晶振PPM小参数,大作用
晶振的主要参数及其对电路的影响
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晶振的尝试报告之阳早格格创做晶振的等效电器模型C0,是指以火晶为介量,由二个电极产死的电容.也称为石英谐振器的并联电容,它相称于以石英片为介量、以二电极为极板的仄板电容器的电容量战收架电容、引线电容的总战.几~几十pF.R1等效石英片爆收板滞形变时资料的能耗;几百欧C1反映其资料的刚刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pFL1大概反映石英片的品量.mH~H晶振百般参数晶振的一些参数本去没有是牢固的大部分是会随温度、频次、背载电容、激励功率变更的RR 谐振电阻越小越佳效率:过大制成没有简单起振、电路没有宁静阻抗RR 越小越简单起振,反之若ESR 值較下則較没有简单起振.所以佳的Crystal 設計應正在ESR 與Co 值間博得仄稳.C1动向电容L1动向电感C0静电容效率:没有克没有及太下,可則易爆收较大的副波,效率频次宁静性LRC效率:LRC电路的Q值等于(L/C)^0.5 /R 果为而L较大,C与R很小,石英晶振的Q值可达几万到几百万.Q值越大位于晶振的感性区间,电抗直线陡峭,稳频本能极佳.FL特定背载电容以及激励功率下频偏偏越小越佳DLD2分歧启动功率下:阻抗最大-阻抗最小越小越佳效率:引导时振时没有振,制成睡眠晶机制制传染没有良DLD2(Drive Level Dependency 2):正在分歧的功率驅動Crystal 時,所得之最大阻抗與最小阻抗之好.DLD2越小越佳,當Crystal 製程受传染時,則DLD2值會偏偏下,導致時振與時没有振現象,即(”Crystal Sleeping”).佳的Crystal 没有果驅動功率變化,而產死較下的阻抗好異,制废品質異常.暂时,許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安,並没有主動提供此要害指標參數給客戶.备注:测出去很佳没有代表此参数很佳,果为是与面法尝试的.RLD2分歧启动功率下:阻抗最大与DLD闭系稀切正在指定的变更功率范畴内所量测到的最大阻抗Drive Level Dependency (maximum resistance – RR).FDLD2分歧启动功率下:F最大-F最小越小越佳制制传染没有良效率:引导时振时没有振,制成睡眠晶体正在分歧的功率驅動Crystal 時,所得之最大頻率與最小頻率之好,稱為FLD2.FLD2 越小越佳.當Crystal 製程受传染,則FLD2 值會偏偏下,導致時振與時没有振現像,即「Crystal Sleeping」.佳的Crystal 没有果驅動功率變化,而產死較下的頻率好異,制废品質異常.暂时,許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安,並没有主動提供此要害指標參數給客戶.SPDB寄死旗号强度与主旗号强度比值效率:如果太大了便有大概制成直交开机频偏偏,而且建改背载电容没有克没有及革新.大概者烤机之后温度变更之后频偏偏,热却大概者沉开又仄常了. 千万于值越大越佳制制传染没有良那个参数名字不妨明白为SP DB 其简直含意如下听尔细细讲去SPDB(Difference in dB between Amplitude of FR and Highest Spur):Spurious 以dB 為單位時,SPDB 的絕對值越大越佳.-3dB 為最矮的央供,以预防振盪出没有念要的副波(Spur)頻率,制成系統頻率没有正確.“下图隐现了石英谐振器的模态谱,包罗基模,三阶泛音,5 阶泛音战一些治真旗号赞同,即寄死模.正在振荡器应用上,振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.偶尔间,当温度爆收改变,正在一定温度下,寄死模的频次与振荡频次普遍,那引导了“活动性下落”.正在活动性下落时,寄死模的激励引起谐振器的特殊能量的消耗,引导Q 值的减小,等效串联电阻删大及振荡器频次的改变.当阻抗减少到相称大的时间,振荡器便会停止,即振荡器做废.当温度改变近离活动性下落的温度时,振荡器又会沉新处事.寄死模能有适合的安排战启拆要领统制.没有竭建正电极与晶片的尺寸闭系(即应用能陷准则),并脆持晶片主仄里仄止,那样便能把寄死模最小化”上头那段话瞅了是没有是有面晕,道真话尔也有面晕.然而是从上头咱们不妨归纳出如下几个论断:1.泛音晶振石英谐振器的模态谱,包罗基模,三阶泛音,5 阶泛音战一些治真旗号赞同,即寄死模. 寄死模的存留.2.正在振荡器应用上,振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.寄死模会随温度频次变更,而且效率振荡.3.寄死模的缺陷是由于晶振的制制工艺制成.下去便很精确了,SPDB是一个衡量主频强度与寄死模强度好值的量(主频幅度/寄死频次与对于数吧).那个值越小越佳,代表寄死模越小.TS背载电容变更对于频次的效率率效率频偏偏对于背载电容变更敏感制成电路没有宁静越小越佳TS(Trim Sensitivity of Load Measurement):負載電容變化時,對晶體頻率變化量的影響,單位為ppm / pF. 效率:此值過大時,很简单正在分歧的負載電容效率下,產死極大的頻率飄移.温度频好制制工艺分歧格会使直线宽沉偏偏离超出图二阳影部分效率:频次随温度变更分歧切割角度对于直线的效率石英晶体结构真例问题:加进纯量大概者有银屑、镀银偏偏了、镀银里里裂痕微调银镀偏偏灰尘、银屑、晶片缺角。
