pecvd镀膜要点总结
pecvd镀膜工作总结
pecvd镀膜工作总结
PECVD镀膜工作总结。
近年来，PECVD镀膜技术在各个领域得到了广泛的应用，特别是在半导体、
光电子、光伏等行业中，其作用日益凸显。
作为一种无污染、高效率的薄膜制备技术，PECVD镀膜在提高材料表面性能、改善材料特性、增强材料功能等方面发挥
着重要作用。
在实际的PECVD镀膜工作中，我们首先需要准备好所需的薄膜材料和基片，
然后将其放置在PECVD反应室中。
接下来，通过加热和加电等方式，使反应室中
的气体发生等离子体，从而激发气体分子之间的化学反应，最终在基片表面形成所需的薄膜。
在实际的工作中，我们需要注意以下几点：
首先，要掌握好PECVD镀膜的工艺参数，包括气体流量、压力、温度、功率等，这些参数的选择将直接影响到薄膜的性能和质量。
其次，要做好反应室的清洁和维护工作，保证其内部的环境干净和稳定，以确
保薄膜的均匀性和稳定性。
最后，要加强对薄膜性能的测试和分析工作，及时发现和解决薄膜中可能存在
的问题，确保其符合工程要求。
总的来说，PECVD镀膜工作需要我们具备扎实的理论基础和丰富的实践经验，只有这样才能够保证薄膜的质量和稳定性。
随着科技的不断发展，相信PECVD镀
膜技术在未来会有更广阔的应用前景，也期待着更多的科研人员和工程师能够加入到这一领域，共同推动其发展。
PECVD
第二组这些参数主要是调整温度、压强和等离子体浓度的均匀性；
10.膜厚与折射率不匹配
原因：(1).工艺腔压强异常；
(2).总气流和气流比率超出界限；
平均功率为 = 361.1W
6.等离子体的沉积方向
插片时硅片载体被工艺点固定，在硅片和石墨舟片接触很紧密的情况下（即硅片本身不弯曲，插片不翘起），等离D膜的作用、简述膜的特性。
1、氮化硅膜的减反效果
减反膜是利用了光的干涉原理，两个振幅相同，波程相同的光波叠加，结果光波的振幅加强。如果有两个光波振幅相同，波程相差λ/2，则这两个光波叠加，结果相互抵消了。减反膜就是利用了这个原理。在硅片的表面镀上薄膜，使得在薄膜的前后两个表面产生的反射光相互干扰，从而抵消了反射光，达到减反射的效果。
从上面的数据中可以看出，这样的片子肯定是Jo片，所以这种片子也是一定要返工的；
6.异常色差，如下图所示：
原因：制绒槽的风刀堵住所致；
解决：更换风刀；
7.边缘色斑印，如下图所示，镀膜后该区域依然较明显：
原因：(1).清洗间出来的片子吹不干；
(2).石英舟不干净；
解决：(1).检查到底是什么原因导致，是酸洗不脱水还是风刀吹不干导致，视实际情况解决；
125单晶：1700 mTorr ，大约相当于226.65 Pa。
2.镀膜工艺温度
管式PECVD工艺时温度为430℃--450℃
3.镀膜工艺 气体流量比
156多晶： =5000sccm：600sccm (单位为每分钟标准立方厘米)
PECVD
1.各个参数对镀膜有何影响？频率：较高的频率可以得到更好的钝化效果和稳定性。
射频功率：较高的射频功率可以改善镀膜的质量，但是不宜过大，超过1W/cm²时会对器件造成严重的射频损伤。
衬底温度：PE的镀膜温度一般应该在250℃~450℃，低于250℃镀出来的氮化硅膜，会有很大的本征应力，高于450℃镀出来的膜会容易造成龟裂。
（本征应力越小，膜的热稳定性和抗裂能力越好。
）气体流量：影响膜的沉积速率的主要因素是硅烷，而气体的总流量直接影响沉积的均匀性。
为了防止出现富硅膜，一般保持硅烷和氨气的比例在2~20左右。
2.折射率跟那些因素有关系？氮化硅膜的折射率随着膜中的N/SI比，在一定范围内波动。
在1.8~2.4的范围内，氮原子的含量增加，折射率降低。
硅的原子含量增加，折射率升高。
此外，折射率还与温度有一定的关系，温度升高，折射率变大。
这主要是因为温度升高，膜的致密性变大，导致折射率变大。
3.氮化硅颜色与厚度的对照。
0~20nm时，硅片呈现硅本色；20~40nm时，硅片呈现褐色；40~50nm时，硅片呈现黄褐色；50~73nm时，硅片呈现红色；73~77nm时，硅片呈现深蓝色；77~93nm时，硅片呈现蓝色；93~100nm时，硅片呈现淡蓝色；100~110nm时，硅片呈现很淡的蓝色；110~120nm时，硅片又呈现硅本色。
再大的厚度基本用不到，不一一列举。
4.氢钝化的效果与什么有关系？表面钝化强烈依赖于烧结工艺，而体内钝化与硅片的体材料有极大的关系。
5.太阳能电池镀膜的理论最佳折射率是多少？1.96。
PECVD镀膜技术简述
PECVD在反应过程中，利用辉光放电产生的等离子体对薄膜进行轰击， 有效降低了杂质和气体分子的沾污，提高了薄膜的纯净度。
