硅通孔发展现状教材
3D硅通孔（TSV）技术行业调研
3D硅通孔（TSV）技术行业调研1 市场综述1.1 3D硅通孔(TSV)技术定义及分类1.2 全球3D硅通孔(TSV)技术行业市场规模及预测1.3 中国3D硅通孔(TSV)技术行业市场规模及预测1.4 中国在全球市场的地位分析1.4.1 按收入计，2017-2028年中国在全球3D硅通孔(TSV)技术市场的占比1.4.2 2017-2028年中国与全球3D硅通孔(TSV)技术市场规模增速对比1.5 行业发展机遇、挑战、趋势及政策分析1.5.1 3D硅通孔(TSV)技术行业驱动因素及发展机遇分析1.5.2 3D硅通孔(TSV)技术行业阻碍因素及面临的挑战分析1.5.3 3D硅通孔(TSV)技术行业发展趋势分析1.5.4 中国市场相关行业政策分析2 全球3D硅通孔(TSV)技术行业竞争格局2.1 按3D硅通孔(TSV)技术收入计，2017-2022年全球主要厂商市场份额2.2 全球第一梯队、第二梯队和第三梯队，三类3D硅通孔(TSV)技术市场参与者分析2.3 全球3D硅通孔(TSV)技术行业集中度分析2.4 全球3D硅通孔(TSV)技术行业企业并购情况2.5 全球3D硅通孔(TSV)技术行业主要厂商产品列举3 中国市场3D硅通孔(TSV)技术行业竞争格局3.1 按3D硅通孔(TSV)技术收入计，2017-2022年中国市场主要厂商市场份额3.2 中国市场3D硅通孔(TSV)技术参与者份额：第一梯队、第二梯队、第三梯队3.3 2017-2022年中国市场3D硅通孔(TSV)技术进口与国产厂商份额对比4 行业产业链分析4.1 3D硅通孔(TSV)技术行业产业链4.2 上游分析4.3 中游分析4.4 下游分析5 按产品类型拆分，市场规模分析5.1 3D硅通孔(TSV)技术行业产品分类5.1.1 3D硅通孔内存5.1.2 3D硅通孔先进LED 封装5.1.3 3D硅通孔CMOS图像传感器5.1.4 3D硅通孔成像和光电器件5.1.5 3D硅通孔微机电系统5.2 按产品类型拆分，全球3D硅通孔(TSV)技术细分市场规模增速预测，2017 VS 2021 VS 20285.3 按产品类型拆分，2017-2028年全球3D硅通孔(TSV)技术细分市场规模（按收入）6 全球3D硅通孔(TSV)技术市场下游行业分布6.1 3D硅通孔(TSV)技术行业下游分布6.1.1 消费类电子产品6.1.2 汽车工业6.1.3 IT和电信6.1.4 卫生保健6.1.5 其他6.2 全球3D硅通孔(TSV)技术主要下游市场规模增速预测，2017 VS 2021 VS 20286.3 按应用拆分，2017-2028年全球3D硅通孔(TSV)技术细分市场规模（按收入）7 全球主要地区市场规模对比分析7.1 全球主要地区3D硅通孔(TSV)技术市场规模增速预测，2017VS 2021 VS 20287.2 2017-2028年全球主要地区3D硅通孔(TSV)技术市场规模（按收入）7.3 北美7.3.1 2017-2028年北美3D硅通孔(TSV)技术市场规模预测7.3.2 2021年北美3D硅通孔(TSV)技术市场规模，按国家细分7.4 欧洲7.4.1 2017-2028年欧洲3D硅通孔(TSV)技术市场规模预测7.4.2 2021年欧洲3D硅通孔(TSV)技术市场规模，按国家细分7.5 亚太7.5.1 2017-2028年亚太3D硅通孔(TSV)技术市场规模预测7.5.2 2021年亚太3D硅通孔(TSV)技术市场规模，按国家/地区细分7.6 南美7.6.1 2017-2028年南美3D硅通孔(TSV)技术市场规模预测7.6.2 2021年南美3D硅通孔(TSV)技术市场规模，按国家细分7.7 中东及非洲7.7.1 2017-2028年中东及非洲3D硅通孔(TSV)技术市场规模预测7.7.2 2021年中东及非洲3D硅通孔(TSV)技术市场规模，按国家细分8 全球主要国家/地区分析8.1 全球主要国家/地区3D硅通孔(TSV)技术市场规模增速预测，2017 VS 2021 VS 20288.2 2017-2028年全球主要国家/地区3D硅通孔(TSV)技术市场规模（按收入）8.3 美国8.3.1 2017-2028年美国3D硅通孔(TSV)技术市场规模8.3.2 美国市场3D硅通孔(TSV)技术主要厂商及2021年份额8.3.3 美国市场不同产品类型 3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS8.3.4 美国市场不同应用3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.4 欧洲8.4.1 2017-2028年欧洲3D硅通孔(TSV)技术市场规模8.4.2 欧洲市场3D硅通孔(TSV)技术主要厂商及2021年份额8.4.3 欧洲市场不同产品类型 3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.4.4 欧洲市场不同应用3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.5 中国8.5.1 2017-2028年中国3D硅通孔(TSV)技术市场规模8.5.2 中国市场3D硅通孔(TSV)技术主要厂商及2021年份额8.5.3 中国市场不同产品类型 3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.5.4 中国市场不同应用3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.6 日本8.6.1 2017-2028年日本3D硅通孔(TSV)技术市场规模8.6.2 日本市场3D硅通孔(TSV)技术主要厂商及2021年份额8.6.3 日本市场不同产品类型 3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.6.4 日本市场不同应用3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.7 韩国8.7.1 2017-2028年韩国3D硅通孔(TSV)技术市场规模8.7.2 韩国市场3D硅通孔(TSV)技术主要厂商及2021年份额8.7.3 韩国市场不同产品类型 3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.7.4 韩国市场不同应用3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS8.8 东南亚8.8.1 2017-2028年东南亚3D硅通孔(TSV)技术市场规模8.8.2 