晶振温度系数
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晶振温度系数
晶振温度系数是指晶振在温度变化时频率的变化率。
晶体振荡器是电
子元器件中常用的时钟源,它的频率稳定度对系统精度至关重要。
随
着负载和环境条件的变化,晶振周围的温度变化也会导致晶振频率的
变化,因此晶振温度系数是晶体振荡器的重要指标之一。
晶振温度系数通常用ppm/℃(百万分之一/摄氏度)来表示,它表示
当温度变化1摄氏度时,晶振频率的变化量是多少个百万分之一。
晶
振的温度系数越小,晶振的稳定性就越高,对于一些需要高精度时钟
的应用,如通信、精密测量、航空航天等领域,要求晶振的温度系数
应尽量小。
在晶振设计和制造过程中,可以通过选择不同的晶体材料、改变晶体
的尺寸和形状、采用温度补偿电路等方法来降低晶振的温度系数。
例如,采用AT型的晶体材料,可以将温度系数降低到2ppm/℃以下;
采用SC型的晶体材料,甚至可以将温度系数降低到0.1ppm/℃以下。
此外,还可以将晶体振荡器与温度传感器组合在一起,构成温度补偿
电路,通过自动调整电路参数来抵消晶振频率的温度变化,从而实现
高精度的时钟源。
总之,晶振温度系数是晶体振荡器一个重要的参数,对其频率稳定度
和应用范围有着至关重要的影响。
在晶振的设计和应用过程中,应选择合适的材料、尺寸和形状,并采用温度补偿电路等方法来降低晶振温度系数,从而实现高精度的时钟源。
晶振 稳定度
![晶振 稳定度](https://img.taocdn.com/s3/m/84cea6411611cc7931b765ce0508763230127441.png)
晶振稳定度
晶振的稳定度是指晶体振荡器在一定的工作条件下,输出信号的频率稳定性,即它的频率变化范围。
稳定度可以通过温度稳定度和负载稳定度来衡量。
晶振的稳定度是电子产品中非常重要的性能指标之一,尤其对于需要高精度及高稳定性的应用来说。
晶振通常被用于时钟电路、计时器、通信设备等领域,因为这些领域对于频率稳定度要求较高。
为了满足对稳定度的要求,晶振的设计和制造过程需要严格控制和优化。
使用高质量的晶片材料、合适的封装技术、精准的晶片加工等都可以提高晶振的稳定度。
晶振的稳定度通常用ppm(百万分之一)来表示,ppm越小,说明晶振的稳定度越高。
一般来说,晶振的稳定度在±10 ppm左右就可以满足大多数应用的需求。
晶振的稳定度是衡量晶体振荡器性能的一个重要指标,它对于电子产品的正常运行和性能稳定性具有重要影响。
在选择和使用晶振时,需要综合考虑其温度稳定度和负载稳定度,以满足具体应用的要求。
晶振的主要参数及其对电路的影响
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晶振的测试报告晶振的等效电器模型C0 ,是指以水晶为介质,由两个电极形成的电容。
也称为石英谐振器的并联电容,它相当于以石英片为介质、以两电极为极板的平板电容器的电容量和支架电容、引线电容的总和。
几~几十pF。
R1 等效石英片产生机械形变时材料的能耗;几百欧C1 反映其材料的刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pFL1 大体反映石英片的质量.mH~H晶振各种参数晶振的一些参数并不是固定的大部分是会随温度、频率、负载电容、激励功率变化的RR 谐振电阻越小越好影响:过大造成不易起振、电路不稳定阻抗RR 越小越容易起振,反之若ESR 值較高則較不易起振。
所以好的Crystal 設計應在ESR 與Co 值間取得平衡。
C1 动态电容L1 动态电感C0静电容影响:不能太高,否則易产生较大的副波,影响频率稳定性LRC影响:L RC电路的Q值等于(L/C)^0.5 /R 因为而L较大,C与R很小,石英晶振的Q值可达几万到几百万。
Q值FL 特定负载电容以及激励功率下频偏越小越好DLD2 不同驱动功率下:阻抗最大-阻抗最小越小越好影响:导致时振时不振,造成睡眠晶体制造污染不良DLD2(Drive Level Dependency 2):在不同的功率驅動Crystal 時,所得之最大阻抗與最小阻抗之差。
DLD2越小越好,當Crystal 製程受污染時,則DLD2值會偏高,導致時振與時不振現象,即(”Crystal Sleeping”)。