03
薄膜附着力
由于PECVD技术中基材温度较低，避免了高温引起的基材变形和薄膜
附着力下降的问题，使得薄膜与基材之间具有更好的附着力。
生产效率
沉积速率
PECVD技术具有较高的沉积速率，能 够大幅缩短生产周期，提高生产效率。
自动化程度
批量生产能力
由于PECVD技术适用于大面积基材的 镀膜，因此在大规模生产中具有显著 的优势，能够满足大规模、高效的生 产需求。
PECVD设备通常采用自动化控制，能 够实现连续稳定生产，减少了人工干 预和操作时间。
适用材料
玻璃基材
PECVD技术适用于各种玻璃基材， 如浮法玻璃、导电玻璃、石英玻 璃等。
塑料基材
随着材料科学的发展，越来越多的 塑料材料被开发出来，而PECVD 技术也能够在一些特定的塑料基材 上进行镀膜。
其他材料
除了玻璃和塑料外，PECVD技术还 可以在陶瓷、金属等材料上进行镀 膜，具有广泛的适用性。
环保性
清洁生产
PECVD技术中使用的反应气体在反 应过程中被完全消耗，生成物为无害 的固体或气体，不会对环境造成污染 。
06
PECVD镀膜技术应用案 例
玻璃镀膜
总结词
利用PECVD技术在玻璃表面沉积功能膜 层，提高玻璃的物理和化学性能。
VS
详细描述
玻璃镀膜广泛应用于建筑、汽车、家电等 领域，通过PECVD技术，可以在玻璃表 面形成均匀、致密的膜层，提高玻璃的隔 热、防紫外线、防眩光等性能，同时还能 增强玻璃的耐候性和抗划伤性。
设备维护与清洁
pecvd镀膜工艺膜层结构计算
PECVD镀膜工艺膜层结构计算一、概述1.1 PECVD镀膜工艺简介PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种常用的薄膜沉积工艺，通过在放电等离子体环境中使气体化学反应沉积薄膜。
其优点是可在较低的温度下进行，对于柔性基板和有机材料具有较好的适用性。
1.2 膜层结构及其重要性膜层结构在薄膜技术中有着重要的作用，不同的结构对薄膜性能有着显著的影响。
准确地计算膜层结构是非常重要的，可以帮助工程师更好地理解薄膜性能，并对工艺参数进行优化。
二、PECVD镀膜工艺膜层结构的计算方法2.1 常用的计算方法一般来说，可以采用理论计算和实验测试相结合的方法来计算PECVD 镀膜工艺膜层结构。
理论计算可以采用蒙特卡洛方法模拟沉积过程，通过模拟分子在表面的扩散、吸附和反应等过程来得到膜层的结构信息。
实验测试方面可以采用X射线衍射、扫描电镜等手段来对膜层进行分析。
2.2 蒙特卡洛方法蒙特卡洛方法是一种基于概率统计原理的计算方法，可以模拟分子在表面的扩散、吸附和反应等过程。
通过在计算机上建立模拟系统，模拟大量粒子在给定条件下的运动，可以得到膜层的结构信息。
2.3 X射线衍射X射线衍射是一种通过对材料进行X射线照射，然后由材料表面散射出的X射线进行分析，从而得到材料结构信息的方法。
可以通过X射线衍射的峰位和峰型来分析膜层的结构特征。
2.4 扫描电镜扫描电镜是一种能够对样品进行高分辨率表面成像的仪器，通过对膜层表面进行扫描，可以得到膜层的微观结构信息。
可以观察膜层的厚度、颗粒大小、表面形貌等特征。
三、膜层结构计算在PECVD镀膜工艺中的应用3.1 对薄膜性能的影响膜层结构对薄膜的光学、电学、机械等性能都有着重要的影响。
薄膜的光学性能受到膜层的厚度、晶粒大小等因素的影响；电学性能则受到了膜层的电子结构、电子迁移率等因素的影响。
了解膜层结构对于理解薄膜性能具有重要意义。
pecvd工艺原理及改良点
现在有以下几个问题要解决：
1.提高硅片表面的氢含量，提高表面钝化（但是氢含量的升高会造成应力的增大，造成
薄膜易龟裂）
2.适当提高折射率
3.降低反射率
4.提高薄膜均匀性（增大硅烷流量会使沉积速率增加，增大反应压强会使速率增加，对折
射率影响较小）
5.若能达到以上效果，考虑适当较小膜厚，这样可以提高产量并降低成本。
6.提高射频功率对电离能大的气体(SiH4)影响更大。
目前jusung的设备为板式射频镀膜机，工艺时通入氮气是用来稀释硅烷
提高气体压力，射频功率和硅烷的比例都可以增加沉积速率
Psg后的硅片长时间暴露在空气中，空气中的水汽会逐渐凝聚在硅片表面，形成一层水汽膜，会提高漏电流。
等离子体的性质：通常气体分子是电中性的物质，成绝缘性，但在电离状态下，气体分子产生大量离子和电子，此时具有导电性。
等离子状态是指当电离气体中正电荷密度和负电荷密度相等时的电中性状态。
