电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材编制说明

电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材编制说明

1 工作简况

1.1 任务来源

国家目前大力发展战略新兴产业，为半导体产业带来了极大的机遇，3G、移动通信、半导体照明、汽车电子等新兴领域正在迅速发展，其中孕育着巨大市场，这将促进我国的IC产业进一步发展。高纯铝及铝合金靶材作为制备电子薄膜的主要配套材料，随着我国集成电路产业的快速发展，市场

规模日益增大，靶材消耗量逐渐增加。靶材性能直接影响着金属薄膜电阻率、厚度均匀性、反射率

等等性能，目前国内高纯铝及铝合金靶材的生产处于初级阶段，还没有相应的国家标准，很大程度

上制约了国内铝及铝合金靶材的研发、制作及工业化生产。因此，需要制定相关的标准，以促进现

有产品质量的提高，确保高纯铝及铝合金靶材的检测规范统一，符合统一标准。

国标委综合[2011]57号文件下达了编制《电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材》国家标准

的任务，项目编号为20110426-T-610，并确定由有研亿金新材料股份有限公司、宁波江丰电子

材料有限公司起草。

1.2 起草单位

有研亿金新材料股份有限公司，简称有研亿金，隶属于北京有色金属研究总院。有研亿金是国

内率先开展集成电路用靶材研究开发的单位，在集成电路用超高纯金属靶材制备加工领域具有国内

领先的优势。多年来，有研亿金利用具有自主知识产权的高性能靶材制备技术，开发了独具特色的

靶材产品，靶材产品涉及Al、Cu、Ti及各种难熔金属与稀贵金属等，形成了具有年产值近亿元的产

业基地，如先进镀膜用半导体材料、光学材料、稀土材料、集成电路相关材料等，具备一大批对超

高纯金属材料制备加工技术具有较坚实理论基础和丰富实践经验的专家和技术人员。

宁波江丰电子材料有限公司，简称江丰电子，是国内最大的从事集成电路芯片制造用超高纯度

溅射靶材研发生产的基地，其核心团队由多名海外归国博士组成，并引进了多名美国、日本籍专家，

形成了在同行业中具有国际影响力的创业团队，靶材产品已被美国、日本、欧洲、韩国、东南亚、

中国大陆及台湾的主流半导体公司认可，并得到批量生产采用，形成了具有年产值近亿元的产业基

地。多年来，江丰电子所从事的产业是国家中长期高科技发展规划所大力鼓励的，研发及产业化项

目已经纳入了国家技术创新体系，先后承担了国家863引导项目、863重大专项、科技部02重大专项、发改委重大专项、工信部专项基金项目。

1.3主要过程和内容

本标准主管部门为中国有色金属工业协会，编写单位为有研亿金新材料股份有限公司、宁

波江丰电子材料有限公司。

2012年1月主编单位对生产和使用厂家进行调研与资料收集，并查阅相关标准，确定产品主要

技术内容，形成标准的讨论稿。2012年2月24日～26日在广西南宁召开了《电子薄膜用高纯铝及

铝合金溅射靶材》标准讨论会，与会专家对标准的讨论稿进行了认真、热烈的讨论，撰写了会议纪

要，编制组对代表所提意见进行了归纳整理，并对标准进行了认证修订。

2 编制原则和依据

本标准起草单位自接受起草任务后，本标准编制组收集了生产国内外客户要求、国内厂家实际

生产水平等信息，初步确定了《电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材》标准起草所遵循的基本原

则和编制依据：

1）查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求；

2）根据国内外铝及铝合金加工企业具体情况，力求做到标准的合理性与实用性；

3）广泛适用，操作可行的原则；

4）有利于创新发展与国际接轨的原则；

3 主要内容的分析综述

3.1主要内容与适用范围

本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、

运输存贮、订货单（或合同）等内容。

本规范适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材(简称铝靶)。

3.2规范性引用文件

本标准针对客户对电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材要求编写。要求包括：原材料纯度、

晶粒尺寸、焊接质量、内部质量、尺寸和外观等等方面。引用了推荐性国家标准7项，国军标1项，其它标准及规范2项。

3.3 技术要求

3.3.1类别与纯度

由于集成电路的集成度越来越高，互联线宽度不断减小，因此对溅射靶材提出非常严格的要求，

靶材成分和纯度直接影响着电子薄膜性能。电子薄膜用铝靶分类按照应用背景分为：半导体布线用

高纯溅射靶材、半导体封装用高纯溅射靶材、平板显示器用高纯溅射靶材和太阳能电池用高纯溅射

靶材。根据合金材料不同，目前主要使用的铝及铝合金溅射靶包括：纯铝靶，铝硅合金靶，铝铜合

金靶，铝硅铜合金靶四种靶材，纯度主要为99.99%、99.995%、99.999%和99.9995%四种，具体规格见表1。