半导体封装制程及其设备介绍

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半导体封装主要工艺流程

半导体封装主要工艺流程
半导体封装主要工艺流程
序号
工艺流程
描述
1
晶圆制备与切割
将晶圆放入划片胶带中,切割成各个单元
2
清洗与准备
清洁载板及清除一切污染物,准备金属载板
3
层压粘合
通过压力来激化粘合膜,将芯片与封装基板粘合在一起
4
导线键合
使用金线或铝线将芯片与封装基板上的引脚连接起来
5
封装
将芯片和导线键合封装在保护壳内,通常使用树脂或塑料
6
固化
对塑封材料进行固化,使其有足够的硬度与强度
7
切割与成型
去除引脚根部多余的塑膜和引脚连接边,再将引脚打弯成所需要的形状
8
清洗与抛光
对封装好的产品进行清洁、抛光等加工
9
标识与打印
根据客户需要,在封装器件表面进行打印,用于识别
10
测试
对封装好的半导体器件进行测试,检验其性能和可靠性

半导体封装制程及其设备介绍——【半导体芯片】

半导体封装制程及其设备介绍——【半导体芯片】
DIP
Dual In-line Package
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
8 ~64
SIP
Single In-line Package
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic
1.27 mm (50miles) j-shape bend 4 direction
lead
18~124
Ceramic
0.5 mm
32~200
SMT (Optional)
Taping (Optional)
Grinding (Optional)
lead
3~25
Through Hole Mount
ZIP
Zigzag In-line Package
S-DIP
Shrink Dual In-line
Package
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40

半导体制程工艺流程及设备

半导体制程工艺流程及设备

半导体制程工艺流程及设备嘿,你有没有想过,那些小小的芯片是怎么被制造出来的呢?今天呀,我就来给你讲讲半导体制程工艺流程以及用到的设备,这可真是个超级有趣又超级复杂的事儿呢!咱先从最开始的晶圆制造说起。

晶圆就像是盖房子的地基一样,是整个半导体的基础。

晶圆是由硅这种材料制成的,你可别小看硅,它就像半导体世界里的超级明星。

这硅啊,要经过一系列的处理。

首先是提纯,这过程就像是把一堆沙子里的金子给挑出来一样困难。

要把硅提纯到非常非常高的纯度,几乎没有杂质才行。

我有个朋友在硅提纯的工厂工作,他就经常跟我抱怨说:“哎呀,这提纯工作可真不是人干的呀,一点点的差错就可能毁了一整批硅呢!”提纯之后呢,就要把硅做成圆柱体的硅锭,然后再把这个硅锭切割成一片片薄薄的晶圆。

这个切割过程可得非常小心,就像切一块超级薄的豆腐一样,一不小心就碎了。

这时候就用到了专门的切割设备,那些设备就像是精密的手术刀,把硅锭精准地切成一片片的晶圆。

有了晶圆之后,就要开始在上面进行各种加工了。

这就像是在一张白纸上画画一样,只不过这个画画的过程超级复杂。

其中一个重要的步骤是光刻。

光刻呀,你可以想象成是用光照在晶圆上画画。

这时候就需要光刻设备了,光刻设备就像是一个超级厉害的投影仪。

它把设计好的电路图案通过光线投射到晶圆上,而且这个图案超级精细,就像头发丝的千分之一那么细呢!我记得我第一次看到光刻图案的时候,我都惊呆了,我就想:“我的天呐,这怎么可能做到这么精细呢?”我当时就问一个做光刻的工程师,他就很自豪地说:“这就是科技的力量呀,我们通过各种技术手段才能把图案刻得这么精细呢。