射频放电的频率一般在13.56Hz，腔内的电极产生一个频繁变换的电场，气体分子被电离并获得强大的能量，之后吸附在基片表面进行粒子重组形成薄膜。
PECVD方法得到的薄膜是一种非平衡态的薄膜，具有较大的内应力。
影响等离子状态的参数包括：
1.基片温度，基片有无偏压作用
2.气体压力，流量；稀释气体种类、含量，有无掺杂气体和掺杂气体流量比
3.放电功率，激发频率，耦合方式
4.基片种类，晶向，反应前处理，升降温速率
5.反应装置类型及固有因素。
PECVD工艺总结
PECVD工艺总结PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）工艺是一种常用的薄膜沉积技术，通过在薄膜沉积过程中引入等离子体改善反应活性，以提高膜质量和降低沉积温度。
本文将对PECVD工艺进行总结。
PECVD工艺的关键步骤包括气相物质的引入、等离子体激发和薄膜生长。
首先，所需材料的前驱体以气态形式进入反应室，充分混合后通过加热或液化等处理得到气相物质。
然后，等离子体发生器产生放电，使气相物质离子化形成等离子体。
等离子体中的电子和原子通过碰撞激发气相物质进行反应，使其沉积在基底上。
最后，薄膜在基底上生长形成所需的结构和性质。
PECVD工艺具有许多优势。
首先，它可以在较低的温度下进行，从而避免了材料的热降解和晶界缺陷的形成。
其次，通过气相物质的激发，PECVD工艺能够实现较高的沉积速率和更均匀的膜厚。
此外，PECVD工艺还具有较高的沉积效率、较低的表面粗糙度和较好的沉积一致性。
在实际应用中，PECVD工艺主要有三种类型：PECVD（低温PECVD）、HEPECVD（高功率PECVD）和ICPECVD（感应耦合PECVD）。
它们的主要区别在于气体激发的方式和反应室的设计。
PECVD主要采用射频电源激发，反应室通常是气密型；HEPECVD采用微波电源激发，反应室为泄露型；ICPECVD采用感应耦合激发，反应室为开放型。
PECVD工艺的应用非常广泛。
在半导体领域，PECVD工艺常用于薄膜的制备，如硅氮化物、氧化硅、氟化硅等，用于制作金属-绝缘体-半导体结构和电容器等器件。
在光电子和太阳能电池领域，PECVD工艺可用于制备透明导电氧化物、多层膜反射镀膜和非晶硅太阳能电池。
在光导纤维领域，PECVD工艺用于制备光纤增益介质、保护层和防反射涂层。
在显示器件领域，PECVD工艺常用于制备柔性有机发光二极管（OLED）。
然而，PECVD工艺也存在一些挑战和问题。
首先，由于等离子体的存在，PECVD工艺对基底材料的性质要求较高，通常需要使用导电性材料或在基底上预先涂覆导电层。
pecvd镀膜工艺膜层结构计算
pecvd镀膜工艺膜层结构计算膜层结构计算在PECVD（等离子体增强化学气相沉积）镀膜工艺中扮演着重要的角色。
本文将介绍PECVD镀膜工艺以及如何计算膜层结构，为读者提供相关知识和技术指导。
一、PECVD镀膜工艺简介PECVD是一种常用的薄膜沉积技术，通过高频电离气体，使气相前体分子在电场的作用下激发、电离，并生成活性离子，最终在衬底表面沉积出所需的薄膜。
PECVD工艺具有高效、低温、均匀性好等优点，被广泛应用于光电子、半导体、光伏等领域。
二、膜层结构计算方法1. 原子自排列模拟原子自排列模拟是一种常见的计算膜层结构的方法。
该方法通过分子动力学仿真的方式，模拟原子在薄膜表面的排列方式。
基于材料的能量最小化原理，计算出最稳定的膜层结构。
2. 密度泛函理论密度泛函理论是一种计算材料性质的理论方法，广泛应用于薄膜结构计算中。
该方法基于电子密度的描述，通过求解Kohn-Sham方程，计算出电子的能量和波函数，从而得到膜层结构和相关性质。
3. 经验公式计算除了基于理论的方法，经验公式也常用于膜层结构计算。
根据经验数据和实验结果，建立数学模型，通过计算得到膜层的结构参数。
这种方法计算快速，适用于一些简单的膜层结构。
三、应用案例以PECVD镀膜工艺中的氮化硅（SiNx）膜层为例，介绍如何计算膜层结构。
1. 原子自排列模拟法采用分子动力学仿真软件，建立氮化硅膜层的模型，并设置初始参数和相互作用势函数。
通过设置温度、压力、数学计算模式等参数，进行模拟计算，得到膜层的原子排列方式。
2. 密度泛函理论利用密度泛函理论软件，设定氮化硅膜层的结构参数、晶格参数等。
通过计算得到氮化硅膜层的电子能带结构、密度分布等信息，进而确定膜层的结构特征。
3. 经验公式计算法根据已有的实验数据和经验公式，通过计算得到氮化硅膜层的结构参数。
例如，通过膜层厚度与沉积速率的关系，可以计算出膜层的厚度。