好的Crystal 不因驅動功率變化,而產生較高的阻抗差異,造成品質異常。
目前,許多水晶製造礙於製程管理控制及良率不佳,並不主動提供此重要指標參數給客戶。
备注:测出来很好不代表此参数很好,因为是取点法测试的。
RLD2 不同驱动功率下:阻抗最大与DLD关系紧密在指定的变化功率范围内所量测到的最大阻抗Drive Level Dependency (maximum resistance –RR).FDLD2 不同驱动功率下:F最大-F最小越小越好制造污染不良影响:导致时振时不振,造成睡眠晶体在不同的功率驅動Crystal 時,所得之最大頻率與最小頻率之差,稱為FLD2。
晶振的精度参数详解
![晶振的精度参数详解](https://img.taocdn.com/s3/m/928b433177c66137ee06eff9aef8941ea76e4be7.png)
晶振的精度参数详解以晶振的精度参数详解为题,首先需要了解什么是晶振。
晶振是一种电子元器件,主要用于产生稳定的时钟信号,常见于各种电子设备中。
而晶振的精度参数则是衡量晶振稳定性和精确性的重要指标。
晶振的精度参数通常有三个主要指标:频率精度、温度稳定性和负载能力。
首先是频率精度,它指的是晶振输出的时钟信号频率与其额定频率之间的偏差。
频率精度通常用ppm(百万分之一)来表示,如10ppm。
这意味着晶振的输出频率与其额定频率之间的差异为每百万分之十。
频率精度越高,晶振的输出频率越稳定,能够更准确地提供时钟信号。
其次是温度稳定性,它是指晶振在不同温度下输出频率的变化程度。
温度稳定性通常用ppm/℃来表示,如±10ppm/℃。
这意味着当温度变化每摄氏度时,晶振的输出频率会相应变化每百万分之十。
温度稳定性越高,晶振的输出频率在温度变化下的波动越小,能够更好地适应不同温度环境下的工作。
最后是负载能力,它是指晶振在输出时钟信号时所能承受的负载容量。
负载能力通常以pF(皮法)为单位表示,如10pF。
这意味着晶振的输出时钟信号能够驱动的最大负载容量为10皮法。
负载能力越高,晶振能够驱动的负载容量越大,能够适应更复杂的电路连接。
除了以上三个主要指标,还有一些次要指标也需要考虑,如起振时间、功耗、尺寸等。
起振时间是指晶振从通电到能够输出稳定时钟信号所需的时间,一般来说,起振时间越短越好。
功耗是指晶振在工作过程中所消耗的电能,一般来说,功耗越低越好。
尺寸是指晶振的外形尺寸,一般来说,尺寸越小越好,能够更方便地嵌入到各种电子设备中。
了解了晶振的精度参数后,我们可以根据实际需求选择合适的晶振。
如果需要高精度的时钟信号,可以选择频率精度较高、温度稳定性较好的晶振;如果工作环境温度变化较大,可以选择温度稳定性较好的晶振;如果需要驱动复杂的电路连接,可以选择负载能力较高的晶振。
总结一下,晶振的精度参数是衡量晶振稳定性和精确性的重要指标,包括频率精度、温度稳定性和负载能力等。
晶振主要参数
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晶振主要参数介绍晶振是一种被广泛应用于电子设备中的关键元件,它能够产生一定频率的交变电场,用于驱动数字系统的时钟信号。
晶振的主要参数是指影响晶振性能和稳定性的关键指标,包括频率稳定性、频率漂移、负载能力等。
本文将详细介绍晶振的主要参数,以及这些参数对晶振性能的影响。
频率稳定性频率稳定性是晶振的一个重要参数,它指的是晶振输出频率的稳定程度。
频率稳定性可以通过频率偏差来描述,即晶振输出频率与额定频率之间的差异。
频率稳定性的单位通常为ppm(百万分之一)。
晶振的频率稳定性取决于晶振内部的谐振器结构和工艺技术。
一般来说,晶振的频率稳定性越高,其输出的时钟信号越准确可靠。
频率漂移频率漂移是指晶振输出频率随环境温度变化而发生的变化。
由于晶体的物理特性受温度的影响,晶振的频率也会随温度的变化而发生漂移。
频率漂移通常用ppm/℃(百万分之一/摄氏度)来表示,它可以通过温度系数来计算,即单位温度变化下频率发生的变化。
频率漂移对于某些应用场合来说非常重要,特别是对于需要高精度时钟信号的系统。
原因频率漂移的主要原因是晶体振荡器内部晶体的温度特性。
晶体振荡器中的振荡回路包含晶体谐振器,而晶体谐振器的频率与其温度特性密切相关。
晶体振荡器在工作过程中会产生一定的热量,这将会影响晶体振荡器的温度,从而导致频率漂移。
不同品牌和型号的晶振在频率漂移方面表现也有所不同,所以在选择晶振时需要考虑其频率漂移特性。
解决方法为了解决频率漂移问题,可以采取以下方法:1.选择温度补偿晶振:温度补偿晶振是一种内部集成了温度补偿电路的晶振,它能够根据温度变化自动调整其输出频率,从而达到抵消频率漂移的效果。
2.冷却措施:对于一些特殊应用场合,可以采取冷却措施来降低晶振的工作温度,从而减小频率漂移。
负载能力负载能力是晶振的另一个重要参数,它指的是晶振能够驱动的最大负载电容。
晶振内部的谐振器结构会产生振荡信号,这个信号需要通过负载电容来加载,负载能力可以用来描述晶振输出信号的负载能力。
晶振的主要参数有哪些?