东南亚市场3D硅通孔(TSV)技术主要厂商及2021年份额8.8.3 东南亚市场不同产品类型3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.8.4 东南亚市场不同应用3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.9 印度8.9.1 2017-2028年印度3D硅通孔(TSV)技术市场规模8.9.2 印度市场3D硅通孔(TSV)技术主要厂商及2021年份额8.9.3 印度市场不同产品类型 3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.9.4 印度市场不同应用3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.10 中东及非洲8.10.1 2017-2028年中东及非洲3D硅通孔(TSV)技术市场规模8.10.2 中东及非洲市场3D硅通孔(TSV)技术主要厂商及2021年份额8.10.3 中东及非洲市场不同产品类型 3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20288.10.4 中东及非洲市场不同应用3D硅通孔(TSV)技术份额，2021 VS 20289 主要3D硅通孔(TSV)技术厂商简介9.1 Amkor Technology9.1.1 Amkor Technology基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.1.2 Amkor Technology公司简介及主要业务9.1.3 Amkor Technology3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.1.4 Amkor Technology3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.1.5 Amkor Technology企业最新动态9.2 Broadcom9.2.1 Broadcom基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.2.2 Broadcom公司简介及主要业务9.2.3 Broadcom3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.2.4 Broadcom3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.2.5 Broadcom企业最新动态9.3 Xilinx9.3.1 Xilinx基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.3.2 Xilinx公司简介及主要业务9.3.3 Xilinx3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.3.4 Xilinx3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.3.5 Xilinx企业最新动态9.4 STATS ChipPAC9.4.1 STATS ChipPAC基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.4.2 STATS ChipPAC公司简介及主要业务9.4.3 STATS ChipPAC3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.4.4 STATS ChipPAC3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.4.5 STATS ChipPAC企业最新动态9.5 SK Hynix9.5.1 SK Hynix基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.5.2 SK Hynix公司简介及主要业务9.5.3 SK Hynix3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.5.4 SK Hynix3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.5.5 SK Hynix企业最新动态9.6 Invensas Corporation9.6.1 Invensas Corporation基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.6.2 Invensas Corporation公司简介及主要业务9.6.3 Invensas Corporation3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.6.4 Invensas Corporation3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.6.5 Invensas Corporation企业最新动态9.7 Samsung Electronics9.7.1 Samsung Electronics基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.7.2 Samsung Electronics公司简介及主要业务9.7.3 Samsung Electronics3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.7.4 Samsung Electronics3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.7.5 Samsung Electronics企业最新动态9.8 ASE Technology Holding9.8.1 ASE Technology Holding基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.8.2 ASE Technology Holding公司简介及主要业务9.8.3 ASE Technology Holding3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.8.4 ASE Technology Holding3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.8.5 