四、结论膜层结构计算是PECVD镀膜工艺中的重要环节，可通过原子自排列模拟、密度泛函理论和经验公式等方法来实现。
pecvd镀膜工作原理
pecvd镀膜工作原理PECVD镀膜工作原理。
PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种利用等离子体增强化学气相沉积技术来进行薄膜制备的方法。
在PECVD过程中，通过将化学气相沉积（CVD）与等离子体技术相结合，可以实现更高的沉积速率、更低的沉积温度和更好的薄膜质量。
本文将介绍PECVD镀膜的工作原理及其相关内容。
1. 等离子体的产生。
在PECVD过程中，等离子体的产生是至关重要的。
等离子体是由气体在电场作用下发生电离而形成的，它具有高能量和活性，可以促进反应物的分解和化学反应的进行。
通常，通过在反应室中加入高频交变电场或直流电场，使气体电离形成等离子体。
2. 化学气相沉积。
在等离子体的作用下，反应气体中的前驱物质被激活并分解，形成活性的离子和自由基。
这些活性物种在表面沉积，形成薄膜。
同时，表面上的化学反应也会继续进行，形成所需的化合物薄膜。
这一过程称为化学气相沉积。
3. 薄膜的特性调控。
在PECVD过程中，薄膜的特性可以通过调控等离子体的能量、反应气体的流量和压强、沉积温度等参数来实现。
通过调节这些参数，可以控制薄膜的成分、结构和性能，从而满足不同应用的需求。
4. 应用领域。
PECVD镀膜技术在微电子、光电子、光伏、显示器件、传感器等领域有着广泛的应用。
例如，在太阳能电池领域，PECVD可以用于制备硅薄膜太阳能电池的透明导电氧化锌薄膜、氮掺杂氢化非晶硅薄膜等；在平板显示器件领域，PECVD 可以用于制备多层膜、抗反射膜、导电膜等。
5. 发展趋势。
随着科学技术的不断发展，PECVD技术也在不断完善和创新。
未来，随着对薄膜材料性能要求的不断提高，对PECVD技术的要求也将更加严格。
因此，如何进一步提高薄膜的均匀性、致密性、结晶度和透明度，以及降低薄膜的残余应力和缺陷密度，将是PECVD技术发展的重点和热点。
总结。
通过对PECVD镀膜工作原理的介绍，我们可以看到，PECVD技术是一种重要的薄膜制备技术，具有很高的应用价值和发展前景。
PECVD详尽资料整理
PROCESS CHAMBER内备件
PROCESS CHAMBER的湿洗
清洗程序移除了在process chamber内substrate processing 过程中产生的颗粒 和副产品 有规律的湿洗所有内表面和暴露在工序里的部件。任何特定腔体需要的清洗频率 都和substrates的数量相称。 在清洗chamber和它的部件的时候要小心，因为典型的process reactants能产 生有毒的副产品。在清洗程序中要保持按照安全说明作业
当玻璃降低至susceptor上时，pin plate完全缩回 ，lift pins凹陷在 susceptor 表面内 由于lift pins的“golf-tee”形状，它不 会通过susceptor掉落
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B2 Project Team
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PECVD基本原理及功能
7. 几种膜的性能要求
(1)
高
a-Si:H
低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率、暗态电阻率
(2)
a-SiNx:H
i. 作为介质层和绝缘层，介电常数适中，耐压能力强，电阻率 高，固定电荷少，稳定性好，含富氮材料，针孔少，厚度均匀 ii.作为钝化层，密度较高，针孔少
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PROCESS CHAMBER内备件
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PECVD(光伏 镀膜)
10
为什么左边偏薄调大右边微波功率?
对于这个问题的第一种解释：左边的微波源有 问题，不能正常工作，只能通过调右边来补偿．可 这样做整体膜都应变厚，而实际是左边影响最大． 另一种解释是：微波源与膜厚是左边（右边）对 应左边（右边）关系，但实际使用的微波功率比较 大，当大到一定程度时，改变某一边的功率对该侧 膜厚影响较小，对对称的那一侧膜厚影响较大，并 且这种观点为多数人所认同．
最后通过对单管数据的分析来定位问题点.
