eMMC的前世今生分析
eMMC完全解读、一份很好的eMMC学习资料
eMMC厂商收集
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UPM-100烧录器简介
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UPM-100可以做什么？
你有一颗”不空”的eMMC芯片和一台UPM,可以做什么?
你有一颗”空”的eMMC芯片和一台UPM,可以做什么?
eMMC
具备MMC协议的芯片
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eMMC的概念？
eMMC=NAND falsh+控制器+标准封装接口 大容量存储设备
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eMMC为何如此青睐？ eMMC拥有多功能 #1包括存储以及取代NOR Flash的开机功能 #2最大的好处是，手机厂商不需要因为 NAND Flash供应商或者不同制程世代而重 新设计规格 #3不需处理NAND Flash相容性和管理问题 #4手机客户只需要采用eMMC晶片，放入手 机 #5缩短新产品品的上市周期和研发成本 #6加速产品的推出速度
2世代而重新设计规格3不需处理nandflash相容性和管理问题4手机客户只需要采用emmc晶片放入手机5缩短新产品品的上市周期和研发成本6加速产品的推出速度智能手机智慧型电视平板电脑摄像机汽车电固态硬盘楼宇安防手机主板上的emmc芯片emmc市场应用加速感应器maintop音量键movimcpap开机键充电icbtwifi芯片8m摄像头陀螺感应器fmic2g3g功放中频sawbanksupercap重力感应器芯片辨别你如何辨别手上的芯片是emmc还是nandflash
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CSD卡片特殊信息寄存器
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分区设定GP1、GP2、GP3、GP4操作界面
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eMMC的发展历史及未来市场前景
eMMC的发展历史及未来市场前景导读: eMMC是针对智能型手机（Smartphone）所设计的内嵌式存储器规格，是外接式记忆卡MMC的延伸，eMMC之后也扩散至平板计算机（Tablet PC）应用领域。
•关键字•eMMC发展智能手机存储器记忆卡eMMC是针对智能型手机（Smartphone）所设计的内嵌式存储器规格，是外接式记忆卡MMC的延伸，eMMC之后也扩散至平板计算机（Tablet PC）应用领域。
eMMC设计概念是把NAND Flash芯片和控制芯片封装成BGA 封装芯片，可节省电路板的面积，客户设计新产品时，也不需考虑内建NAND Flash芯片的三星电子（Samsung Electron ic s）、美光（Micron）、东芝（Toshiba），或是35纳米、24纳米或19纳米制程，便利了手机客户设计的程序和新产品问世时间点。
快闪记忆卡协会SD协会也同样推出eSD规格，但目前eMMC在智能型手机内嵌式存储器领域的领导位置无可动摇，几乎是所有手机大厂储存接口的标准，除了苹果（Apple）必采用自家的设计规范外。
eMMC规格的标准这几年也快速演进，从eMMC4.3、eMMC4.4、eMMC4.5陆续问世，而预计接棒eMMC规格的会是三星电子（Samsung Electronics）主导的UFS（Universal Flash Storage），会把Mobile RAM等芯片功能都涵盖。
在智能型手机领域中，eMMC规格是主流，但在平板计算机或是轻薄型笔记本电脑（NB）上，仍要和SATA接口的固态硬盘（SSD）做竞争，毕竟SATA SSD有读写速度上的优势，不论是随机效能（Random Pe rf ormance）或是连续效能（Sequential Performance）等，内嵌式iSSD也都明显优于eMMC，较适合PC类的产品应用，例如新帝的iSSD产品就是SATA接口SSD的代表。
讨论到eMMC的发展历程，必须要从介绍Flash的历史开始Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。
EMMC
东 方 拓 宇
第一节 什么叫FLASH
Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失 性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存 储器。 Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash。
FLASH的分类：
NOR FLASH和NAND FLASH
eMMC的优势