”光刻完了之后,就是蚀刻。

蚀刻就像是把光刻出来的图案进行雕刻一样,把不需要的部分去掉,只留下我们想要的电路图案。

这就好比是雕刻一个石像,把多余的石头去掉,留下精美的雕像。

蚀刻用到的设备会喷出一些化学物质,这些化学物质就像小雕刻家一样,把晶圆上的材料按照光刻的图案进行去除。

不过这个过程可危险了,那些化学物质可都是腐蚀性很强的东西,就像一群小恶魔,要是不小心泄露了,可就会造成大麻烦。

半导体封装制程及其设备介绍

半导体封装制程及其设备介绍

Solder paste
Die Prepare(芯片预处理) To Grind the wafer to target thickness then separate to single chip
---包括来片目检(Wafer Incoming), 贴膜(Wafer Tape),磨片(Back Grind),剥膜(Detape),贴片(Wafer Mount),切割(Wafer Saw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目 检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.
B Wafer roughness Measurement 粗糙度测量仪 主要为光学反射式粗糙度测量方式;
4.Grinding 配套设备
A Taping 贴膜机 B Detaping 揭膜机 C Wafer Mounter 贴膜机
Wafer Taping -- Nitto DR300II
Alignment
1.27, 0.762 mm (50, 30miles)
Ceramic 2, 4 direction lead
20~80
Ceramic
1.27,1.016, 0.762 mm (50, 40, 30
miles)
20~40
大家应该也有点累了,稍作休息
大家有疑问的,可以询问和交流
Surface Mount
半导体设备供应商介绍-前道部分
半导体设备供应商介绍-前道部分
常用术语介绍
1. SOP-Standard Operation Procedure 标准操作手册 2. WI – Working Instruction 作业指导书 3. PM – Preventive Maintenance 预防性维护 4. FMEA- Failure Mode Effect Analysis 失效模式影响分析 5. SPC- Statistical Process Control 统计制程控制 6. DOE- Design Of Experiment 工程试验设计 7. IQC/OQC-Incoming/Outing Quality Control 来料/出货质量检验 8. MTBA/MTBF-Mean Time between assist/Failure 平均无故障工作时间 9. CPK-品质参数 10. UPH-Units Per Hour 每小时产出 11. QC 7 Tools ( Quality Control 品管七工具 ) 12. OCAP ( Out of Control Action Plan 异常改善计划 ) 13. 8D ( 问题解决八大步骤 ) 14. ECN Engineering Change Notice ( 制程变更通知 ) 15. ISO9001, 14001 – 质量管理体系

半导体封装制程与设备材料知识简介

半导体封装制程与设备材料知识简介

封裝型式
Shape
Typical Features
Materia Lead Pitch No of I/O l
Cerami c
1.27, 0.762 mm
(50, 30miles) 2, 4 direction
lead
20~80
Ceramic
1.27,1.016, 0.762 mm (50, 40, 30
(氧化处理)
Depositio n
(沉积)
WireBondin g
(焊线)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw
(切割成型)
Testin g
(测试)
Lithograp hy
(微影)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Moldin g
(塑封)
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
Plastic
1.0, 0.8, 0.65 mm 4 direction
lead
88~200
Surface Mount
FPG
Flat Package of Glass
LCC
Leadless Chip
Carrier
lead
18~124
Ceramic 0.5 mm
32~200
SMT (Optional)
Taping (Optional)
Assembly Main Process
Grinding (Optional)
Detaping (Optional)
Wafer Mount

半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿

半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿

半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿一、引言二、半导体封装制程的整体流程1.设计和制备芯片:在封装过程开始之前,需要进行半导体芯片的设计和制备。

这包括设计电路、选择材料、制造芯片等步骤。

2.选型和设计封装方案:根据芯片功能和其他要求,选择合适的封装方案。

封装方案的选择包括外形尺寸、引脚数量和布局、散热设计等。

3.制备基板:选择合适的基板材料,并进行加工和制备。

基板的制备是封装制程中的核心环节之一,目的是为芯片提供支撑和连接。

4.芯片连接:将芯片连接到基板上,通常使用焊接技术或金线键合技术。

焊接是将芯片的引脚与基板的焊盘连接起来,金线键合则是用金线将芯片与基板进行连接。

5.包封:将芯片和连接线封装进封装材料中,形成最终的封装产品。

常见的封装材料有环氧树脂和塑料,也有针对特殊应用的金属封装。

6.测试和质量检验:对封装后的产品进行测试和质量检验,确保其符合设计要求和标准。

测试主要包括电性能测试、可靠性测试和环境适应性测试等。

7.封装后处理:包括喷涂标识、气密性测试、老化测试等。

这些步骤都是为了保证封装产品的质量和性能稳定。

三、半导体封装制程的关键步骤及设备介绍1.基板制备基板制备是封装制程中的核心步骤,主要包括以下设备:(1)切割机:用于将硅片切割成芯片,常见的切割机有钻石切割机和线切割机。