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目前来说说晶振的标称频率在1 ~ 200 MHz之间,如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等,这些都是晶振的参数。
对于更高的输出频率,通常使用PLL将低频倍频至1GHz以上,这些都是常见的晶振参数的,当然对于详细的参数,建议大家可以直接询问我们客服,我们可以根据用户的需求进行推荐或定制适合您的参数,因为现在晶振的参数有很多种哦。
参数一:精度要求SMD 晶振的最高精度通常是10PPM,这是相当常见的。
特殊精度要求需要订单。
其次依次分布15ppm、20ppm、25ppm、30ppm、50ppm 的等级。
插件晶振以气缸晶振为例。
5ppm是钢瓶晶振的最高精度,其次是10ppm、20ppm和30ppm。
参数二:负载电容负载电容有时候是一个很重要的参数。
如果晶振的负载电容与晶振外接两端连接的电容参数匹配不正确,容易造成频率偏移、精度误差等。
这将导致产品无法满足最终精度要求。
当然也有厂家对负载电容的参数要求不是特别严格。
那么我们来说一个音叉晶体。
常见的负载电容有6PF、7PF、9PF、12.5PF;20PF和12PF是MHZ 晶振中最常见的负载电容,其次是8PF、9PF、15PF和18PF。
负载电容CL是电路中晶体两端的总有效电容,不是晶振外部匹配电容,主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,并与晶体一起决定振荡器电路的工作频率。
通过调整负载电容,振荡器的工作频率可以微调到标称值。
参数三:频率单位通常分为KHZ和MHZ。
对于有源晶振和无源晶振,32.768既有KHZ 单位,也有MHZ单位,所以频率单位必须标准明确。
标称频率(正常频率)标准频率,如8MHz、26MHz、32.768KHz等。
参数四:温度频率差表示特定温度范围内工作频率与参考温度的允许偏差,单位为ppm。
值越小,精确度越高。
1MHz是晶振,1 PPM是1Hz的偏差。
负载电容CL负载电容是指晶振正常振荡所需的电容。
为了使晶体正常工作,需要在晶体两端连接外部电容,以匹配晶体的负载电容。
晶振工作原理及参数详解
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晶振电路周期性输出信号的标称频率(Normal Frequency),就是晶体元件规格书中所指定的频率,也是工程师在电路设计和元件选购时首要关注的参数。
晶振常用标称频率在1~200MHz之间,比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等,更高的输出频率也常用PLL(锁相环)将低频进行倍频至1GHz以上。
输出信号的频率不可避免会有一定的偏差,我们用频率误差(Frequency Tolerance)或频率稳定度(Frequency Stability)来表示,单位是ppm,即百万分之一(parts per million)(1/106),是相对标称频率的变化量,此值越小表示精度越高。
比如,12MHz晶振偏差为±20ppm,表示它的频率偏差为12×±20Hz=±240Hz,即频率范围是(11999760~12000240Hz)。
另外,还有一个温度频差(Frequency Stability vs Temp),表示在特定温度范围内,工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离,它的单位也是ppm。
我们经常还看到其它的一些参数,比如负载电容、谐振电阻、静电容等参数,这些与晶体的物理特性有关。
石英晶体有一种特性,如果在晶片某轴向上施加压力时,相应施力的方向会产生一定的电位。
相反的,在晶体的某轴向施加电场时,会使晶体产生机械变形;如果在石英晶片上加上交变电压,晶体就会产生机械振动,机械形变振动又会产生交变电场,尽管这种交变电场的电压极其微弱,但其振动频率是十分稳定的。
当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(与切割后的晶片尺寸有关,晶体愈薄,切割难度越大,谐振频率越高)相等时,机械振动的幅度将急剧增加,这种现象称为“压电谐振”。
将石英晶片按一定的形状进行切割后,再用两个电极板夹住就形成了无源晶振,其符号图如下所示:下图是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。
晶振指标参数
![晶振指标参数](https://img.taocdn.com/s3/m/efb119da80c758f5f61fb7360b4c2e3f572725c5.png)
晶振指标参数介绍如下:
晶振(Crystal oscillator)是一种电子元器件,其指标参数主要包括以下几个方面:
1.频率(Frequency):晶振的频率通常用赫兹(Hz)表示,即每秒钟振荡的次数。
晶
振的频率决定了其在电子系统中的应用范围和精度。
2.稳定度(Stability):晶振的稳定度指其输出频率的变化范围,通常用单位百万分之一
(ppm)表示。
晶振的稳定度越高,其输出频率的变化范围就越小,输出频率就越稳定。
3.相位噪声(Phase noise):晶振的相位噪声指其输出频率随时间的变化,通常用分贝
(dBc/Hz)表示。
相位噪声越小,晶振输出的频率波动就越小,稳定性越好。