24
影响太阳电池转换效率的因素
一、禁带宽度 VOC随Eg的增大而增大，但另一方面，JSC随Eg的 增大而减小。
二、温度 载流子扩散系数随温度的升高而增大，所以 升温时少子的扩散长度稍有增大，因此光生电流 有所增加；但暗电流是指数增加，所以电压急剧 下降，I-V曲线改变FF下降，效率下降 温度每增加1°C，VOC下降室温值的0.4%，效 率也因而降低约同样的百分数。
为了使反射损失减到最小，即希望上式 等于0, 就应有：
n n0 n si
16
对于太阳光谱,取0＝0.6微米 ,如果电池直 接暴露在真空或大气中使用，最匹配的减反射膜 折射率为n≈1.97。 在实际应用中，为了提高电池的使用寿命和抗 湿能力，大多采用硅橡胶封装。所以，对于减反 射膜来说，外界介质是硅橡胶，其折射率约为1.4， 在这种情况下，最匹配的减反射膜折射率应为:
27
五、掺杂浓度 掺杂浓度愈高，Voc愈高。但是在高掺杂浓度下 过度掺杂少子寿命还会减小 除以上提到的还有另外三点： 表面复合速率 串联电阻 金属栅和光反射
28
谢谢！
29
保密
18
钝化效果检验—少子寿命: 0
1
1
s
常见PECVD镀膜色差片分析
2
a
二、镀膜过程中硅片滑落或者碎裂 现象：1、片子表面一部分已经镀上膜，还有一部分为硅片本色； 2、片子上部分镀膜均匀，部分呈彩虹色彩，颜色较多。
滑落
碎片
原因分析：由于上舟过程中的机械臂抖动造成硅片部分滑落或者碎片，这样在镀 膜过程中会造成如上图的现象。 解决办法：在产线员工插片前首先清除石墨舟里的碎片，插好片时要对石墨舟轻 轻拍打，看是否存在片子没有卡到的现象，如有，及时调整，插片过程中，如有 碎片，要及时清理出，同时在上舟时要尽量保持舟和机械臂、浆的平稳性。
12
a
THANKS
13
4
a
解决方法： 1、出现因短路造成没镀上膜的的片子（整舟出现）（需要工艺人员确认），石 墨舟退出后，待石墨舟冷却后再进入炉管重新镀膜； 2、当机器出现报警时，工艺要做的就是把握片子在炉管的时间，要及时和设备 沟通，如果需要维修时间较长，可以将工艺关闭，让设备手动取出舟，然后再让 其维修； 3、当发现去PSG没有洗干净时，立即将所有从去PSG留下的片子取回重新清洗， 在清洗前要检查酸槽的浓度是否正常，如果不正常，建议重新换酸后再清洗； 4、折射率偏低的片子， 4-1、先要检查气体流量是否被更改； 4-2、要及时检查机器气体流量是否异常存不存在在工艺时气体流量被关闭的现 象，如有，及时和设备沟通，维修机器； 4-3、如果气体流量正常，可以请设备检查气体单向阀和流量计是否异常。
3
a
三、片子整体发白 现象：片子整体发白
原因分析： 1、由于在上一舟由于短路未镀上膜，立即进入炉管这样因为温度偏高，导致膜 厚偏大（一般整舟出现）； 2、还有可能是在运行过程出现各种报警，导致石墨舟在炉管里时间过长，也会 造成温度异常，而造成膜厚偏厚； 3、在区PSG的时候片子没有洗干净，在后面会出现膜厚偏高，片子发白； 4、镀膜出来的片子膜厚正常，但是片子发白，用椭偏仪检测后发现折射率偏高。
pecvd镀膜要点总结
pecvd镀膜要点总结PECVD镀膜是一种常见的薄膜制备技术，具有宽广的应用前景。
本文将从基本原理、工艺流程、特点与优势等方面对PECVD镀膜进行总结。
一、基本原理PECVD镀膜是利用等离子体中的活性物种对基底表面进行化学反应，形成所需薄膜的过程。
它主要包括两个步骤：气相反应和表面反应。
在气相反应中，通过高频电场或微波等能量激发，将反应气体转化为等离子体状态。
而在表面反应中，等离子体中的活性物种与基底表面发生化学反应，并形成薄膜。
二、工艺流程PECVD镀膜的工艺流程主要包括以下几个步骤：1. 清洗基底：将待镀膜的基底进行清洗，去除表面的污染物和氧化物。
2. 预处理：通过加热或气氛控制等方式，使基底表面具备良好的反应性。
3. 镀膜：将反应气体引入反应室，产生等离子体，并使活性物种与基底表面反应，形成薄膜。
4. 后处理：对薄膜进行退火、淀积等处理，提高其结晶度和致密性。
5. 检测与分析：对薄膜进行物理、化学和结构等方面的测试与分析，以评估其性能。
三、特点与优势1. 多功能性：PECVD镀膜可以制备多种材料的薄膜，如氧化物、氮化物、硅化物等，具有广泛的应用领域。
2. 高质量：由于等离子体辐射的高能量和活性物种的选择性，PECVD镀膜可以获得致密、均匀、纯净的薄膜。
3. 低温制备：相对于其他镀膜技术，PECVD镀膜所需的温度较低，可以在室温或较低的温度下进行，避免了对基底材料的热损伤。