(2)干法清洗机:用于清洗芯片表面的杂质。

清洗机主要有氧气等离子体清洗机和干气流清洗机等。

(3)晶圆胶切割机:用于将芯片粘贴在基板上。

2.连接技术连接技术是将芯片与基板连接起来的关键步骤,常见的设备有:(1)焊接机:用于焊接芯片和基板之间的引脚和焊盘。

常见的焊接机有波峰焊机和回流焊机。

(2)金线键合机:用于将芯片与基板之间进行金线键合连接。

常见的金线键合机有球焊键合机和激光键合机等。

3.封装工艺封装工艺是将芯片和连接线封装进封装材料中的步骤,主要设备有:(1)半导体封装设备:用于将封装材料和连接线封装成最终产品。

半导体封装制程与设备材料知识介绍

半导体封装制程与设备材料知识介绍

24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
Plastic
1.0, 0.8, 0.65 mm 4 direction
lead
88~200
Surface Mount
FPG
Flat Package of Glass
LCC
Leadless Chip
Carrier
封裝型式
Shape
Tester
Digital
Credence
SC312
Digital
Teradyne
J750
Mix-Signal Credence
Quartet one and one+
Mix-Signal HP
HP93000 P600
Mix-Signal HP
HP93000 C400
Mix-Signal Teradyne
Die Attach (上片)
Deposition (沉积)
WireBonding (焊线)
Wafer Inspection (晶圆检查) 前段結束
Molding (塑封)
Laser mark (激光印字)
Laser Cut & package saw Testing

半导体封装简介

半导体封装简介

EOL– Molding(注塑)
L/F L/F
Cavity
Molding Tool(模具)
➢EMC(塑封料)为黑色块状,低温存储,使用前需先回温。其特 性为:在高温下先处于熔融状态,然后会逐渐硬化,最终成型。
➢Molding参数:
Molding Temp:175~185°C;Clamp Pressure:3000~4000N; Transfer Pressure:1000~1500Psi;Transfer Time:5~15s; Cure Time:60~120s;
半导体封装简介
一、半导体封装介绍 二、封装主要原材料 三、封装工艺流程—IC芯片 四、封装工艺流程—功率模块
一、半导体封装介绍
1.1 半导体工艺流程
目前半导体材料已经发展到第三代,第一代以硅(Si)为代表材料;第二代以砷化镓(GaAs)为代表材料; 第三代以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为主流材料。目前Si仍然是半导体行业使用最多的材料。
二、封装原材料简介 2.1 wafer(晶圆)
【Wafer】晶圆
2.2 【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用; ➢主要材料为铜,会在上面进行镀银、NiPdAu等材料; ➢L/F的制程有Etch和Stamp两种; ➢易氧化,存放于氮气柜中,湿度小 于40%RH; ➢除了BGA和CSP外,其他Package都会采用Lead Frame,BGA采用的是Substrate;
➢磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域, 同时 研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割

半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE

半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE

Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
lead
16~24
Plastic
1.778 mm (70miles)
20 ~64
Through Hole Mount
SK-DIP
Skinny Dual In-line
2.Grinding 相关材料 A TAPE麦拉
B Grinding 砂轮 C WAFER CASSETTLE
工艺对TAPE麦拉的要求:
1。MOUNT
No delamination 2。SAW
STRONG ADHESION
No die flying off No die crack
工艺对麦拉的要求:
Loader Units: Spinner, Elevator, Cassette, Rotation Arm
Blade Close-View
Blade
Cooling Water Nozzle
Cutting Water Nozzle
Die Sawing – Disco 6361
Key Technology:
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
1.27, 0.762 mm (50, 30miles)
Ceramic 2, 4 direction lead
20~80
Ceramic
1.27,1.016, 0.762 mm (50, 40, 30
miles)
Wafer Mount
Plasma

半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE

半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE

半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE半导体封装制程是半导体工业中不可或缺的一部分,其随着市场需求的变化不断地在更新换代。