4.工作温度范围(Operating temperature range):晶振的工作温度范围指其能够正常
工作的温度范围,通常用摄氏度(℃)表示。
晶振的工作温度范围应该适应于所需应用环境的温度范围。
5.电源电压(Supply voltage):晶振的电源电压指其需要的电源电压,通常用伏特(V)
表示。
晶振的电源电压应该适应于所需应用环境的电源电压。
需要根据具体的应用需求来选择合适的晶振,以保证电路的性能和稳定性。
晶振的精度参数详解
![晶振的精度参数详解](https://img.taocdn.com/s3/m/d26af5280a4e767f5acfa1c7aa00b52acfc79c37.png)
晶振的精度参数详解以晶振的精度参数详解为题,我们将详细介绍晶振的精度参数,包括频率精度和稳定度。
一、频率精度:晶振的频率精度是指晶振输出的频率与其标称频率之间的差异。
频率精度通常以ppm(百万分之一)或ppb(十亿分之一)为单位进行表示。
频率精度越高,晶振输出的频率与标称频率的差异越小,晶振的性能越好。
频率精度受到多种因素的影响,主要包括晶振的制造工艺、晶体材料的质量以及外部环境的温度和压力等。
制造工艺的不同会导致晶振的频率精度有所差异,而晶体材料的质量也会直接影响晶振的频率稳定性。
二、稳定度:晶振的稳定度是指晶振输出频率在一定时间范围内的变化程度。
稳定度通常以ppm为单位进行表示。
稳定度越高,晶振的频率变化越小,晶振的性能越好。
稳定度受到多种因素的影响,主要包括晶振的温度特性、老化效应以及外部环境的温度和压力等。
晶振的温度特性是指晶振频率随温度变化的规律,一般情况下,晶振频率会随温度的升高而增加。
晶振的老化效应是指晶振的频率在长时间使用过程中会发生变化,通常情况下,晶振的频率会随时间的推移而逐渐降低。
为了提高晶振的频率精度和稳定度,制造商通常会采用一些技术手段。
例如,采用高精度的晶体材料、优化晶振的制造工艺、加入温度补偿电路等。
这些技术手段可以有效地提高晶振的性能,使其在各种应用场景下都能够稳定可靠地工作。
总结起来,晶振的精度参数包括频率精度和稳定度。
频率精度是指晶振输出的频率与其标称频率之间的差异,而稳定度是指晶振输出频率在一定时间范围内的变化程度。
这些参数对于晶振的性能至关重要,制造商通常会通过优化晶振的制造工艺和采用一些技术手段来提高晶振的频率精度和稳定度。
只有在频率精度和稳定度都达到要求的情况下,晶振才能在各种应用场景下稳定可靠地工作。
关于晶振,看这一篇就够了。
![关于晶振,看这一篇就够了。](https://img.taocdn.com/s3/m/ac002c9bbdeb19e8b8f67c1cfad6195f312be8a2.png)
关于晶振,看这一篇就够了。
一、晶振简介无源晶振,准确的说叫晶体(Crystal),它没有极性。
一般有两个引脚,需要专门的时钟电路和起振电容配合才能输出时钟信号。
晶体一般是2脚或者4脚,2脚最常见。
有源晶振(oscillator),只需要供电就可以输出时钟信号。
可以认为是晶体和外围电路的结合(晶振里面包含了晶体和起振电路)。
一般是四个引脚。
二、重要参数1、标称频率(Normal Frequency)晶振的标准频率,如8MHz、26MHz、32.768KHz等。
2、温度频差(Frequency Stability vs Temp)表示在特定温度范围内,工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离,它的单位是ppm。
此值越小表示精度越高,1MHz的晶振,1个PPM就是1Hz的偏差。
3、负载电容CL负载电容是指晶振正常震荡工作所需要的电容。
为使晶体能够正常工作,需要在晶体两端外接电容,来匹配达到晶体的负载电容。
一般IC的数据手册中会给出负载电容的大小。
晶振负载电容的计算公式是:CL=C1*C2/(C1+C2)+Cic+CpC1和C2为晶振两脚对地电容,称为匹配电容。
Cic为集成电路内部电容,Cp为PCB板的寄生电容,一般大小为3~5pF。
匹配电容一般取C1=C2=2CL,这样并联起来就接近负载电容CL 了,在一般情况下,增大负载电容会使振荡频率下降,而减小负载电容会使振荡频率升高。
如果晶体所接的IC内部有负载电容,那外部的C1和C2就不需要了。
三、PCB设计注意事项①两个匹配电容尽量靠近晶振摆放。
②晶振由石英晶体构成,容易受外力撞击或跌落的影响,所以在布局时,最好不要放在PCB边缘,尽量靠近芯片摆放。
③晶振的走线需要用GND保护好,并且远离敏感信号,如RF及高速信号。
④晶振的摆放需要远离热源,因为高温也会影响晶振频偏。
晶振的四个重要参数
![晶振的四个重要参数](https://img.taocdn.com/s3/m/56257e13580102020740be1e650e52ea5418ce49.png)
晶振的四个重要参数晶振,全称晶体振荡器,它能够产生中央处理器(CPU)执行指令所必须要的时钟频率信号,CPU一切指令的执行都是建立在这个基础上的,时钟信号频率越高,通常CPU的运行速度也就越快。
凡是包含CPU的电子产品,其中至少含有一个时钟源,哪怕我们在电路板中看不到实际的振荡电路,那也是晶振在芯片内部被集成,往往被人们称之为电路系统的心脏。
一旦心脏停止跳动,整块电路板可能出现瘫痪的状况。
因此晶振的质量问题是很多厂商放在第一位的最终抉择的考虑基础!所以很多客户对日系晶振有了十足的信任感,近年来台系的TXC晶振在国内厂商也有了较高的重视度晶振质量的好坏由什么决定了?有人会说从外观的崭新程度分辨,或者是外包装,又或者产品印字标识。
