静电知识系列讲座

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四 静电损害的特点
1. 隐蔽性 人体不能直接感知静电,除非
发生静电放电,但是发生静电放电人 体也不一定能有电击的感觉,这是因 为人体感知的静电放电电压为2-3 KV以上,所以静电具有隐蔽性。
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四 静电损害的特点
2. 潜在性 有些电子元器件受到静电损伤后的性能没 有明显的下降,但多次累加放电会给器件 造成内伤而形成隐患。因此静电对器件的 损伤具有潜在性。 3. 随机性 电子元件甚么情况下会遭受静电破坏呢? 可以这么说,从一个元件产生以后,一直 到它损坏以前,所有的过程都受到静电的 威胁,而这些静电的产生也具有随机动性 性。其损坏也具有随机动性性。
五 静电放电的控制
ESD是代表英文ElectroStatic Discharge即“静电放电”的意思。
ESD是本世纪中期以来wk.baidu.com成的以研 究静电的产生与衰减、静电放电模型、 静电放电效应如电流热(火花)效应 (如静电引起的着火与爆炸)及和电 磁效应(如电磁干扰)等的学科。
主要以人和设备为控制的着眼点。 静电知识系列讲座
与嘴摩静擦电知识而系列带讲座 电。
三 静电的各种危害
静电的基本物理特性为:吸引或排斥,与大 地有电位差,会产生放电电流或瞬间电压。 这三种特性能对电子元件的三种影响:
1.静电吸附灰尘,降低元件绝缘电阻(缩 短寿命)并且影响显示效果。 2.静电放电 破坏,使元件受损不能工作(完全破坏)。 3.静电放电电场或电流产生的热,使元件 受伤(潜在损伤)。4.静电放电产生的电 磁场幅度很大(达几百伏/米)频谱极宽 (从几十兆到几千兆),对电子产器造成干 扰甚至损坏(电磁干扰)
耐电压V
MOS型IC 中继场效应管 CMOS型IC MOS场效应管 双极晶体管 二极管 HDD磁头(MR・GMR)
80~100 140~1,000 200~2,000
50~300 380~7,000
100~450 10~30
《电子元件的静电对策》摘录
随着应用电压 的降低及高度集 成化,耐电压的 能力也出现越来 越低的倾向。 品 管部门亦要求在 50V以下。
- --

朝着器件发生静电放电, 会由于在酸化膜上加有高 电压而引起酸化膜的破坏。
酸化膜短路
- 导电体 - - - -
- -
•许多半导体上都有100nm左 右的酸化膜(绝缘层),如 加上80~100V的电压,绝缘 层会被破坏。 静电知识系列讲•失座 去了半导体的功能。
器件的耐电压(参考值)
半导体元件耐破坏电压的水平
目录
1. 静电的产生原因 2. 静电的产生形式 3. 静电的各种危害 4. 静电损害的特点 5. 静电放电的控制 6. 决定电量的因数 7. 有关除电的对策 8. 预防静电的措施 9. 措施的安全事项 静电知识系列讲座
一 静 电


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++ +++++++++
- -



Na
的 产 每一种物质都是由分子组成,分子是由原子组
一静电的产生原因
造成不平衡电子分布的原因即是电子 受外力而脱离轨道,这个外力包含各种能量 (如动能、位能、热能、化学能等)在日常生 活中,任何两个不同材质的物体接触后再分 离,即可产生静电。当两个不同的物体相互 接触时就会使得一个物体失去一些电荷如电 子转移到另一个物体使其带正电,而另一个 得到一些剩余电子的物体而带负电。若在分 离的过程中电荷难以中和,电荷就会积累使 物体带上静电。所以物体与其它物体接触后 分离就会带上静电。
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二 静电的产生形式
接触带电:二种物质只有经接触才会带电。 摩擦带电: 因摩擦而带电。 诱导带电:因静电诱导而带电,是非接
触带电。 旋转带电: 旋转体在另一物体上转动时产
生带电现象。 剥离带电: 因接触面相互剥离而带电。
剥离的越快所带电量就越大。 喷射带电: 因高压气体或液体高速喷射,
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四 静电损害的特点
4.复杂性
静电放电损伤的失效分析工作,因电子产品 的精、细、微小的结构特点而费时、费事、 费钱,要求较高的技术并往往需要使用扫描 电镜等高精密仪器。即使如此,有些静电损 伤现象也难以与其他原因造成的损伤加以区 别,使人误把静电损伤失效当作其他失效。 这在对静电放电损害未充分认识之前,常常 归因于早期失效或情况不明的失效,从而不 自觉地掩盖了失效的真正原因。所以静电对 电子器件损害极其复静电杂知识系。列讲座
规定5V以下!
手机生产线上90%的故障据说均产生于静电的破坏。 尤其是干燥的11月~3月,则是平时的3~5倍。 同时因除静电器的逆向带静电电而知识造系列成讲座的破坏也常有。
三 静电的各种危害
•如果元件全部破坏,必能在生产及品
管中被察觉而排除,影响较小,如果元 件轻微受损,在正常测试下不易发现, 在这种情形下,常会因经过多层之加工, 甚至已在使用时,才发现破坏,不但检 查不易,而且其损失亦难以预测。要耗 费多少人力及财力才能清查出所有问题, 而且如果在使用时才察觉故障,其损失 将可能巨大。
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三 静电的各种危害
因电流破坏的情形
吸盘的痕迹
因过电流产生的热破坏=配 线熔断・硅晶电阻的破坏
带电的器件与导体相接触。
+
此时因过电流的流过,而
引起器件的损坏。
Si02 硅晶
导电体
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因流过大于允许值 的电流而产生的热 熔断。
三 静电的各种危害
因电压破坏的情形
因加上高电压而引起 的酸化膜的电压破坏。
成,原子是由带负荷的电子和带正电荷的质子
生 组成。而分层存在的电子,则是根据一定的物 原 理规律,以固定的数量存在于不同层次的轨道
上。在正常状况下,一个原子的质子数与电子
因 数量相同,正负平衡,所以对外表现出不带电 的现象。上图是钠的电子组合图例。
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一静电的产生原因
阳 离 子
电子移动


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++
+ +
+ +



++
- -


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++
+ +
+ +



++
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阴 离 子
当两种物质紧密接触时,不稳定物质的外层的负电子, 会从一方的物质中游离到另一方物质的分子中。
当一方物质中得到一个电子,则该物质的带电性便会 呈现负极性,叫阴离子;而失去电子的物质,其分子 的带电性则呈正极性,静叫电知阳识系离列讲子座 。
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