4. 高生长速率：PECVD镀膜的生长速率较快，可以在短时间内获得较厚的薄膜。
5. 沉积均匀性：通过调节反应气体的流量和压力等参数，可以实现对薄膜沉积均匀性的控制，满足不同应用的需求。
PECVD镀膜是一种重要的薄膜制备技术，其基本原理是利用等离子体中的活性物种对基底表面进行化学反应，形成所需薄膜。
其工艺流程包括清洗基底、预处理、镀膜、后处理和检测与分析等步骤。
PECVD镀膜具有多功能性、高质量、低温制备、高生长速率和沉积均匀性等特点与优势，因此在微电子、光电子、光伏等领域得到广泛应用。
光伏pecvd个人工作总结
光伏pecvd个人工作总结光伏PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是一种重要的太阳能电池制备技术，通过这项技术可以制备出高效的光伏材料，用于太阳能电池的生产。
在过去的一段时间里，我在光伏PECVD领域进行了较为深入的研究和工作，以下是我的个人工作总结：首先，我深入研究了光伏PECVD的基本原理和工艺流程，对其进行了全面的了解和学习。
在此基础上，我利用实验室设备和技术，进行了一系列的光伏PECVD工艺优化实验，不断调整工艺参数和条件，以提高光伏薄膜的质量和效率。
其次，我通过对光伏PECVD沉积薄膜的质量和性能进行了详细的表征和分析。
通过扫描电镜、X射线衍射等手段，我深入了解了光伏薄膜的微观结构和晶体特性，进一步分析了其在光伏电池中的性能表现。
另外，我还参与了光伏PECVD工艺设备的维护和管理工作，负责设备的日常操作和维护，确保设备的正常运行和实验室的安全生产。
最后，我积极参与了学术会议和交流活动，与同行专家学者进行了广泛的交流和合作，增强了自己在光伏PECVD领域的影响力和开拓了新的研究方向。
通过以上工作，我在光伏PECVD领域积累了一定的经验和成果，为我未来在这一领域的深入研究和发展打下了良好的基础。
同时，我也意识到了光伏PECVD技术在太阳能电池制备中的重要性和应用前景，我将继续努力，不断提高自己的研究水平，为光伏能源的发展做出更大的贡献。
在过去的工作中，我对光伏PECVD的工艺优化进行了大量的探索和实验，根据实验数据和结果，不断调整光伏PECVD的工艺参数，包括沉积温度、压力、流量比、沉积时间等，以期望能够获得高质量、高效率的光伏薄膜。
通过反复的实验和分析，我逐渐掌握了光伏PECVD工艺中的关键因素，并逐步形成了一套适合实验室条件下的稳定工艺流程。
在工艺优化的过程中，我还注意到了光伏PECVD过程中的热量管理对薄膜质量的重要影响。
因此，我尝试使用不同的热源和冷却系统，以控制光伏PECVD的沉积温度和温度分布，并观察了这些调整对薄膜质量的影响。
PECVD工艺总结
PECVD工艺总结PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用于薄膜制备的工艺，通过等离子体来增强化学气相沉积。
PECVD工艺在半导体、光电子和显示器件等领域有着广泛的应用。
下面是PECVD工艺的总结。
PECVD工艺具有许多优点。
首先，该工艺可以在较低的温度下进行，这有利于避免薄膜材料的改性或衬底的表面改性。
其次，PECVD可以在大面积的衬底上实现均匀的薄膜沉积，这是由于等离子体具有较高的扩散性和自动均匀化特性。
此外，PECVD还可以用于多种不同的材料，如氮化硅、硅基氧化物、碳化硅等。
PECVD工艺的典型步骤包括衬底处理、前处理、等离子体生成、反应物质输送和生成薄膜。
首先，需要对衬底进行清洗和处理，以去除表面的杂质和氧化物，以保证薄膜的质量和附着力。
然后，通过预处理将反应室内的气氛控制在所需的参数范围内，如温度、压力和气体浓度。
接下来，在高频电场的作用下，将反应室内的气体加热成等离子体。
等离子体中的电子和离子被激发，与反应物质发生反应并生成所需的薄膜物质。
最后，通过控制反应室的气氛和反应时间，可以控制薄膜的厚度和性质。
关于PECVD工艺的优化，有几个关键的影响因素需要考虑。
首先是气氛成分的优化，不同的物质需要适合的气氛条件来实现最佳的沉积效果。
其次是气氛的流动控制，均匀的气体流动可以保证在整个衬底表面形成均匀的沉积层。
此外，还需要注意温度控制、压力控制和辅助电场的选择，以提高薄膜的质量和附着力。
总的来说，PECVD工艺是一种非常重要且灵活的工艺，可用于制备多种材料和形成不同性质的薄膜。
它具有低温操作、大面积均匀性好和广泛适用性的优点。
在微电子、光电子和显示器等领域，PECVD工艺将继续发挥重要作用，推动技术的发展和应用的拓展。