闪存Flash的制程和技术变化很快，特别是TLC技术和制程下 降到20nm阶段后，对Flash的管理是个巨大挑战，使用eMMC 产品，主芯片厂商和客户就无需关注Flash内部的制成和产品 变化，只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样 可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间。 eMMC可以很好的解决对MLC和TLC的管理，ECC除错机制 (Error Correcting Code)、区块管理(Block Management)、平 均抹写储存区块技术(Wear Leveling)、区块管理（Command Management），低功耗管理等。 eMMC核心优点在于生产厂商可节省许多管理NAND Flash芯 片的时间，不必关心NAND Flash芯片的制程技术演变和产品 更新换代，也不必考虑到底是采用哪家的NAND Flash闪存芯 片，如此，eMMC可以加速产品上市的时间，保证产品的稳定 性和一致性。
eMMC技术发展
eMMC规格的标准快速演进，从eMMC V4.3发展到V4.4，V4.41，eMMC V4.5陆续问世，eMMC下一个时代将会由三星电子(Samsung Electronics) 主导的UFS(Universal Flash Storage)规格接棒，会把Mobile RAM等芯片 功能都涵盖。目前最通行的eMMC V4.41在原标准4.3基础上做了很多改 进，包括两倍于前代产品的存储器接口性能、灵活的分区管理和完善的 安全备选方案，高级终断接口（HPI）等。eMMC的4.4版，接口速度可达 104MB/s 。 eMMC会持续改版至4.5版，之后由UFS 1.0版接手。我们将UFS视为一种 衔接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口标准，预期未来初期将在智能型 手机及平板计算机等新兴智能型移动装置上，成为嵌入式储存媒体的主 要的应用标准之一。UFS将提供极高的速度，接口速度可达300MB/s ， 以即时高速存储大型多媒体文件，同时在消费电子设备上使用时降低功 耗。
eMMC详细介绍
eMMC详细介绍深度了解eMMCeMMC 结构由⼀个嵌⼊式存储解决⽅案组成，带有 MMC （多媒体卡）接⼝、快闪存储器设备及主控制器⼀⼀所有在⼀个⼩型的 BGA 封装。
接⼝速度⾼达每秒 52MB eMM （具有快速、可升级的性能。
同时其接⼝电压可以是 1.8v或者是3.3v 。
eMMC （ Embedded Multi Media Card ）采⽤统⼀的 MM （标准接⼝，把⾼密度 NANDFIash 以及 MMCControlle圭⼨装在⼀颗 BGA 芯⽚中。
针对 Flash 的特性，产品内部已经包含了 Flash 管理技术，包括错误探测和纠正， flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。
⽤户⽆需担⼼产品内部 flash 晶圆制程和⼯艺的变化。
同时 eMMC 单颗芯⽚为主板内部节省更多的空间。
vccMMC ControllereMMC Physical Specifications 主要有四种结构，pin ⾓定义及功能上基本⼀致，主要是看应⽤平台的需求:VCCQCLKCMD 呵"1⼗⼀吉⼝五2-MemoryVDDiCone Logic BlockiOS 0/1。
⽑壬Conro SignalsMCI INSEMMC DAT7 EMMC_DAr6 EMMC_ DATS EMMC Z DAH ⼕ MMCZDAT3 EMMC_DAT2 FMMC_D/\T1 EMMC~r )ATO EMMC - CLKEMMC _RST51LSCbOH LSDA LSAO LSCK LSDIZZV7Ty2a ⽄_U3Figure 54 — eMMC kileriial DIIM frr diuumrMAA : 12mm*16mm 169Pi nAB : 12mm*18mm 169Pi n AC: 14mm*18mm 169Pi n BA : 11.5mm*13mm 153Pin 结合现有 eMMC 主流⼚商(SAMSUNGTOSHIBA San disk )的成熟 eMMC 产品来看(moviNAND,eMM , iNAND ), 主要是AA AC, BA 三种。
eMMC详细介绍
eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA 封装。
接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。
同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。
eMMC （ Embedded Multi Media Card）采用统一的MMC标准接口，把高密度NAND Flash以及MMC Controlle 封装在一颗BGA芯片中。
针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash 平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。