本文将主要介绍半导体封装的制程步骤及相关设备材料知识。

半导体封装制程步骤半导体封装制程主要按照以下步骤进行:1.按照需要封装的芯片布局,设计封装排线和金属引线等结构。

同时,设计封装的外观结构,包括尺寸、形状、数量和分布等。

2.使用设计软件,制作电路图样,该图样包含标准的元器件符号、等电线和连接符等信息。

3.基于制作的电路图样,制作光刻版,在载片上进行银河线蚀刻。

因为光刻版制作的精度较高,可以制作很细的线路和高保真度的图案。

4.将加载的原件(如晶体管芯片等)与抛光后的铜器系排线粘结在一起,其中的薄胶层在压合交联后,铜器系排线被粘在原件表面上。

通过紫外线固化胶水,以确保清洗过程中不再分离。

5.将元器件放入封装内部,并对外壳进行粘接焊接或压力焊接以完成封装。

半导体封装设备材料1.电池板:电池板全名为半导体电池板,是半导体制造中的必要材料之一。

它通常被用作制造微芯片和其他半导体产品的基础材料。

电池板通常由纯硅制成,因为硅是制造半导体的最佳材料之一。

2.排线:排线是半导体封装中最常用的材料之一,因为它可以连接到各种元器件和芯片,从而使它们可以在更广泛的电路中工作。

排线通常由铜、铝或金刚石制成。

铜是最常用的材料之一,因为其导电性能优良,且价格较为实惠。

3.烟雾处理设备:烟雾处理设备是半导体封装过程中至关重要的设备之一。

它可以用来过滤设备产生的烟雾和粉尘,以确保制造环境的清洁和卫生。

烟雾处理设备通常包括过滤器、碳过滤器以及粒子清洁器等。

4.封胶设备:封胶设备用于在芯片上涂覆胶水,并紫外线固化粘胶以固定芯片和排线。

封胶设备的选择应根据使用封胶的材料进行调整,因为不同材料的粘合性能不同。

通常使用的封胶设备有涂胶机、涂覆机和喷涂机等。

半导体封装制程在现代电子产业中扮演着重要角色。

从封装的步骤到所需的设备材料,我们可以看出半导体封装制程的复杂性和高技术含量。

半导体封装设备与工艺

半导体封装设备与工艺
半导体封装设备与工艺
工艺类型
设备
基本工艺步骤
晶圆级封装(WLCSP)
掩模对准曝光机、步进式光刻机、电镀设备、刻蚀设备等
1. 制作绝缘层;2. 曝光、显影以绘制图案;3. 溅射涂覆金属层;4. 电镀形成金属层;5. 去除光刻胶和多余金属层;6. 在晶圆上形成导线和锡球(扇入型)或重新排列芯片焊盘并引接,通常需要钻孔、电镀等步骤。
引线框架封装
引线框架制造设备、模塑设备等
1. 制作引线框架;2. 将芯片固定到引线框架上;3. 用环氧树脂模塑料等塑料材料覆盖芯片;4. 进行固化等后续处理。
基板封装
基板制造设备、自动贴片设备、回流焊设备等
1. 制作基板;2. 自动贴片将芯片、元件等固定到基板上;3. 通过回流焊等方式进行电气连接;4. 进行后续测试和封装处理。
重新分配层(RDL)封装
重分配层加工设备(如光刻机、电镀机等)
使用晶圆级工艺重新排列芯片上的焊盘位置,并与外部采取电气连接方式。
倒片(Flip Chip)封装
倒片键合设备、电镀设备等
在晶圆上形成焊接凸点,然后通过倒片键合将芯片连接到基板或其他媒介上。
硅通孔(TSV)封装
TSV加工设备(如钻孔机、电镀机等)

半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE-文档资料

半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE-文档资料

Transfer
De-taping
Transfer Back Side Upward Mount
Key Technology: 1. Low Thickness Variation: +/_ 1.5 Micron 2. Good Roughness: +/- 0.2 Micron 3. Thin Wafer Capacity: Up to 50 Micron 4. All-In-One solution , Zero Handle Risk
SanDisk Assembly Process Flow SanDisk 封装工艺流程
Wafer IQC 来料检验
SMT 表面贴装 Die Prepare 芯片预处理 Die Attach 芯片粘贴 Mold 模塑 PMC 模塑后烘烤
前道 FOL
Laser Mark 激光印字
后道 EOL
Plasma Clean 清洗
Skinny Dual In-line Package
Ceramic Plastic
24~32
PBGA Ceramic Pin Grid Array Plastic 2.54 mm (100miles)
封 裝 型 式
Surface Mount
SOP
Shape
Material
Typical Features
Lead Pitch No of I/O
Small Outline Package
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction lead
8 ~40
QFP Quad-Fla0.65 mm 4 direction lead
88~200