ASE Technology Holding企业最新动态9.9 Taiwan Semiconductor Manufacturing9.9.1 Taiwan Semiconductor Manufacturing基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.9.2 Taiwan Semiconductor Manufacturing公司简介及主要业务9.9.3 Taiwan Semiconductor Manufacturing3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.9.4 Taiwan Semiconductor Manufacturing3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.9.5 Taiwan Semiconductor Manufacturing企业最新动态9.10 United Microelectronics Corporation9.10.1 United Microelectronics Corporation基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.10.2 United Microelectronics Corporation公司简介及主要业务9.10.3 United Microelectronics Corporation3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.10.4 United Microelectronics Corporation3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.10.5 United Microelectronics Corporation企业最新动态9.11 Okmetic9.11.1 Okmetic基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.11.2 Okmetic公司简介及主要业务9.11.3 Okmetic3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.11.4 Okmetic3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.11.5 Okmetic企业最新动态9.12 Teledyne DALSA9.12.1 Teledyne DALSA基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.12.2 Teledyne DALSA公司简介及主要业务9.12.3 Teledyne DALSA3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.12.4 Teledyne DALSA3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.12.5 Teledyne DALSA企业最新动态9.13 Tezzaron Semiconductor Corporation9.13.1 Tezzaron Semiconductor Corporation基本信息、3D硅通孔(TSV)技术市场分布、总部及行业地位9.13.2 Tezzaron Semiconductor Corporation公司简介及主要业务9.13.3 Tezzaron Semiconductor Corporation3D硅通孔(TSV)技术产品介绍9.13.4 Tezzaron Semiconductor Corporation3D硅通孔(TSV)技术收入及毛利率（2017-2022）9.13.5 Tezzaron Semiconductor Corporation企业最新动态10 研究成果及结论11 附录11.1 研究方法11.2 数据来源11.2.1 二手信息来源11.2.2 一手信息来源11.3 数据交互验证11.4 免责声明。
硅通孔发展现状
硅通孔（TSV）技术的发展现状
硅通孔技术(Through- Silicon Via)：通过在芯片之间、晶圆之 间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术。 优点： 使芯片在z轴方向堆叠的密度最大； 芯片之间的互连线最短； 外形尺寸最小； 并具有缩小封装尺寸； 高频特性出色； 降低芯片功耗； 热膨胀可靠性高等。
硅通孔（TSV）技术的发展现状
上海交通大学学者采用有限元分析单个圆柱型硅通孔和单个圆台型硅通孔应力， 在通孔深度逐渐变大的过程中，圆柱型与圆台型硅通孔的应力变化趋势相反，圆台 型硅通孔更适用于高深宽比，且上下直径差较大的模型中。（袁琰红，《硅通孔三
维封装的热力学分析》，2013年1月）
南昌航空大学学者建立了热力耦合的塑性应变梯度的本构关系，并通过用户子 程序 UMAT嵌入到 ABAQUS 中进行互连结构的热应力分析。得出在不同通孔半径
硅通孔（TSV）技术的发展现状
硅通孔热应力分析
微系统封装中，封装后产品的可靠性是其关键考核因素。而对于三 维封装硅通孔技术，工艺过程中应力直接影响产品寿命，硅通孔的填充
材料以及硅通孔相邻材料的热不匹配性等都会造成通孔上的热应力，导
致通孔界面的开裂、分层现象、失效等情况。因此，对硅通孔应力的分 析，可以有效的提高产品的可靠性。
和通孔结构整体缩小的条件下，铜互连中心和顶部界面处均出现显著的尺寸效应，
即在互连尺寸接近亚微米时，热应力随着半径减小而急剧增加的现象。 (徐 成,《硅 通孔互连热应力的数值模拟及仿真试验设计》， 2012 年 5 月)
硅通孔（TSV）技术的发展现状
硅通孔技术在各公司发展现状：
2010年半导体龙头大厂联华电子，尔必达，力成科技宣布共同开发硅 通孔（TSV）3D IC制造。 2011年三星电子宣布推出一款全新的单条8GB容量DDR3 RDIMM 服务 器专用内存，这款产品率先采用三维芯片堆叠技术TSV，而且这款产品已经 成功通过客户的测试。通过三维TSV封装技术，这类8GB RDIMM内存可以 比传统产品节省40％的能耗，而且利用这种技术，可以大幅度提升内存芯片 的容量密度，正如这次采用的Green DDR3 DRAM芯片一样，它的密度提升 有望突破50％。TSV是解决服务器既需要大容量内存。 2011高通已经设计出一款28nmTSV元件的原型.