PECVD 镀膜后小亮点报告
排查结论： ）两台pe均有问题 ） 之前工序有问题 排查结论：1）两台 均有问题 2）PE之前工序有问题
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解决方案
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二.PSG排查 排查 取洗磷前，扩散后的硅片1片 机台镀膜.扩散面有小黑点 取洗磷前，扩散后的硅片 片，在3#PE机台镀膜 扩散面有小黑点，表面有可 机台镀膜 扩散面有小黑点， 除去的粉尘，原因：扩散后未洗磷吸附性比较强. 除去的粉尘，原因：扩散后未洗磷吸附性比较强 三.扩散排查 扩散排查 取制绒后，扩散前的制绒的掉角片3片 机台镀膜， 取制绒后，扩散前的制绒的掉角片 片，在3#PE机台镀膜，镀膜后表面仍有小 机台镀膜 亮点， 亮点， 四.制绒排查 制绒排查 取前检原始硅片（崩边不良） 片 直接在3#PE机台镀膜，镀膜后表面仍有小 机台镀膜， 取前检原始硅片（崩边不良）3片，直接在 机台镀膜 白点， 白点，
解决方案
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问题描述
1.3#PECVD镀膜后，表面出项小亮点。小亮点用显微镜观侧后，亮点与硅片 镀膜后，表面出项小亮点。小亮点用显微镜观侧后， 镀膜后 表面无高度差，亮点位置有绒面。 表面无高度差，亮点位置有绒面。 2.表面严重的小亮点，造成 级电池片 表面严重的小亮点， 级电池片. 表面严重的小亮点 造成B级电池片
排除片源原因
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1.PE定期 时，仔细清理进料腔，预热腔的氮化硅粉末。 定期PM时 仔细清理进料腔，预热腔的氮化硅粉末。 定期
PECVD镀膜后出现小 镀膜后出现小 亮点报告
PECVD镀膜技术简述
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为减小对表面造成的损伤，采用脉冲式的间断低频场，在电学控制及沉积 稳定性方面较佳。
—
国产管式PECVD与Centrotherm之间的异同。从原理及镀膜方式上，前后二 者没有实质性的差别，采用相同的原理和相同的方式进行氮化硅薄膜的沉
积，主要的差异体现在三个方面：
a) Centrotherm工艺控制灵活、安全、便捷，在工艺程序上可 操作性 更大；在温控、功率和气压控制方面，国产PECVD也存在着一定的 差距； b) 安全性能更好，稳定性好，在起始阶段，国产设备与 Centrotherm 没有太大的差别，但随着工艺运行的次数增加，其工艺稳定性差别 明显，国产设备镀膜均匀性略差； c) — 自动控制系统更安全、便捷。
PECVD镀膜技术简述
报告人：姚骞
日期：2010-3-9
Ou PECVD技术简介 PECVD技术比较 小结
PECVD技术分类
管式PECVD系统 直接法 板式PECVD系统 PECVD
Centrotherm 、四十八所、 七星华创 日本岛津
微波法
间接法 平板型 直流法
性，以及对硅片表面的损伤和钝化效果的优劣，进而产生转换效率的差异。
国产PECVD和同类型进口PECVD比较，在镀膜原理和实现方式上没有差别，主要存在的问题是工艺稳定性和其稳定性的持续性上，
国产PECVD要略差于同类别进口PECVD。
Hareon Solar，Process Department
—
不同频率与退火。对于低频技术，退火会明显降低JoE，因此，在低 频技术中退火成为表面钝化的一部分。而对于高频技术，退火对JoE 的影响不显明，如右图所示。（薄膜条件:400℃沉积，60nm厚）
小结
PECVD注意事项
注意事项
（１）腔体放芯片的铝盘一直保持在300℃左右，所以在取放芯片时切记不要让衣服、手套、无尘布等碰到铝盘
上，一是防止烫伤，二是防止污染腔体
（２）在镀膜厚度达到5um以上时，要做干法清洗
（３）打开腔体时，如果有白色粉末飘下，需要做湿法清洗，湿法清洗就是将铝盘温度降到室温，然后用去离子
水擦洗，然后用IPA再次清洁
（４）湿法清洗完成后，将铝盘温度升到300°，做一次5000Å厚度的镀膜
（５）只有在SYSTEM的Pumping画面一栏中，下边的方框全为绿色，以及Lid的状态显示close和Process interlock的状态显示为OK时才可以做工艺