半导体封装制程与设备材料知识介绍

半导体封装制程与设备材料知识介绍

Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
lead
16~24
Plastic
1.778 mm (70miles)
20 ~64
Through Hole Mount
SK-DIP
Skinny Dual In-line
常用术语介绍
1. SOP-Standard Operation Procedure 标准操作手册 2. WI – Working Instruction 作业指导书 3. PM – Preventive Maintenance 预防性维护 4. FMEA- Failure Mode Effect Analysis 失效模式影响分析 5. SPC- Statistical Process Control 统计制程控制 6. DOE- Design Of Experiment 工程试验设计 7. IQC/OQC-Incoming/Outing Quality Control 来料/出货质量检验 8. MTBA/MTBF-Mean Time between assist/Failure 平均无故障工作时间 9. CPK-品质参数 10. UPH-Units Per Hour 每小时产出 11. QC 7 Tools ( Quality Control 品管七工具 ) 12. OCAP ( Out of Control Action Plan 异常改善计划 ) 13. 8D ( 问题解决八大步骤 ) 14. ECN Engineering Change Notice ( 制程变更通知 ) 15. ISO9001, 14001 – 质量管理体系

半导体封装制程与设备材料知识简介

半导体封装制程与设备材料知识简介

半导体封装制程与设备材料知识简介半导体封装制程主要包括以下几个步骤:首先是对芯片进行划片,将大块的半导体晶圆切成小的芯片;接着是焊接引脚,将芯片的金属引脚焊接到封装件上;最后是封装成型,将芯片和引脚封装在一个保护性的封装件中。

在制程中需要使用到多种设备和材料。

其中,设备包括芯片切割机、焊接机、封装设备等;而材料则包括封装胶、引脚材料、封装盒材料等。

这些设备和材料的选择和使用对封装质量和成本都有着重要影响。

半导体封装制程和设备材料知识是半导体封装工程师和技术人员需要掌握的重要内容。

通过深入了解和学习,可以更好地理解半导体封装的工艺流程,提高封装质量,降低生产成本,推动半导体封装技术的发展。

半导体封装制程与设备材料知识是半导体领域中至关重要的一部分。

半导体封装是将半导体芯片连接到PCB(印刷电路板)上的过程,以便将芯片应用于各种电子设备中。

在半导体工业中,封装是半导体制造的最后一道工序,它对芯片的保护、连接、传导和散热起着重要作用。

这一制程既涉及到材料的选择,也需要各种设备的使用。

在制程中,半导体封装需要考虑诸多因素,包括封装材料的导热性能、电气特性、耐高温性以及成本效益和环保等方面。

在制程中需要用到的设备包括高精度的切割机、精密的焊接设备、封装设备以及检测设备等。

这些设备需要满足封装工艺的要求,以确保封装质量和生产效率。

此外,封装材料也是封装制程的重要组成部分。

例如,封装盒的选材需要考虑其对温度变化的稳定性和防尘、防潮性能;封装胶需要具备良好的导热性能和机械强度,以确保芯片在工作时不会受到机械应力和温度应力的影响。

而对于封装材料的选择,也需要考虑到生产成本和环保要求。

因此,一些新型的封装材料,如可降解材料、环保材料等,也逐渐被引入到半导体封装的制程中。

在半导体封装制程和设备材料知识的应用领域中,半导体工程师和技术人员需要具备系统地理解和掌握相关知识。

他们需要不断地关注封装技术的发展动态,研究新型封装材料和设备,以提高封装质量、降低生产成本,并推动半导体封装技术的不断进步。

半导体制造流程及生产工艺流程(封装)

半导体制造流程及生产工艺流程(封装)

SOP
2.FBGA封裝流程
Die Attach Die Attach Cure Plasma Wire Bond Mold Mold Cure Laser Mark Saw Singulation Singulated Test Tray or Tape & Reel
BGA
黏晶(Die Bond)
2.FBGA封裝

此種封裝是模組封裝(module), 封裝的原理和PQFP&TSSOP相同, 只是模壓機的模具不同巴了,封 裝完成的產品需要經過切割,方 能行成單粒的產品
印字 (Mark)


印字的目的,在注明商品之规格及制造者 1、印式:直接像印章一样印字在胶体上。 2、转印式(pad print):使用转印头, 从字模上沾印再印字在胶体上。 3、雷射刻印方式(laser mark):使用雷 射直接在胶体上刻印。
成型

