《半导体光电子学》PPT课件
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正ຫໍສະໝຸດ Baidu注入
内建电场
+p
扩散流
漂移流
N_
正向电压
(以空穴行为为例)
加上一个与内建电场方向相反的正向电压 ,由于它的作用使得PN结内部的势垒变窄.。 因此扩散电流要大于漂移电流，从而使得少数载流子能够越过势垒. 由于复合效应， 少数载流子的分布随着与PN结边界距离的增加而减小。
反向抽取
内建电场
扩散流
P
漂移流
N
_
负向偏压
+ (以空穴行为为例)
PN结两端加上一个负向偏压, 它与内建电场的方向相同 , 因此在PN结边缘处的积累 电荷会被抽取出来.当边缘处的电荷被抽取完之后，内部的载流子就会随着复合而消 失。
半导体光电子学
插图 2010.4.07
地球表面 平均太阳能 4 x1024J/年，或者5 x 1020 J/小时
2001年全球能量的消耗 4x1020J/年
美国
平衡态
• 空穴 (positive)
内建电场
扩散流
P 漂移流
电子(negative)
N
当外加电压为零时，PN结处于平衡状态. PN结中有效电流为零。由载 流子分布不同造成的扩散电流与PN结边界外累积电荷所形成的内建场 产生的漂移电流抵消。