硅资源开发利用现状与问题分析
硅资源开发利用现状与问题分析作者：杨文良来源：《中国市场》2010年第19期[摘要]随着信息技术和太阳能产业的飞速发展,全球对硅资源的需求增长迅猛,市场供不应求。
特别是硅资源中的新型代表多晶硅,其作为太阳能电池主要原料价格快速上涨。
而作为产业技术方面同国际先进水平相比,国内多晶硅生产企业在产业化方面差距则十分明显。
本文将重点研讨具有代表性的多晶硅材料,并结合硅资源中其他几种类型的资源利用,系统分析其行业结构,对预期的发展作出科学的预测。
[关键词]硅资源;发展现状;产业结构[中图分类号]F224.9 [文献标识码]A [文章编号]1005-6432(2010)19-0054-031 引言硅是生产太阳能电池的主要原材料,然而多晶硅材料的供应短缺问题在近年来却成为太阳能市场成长的最大障碍。
2006—2007年间,全球多晶硅短缺量在5000吨左右,这个缺口需要在3年之后才能够补上。
由于太阳能市场需求大增,太阳能级多晶硅的市场价格也一路高涨。
经过几年的疯狂繁荣发展后,现已出现一个剧烈调整期,在这个阶段,多晶硅市场的走势将逐步回落到一个理性价位。
本文将从此过程中市场和产业结构所发生的一系列变化入手分析现状找出问题关键,并对未来趋势加以预测。
2 硅资源产业链分析硅资源是指水晶、脉石英、石英砾石(砾石型石英)、天然硅砂等,属非金属矿藏。
随着技术的发展,硅资源的产品领域不断拓展,硅资源产业作为与人们日常生活密切相关的产业,逐步与信息产业和国防军工业等紧密相关。
据统计,2000年以来全球75亿美元的硅材料产业,带动了2500亿美元的半导体集成电路产业(其中半导体器件的95%以上、集成电路的99%以上是用硅制作的),从而进一步支撑起数以万亿美元的电子产品、计算机、通信、光纤等现代信息产业(如下图所示)。
10多年来,我国半导体制造技术取得了一些进步,硅资源产业规模也在不断地扩大。
这却引起了美国少数政要人士的紧张,并认为中国半导体工业技术的发展对美国国家安全造成了潜在威胁。
硅资源开发利用现状与问题分析
硅资源开发利用现状与问题分析[摘要]随着信息技术和太阳能产业的飞速发展,全球对硅资源的需求增长迅猛,市场供不应求。
特别是硅资源中的新型代表多晶硅,其作为太阳能电池主要原料价格快速上涨。
而作为产业技术方面同国际先进水平相比,国内多晶硅生产企业在产业化方面差距则十分明显。
本文将重点研讨具有代表性的多晶硅材料,并结合硅资源中其他几种类型的资源利用,系统分析其行业结构,对预期的发展作出科学的预测。
[关键词]硅资源;发展现状;产业结构1 引言硅是生产太阳能电池的主要原材料,然而多晶硅材料的供应短缺问题在近年来却成为太阳能市场成长的最大障碍。
2006—2007年间,全球多晶硅短缺量在5000吨左右,这个缺口需要在3年之后才能够补上。
由于太阳能市场需求大增,太阳能级多晶硅的市场价格也一路高涨。
经过几年的疯狂繁荣发展后,现已出现一个剧烈调整期,在这个阶段,多晶硅市场的走势将逐步回落到一个理性价位。
本文将从此过程中市场和产业结构所发生的一系列变化入手分析现状找出问题关键,并对未来趋势加以预测。
2 硅资源产业链分析硅资源是指水晶、脉石英、石英砾石(砾石型石英)、天然硅砂等,属非金属矿藏。
随着技术的发展,硅资源的产品领域不断拓展,硅资源产业作为与人们日常生活密切相关的产业,逐步与信息产业和国防军工业等紧密相关。
据统计,2000年以来全球75亿美元的硅材料产业,带动了2500亿美元的半导体集成电路产业(其中半导体器件的95%以上、集成电路的99%以上是用硅制作的),从而进一步支撑起数以万亿美元的电子产品、计算机、通信、光纤等现代信息产业(如下图所示)。
10多年来,我国半导体制造技术取得了一些进步,硅资源产业规模也在不断地扩大。
这却引起了美国少数政要人士的紧张,并认为中国半导体工业技术的发展对美国国家安全造成了潜在威胁。
因此,美国一些政要人士主张通过各种手段,对中国不论商用还是军用的半导体制造行业均实施力所能及的限制。
限制内容包括优质硅资源和先进技术设备的出口、技术转让、硅类高科技企业的对华投资。
以硅通孔为核心的集成电路三维封装技术及应用
以硅通孔为核心的集成电路三维封装技术及应用1.引言1.1 概述在本篇长文中，我们将重点探讨以硅通孔为核心的集成电路三维封装技术及其应用。
集成电路作为现代电子技术的基石，其不断的发展和进步已经推动了信息技术的革新和突破。
然而，传统的二维封装技术已经无法满足日益增长的电子产品对于更高性能和更小尺寸的需求。
硅通孔作为一种新型的封装技术，不仅具有较传统封装技术更高的集成度，而且还能有效解决电子设备在高功率和高频环境下的散热和干扰问题。
