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半导体器件习题及参考答案

半导体器件习题及参考答案

第二章1 一个硅p -n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结,a=1019cm -4,n 型一侧为均匀掺杂,杂质浓度为3×1014cm -3,在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为μm,求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。

解:)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x =0处E 连续得x n =µm x 总=x n +x p =µm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。

2 一个理想的p-n 结,N D =1018cm -3,N A =1016cm -3,τp=τn=10-6s ,器件的面积为×10-5cm -2,计算300K 下饱和电流的理论值,±时的正向和反向电流。

解:D p =9cm 2/s ,D n =6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ,cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =*10-16A 。

+时,I =µA , -时,I =*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结,N D =1016cm -3,在1V 正向偏压下,求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。

设n 型中性区的长度为1μm,空穴扩散长度为5μm。

解:P +>>n ,正向注入:0)(2202=---pn n n n L p p dx p p d ,得: )sinh()sinh()1(/00pnn pn kTqV n n n L x W L xW e p p p ---=- ⎰⨯=-=nnW x n n A dx p p qA Q 20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结,N D =1015cm -3,求击穿时的耗尽层宽度,若n 区减小到5μm,计算此时击穿电压。

《电工电子技术与应用》主题9 常用半导体器件练习册答案

《电工电子技术与应用》主题9 常用半导体器件练习册答案

主题9 常用半导体器件课题1 二极管一.判断题1.×2.√3. √4.×5. √6. √7. ×8. √二.选择题1.D2.A3.B4.B5.D三.填空题1.正 负2. 单向导电性 正向导通 反向截止3. 0.3V 0.7V,4. 0 ∞5. 反向击穿现象6.锗管 硅管四.问答题用万用表的欧姆挡,对于小功率管一般选用“R ×100 Ω”挡或“R×1 k Ω”挡,测量出二极管的两次电阻值,电阻值小的那一次为二极管的正向电阻,此时黑表笔(接“-”极)所接的就是的正极。

如果两次测量的阻值都很小,说明二极管已经击穿;如果两次测量的阻值都很大,说明二极管内部已经断路。

五.分析计算题1.解:二极管因正向电阻太小,导致正向电流过大,会烧毁二极管。

mA V V I 81007.05.1=Ω-=2.解:当UI=+3V 时,V 截止,U0=+3V ;当UI=-3V 时,V 导通,U0=-0.7V ;当UI=0V 时,V 截止,U0=03.U1=U2, I1>I2 4.V1导通,V2截止,()mA V I 3020060=Ω--=。

课题2 三极管一.判断1.×2.×3.×4.√5.×6.×二.选择1.C2.C3.D4.B5.D6.C7.B8.C9.B 10.C 11.D 12.B三.填空1.薄 低 高 大 低2.基 集电 发射 b c e3.基极 集电极4.放大 饱和 截止5. 放大 饱和 截止6.增大 好7.基极 集电极 发射极 降低8.下降 β下降 击穿 损坏 9.> > < < 10.放大 截止 饱和四.问答1.不可以对调使用,因为集电区和发射区的掺杂浓度不一样。

2.上面说法不完全对,当IC>ICM 时,将引起β值下降,管子不会坏;当UCE>U(BR)CEO 时,将引起管子击穿,在短时间下管子不会坏;当PC>PCM 时,将引起管子烧坏。

(完整版)半导体及其应用练习题及答案

(完整版)半导体及其应用练习题及答案

(完整版)半导体及其应用练习题及答案题目一1. 半导体是什么?答案:半导体是介于导体和绝缘体之间的材料,在温度适当时具有导电性能。

2. 半导体的价带和导带分别是什么?答案:半导体中的价带是电子离子化合物的最高能级,而导带是能够被自由电子占据的能级。

3. 简要解释半导体中的P型和N型材料。

答案:P型半导体是通过向半导体中掺杂三价元素,如硼,来创建的,在P型材料中电子少,因此存在空穴。

N型半导体是通过向半导体中掺杂五价元素,如磷,来创建的,在N型材料中电子多,因此存在自由电子。

题目二1. 解释PN结是什么?答案:PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体通过熔合而形成的结构,其中P型半导体中的空穴与N型半导体中的自由电子结合,形成一个边界处的耗尽区域。