用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。
同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。
eMMC Physical Specifications主要有四种结构，pin角定义及功能上基本一致，主要是看应用平台的需求：AA：12mm*16mm 169PinAB：12mm*18mm 169PinAC：14mm*18mm 169PinBA：11.5mm*13mm 153Pin结合现有eMMC主流厂商（SAMSUNG，TOSHIBA，Sandisk）的成熟eMMC产品来看（moviNAND,eMMC，iNAND），主要是AA，AC，BA三种。
结构的不同，主要是与应用平台需求而定，不同结构的pin角定义及功能上基本一致。
153pin与169pin interface balls array的对比153 balls - Ball Array (Top View) 169 balls - Ball Array (Top View)Ball assignment五．eMMC的发展趋势eMMC规格的标准快速演进，从eMMC V4.3发展到V4.4，V4.41，eMMC V4.5陆续问世，eMMC下一个时代将会由三星电子(Samsung Electronics)主导的UFS(Universal Flash Storage)规格接棒，会把Mobile RAM等芯片功能都涵盖。
emmc烧录方法
emmc烧录方法【原创版2篇】目录（篇1）I.EMMC烧录方法简介1.EMMC是什么2.EMMC的发展历程3.EMMC的应用场景II.EMMC烧录方法的具体步骤1.准备工作2.烧录操作3.验证过程4.注意事项正文（篇1）一、EMMC烧录方法简介EMMC（ Embedded Multi-Media Card）是一种用于嵌入式系统的存储介质，常用于工业控制、物联网、智能家居等领域。
与普通存储卡相比，EMC具有更高的存储容量和读写速度，适用于对数据安全性、可靠性要求较高的应用场景。
下面将介绍一种EMC烧录方法。
二、EMMC烧录方法的具体步骤1.准备工作（1）确认目标设备已安装支持EMC的读写驱动程序。
（2）准备好烧录工具，如SD卡读卡器、USB转接器等。
（3）准备一张干净的SD卡，用于烧录数据。
2.烧录操作（1）将干净的SD卡插入读卡器中。
（2）将读卡器插入目标设备中。
（3）打开烧录工具，选择需要烧录的数据文件。
（4）点击“烧录”按钮，开始烧录过程。
3.验证过程（1）等待烧录完成后，拔出SD卡。
（2）将烧录后的SD卡插入目标设备中，检查设备是否能正常识别。
（3）验证数据是否正确。
4.注意事项（1）烧录过程中请勿拔出SD卡或断开连接。
（2）请勿使用损坏的SD卡进行烧录。
目录（篇2）I.EMMC烧录方法简介1.EMMC是什么2.EMMC的发展历程3.EMMC的应用领域II.EMMC烧录原理1.EMMC烧录的基本原理2.EMMC烧录的流程3.EMMC烧录的关键技术III.EMMC烧录工具和设备1.EMMC烧录工具的种类2.EMMC烧录设备的选择3.EMMC烧录工具的安装和使用方法IV.EMMC烧录实例1.烧录前的准备工作2.烧录过程中的注意事项3.烧录后的测试和维护方法正文（篇2）一、EMMC烧录方法简介EMMC（ Embedded Multi-Media Card）是一种用于嵌入式系统的存储介质，主要用于存储音频、视频、图像等多媒体数据。
EMMC概论
NAND组织结构
2.1 结构阵列
一个NAND Device由很多块（Block）组成，块是NAND的最小擦除单位 每个块包含了很多页（page），页是NAND的最小读\写单位 每个页包含了很多字节（Byte），每个字节8bit 每页包含2KByte的Main Area和64Byte的Spare Area
注：NAND每一位(bit)只能从1变为0,不能从0变为1,所以在对其进行 写入操作之前要一定将相应块擦除(即将相应块的位全部变为1)。
NAND基本单元
1.2.3 NAND单元结构 – 写入
NAND利用F-N隧道效应，通过硅基层给浮置栅充电，电 流从浮置栅极到硅基层。
在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，也就是 将浮栅的电荷放掉。
EMMC概论
Anna 2016.6.28
EMMC架构
NAND简介 EMMC控制器
前言
EMMC架构
eMMC架构是由一个嵌入式储存方案所组成，使用多芯片封装(MCP)技术， 把控制芯片(Control chip)和NAND Flash芯片封装在一起，组成一颗单芯 片，因此缩小了器件所占用的面积。 eMMC内部结构由MMC接口、NAND以及Controller所组成，HOST只需要透过 MMC接口下达命令，片内的Controller可以直接对内部的NAND进行算法管 理（ECC、Wear-Leveling、BBM），因此简化了对存储器的操作。
NAND组织结构
2.3.1 物理存取方式 – 整体视角
NAND组织结构
2.3.2 物理存取方式 – 单元视角
NAND操作
3.1 外部接口
NAND操作