硅通孔就是通过在硅片上打洞，并填充导电材料，实现电气和热气的通信。
相比于传统的封装技术，硅通孔能够在垂直方向上实现不同功能的组合，大大提高了电路的集成度和性能。
本文主要将从硅通孔的概念和原理以及制备方法和技术两个方面进行详细介绍。
首先，我们将深入探讨硅通孔的概念和原理，包括硅通孔的结构特点、基本原理以及工作原理。
其次，我们将详细介绍硅通孔的制备方法和技术，包括光刻、湿法刻蚀、电解刻蚀等方法。
通过对这些方法的比较和分析，我们将为读者提供选择合适制备方法的依据。
最后，我们将总结硅通孔集成电路封装技术的优势和应用前景。
在结论部分，我们将重点分析硅通孔集成电路封装技术相比传统封装技术的优势，如更高的集成度、更好的散热性能等。
此外，我们还将展望硅通孔集成电路封装技术的应用前景，包括在电子消费品、通信设备、航空航天等领域的广泛应用。
通过本文的详细阐述，相信读者们将能够更全面地了解以硅通孔为核心的集成电路三维封装技术及其应用。
同时，本文也将为相关领域的研究人员和工程师提供一定的借鉴和参考，推动这一新兴封装技术的发展和应用。
1.2文章结构本文将以硅通孔为核心，探讨集成电路三维封装技术及其应用。
文章分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分概述了本文的主题内容，即以硅通孔为核心的集成电路三维封装技术及应用。
本文将介绍硅通孔的概念和原理，以及制备方法和技术。
正文部分将着重介绍硅通孔的概念和原理。
首先，我们将解释什么是硅通孔，以及它在集成电路封装中起到的作用。
基于硅通孔技术的三维集成电路设计与分析
参考 文献
【 １ 】 Ｘ ． Ｃ ｈ ｕ ａ ｎ Ｌ ． Ｈ ｏ ｎ ｇ ， Ｒ ． Ｓ ｕ ａ ｙ ａ ａ ｎ ｄ Ｋ ． Ｂ ａ ｎ ｅ ｒ ｊ ｅ ｅ ．
Ｃ ｏ ｍ ｐ ａ ｃ ｔ Ａ Ｃ ｍｏ ｄ ｅ１ ｉ ｎ ｇ ａ ｎ ｄ ｐ ｅ ｒ ｆ ｏ ｒ ｍａ ｎ ｃ ｅ
术之一，其技术水平直接影响系统性能 、稳定 性。电路设计工作者 ， 在应用 Ｔ Ｓ ｖ技术过程 中， 应尽 量采用 时下成 熟 的 Ｔ Ｓ ｖ制 备技术 ，把握
具 体 设 计 思 路 ， 从 提 升 系 统 整 体 性 能 出发 ，提
对同时通 孔，后者是指在制备 Ｉ Ｃ后通孑 Ｌ 。 前 通 孔 主 要 特 征包 括： （ １ ） 工 艺 在 ［ ＯＳ或 Ｂ ＥＯ Ｌ制 备 前应用 ； （ ２ ）在元件 设 介 段 即介入 应用；（ ３ ） 需严格的 Ｃ Ｄ控 （ ４ ） ： Ｌ 宽度 为 ５ － ２ ０ ｐ ｎ ￣ （ ５ ） 深宽 比ＡＲ３ ： １ － １ ０ ：１ 。 舌通孔 主要 特征为 ： （ １ ）工艺 在 ＢＥ ＯＬ或
ｊ ∈ 键词】硅通孔技 术 三维集成电路 设计原则 ２ 反映Ｔ ｓ ｖ 性能 的参数及其意 义
４碳纳米管Ｔ Ｓ Ｖ 设计
碳纳 米管 具有 优 良的 电热传 输特 性，平 均 自由程较长 ，耐高温 ，是一种较理想 的互联 材料 ，具有较大 的发展潜力 。碳纳米管 电流承 载密度极限远高于铜 ，电子迁移稳定 ，有助 于
互 联 延 时 的 设 计 ， 使 用 灵 活 ，有 助 于减 少 硅 通
传 导率极高 ，可达 到 ３ ０ ０ ０～ ８ ０ ０ 集 成 可 极 大 的提 高 系 统
散热能力 。
支术，可实现层级 间裸片互联，是 目前最先 应 用最广泛 的互联 方式之一。本次研究就
集成电路封装材料-硅通孔相关材料
6.1.3 发展现状及趋势
比如，WLCSP图像传感器封装，要求沉积温度低于200 oC。低温下高 台阶覆盖率绝缘层主要通过TEOS源氧化硅CVD或聚合物材料CVD获得。 使用TEOS源，可以在深宽比达到10:1的孔内，在200 oC以内的温度下， 获得超过15%的台阶覆盖率。 国内TSV-CIS封装，采用聚合物材料作为绝缘层。在高深宽比的TSVCIS封装集成技术中，聚合物绝缘层工艺受到限制，要采用TEOSPECVD方法沉积氧化硅来制造绝缘层，该技术方案处于研发阶段，没 有得到大规模量产。
图6-1 不同元器件在三维方向上基于TSV的堆叠集成
TSV技术涉及的材料：除打孔的硅基体材料和填孔材料等关键主材料外， 在工艺过程中还包含绝缘层、黏附层和种子层材料等相关材料。
图6-2 TSV各层结构示意图
目录
6.1 绝缘层 6.2 黏附层和种子层
6.1 绝缘层
6.1.1 绝缘层在先进封装中的应用 6.1.2 绝缘层材料类别和材料特性 6.1.3 发展现状及趋势 6.1.4 新技术与材料发展ຫໍສະໝຸດ 6.1.4 新技术与材料发展