这一切真的能有助于我们分辨晶振的好坏吗?像晶振这样的电子元器件拿在手上我们是无法判断其好坏程度的,通常晶振人所指的坏即是在电路工作中晶振不起振,或者时而稳定时而不稳定的现象!那么这一切现象终究是归根于质量问题还是晶振参数?晶振不可忽视的四个参数1,频率单位,频率单位通常分为KHZ与MHZ,而对于有源晶振和无源晶振来讲,32.768既存在KHZ的单位,也存在MHZ的单位,因此频率的单位一定要标准清晰。
2,精度要求,贴片晶振最高精度通常为10PPM比较常见,比较特殊的精度要求得订货。
其次15ppm,20ppm,25ppm,30ppm,50ppm的等级依次分布。
插件晶振以圆柱晶振为例,5ppm是其圆柱晶振中精度最高的一个等级,其次10ppm,20ppm,30ppm.3,负载电容,负载电容有时候是一个非常至关重要的参数,如果晶振的负载电容与晶振外部两端连接的电容参数匹配不正确的话,很容易造成频率偏差,精度误差等等,从而导致产品无法达到最终的精准要求。
当然也存在对负载电容参数不是特别严格的厂家,那么我们说说关于音叉晶体一块,常见的负载电容有6PF,7PF,9PF,12.5PF;MHZ晶振常见的负载电容以20PF和12PF最为广泛,其次8PF,9PF,15PF,18PF等等比较常用。
晶振的关键参数及选型
![晶振的关键参数及选型](https://img.taocdn.com/s3/m/0ea6330502020740be1e9b8d.png)
SMD5032 (5mmX3.2mm)
10MHz~40MHz
常用,价格比 SM4025 稍贵
常用,价格比 SM6035 稍贵
谐振器
SMD6035 (6mmX3.5mm)
10MHz~80MHz
常用,价格比 SM7050 稍贵
谐振器 谐振器 谐振器
谐振器
谐振器 谐振器 谐振器 谐振器
SMD7050 (7mmX5mm)
32.000KHz~192.000KHz 1.000MHz~125.000MHz
常用,推荐 DT38
常用,价格较 低,推荐使用
SMD5032 (5mmX3.2mm)
700KHz~66.666MHz
常用,价格比 SMD7050 贵。
14PIN (20mmX18mm) 8PIN (11mmX11mm) SMD7050 (7mmX5mm)
SMD12.5X4.6
3.579MHz~27.000MHz
(12.5mmX4.6mm)
SMD8.0X3.8
(8.0mmX3.8mm)
UM-1 (H=8mm)
8,0MHz~125MHz
UM-5 (H=5.8mm)
AT26 (D2mmXL6mm)
3.579MHz~60.000MHz
AT38 (D3mmXL8mm)
高度不加 X;49SM-X)
X=3.5mm(默认)
X=2.5mm
X=2.2mm
SMD8.0X3.8
20.000KHz~165.00KHz
(8.0mmX3.8mm)
常用,价格较 便宜,性能好, 推荐使用。 常用,价格最 低
常用,价格较 低
常用,价格比 49US 稍高, 但生产方便, 推荐使用。
晶振常用的精度表示方法
![晶振常用的精度表示方法](https://img.taocdn.com/s3/m/e07bbc9c5122aaea998fcc22bcd126fff6055d5a.png)
晶振常用的精度表示方法
晶振是一种常见的电子元件,用于产生稳定的时钟信号,广泛应用于各种电子设备和系统中。
为了确保设备的正常运行,晶振的精度非常重要。
而精度表示方法可以通过以下几种方式实现:
1. 频率精度:晶振的频率精度通常以频率偏差来表示。
偏差值越小,表示晶振的频率越准确。
一般使用单位为ppm(百万分之一)或ppb(十亿分之一)来表示偏差。
例如,某个晶振的频率精度为±10ppm,意味着其频率偏差在所设定的频率值上下波动不超过10ppm。
2. 温度精度:晶振的工作稳定性受温度的影响较大,因此温度精度是评估晶振性能的重要指标之一。
通常使用单位为ppm/℃(百万分之一/摄氏度)来表示温度精度。
例如,某个晶振的温度精度为±5ppm/℃,意味着在每升高1摄氏度的温度变化下,其频率偏差不超过5ppm。
3. 长期稳定性:晶振的长期稳定性指的是在长时间运行过程中,其频率偏差的变化程度。
一般使用年平均频率偏差(Annual Average Deviation, AAD)来表示长期稳定性。
例如,某个晶振的长期稳定性为±1ppm,意味着在一年的运行时间内,其频率偏差不超过1ppm。
除了以上几种常用的精度表示方法外,还有其他一些方式也可用于描述晶振的精度,如相位噪声、功率供应稳定性等。
根据不同的应用需求,晶振的精度表示方法可以选择适合的指标进行评估和比较,以确保设备或系统的高可靠性和稳定性。
晶振的一些主要电气参数
![晶振的一些主要电气参数](https://img.taocdn.com/s3/m/afebfbd04bfe04a1b0717fd5360cba1aa8118cb2.png)
晶振的一些主要电气参数晶振是电子设备中常见的元器件之一,它在电路中起着提供稳定时钟信号的重要作用。
本文将介绍晶振的一些主要电气参数,包括频率稳定度、频率偏差、温度特性和负载能力等。
1. 频率稳定度:频率稳定度是指晶振输出信号的频率变化范围。
一般来说,频率稳定度越高,晶振输出的时钟信号越稳定。
频率稳定度通常用ppm(百万分之一)来表示,例如,一个频率稳定度为±10ppm的晶振,其输出频率在标称频率上下浮动不超过10ppm。
2. 频率偏差:频率偏差是指晶振输出频率与标称频率之间的差异。
频率偏差可以由多种因素引起,如温度变化、供电电压波动等。