3.2 内部控制框图
NAND操作
emmc协议简介（转载）
emmc协议简介（转载）⼀、定义及区别emmc：全称为embeded MultiMedia Card，是⼀种嵌⼊式⾮易失性存储器系统，由Nand flash和Nand flash控制器组成，以BGA⽅式封装在⼀款chip上。
Nand flash：⼀种存储数据介质；若要读取其中的数据，需要外接的主控电路。
Nor flash：也是⼀种存储介质；它的存储空间⼀般⽐较⼩，但它可以不⽤初始化，可以在其内部运⾏程序，⼀般在其存储⼀些初始化内存的固件代码；这⾥主要重点讲的是emmc 和Nand flash 之间的区别，主要区别如下：(1)、在组成结构上：emmc存储芯⽚简化了存储器的设计，将NAND Flash芯⽚和控制芯⽚以MCP技术封装在⼀起，省去零组件耗⽤电路板的⾯积，同时也让⼿机⼚商或是计算机⼚商在设计新产品时的便利性⼤⼤提⾼。
⽽NAND Flash仅仅只是⼀块存储设备，若要进⾏数据传输的话，只能通过主机端的控制器来进⾏操作，两者的结构图如下：(2)、在功能上：eMMC则在其内部集成了 Flash Controller，包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。
相⽐于直接将NAND Flash接⼊到Host 端，eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进⾏特殊的处理。
同时，eMMC通过使⽤Cache、Memory Array 等技术，在读写性能上也⽐ NAND Flash要好很多。
⽽NAND Flash 是直接接⼊ Host 端的，Host 端通常需要有 NAND Flash Translation Layer，即 NFTL 或者 NAND Flash ⽂件系统来做坏块管理、ECC等的功能。
另⼀⽅⾯，emmc的读写速度也⽐NAND Flash的读写速度快，emmc的读写可⾼达每秒50MB到100MB以上；⼆、emmc的初始化和数据通信emmc与主机之间通信的结构图：其中包括Card Interface（CMD，DATA，CLK）、Memory core interface、总线接⼝控制（Card Interface Controller）、电源控制、寄存器组。
【闪存知识】eMMC概述
【闪存知识】eMMC概述来自(/)什么是eMMCeMMC全称Embedded MultiMedia Card，是MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要应用于智能手机和移动嵌入式产品等。
eMMC是一种嵌入式非易失性存储器系统，由闪存和闪存控制器两部组成，它的明显优势是在封装中集成了一个闪存控制器，它采用JEDEC标准BGA封装，并采用统一闪存接口管理闪存。
eMMC结构eMMC结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA 封装。
同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。
接口速度高达每秒50MB甚至100MB以上。
由于采用标准封装，eMMC也很容易升级，并不用改变硬件结构。
eMMC优点eMMC的这种将NAND Flash芯片和控制芯片包在1颗MCP上的设计概念，就是为了简化产品内存储器的使用。
客户只需要采购eMMC芯片放进产品中，不需处理其它复杂的NAND Flash兼容性和管理问题，减少研发成本和大大缩短新产品的上市周期，加速产品的推陈出新速度。
eMMC技术发展eMMC规格的标准逐渐从eMMC V4.3发展到V4.4，V4.41，eMMC V4.5也即将问世，据称eMMC下一个时代将会由三星电子(Samsung Electronics)主导的UFS(Universal Flash Storage)规格接棒。
但在eMMC使用技术方面，似乎Toshiba和SanDisk技术更胜一筹，后者已经大规模量产TLC技术的eMMC产品。
目前最通行的eMMC V4.41在原标准4.3基础上做了很多改进，包括两倍于前代产品的存储器接口性能、灵活的分区管理和完善的安全备选方案，高级终断接口（HPI）等。
eMMC市场应用eMMC目前主要应用于手机市场及MID高端平台，也已开始广泛渗透到更多的嵌入式应用领域，如低端平板、学习机、游戏机、卫星定位系统等。
eMMC的前世今生解读
• VDD(VCCQ) : Supply voltage for memory controller
• VDDi : Internal power node to stabilize regulator output to controller core logics (核心逻辑控制器).
NOR类似于DRAM，以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。
NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格。
NOR Flash 与 NAND Flash
VSS : Ground connections .