不同的封裝型式有不同的成行方式,QFP和 SOP封裝型式的一般會用到沖壓成型, BGA封裝型式一般會用到SAW(切割)成型.
測試

封裝完畢後的IC,在針測後又經過好多道 製程,在這些製程中很容易造成不良,所以 在成型之後會進行一次測試,檢驗出良品 與不良品,良品中也要分出優良中差等級 出.
模壓(Mold)



1、防止湿气等由外部侵入。 2、以机械方式支持导线。 3、有效地将内部产生之热排出于外部。 4、提供能够手持之形体。
1. PQFP & TSSOP


此種封裝是單顆塑封 封胶之过程比较单纯,首先将焊线完成之 导线架置放于框架上并先行预热,再将框 架置于压模机(mold press)上的封装模 上,此时预热好的树脂亦准备好投入封装 模上之树脂进料口。启动机器后,压模机 压下,封闭上下模再将半溶化后之树脂挤 入模中,待树脂充填硬化后,开模取出成 品。封胶完成后的成品,可以看到在每一 条导线架上之每一颗晶粒包覆着坚固之外 壳,并伸出外引脚互相串联在一起

半导体封装制程及其设备ppt课件

半导体封装制程及其设备ppt课件
width direction
24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
6
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Wafer Mount
Plasma
UV Cure (Optional)
Wire Bond
Molding
Post Mold Cure Laser mark
Laser Cut
Package Saw
Cleaner
Memory Test
Card Asy
Card Test
Packing for Outgoing
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
lead
16~24
Plastic
1.778 mm (70miles)
20 ~64
5
Through Hole Mount
SK-DIP
Skinny Dual In-line
Package
PBGA
Pin Grid Array
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles) half-size pitch in the

半导体工艺流程所需设备及材料

半导体工艺流程所需设备及材料

半导体工艺流程所需设备及材料1. 芯片设计:芯片设计软件是用来设计芯片电路的主要工具。

常用的芯片设计软件有Cadence和Synopsys等。

这些软件由相应的厂家提供。

2.晶圆制备:晶圆制备是将单晶硅材料生长成具有特定晶面方向的圆片。

晶圆切割机是用来将单晶硅棒切割成固定尺寸的圆片的设备。

较常见的晶圆切割机厂家有DISCO和ADE等。

3. 清洗和薄膜沉积:清洗是为了去除晶圆表面的杂质和污染物,常用的清洗设备有湿法清洗设备和干法清洗设备。

薄膜沉积是为了在晶圆表面上形成一层薄膜,在半导体工艺中常用的薄膜沉积设备有化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)设备。

