,I CQ 减少,U CE Q 增大。

②增大V CC ,则I BQ 增大,I CQ 增大,U CE Q 不确定。

③增大β,则I BQ 基本不变,I CQ 增大,U CE Q 减少。

定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↓,↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变,r be ↑,
基本不变
u A
i U +--o
U +
(b)
解:①可先用近似估算法求I BQ
100.7
0.0220510
CC BEQ
b V U mA A
R μ--=
=
≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1
静态工作点Q 点处,0.5,
U V I ≈≈Q 1
Q 2
Q 1
Q 2
因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3
放大电路如图P2-7(a)所示,试按照给定参数,P2-7(b)中:
①画出直流负载线;
R b 2
11k Ω
i U o
U (b)
P2-7
(b)
mA
的一条水平线, 2.6
7.2
点,且斜率为,其中1
L
R -
'R b 2
11k Ω
2i U o
U +
C
图P2-6(b)
,输入电阻u A i
U o U +_β(u R A β=-
//R r =≈(u R A β=-
//R R r =
=10k Ω,则电压放大倍数
?o
u i
U A U =
=o i
i i o
U R U R R =+i U o U +
_(u R A β=-
i
U o U +_R e 2k Ω(u be A r β=-+//R R r =⎡⎣R b 1
+-
R i U s
U o
U +-
i U
R b
-
s
U +-R +
-
o
U i
U (1(1u be A r +=
+(1(1u be A r +=
+
习题2-17 P107
R +
-
1o U i
U 2
o U r be
R c
R e
R b
-
i
U 1o U 2o U -+-
1o i be U U r =-+2(1(1)o i be e
U U r R β+=
++c =R e 时,12o o U U ≈-
o
U R b 2=10R c =3k R =3(//c u be
R A r β=3c R k =Ω
习题2-19 P107
解:(a)共基电路
(b)共射电路(c)共集电路(d)共射电路(e)共射-共基电路
R 1
i U o
U +
-
g m =1.5mS
(1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(//1o m d i U g R R A U ==-+
R S
D
gs
U o m gs s
U g U R =(1)i gs o m s gs
U U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+
12
u be A r =-
C R E 1
R S
s
U
习题2-27P110
答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档)
:直流稳压电源、正弦波信号发生
②测电压放大倍数A
u
器、示波器、交流毫伏表。

:同②
③测最大输出电压幅度U
om
④测输入电阻R
:同②
i
:同②
⑤测输出电阻R
o
习题2-28P111
本题为实验题,略。

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