Flash Memory 中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。
• NAND 闪存的缺点在于读取速度较慢，它的 I/O端口只有 8 个，
比NOR要少。8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传 送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND
内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠
性较NOR 闪存要差。
NOR Flash 与 NAND Flash
nandflash的特点nand闪存的存储单元采用串行结构存储单元的读写是以页和块为单位来迚行一页包含若干字节若干页则组成储存块这种结构最大的优点在于容量可以做得很大nand闪存的成本较低有利于大规模普及
eMMC 的前世今生
A95原班人马全力打造 金秋九月倾情巨献
ROM (Read-only Memory)
片性价比提升，也逐渐导入许多应用领域包括 军规、航空、车用、云端运算用服务器、工业 用等，还包括笔记本电脑(NB)等
eMMC详细介绍
深度了解eMMCeMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有 MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器一一 所 有在一个小型的 BGA 封装。
接口速度高达每秒 52MB eMM （具有快速、可升级的性能。
同时其接口电压可以是 1.8v或者是3.3v 。
eMMC （ Embedded Multi Media Card ） 采用统一的 MM （标准接口，把高密度 NANDFIash 以及 MMCControlle圭寸装在一颗 BGA 芯片中。
针对 Flash 的特性，产品内部已经包含了 Flash 管理技术，包括错误探测和纠正， flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。
用户无需担心产品内部 flash 晶圆制程和工艺的变化。
同时 eMMC 单颗芯片为主板内部节省更多的空间。
vccMMC ControllereMMC Physical Specifications 主要有四种结构，pin 角定义及功能上基本一致，主要是看应用平台的需求:VCCQCLKCMD 呵"1十一►吉口五2-MemoryVDDiCone Logic BlockiOS 0/1。
毛壬Conro SignalsMCI INSEMMC DAT7 EMMC_DAr6 EMMC_ DATS EMMC Z DAH 匚 MMCZDAT3 EMMC_DAT2 FMMC_D/\T1 EMMC~r )ATO EMMC - CLKEMMC _RST51LSCbOH LSDA LSAO LSCK LSDIZZV7Ty2a 斤_U3Figure 54 — eMMC kileriial DIIM frr diuumrMAA : 12mm*16mm 169Pi nAB : 12mm*18mm 169Pi n AC: 14mm*18mm 169Pi n BA : 11.5mm*13mm 153Pin 结合现有 eMMC 主 流厂商(SAMSUNGTOSHIBA San disk )的成熟 eMMC 产品来看(moviNAND,eMM , iNAND ), 主要是AA AC, BA 三种。
eMMC完全解读、一份很好的eMMC学习资料
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智能模式、强大的速度优势、批量生产得力工具
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只需要制作一个母片、就可以一 拖八的复制、高效、高速、稳定
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4种eMMC规格对应的适配器 Page 29
通过路由器联机量产布局
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eMMC TO SD card（界面卡）的使用
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SDCPM-I2S问答题
1 为什么客户在按copy进行拷贝结果所有指示灯亮红灯最可能 的因素是什么？ 2 copy完成、校验至99.9%失败亮红灯，原因？ 3 copy步骤在5%失败，原因？ 4 用upm做了一个母片，用I2S来拷贝无法进行可能是什么原 因？ 5 影响I2S拷贝速度的因素有哪些？ 6 如何在AUTO SCAN 模式下检查校验码？校验码有何作用？ 如何操作？ 7 在I2S上面使用AUTO SCAN一定是最快的吗？
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7 用emmc介面卡搭配winhex软件能够格式化，并且写入文 件基本可以判断芯片是好片。 8. 9 GP是针对客户实际应用不同和有所差异、比如手机里面的 eMMC芯片、存储系统的区域和用户存放应用程序区域
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UPM-100烧录器知识
1 支持何种操作系统的pc应用平台？ 2 是否需要选择芯片再进行操作？
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2 upm答案
1 支持window xp win 7系统 2否 3 upm、bin 4 upm里面的分区时物理切割不可恢复、一般客户应用属于 软件分区 5 支持11.5*13*1.3、12*16*1.4、12*18*1.4、14*18*1.4mm 更换不同的限制框 6 芯片与座子的接触是否良好、硬盘小于芯片容量、是否全 新的芯片 7 FW_CONFIG为00 固件写保护功能
eMMC的前世今生
《http:.html》讨论到eMMC的发展历程，必须要从介绍Flash的历史开始Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。
1988年，Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
NOR类似于DRAM,以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。
因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。
1989年，东芝公司发表NAND flash结构，强调降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
因为NAND flash的晶片容量相对于NOR大，更像硬盘，写入与清除资料的速度远快于NOR，所以当时多应用在小型机以储存资料为主。
目前已广泛应用在各种存储设备上,可存储代码和资料。
NAND Flash的存储单元发展:从SLC, MLC到TLC，超越摩尔定律SLC=Single-Level Cell,即1bit/cell，读写速度快，寿命长，价格是MLC三倍以上，约10万次读写寿命。
MLC=Multi-Level Cell,即2bit/cell ,速度一般，寿命一般，价格一般，月3000-100次读写寿命。
TLC=Triple-Level Cell,即3bit/cell，速度慢，寿命短，价格便宜，约500次读写寿命，技术在逐渐成长中。
摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。