对于某些应用来说,频率偏差的控制非常重要,因为它会影响到整个系统的时序精度。
3. 温度特性:晶振的频率会随着温度的变化而发生变化,这就是温度特性。
温度特性通常用ppm/℃来表示,表示晶振频率每升高1摄氏度,频率变化的百万分之一。
温度特性是晶振在不同温度下工作时频率稳定度的重要指标。
4. 负载能力:晶振的负载能力是指晶振输出信号能够驱动的负载电容大小。
负载能力越大,晶振输出信号的波形失真越小,频率稳定度越高。
负载能力一般用pF(皮法拉)来表示,例如,一个负载能力为10pF的晶振,可以驱动不超过10pF的负载电容。
除了以上几个主要电气参数外,晶振还有一些其他参数,如启动时间、功耗、工作电压范围等。
启动时间是指晶振从断电到输出稳定的时间,对于某些实时性要求较高的应用来说,启动时间的快慢非常重要。
功耗是指晶振在工作过程中消耗的电功率,功耗越低,对于一些功耗敏感的应用来说,晶振的选择就越合适。
工作电压范围是指晶振能够正常工作的电压范围,超出该范围晶振可能无法正常工作。
晶振的主要电气参数包括频率稳定度、频率偏差、温度特性和负载能力等。
了解这些参数对于正确选择和使用晶振非常重要,可以确保系统的时序精度和稳定性。
在实际应用中,根据具体需求选择合适的晶振,并合理设计电路,可以提高系统的性能和可靠性。
晶振关键参数
![晶振关键参数](https://img.taocdn.com/s3/m/e992a9c3a58da0116c1749d3.png)
晶振关键参数1、工作频率晶振的频率范围一般在1到70MHz之间。
但也有诸如通用的32.768kHz钟表晶体那样的特殊低频晶体。
晶体的物理厚度限制其频率上限。
归功于类似反向台面(inverted Mesa)等制造技术的发展,晶体的频率上限已从前些年的30MHz提升到200MHz。
工作频率一般按工作温度25°C时给出。
可利用泛频晶体实现200MHz以上输出频率的更高频率晶振。
另外,带内置PLL 频率倍增器的晶振可提供1GHz以上的频率。
当需要UHF和微波频率时,声表波(SAW)振荡器是种选择。
2、频率精度:1PPM=1/1,000,000频率精度也称频率容限,该指标度量晶振实际频率于应用要求频率值间的接近程度。
其常用的表度方法是于特定频率相比的偏移百分比或百万分之几(ppm)。
例如,对一款精度±100ppm的10MHz晶振来说,其实际频率在10MHz±1000Hz之间。
(100/1,000,000)×10,000,000=1000Hz它与下式意义相同:1000/10,000,000=0.0001=10-4或0.01%。
典型的频率精度范围在1到1000ppm,以最初的25°C 给出。
精度很高的晶振以十亿分之几(ppb)给出。
3、频率稳定性该指标量度在一个特定温度范围(如:0°C到70°C 以及-40°C到85°C)内,实际频率与标称频率的背离程度。
稳定性也以ppm给出,根据晶振种类的不同,该指标从10到1000ppm 变化很大(图2)。
4、老化老化指的是频率随时间长期流逝而产生的变化,一般以周、月或年计算。
它于温度、电压及其它条件无关。
在晶振上电使用的最初几周内,将发生主要的频率改变。
该值可在5到10ppm 间。
在最初这段时间后,老化引起的频率变化速率将趋缓至几ppm。
5、输出有提供不同种类输出信号的晶振。
输出大多是脉冲或逻辑电平,但也有正弦波和嵌位正弦波输出。
晶振的功能
![晶振的功能](https://img.taocdn.com/s3/m/6155b841abea998fcc22bcd126fff705cc175cbd.png)
晶振的功能晶振啊,就像是电子设备里的超级节拍器。
你想啊,在那小小的电路板上,各种电子元件就像一群小居民,而晶振就是那个打着最精准节拍的鼓手。
每一个脉冲的跳动,就像鼓点一样,“咚,咚,咚”,指挥着整个电子世界的大狂欢。
它简直就是电子设备的生物钟。
如果把电子设备比作一个超级忙碌的小蜜蜂,那晶振就是告诉小蜜蜂什么时候采蜜,什么时候回巢休息的那个神秘生物钟。
没有它,小蜜蜂就完全乱了套,不知道啥时候该干啥啦。
你可以把晶振想象成电子乐团里的指挥棒。
那些电流就像乐团里的乐手,有拉小提琴的电阻,吹小号的电容,还有弹钢琴的芯片。
而晶振这个指挥棒一挥,大家就开始整齐划一地演奏,奏出一曲美妙的电子交响乐。
要是没有这个指挥棒,那可就成了一场乱糟糟的噪音派对啦。
晶振有时候又像一个超级精准的小闹钟。
在那些需要按时按点完成任务的电子设备里,它就滴答滴答地提醒着。
要是它罢工了,就好比这个小闹钟突然不响了,那设备可能就错过重要的事情,就像你睡过头错过一场超级精彩的演唱会一样懊恼。
它在数字世界里就像一个定海神针。
数字信号就像波涛汹涌的大海里的小帆船,而晶振就是那根让帆船不至于迷失方向的定海神针。
要是没了晶振,数字信号就像没头的苍蝇一样到处乱撞,整个数字世界就会陷入一片混乱,那可就是超级大灾难啊。
这个小小的晶振还像一个电子世界的魔法节拍发生器。
它制造出的节奏就像魔法咒语一样,让电子元件们按照这个魔法节奏有条不紊地工作。
如果把电子设备比作一个魔法城堡,那晶振就是城堡里的魔法心脏,不停地跳动着魔法的节奏。
晶振还像是一个超级严谨的时间管理员。
对于那些需要精确计时的设备,它可不会有一丝一毫的懈怠。
就像一个超级严厉的班主任,时刻盯着电子设备里的“学生们”,确保它们都在规定的时间里做着规定的事情,谁要是不听话,那可不行哦。
它又如同电子电路里的灯塔。
其他电子元件在黑暗的电子海洋里航行,全靠晶振这个灯塔发出的有规律的光亮来指引方向。