新型沉积技术 1）高分子聚合气相沉积技术PVPD 将CVD应用于聚合反应是一种新的聚合方法，称为气相沉积聚合。与传统高分子薄膜制 造方法（如湿法工艺）相比优点： （1）不含溶剂、添加剂、引发剂等，纯度高，对衬底不产生损伤。 （2）可以控制薄膜厚度，通过选择适当的沉积速率和时间，可得到所需厚度。 （3）薄膜质量好，膜厚均匀，表面光滑无针孔，且可以沉积在不同形状的表面上，保 形性好。 （4）聚合与成膜工艺合二为一，简化了制造流程。
6.1.3 发展现状及趋势
旋涂工艺相比CVD和喷涂工艺，具有设备成本低等显著优势，但加工超过 5:1深宽比的TSV时具有较大挑战。开发具有旋涂工艺的聚合物材料成为 关键研究方向。 聚合物材料具备低触变性、防流动性和保形涂覆等特点。可围绕材料主体 树脂、功能性纳米填料及关键助剂等展开研究。 中科院深圳先进技术研究所相继推出2:1和3:1适用于旋涂工艺的聚合物材 料，研究5:1。
2023年硅行业分析报告及未来五至十年行业发展报告
2023年硅行业分析报告及未来五至十年行业发展报告2023年硅行业分析报告及未来五至十年行业发展报告硅是一种非金属元素，它在工业领域中占据着重要的位置，被广泛应用于电子、太阳能、建筑、汽车、医疗等多个领域。
本报告将对2023年硅行业的现状及未来五至十年的行业发展进行分析和预测。
一、2023年硅行业的现状分析1. 行业规模目前，全球硅行业的规模已经达到了数十亿美元，成为了一个庞大而复杂的产业链。
在中国，硅行业已成为了一种重要的传统工业，是国家重点支持的行业之一。
2. 行业应用硅的医疗用途与化学用途、人造葡萄糖的生产、贵金属提纯、等诸多应用领域，已经为全世界的经济发展做出了一定的贡献。
而在电子、太阳能、建筑、汽车等领域，硅的应用更是无所不在。
3. 竞争格局目前，硅行业的竞争格局已经趋于稳定。
除了少数专业硅生产厂家外，大多数企业都在销售、加工、贸易等非核心领域进行业务拓展。
这种竞争格局将使硅行业未来更加稳定、规模更大。
二、未来五至十年硅行业的发展趋势1. 行业需求随着新能源和电动汽车的推广，太阳能硅、锂电池硅等新型领域的需求将不断增加。
未来行业的核心是绿色能源、低碳能源、环保能源、环境安全。
硅的需求不仅仅在电子领域，逐渐走向全行业的综合应用。
2. 技术创新未来硅行业的发展趋势将在科技和技术面上有更强劲突破，提升企业技术及创新能力，推动硅的应用领域拓展。
例如，新型硅材料、高效低成本制备技术的应用将指导产业向着绿色、高效、智能发展。
3. 企业品牌建设品牌是企业形象的重要组成部分，未来硅行业将重视品牌建设，通过提升品牌形象和网上营销来提高企业知名度和竞争力。
企业品牌建设将成为一种发展动力，让更多的消费者关注到硅行业的发展。
4. 行业标准化为了加强行业的管理和规范化发展，未来硅行业将在制造、科技、质量等方面加强标准化建设。
加强标准化不仅有助于促进行业共同发展，更有助于提供企业发展的稳定性和信心。
5. 国际合作国际合作是硅行业未来发展的一个重要趋势。
中国硅产业现状与发展趋势
中国硅产业现状与发展趋势来源：硅业分会一、多晶硅行业运行态势和特点就多晶硅而言，今年以来，受国内外光伏市场补贴到期、大面积抢装引发需求井喷、特别是中国市场上半年装机量超过20GW的影响，2016年国内多晶硅行业总体呈现良好的运行态势，具体概括为以下几点：一是多晶硅价格理性回归；二是多晶硅供应能力大幅提升；三是行业技术进步推动产业链升级；四是国际贸易纠纷依旧严峻。
1、价格理性回归，后市预期并不乐观2016年前8个月，国内多晶硅现货价格总体呈现理性回升态势，上半年均价为13.16万元/吨，较去年同期均价12.64万元/吨略微上涨4.1%。
成交价从今年1月初的历史最低点10.54万元/吨回升至6月底的14.67万元/吨，而到8月底再次回调至12.5万元/吨。
2016上半年下游硅片产能开满以及新建产能释放导致国内硅料需求量的增加、多晶硅市场供不应求是国内价格回升的主要原因。
虽然上半年多晶硅企业面临的困境有所缓解，但这一短暂的价格回升已基本结束并在需求锐减的情况下，市场价格出现断崖式快速下跌，8月份最后两周时间内价格下降了10%左右。
（到昨天多晶硅价格又下降了﹪）。
对此，我们对今年下半年和2017年国内多晶硅产业状况预期并不乐观。
首先，全球多晶硅市场供大于求的状况在相当一段时间内不会改变；其次，国内光伏企业扩产抢装已经基本结束，下半年光伏安装量将明显减少，电池片和组件企业对多晶硅的需求量将大幅下降；最后，以韩国企业为代表的国外多晶硅厂商几乎没有自己的本土市场，面对中国这一最大的多晶硅消费市场（占全球总消费量的78%—81.6%）来自韩国和台湾地区的进口多晶硅使得国内市场竞争更加激烈，这对于多晶硅价格维持在合理水平极为不利。