（ 6 ）严禁修改或删除任何参数（除有必要修改工艺时间外）。
读书--PECVD
一、影响因素频率---对镀膜的影响1.频率越高均匀面积越小，越难于达到大面积均匀性。
2.频率越低对硅片表面的损伤越严重。
3.频率越低离子进入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的钝化。
功率---1.随着电源功率的增加，折射率缓慢降低，致密性变差。
2.功率大，长得快，但是轰击也大。
不要小看这种轰击，厉害的会把表面砸得坑坑洼洼的，这样会影响银浆插穿ARC!要看致密与否，把片子泡到酸里十分钟会掉的就是不致密。
ARC 做得好的确能增加Isc 因为光生电子多了。
．用高的射频3.．用高的射频功率可以获得高速沉积的／~c-Si：H薄膜，但由于高功率下的离子轰击，使得薄膜性能变差4.（薄膜电池）沉积速率与沉积气压P 的关系薄膜的沉积速率随沉积气压P变化的关系见图1．由图1可见，随着沉积气压的增大，薄膜的沉积速率近似线性地增加．这是因为在高的沉积压力下，气体在两电极之间的驻留时间延长，能够发生多次碰撞，使气体反应充分．但是，当沉积气压超过450 Pa后，沉积速率不再增加，而是略有下降．这是因为在高的沉积气压下，形成大量粉尘，降低了沉积速率5.（薄膜电池）沉积速率与射频功率P 的关系把优化的沉积气压恒定在400 Pa，测定沉积速率随射频功率的变化．图3为射频功率P 随沉积速率的变化关系，图4为该薄膜的室温暗电导和光电导随射频功率P 的变化关系，图5为薄膜的晶态比X 与射频功率P 的关系．由图3可以看出，随着射频功率P 的增大，沉积速率近似线性地增加，但当射频功率P 超过100 W 后，沉积速率的增加变缓，为非线性的．这是由于过大的功率使得硅烷在两电极之间分解过快，在反应过程中形成粉尘的缘故6.（薄膜电池）随着SiH4浓度SC的增加，沉积速率近似地线性增大压力----1.压力太低，生长、沉积速度较慢，折射率较低2.压力太高，生长、沉积速度较快，均匀性变差。
3.频率---13.56 MHz 和2.45GHz 是工业用频率，无法改变的!1. 能变的只有功率、压力、温度与气体配比。
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pecvd镀膜要点总结
PECVD镀膜是一种常用的薄膜制备技术，它具有广泛的应用领域。
本文将从PECVD镀膜的原理、设备、工艺参数和应用等方面进行讨论，以便更好地理解PECVD镀膜技术。
一、PECVD镀膜的原理
PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）镀膜技术是利用等离子体的作用，在较低的温度下将气相中的化学物质沉积到基底表面上，形成一层薄膜。
其原理是通过电离气体形成等离子体，然后将预先选择的气体通过等离子体激活，使其发生化学反应并沉积在基底表面上，最终形成所需的薄膜。
PECVD镀膜技术可以实现对不同材料的薄膜制备，如氮化硅、氧化硅、氮化硼等。
二、PECVD镀膜的设备
PECVD镀膜设备主要由真空系统、气体供给系统、电源系统和控制系统等组成。
真空系统用于提供良好的真空环境，以保证反应的进行；气体供给系统用于将所需的气体输送到反应室中；电源系统则提供能量激活气体，产生等离子体；控制系统用于监控和调节各个参数，确保镀膜过程的稳定性和一致性。
三、PECVD镀膜的工艺参数
PECVD镀膜的工艺参数包括沉积温度、沉积压力、气体流量、功率密度等。
沉积温度是指反应室内的温度，它会影响薄膜的结晶性、
致密性和机械性能等。
沉积压力是指反应室内的气压，它对等离子体的形成和薄膜的成分有重要影响。
气体流量是指输入到反应室中的气体量，它决定了反应物的浓度和速率。
功率密度是指等离子体中的功率密度，它对等离子体的激活和反应速率有影响。
四、PECVD镀膜的应用
PECVD镀膜技术在各个领域都有广泛的应用。
在微电子领域，PECVD镀膜被用于制备薄膜晶体管（TFT）和光学薄膜等。
在太阳能电池领域，PECVD镀膜技术可以用于制备硅薄膜太阳能电池。
在显示器和光学器件领域，PECVD镀膜技术可以制备透明导电膜和抗反射膜等。
此外，PECVD镀膜技术还广泛应用于防腐蚀涂层、功能涂层和生物医学领域等。
PECVD镀膜技术是一种重要的薄膜制备技术，具有广泛的应用前景。
了解PECVD镀膜的原理、设备、工艺参数和应用等方面的知识，对于掌握和应用该技术具有重要意义。
希望本文的介绍能够对读者有所帮助，进一步推动PECVD镀膜技术的发展和应用。