较常见的薄膜沉积设备厂家有Applied Materials、Tokyo Electron和Lam Research等。

4. 光刻图案制作:光刻是在晶圆表面上通过光学曝光形成特定图案的过程。

光刻设备使用的是光刻胶和光刻胶图案制作设备。

常见的设备厂家有ASML和Nikon等。

而常用的光刻胶厂家有东京欢迎(Tokyo Ohka Kogyo, TOK)和JSR等。

5. 离子注入:离子注入是将特定的掺杂原子注入到晶圆表面的过程,以改变晶圆的电学性质。

离子注入设备由AMAT(Applied Materials)、Axcelis和DEU等厂家提供。

6. 局部导电:局部导电是为了在晶圆上形成导电通路。

常用的局部导电设备有离子束刻蚀机和激光刻蚀机。

设备厂家有Carl Zeiss、Lasertec和KLA-Tencor等。

7. 成像和固化:成像是为了检查已形成的芯片图案的质量,并进行修复。

而固化是为了在芯片上形成可靠的电器连接。

常用的成像和固化设备有显微镜、电子束曝光机和高温热处理设备等。

设备厂家有ASML、JEOL和Canon等。

8. 封装:封装是将芯片封装到合适的封装材料中,以保护芯片并提供外部引脚。

封装设备厂家主要有胜达(Shuntong)、ASE和Amkor等。

半导体封装制程简介

半导体封装制程简介

(Die Saw)晶片切割之目的乃是要將前製程加工完成的晶圓上一顆顆之芯片(Die)切割分離。

首先要在晶圓背面貼上蓝膜(blue tape)並置於鋼製的圆环上,此一動作叫晶圓粘片(wafer mount),如圖一,而後再送至晶片切割機上進行切割。

切割完後,一顆顆之芯片井然有序的排列在膠帶上,如圖二、三,同時由於框架之支撐可避免蓝膜皺摺而使芯片互相碰撞,而圆环撐住膠帶以便於搬運。

圖一圖二(Die Bond)粘晶(装片)的目的乃是將一顆顆分離的芯片放置在导线框架(lead frame)上並用銀浆(epoxy )粘着固定。

引线框架是提供芯片一個粘着的位置+(芯片座die pad),並預設有可延伸IC芯片電路的延伸腳(分為內引腳及外引腳inner lead/outer lead)一個引线框架上依不同的設計可以有數個芯片座,這數個芯片座通常排成一列,亦有成矩陣式的多列排法。

引线框架經傳輸至定位後,首先要在芯片座預定粘着芯片的位置上点上銀浆(此一動作稱為点浆),然後移至下一位置將芯片置放其上。

而經過切割的晶圓上的芯片則由焊臂一顆一顆地置放在已点浆的晶粒座上。

装片完後的引线框架再由传输设备送至料盒(magazine)。

装片后的成品如圖所示。

引线框架装片成品胶的烧结烧结的目的是让芯片与引线框晶粒座很好的结合固定,胶可分为银浆(导电胶)和绝缘胶两种,根据不同芯片的性能要求使用不同的胶,通常导电胶在200度烤箱烘烤两小时;绝缘胶在150度烤箱烘烤两个半小时。

(Wire Bond)焊线的目的是將芯片上的焊点以极细的金或铜线(18~50um)連接到引线框架上的內引腳,藉而將IC芯片的電路訊號傳輸到外界。

當引线框架从料盒內傳送至定位后,应用電子影像处理技術來確定芯片上各個焊点以及每一焊点所相對應的內引腳上的焊點的位置,然後做銲線的動作。

銲線時,以芯片上的焊点为第一銲點,內接腳上的焊点為第二銲點。

首先將金線的尾线燒結成小球,而後將小球压銲在第一銲點上(此稱為第一銲,first bond)。

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半导体封装制程及其设备介绍
一、概述
半导体芯片是一种微型电子器件,半导体封装制程是将芯片进行外层包装,从
而保护芯片、方便焊接、测试等工作的过程。

比较常见的半导体封装方式有芯片
贴装式、铅框式、无铅框式等。

本文将从半导体封装的制程入手,为大家介绍半导体封装制程及其设备。

二、半导体封装制程
1. 粘结
半导体封装的第一步是将芯片粘结到支撑贴片(Leadframe)上面。

支撑贴片
是一种晶粒尺寸相对较大、但还不到电路板级别的导体片。

常用的粘接剂有黄胶、银胶等,其使用在制程时会加热到一定温度,使其能够黏合贴片和芯片。

2. 线缆连接
芯片被粘接到支撑贴片上方后,需要进行内部连线。

通常使用铜线作为内部连线,常用的连线方式有金线焊接和铜线焊接。

它们的区别很大程度上取决于封装
要求和芯片使用情况。

3. 包封装
在连线之后,开始进行半导体封装的最后一步–包封装。

包封装是将芯片包封
闭在一起,以进一步保护它。

常用的封装方式有QFP、BGA、SOIC、CHIP 贴片等。

三、半导体封装设备介绍
1. 芯片粘结设备
芯片粘结设备是半导体封装的第一步。

常用的芯片粘结设备包括黄胶粘合机、
银胶粘合机、重合机等。

不同类型的设备适用于不同封装要求的芯片。

2. 线缆连接设备
目前,铜线焊接机处于主流位置。

与金线焊接机相比,铜线焊接机具有成本更低、可靠度更高的优点。

因此,其能够更好地满足不同类型的芯片封装要求。

3. 包封装设备
包封装设备是半导体封装的重要步骤。

常用的设备有 QFP 封装机、CHIP 贴片封装机等。

它们能够满足不同类型的封装要求,使芯片更加可靠。

四、
半导体封装制程及其设备涉及到了许多知识点。

本文从制程和设备两个角度,为大家介绍了半导体封装制程及其设备。

不同的封装方式和设备对于产品的品质、成本以及生产效率都有很大的影响。

因此,在选择半导体封装制程和设备时,需要根据实际情况进行选择,以确保产品达到最佳性能和质量要求。

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