2、供应能力大幅提升2016上半年，受光伏“抢装”的影响，国内多晶硅市场需求旺盛，一线企业几乎都在满负荷运行，部分停产检修企业也恢复了生产。
截止2016年8月底，国内多晶硅企业17家（含1家检修），有效产能为20.6万吨/年（新增产能包括：江苏中能4000吨/年、亚洲硅业3000吨/年、江西赛维5000吨/年、昆明冶研3000吨/年等），在全球总产能中的占比达到44.8%。
玻璃通孔三维互连镀铜填充技术发展现状
玻璃通孔三维互连镀铜填充技术发展现状纪执敬;凌惠琴;吴培林;余瑞益;于大全;李明【期刊名称】《电化学》【年(卷),期】2022(28)6【摘要】随着摩尔定律的发展迟缓,微电子器件的高密度化、微型化对先进封装技术提出了更高的要求。
中介层技术作为2.5D/3D封装中的关键技术,受到了广泛研究。
按照中介层材料不同,主要分为有机中介层、硅中介层以及玻璃中介层。
与硅通孔(through silicon via,TSV)互连相比,玻璃通孔(through glass via,TGV)中介层(interposer)因其具有优良的高频电学特性、工艺简单、成本低以及可调的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)等优点,在2.5D/3D先进封装领域受到广泛关注。
然而玻璃的导热系数(约1 W·m^(-1)·K^(-1))与硅(约150 W·m^(-1)·K^(-1))相比要低很多,因此玻璃中介层存在着严重的散热问题。
为得到高质量的TGV中介层,不仅需要高效低成本的通孔制备工艺,还需要无缺陷的填充工艺,目前玻璃中介层面临的挑战也主要集中在这两方面。
本文首先介绍了TGV的制备工艺,如超声波钻孔(ultra-sonic drilling,USD)、超声波高速钻孔(ultra-sonic high speed drilling,USHD)、湿法刻蚀、深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching,DRIE)、光敏玻璃、激光刻蚀、激光诱导深度刻蚀(laser induced deep etching,LIDE)等。
接着围绕TGV的无缺陷填充进行总结,概述了TGV的几种填充机理以及一些填充工艺,如bottom-up填充、蝶形填充以及conformal填充。
然后对TGV电镀添加剂的研究进展进行了介绍,包括典型添加剂的作用机理以及一些新型添加剂的研究现状,最后并对TGV实际应用情况进行了简要综述。
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硅通孔（TSV）技术的发展现状
硅通孔热应力分析
微系统封装中，封装后产品的可靠性是其关键考核因素。而对于三 维封装硅通孔技术，工艺过程中应力直接影响产品寿命，硅通孔的填充 材料以及硅通孔相邻材料的热不匹配性等都会造成通孔上的热应力，导 致通孔界面的开裂、分层现象、失效等情况。因此，对硅通孔应力的分 析，可以有效的提高产品的可靠性。
硅通孔（TSV）技术的发展现状
通孔的刻蚀技术
目
通孔的材料填充技术
录
通孔热应力分析
硅通孔（TSV）技术的发展现状
通孔制造技术——刻蚀
2011东电电子(TEL)一举投产了5款用于三维封装的TSV(硅通孔，through siliconvia)制造装置，投产的5款三维TSV装置分别是硅深刻蚀装置、聚酰亚胺 成膜装置以及3款晶圆键合关联装置。
硅通孔（TSV）技术的发展现状
激光刻蚀是选择一种单频率或多频率的光波，利用高能量的激光束进行刻蚀 钻孔，是近年来发展起来的一项新技术。
如下图所示。该芯片由8张晶圆叠层而成，芯片厚度仅为560um。 三星公司宣称TSV的制作是由激光钻孔完成。
硅通孔（TSV）技术的发展现状
统生的产最2的02新10801硅英2年年寸通13硅2孔月月通刻，，孔蚀中应（微技T用半术S材V导。）料体新刻公设蚀的备司设等公发备离司布子了A源基D可-2R于0将IE1A2（硅p年p“刻l1ie单0蚀d月反速C，应e率新n器t设u提甚r备a高高SP4频irl0ivm去%iao，耦刻S合快蚀SC反速系 形P成rim平o滑TS、V垂20直0E且具具有有极高高的深生宽产比率的，通它孔应结离构子。介新质系刻统蚀首机”次）将是每中片微硅公片司的用通 孔拥刻有蚀双成反本应降台低的反到应10器美，元最以多下可，以同时时保于持流系程统前标端志（性FE的OL精）确及轮后廓端控（B制E和OL平）
硅通孔填充材料的应力分析
完全填充 Cu的TSV 和填充聚合物 的TSV两种结构模型的研究分析
两种 TSV 结构可能出现失效区域 均集中在 Cu 材料与其它材料端部界面 处，热应力将超过铜的屈服强度，出现 屈服变形 .