其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。
而NAND Flash行业的摩尔定律周期则只有12个月。
NAND Flash的存储单元从最初的SLC（Single Layer Cell）,到2003年开始兴起MLC (Multi-Layer Cell),发展至今，SLC已经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC（Triple Layer Cell）迈进。
eMMC详细介绍
eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA 封装。
接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。
同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。
eMMC （ Embedded Multi Media Card）采用统一的MMC标准接口，把高密度NAND Flash以及MMC Controlle 封装在一颗BGA芯片中。
针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash 平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。
用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。
同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。
eMMC Physical Specifications主要有四种结构，pin角定义及功能上基本一致，主要是看应用平台的需求：AA：12mm*16mm 169PinAB：12mm*18mm 169PinAC：14mm*18mm 169PinBA：11.5mm*13mm 153Pin结合现有eMMC主流厂商（SAMSUNG，TOSHIBA，Sandisk）的成熟eMMC产品来看（moviNAND,eMMC，iNAND），主要是AA，AC，BA三种。
结构的不同，主要是与应用平台需求而定，不同结构的pin角定义及功能上基本一致。
153pin与169pin interface balls array的对比153 balls - Ball Array (Top View) 169 balls - Ball Array (Top View)Ball assignment五．eMMC的发展趋势eMMC规格的标准快速演进，从eMMC V4.3发展到V4.4，V4.41，eMMC V4.5陆续问世，eMMC下一个时代将会由三星电子(Samsung Electronics)主导的UFS(Universal Flash Storage)规格接棒，会把Mobile RAM等芯片功能都涵盖。
eMMC存储器基本原理简介
Nand Flash中的特殊硬件结构
以三星的芯片为例: 1、配置寄存器(NFCONF) 2、命令寄存器(NFCMD) 3、地址寄存器(NFADDR) 4、数据寄存器(NFDATA) 5、状态寄存器(NFSTAT) 6、ECC校验寄存器(NFECC) 0x4E000000 0x4E000004 0x4E000008 0x4E00000C 0x4E000010 0x4E000014
Core Logic Block
数据总线
Nand Flash引脚(Pin)的说明
1. I/O0 ~ I/O7：用于输入地址/数据/命令, 输出数据，有可能16位，但高8位只用于数据 2. CLE: Command Latch Enable, 命令锁存使能, 在输入命令之前, 要先在模式寄存器中, 设置 CLE使能 3. ALE: Address Latch Enable, 地址锁存使能, 在输入地址之前, 要先在模式寄存器中, 设置ALE 使能 4. CE#: Chip Enable, 芯片使能, 在操作Nand Flash之前, 要先选中此芯片, 才能操作 5. RE#: Read Enable, 读使能, 在读取数据之前, 要先使CE#有效。 6. WE#: Write Enable, 写使能, 在写取数据之前, 要先使WE#有效。 7. WP#: Write Protect, 写保护 8. R/B#: Ready/Busy Output,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后, 检测这些操作是否 完成: 忙, 表示编程/擦除操作仍在进行中, 就绪表示操作完成. 9. Vcc: Power, 电源 10. Vss: Ground, 接地 11. N.C: Non-Connection, 未定义, 未连接。 [小常识] 在数据手册中, 你常会看到, 对于一个引脚定义, 有些字母上面带一横杠的, 那是说明此引脚/ 信号是低电平有效, 比如你上面看到的RE头上有个横线, 就是说明, 此RE是低电平有效, 此外, 为了书写方便, 在字母后面加‚#‛, 也是表示低电平有效，比如上面写的CE#；如果字母头 上啥都没有，就是默认的高电平有效，比如上面的CLE，就是高电平有效。
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NAND Flash 的分类
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TLC=Triple-Level Cell, 即3bit/cell，速度慢， 寿命短，价格便宜，约500次读写寿命，技 术在逐渐成长中。而TLC芯片则是当中质量 最低的，不过成本也便宜，主要是用于对 速度要求不高的快闪记忆卡和随身碟等产 品上，目前TLC芯片还不能用在中高阶或是 特殊领域产品上。
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NAND Flash 的特点
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NAND 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是 以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组 成储存块），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。 NAND 闪存的缺点在于读取速度较慢，它的 I/O端口只有 8 个，比NOR要少。8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方 式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式 慢得多。再加上 NAND 内部不存在专门的存储控制器，一 旦出现数据坏块将无法修，可靠性较NOR 闪存要差。
eMMC 的前世今生
A95原班人马全力打造 金秋九月倾情巨献
注意事项
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ROM (Read-only Memory) 只读存储器
什么是 ROM
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Devices are a special case of memory where, in normal system operation, the memory is read but not changed. Read only memories are non-volatile, that is, stored information is retained when the power is removed.