一旦灯塔熄灭,那这些元件就只能在黑暗中瞎摸索,整个电路就会陷入瘫痪,就像船只在茫茫大海里失去了灯塔的指引而不知所措。
晶振应用场景和指标要求
![晶振应用场景和指标要求](https://img.taocdn.com/s3/m/708f574ccd1755270722192e453610661ed95ae8.png)
晶振应用场景和指标要求
晶振是一种用于产生稳定的电子信号的电子元件,它在许多电
子设备中都有广泛的应用。
以下是晶振的一些应用场景和指标要求:
1. 应用场景:
通信设备,晶振被广泛应用于无线通信设备、移动电话、卫
星通信等领域,用于产生稳定的时钟信号。
计算设备,晶振被用于计算机、微处理器、微控制器等设备中,以确保各个部件之间的协调和同步。
消费电子,晶振也广泛应用于各种消费电子产品,如电视、
音响、数码相机等,用于时序控制和数据传输。
工业控制,在工业自动化领域,晶振被用于PLC(可编程逻
辑控制器)、传感器和执行器等设备中。
2. 指标要求:
频率稳定性,晶振的频率稳定性是其最重要的指标之一,通常用ppm(百万分之一)来衡量,要求频率稳定性高,以确保设备的正常运行。
温度特性,晶振的频率随温度变化的特性也是需要考虑的,一般要求温度特性尽可能小,以适应不同的工作环境。
相位噪声,对于一些高要求的应用场景,如通信设备,对晶振的相位噪声也有一定的要求,要求相位噪声尽可能低。
工作温度范围,晶振的工作温度范围也是一个重要的指标,一般要求能够适应广泛的工作温度范围,特别是在工业领域。
总的来说,晶振作为一种重要的电子元件,在各种电子设备中都有着广泛的应用,其频率稳定性、温度特性、相位噪声和工作温度范围等指标都是需要考虑的重要因素。
在不同的应用场景下,对晶振的要求也会有所不同,因此在选择晶振时需要根据具体的应用需求来进行综合考虑。
单片机晶振PPM小参数,大作用来了解下
![单片机晶振PPM小参数,大作用来了解下](https://img.taocdn.com/s3/m/afd811d82dc58bd63186bceb19e8b8f67c1cef9f.png)
单片机晶振PPM小参数,大作用来了解下大家都知道电子元件是电路设计中一个很关键的所在,电路的精准直接关乎使用这颗晶振的产品的质量问题,但是最重要的体现在于一个小参数那就是晶振的PPM值,即精度电容值。
精度值越低表明这颗电子元件越精度越精确,使用起来越耐用和反应出来的效果就越好。
那么,你知道晶振电路中的PPM吗?PPM这个小参数,是如何产生大作用。
了解下,个人观点,如有错误请指出。
为了让大家更清楚些我们演示一个贴片晶振的PPM误差公式1:120ppm,27M的晶振,频率的误差= 120/100万*27M=3240Hz晶振的精度决定时钟的计时准确度。
2:所配晶振频率:32772.2HZ,误差为+1.2ppm一年的误差计算过程为:Δf = +1.2/100万*32772.2Δt/秒= Δf/32772.2 = 1.2/100万一年的误差= Δt*24*3600*365 = 37.8秒晶振的主要参数有标称频率,老化率、频率准确度、频率稳定度,相位噪声,功耗等。
1、标称频率:是指晶振的标称输出频率;2、频率准确度:是指常温(25度)下,所测晶振频率相对标称频率的差值。
这一点是不太重要的3、频率稳定度:一般是指频率温度稳定度,是指在晶振的工作温度范围内频率随着温度变化的大小,一般用PPM或PPB来标示,1PPB=0.001PPM=1*10-9。
4、老化率:随着时间的推移,频率值随着变化的大小。
5、相位噪声:信号功率与噪声功率的比率(C/N),是表征频率颤抖的技术指标。
一般来说雷达等设备会对相位噪声有特殊要求。
6.晶体还有一个重要的特性就是“RR等效阻抗”,晶振长出现停振现象。
经分析均为晶片阻值大于80欧姆。
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3、频率稳定度:一般是指频率温度稳定度,是指在晶振的工作温度范围内频率随着温度变化的大小,一般用PPM或PPB来标示,1PPB=0.001PPM=1*10-9。
4、老化率:随着时间的推移,频率值随着变化的大小。
5、相位噪声:信号功率与噪声功率的比率(C/N),是表征频率颤抖的技术指标。一般来说雷达等设备会对相位噪声有特殊要求。
6.晶体还有一个重要的特性就是“RR等效阻抗”,晶振长出现停振现象。经分析均为晶片阻值大于80欧姆.
大家都知道电子元件是电路设计中一个很关键的所在,电路的精准直接关乎使用这颗晶振的产品的质量问题,但是最重要的体现在于一个小参数那就是晶振的PPM值,即精度电容值。精度值越低表明这颗电子元件越精度越精确,使用起来越耐用和反应出来的效果就越好。那么,你知道晶振电路中的PPM吗?PPM这个小参数,是如何产生大作用的。我们来跟着松季电子来好好学习了解一下。
为了让大家更清楚些我们演示一个贴片晶振的PPM误差公式
1:120ppm,27M的晶振,频率的误差 = 120/100万*27M=3240Hz
晶振的精度决定时钟的计时准确度。
2: 所配晶振频率:32772.2HZ,误差为+1.2ppm
一年的误差计算过程为:
Δf = +1.2/100万*32772.2
Δt/秒 = Δபைடு நூலகம்/32772.2 = 1.2/100万
一年的误差 = Δt*24*3600*365 = 37.8秒
晶振的主要参数有标称频率,老化率、频率准确度、频率稳定度,相位噪声,功耗等。
1、标称频率:是指晶振的标称输出频率;
2、频率准确度:是指常温(25度)下,所测晶振频率相对标称频率的差值。这一点是不太重要的