而在填充聚合物 TSV 结构中，Cu 层在 Polymer/Cu 界面中间区域也将出 现塑性变形 .
滑加垂工直两的个通晶孔圆侧片。壁此。刻蚀设备的单位投 关键刻蚀应用的第二代电介质刻蚀设备，
资产出率比市场上其他同类设备提高了 主要用于22纳米及以下的芯片刻蚀加工。
30%。（如下图）
（如下图）
硅通孔（TSV）技术的发展现状
填充材料
硅通孔 填充技术
填充方法
•硅通孔填充材料：铜，多晶硅，钨。主要是铜。
搭配特有的中空阴极电磁管（HCM）技术制造出高贴附性的铜底层，该HCMTSV制程
提供卓越的侧壁及底部覆盖，能使后续的TSV电镀达成无洞填铜。
Cu电镀填充工艺流程
硅通孔（TSV）技术的发展现状
2011年,飞利浦公司研发人员利用自制电镀药水实现了三维互连中宽5 um, 深宽比为8的TSV铜柱无空洞填充,效果良好。
硅通孔（TSV）技术的发展现状
硅通孔技术(Through- Silicon Via)：通过在芯片之间、晶圆之 间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术。
优点： 使芯片在z轴方向堆叠的密度最大； 芯片之间的互连线最短； 外形尺寸最小； 并具有缩小封装尺寸； 高频特性出色； 降低芯片功耗； 热膨胀可靠性高等。
•目前影响铜填充的主要问题包括：硅通孔内侧壁种子层的覆盖、硅通孔内
主要的填充方法：电镀
气泡的排除、电镀液质量以及电镀电流密度等.
化学气相沉积
2010诺发系统宣布高开分发子出涂一布套全新先进的铜阻障底层物理气相沉积（PVD）制程，
其将用于新兴的贯穿硅晶硅通孔（TSV）封装市场，该制程使用诺发INOVA平台，并
TSV成为目前电子封装技术中 最引人注目的一种技术。
硅通孔（TSV）技术的发展现状
TSV互连尚待解决的关键 技术难题和挑战：
•通孔的刻蚀
•通孔的填充
•通孔的工艺流程（先通孔和
后通孔）
•晶圆减薄
•堆叠形式
•键合方式
•通孔热应力
减薄（thinning）、键合（bonding）、孔的形 成（TSV Formation）、填孔材料（via filing） 和工艺都是目前工艺研究的主要热点。
硅通孔（TSV）技术的发展现状
硅通孔相邻材料界面的力学分析 完全粘接界面模型有限元分析 完全粘接界面：理想界面 ，面上的面力和位移都连续 。
可以看到通孔边界上应力明显大于通孔内部应力，每个扇贝形小弧段 边界的下部分应力较大，在每个扇贝形状的末端部位会发生塑性应变。
刻蚀后的扇贝形通孔界面
单个孔分析
硅通孔（TSV）技术的发展现状
硅通孔技术中孔的形成通常是由刻蚀工艺来完成。孔质量的好坏直接决 定了封装的效果。
半导体行业中大量使用刻蚀技术来制作集成电路，目前己经发展了诸多 刻蚀技术，比如：湿法刻蚀，干法刻蚀，深反应离子刻蚀，激光刻蚀。
反应离子刻蚀(RIE, Reactive Ion Etching) 工艺，是通过活性离子对衬底的物理轰击和化 学反应双重作用的一种刻蚀方式，同时兼有各 向异性和选择性好的优点。
综合考虑，完全填充Cu的TSV可靠 性更好。
硅通孔（TSV）技术的发展现状
上海交通大学学者用常用材料的组合进行了仿真分析, 发现以二氧化硅为隔离层， 钨为填充金属，锡为键合层的模型具有最理想的热应力特性，铜、ＡＢＦ以及锡的组 合也表现出良好的热应力特性。( 袁琰红，高立明，吴昊,李明《硅通孔尺寸与材料对 热应力的影响》２０１３年４月)
硅通孔技术（TSV）的发展现状
汇报人：张恒 组员：杨祖华，韦启钦，韦华宏
赵必鑫，吴天宇，徐宇丰，肖瑶 。
TSV专利技术的发展态势
2007 年至2012年，TSV 专利数量持 续稳步增长，TSV 越来越受到关注。
注：美国（US） 、中国（CN）、中国 台湾（TW） 、韩国（KR）、日本（JP） 、欧洲联盟（EP） 、新加坡（SG）、德 国（DE）、英国（GB）。