NAND Flash 的由来及应用
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1989年，东芝公司发表了NAND flash技术，强调 降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一 样可以通过接口轻松升级。 由于NAND flash的晶片容量相对于NOR大，更像硬 盘，写入与清除资料的速度也远快于NOR，所以 当时多应用在小型机以储存资料为主。目前已广 泛应用在各种存储设备上，可存储代码和资料。
NOR Flash 的特点
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NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，应用程序可以直接在flash闪存内 运行,不必再把代码读到系统RAM。
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NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量 时具有很高的成本效益,但是很低的写入和 擦除速度大大影响了它的性能。
ROM 的演变与发展
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Flash Memory (闪存)
类似于EEPROM，它即可以整片擦除也可 以按扇区擦除，还可以按Byte擦除。Flash强 调指令的快速读取。
Flash Memory 闪存
什么是 Flash Memory
Flash Memory 中文名字叫闪存，是一种长寿 命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存 储的数据信息）的存储器。
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NOR Flash 与 D Flash
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NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快 于NOR规格。多应用在小型记忆卡，以储存 资料为主。 NOR规格晶片读取资料的速度则快于NAND 规格，多应用在通讯产品中。
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NAND Flash
NAND Flash 的分类
按存储单元类型分类
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SLC=Single-Level Cell, 即1bit/cell，读写速度 快，寿命长，价格是MLC三倍以上，约10万 次读写寿命。
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NOR Flash 与 NAND Flash
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NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据 为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目 前主流容量已达2Gb。 NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序 代码为主，又称为Code Flash，所以可让微 处理器直接读取，但晶片容量较低，主流 容量为512Mb。
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ROM 的演变与发展
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Mask ROM (掩膜只读存储器) 存储信息在芯片制作过程中被固化，用户 只能选用而不能修改，故又称固定只读存 储器。制作掩膜ROM需要专门的掩膜治具， 成本很高，故多用于大批量生产。
ROM 的演变与发展
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PROM (可编程只读存储器) ——Programmable ROM 只能进行一次编程的存储器，内部熔丝 的熔断或保留来区分1和0，一经写入便无 法修改。
NAND Flash 的分类
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MLC=Multi-Level Cell, 即2bit/cell，速度一般， 寿命一般，价格一般，3000-10000次读写寿 命。MLC芯片推出后，MLC芯片读写次数和 效能上远不如SLC芯片，但随着效能大幅改 善后，MLC芯片逐渐成为NAND Flash产业主 流。现在MLC芯片性价比提升，也逐渐导入 许多应用领域包括军规、航空、车用、云 端运算用服务器、工业用等，还包括笔记 本电脑(NB)等
ROM 的演变与发展
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EPROM (可擦除的可编程只读存储器) ——Erasable PROM 可反复擦除已有数据，写入新信息(通常 多于100次)，采用MOS工艺。
ROM 的演变与发展
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EEPROM (电可擦除可编程只读存储器) ——Electrical Erase PROM
支持在线读写，写入之前勿需进行擦除 操作(写入时自动擦除)。EEPROM支持按 Byte擦除，而EPROM的修改只能先全部擦除 再重新写入。
NAND Flash的瓶颈及eMMC的出现
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随着纳米制程和存储技术的发展，NAND的性能却 在不断下降。从原来的1bit/cell发展到后来 3bit/cell, 计算更为复杂，出错率不免更高，读写 次数和寿命也会更短。
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市场上主要的Flash有两种规格：
NOR Flash和NAND Flash。
NOR Flash 的由来及应用
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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻 底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下 的局面。
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NOR类似于DRAM，以存储程序代码为主， 可以让微处理器直接读取。因为读取速度 较快，但晶片容量较低，所以多应用在通 讯产品中，如手机。