2. 简要描述PN结的整流作用是什么?答案:PN结的整流作用是指在正向偏置电压下,电流可以流过PN结,而在反向偏置电压下,电流几乎不会流过PN结。

3. 什么是PN结的击穿电压?答案:PN结的击穿电压是指当反向偏置电压达到一定程度时,PN结中会发生电击穿现象,导致电流迅速增加。

题目三1. 解释场效应晶体管(MOSFET)是什么?答案:场效应晶体管是一种半导体器件,可以用于控制电流的流动,其结构包括源极、漏极和栅极。

2. 简要描述MOSFET的工作原理。

答案:MOSFET的工作原理是通过栅极电场的变化来控制其上的沟道区域导电性,从而控制漏极和源极之间的电流的流动。

3. MOSFET有哪些主要优点?答案:MOSFET的主要优点包括体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等。

半导体物理与器件考核试卷

半导体物理与器件考核试卷
A.氧化
B.硅化
C.硼化
D.镍化
17.在半导体工艺中,以下哪些步骤属于前道工艺?()
A.光刻
B.蚀刻
C.离子注入
D.镀膜
18.以下哪些材料常用于半导体器件的互连?()
A.铝
B.铜导线
C.镓
D.硅
19.在半导体物理中,以下哪些现象与载流子的复合有关?()
A.发射
B.复合
C.陷阱
D.所有上述现象
20.以下哪些因素会影响半导体激光器的阈值电流?()
半导体物理与器件考核试卷
考生姓名:__________答题日期:__________得分:__________判卷人:__________
一、单项选择题(本题共20小题,每小题1分,共20分,在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)
1.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间,主要因为其()
C. Nitrogen(氮的)
D. Excess electrons(过剩电子)
5. P-N结在反向偏置时,其内部的电场强度()
A.减小
B.增大
C.消失
D.不变
6.以下哪个不是太阳能电池的工作原理?()
A.光电效应
B.热电效应
C.光生伏特效应
D.量子效应
7.在MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)中,MOS电容的C-V特性曲线中,积累区对应于()
18. A, B
19. D
20. D
三、填空题
1.禁带
2.电子
3.降低
4.金属-氧化物-半导体
5.温度
6.栅氧化层质量
7.紫外光
8.能级
9.玻尔兹曼分布
10.温度

半导体器件作业 有答案

半导体器件作业 有答案

1.半导体硅材料的晶格结构是(A)A 金刚石B 闪锌矿C 纤锌矿2.下列固体中,禁带宽度 Eg 最大的是( C )A金属B半导体C绝缘体3.硅单晶中的层错属于( C )A点缺陷B线缺陷C面缺陷4.施主杂质电离后向半导体提供( B ),受主杂质电离后向半导体提供( A ),本征激发后向半导体提供( A B )。

A 空穴B 电子5.砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠( A )A 直接复合B 间接复合C 俄歇复合6.衡量电子填充能级水平的是( B )A施主能级B费米能级C受主能级 D 缺陷能级7.载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量;载流子的扩散系数是描述载流子( B ) 的一个物理量。

A 在电场作用下的运动快慢B 在浓度梯度作用下的运动快慢8.室温下,半导体 Si中掺硼的浓度为 1014cm-3,同时掺有浓度为×1015cm-3的磷,则电子浓度约为( B ),空穴浓度为( D ),费米能级( G );将该半导体升温至 570K,则多子浓度约为( F ),少子浓度为( F ),费米能级( I )。

(已知:室温下,ni≈×1010cm-3,570K 时,ni≈2×1017cm -3)A 1014cm-3B 1015cm-3C ×1015cm-3D ×105cm-3E ×1015cm-3 F 2×1017cm-3 G 高于 Ei H 低于 Ei I 等于 Ei9.载流子的扩散运动产生( C )电流,漂移运动产生( A )电流。

A 漂移B 隧道C 扩散10. 下列器件属于多子器件的是( B D )A稳压二极管B肖特基二极管C发光二极管 D 隧道二极管11. 平衡状态下半导体中载流子浓度n0p0=ni2,载流子的产生率等于复合率,而当np<ni2 时,载流子的复合率( C )产生率A大于B等于C小于12. 实际生产中,制作欧姆接触最常用的方法是( A )A重掺杂的半导体与金属接触B轻掺杂的半导体与金属接触13.在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是( C )A BVCEOB BVCBOC BVEBO14.MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是( B )。

半导体器件生产数据分析与应用考核试卷

半导体器件生产数据分析与应用考核试卷
6. JFET与MOSFET都是基于电压控制的晶体管。()
7.半导体器件在高温环境下工作不会影响其性能。()
8.封装技术对半导体器件的热稳定性没有影响。()
9.硅是半导体材料中导电性能最好的材料。()
10.在半导体器件生产中,所有工艺步骤都可以在不同类型的半导体器件中通用。()
五、主观题(本题共4小题,每题5分,共20分)
15.以下哪种材料常用于制造光电器件?()
A.硅B.锗C.镓D.铜
16.在半导体器件生产中,下列哪个步骤用于去除氧化层?()
A.蚀刻B.离子注入C.氢氟酸腐蚀D.清洗
17.关于JFET和MOSFET的描述,错误的是:()
A.JFET为电流控制型器件B.MOSFET为电压控制型器件C.JFET和MOSFET的结构相似D.JFET的输入阻抗低于MOSFET
二、多选题(本题共20小题,每小题1.5分,共30分,在每小题给出的四个选项中,至少有一项是符合题目要求的)
1.半导体器件的主要应用包括:()
A.数字逻辑电路
B.模拟电路
C.电源管理
D.所有以上选项
2.下列哪些因素会影响半导体器件的性能?()
A.温度
B.湿度
C.辐射
D.电压
3.在半导体生产中,以下哪些步骤涉及到光刻技术?()
四、判断题(本题共10小题,每题1分,共10分,正确的请在答题括号中画√,错误的画×)
1.在N型半导体中,主要的载流子是空穴。()
2.二极管的正向电阻小于反向电阻。()
3.晶体管的输入阻抗高于MOSFET的输入阻抗。()
4.在半导体器件生产中,光刻工艺是在蚀刻工艺之后进行的。()
5.半导体器件的阈值电压越高,其开关速度越快。()

常用半导体器件习题考答案

常用半导体器件习题考答案

第7章 常用半导体器件 习题参考答案7-1 计算图所示电路的电位U Y (设D 为理想二极管)。

(1)U A =U B =0时;(2)U A =E ,U B =0时;(3)U A =U B =E 时。

解:此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。

从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。

当A 、B 两点的电位同时为0时,D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极(U Y )两端电位同时为0,因此均不能导通;当U A =E ,U B =0时,D A 的阳极电位为E ,阴极电位为0(接地),根据二极管的导通条件,D A 此时承受正压而导通,一旦D A 导通,则U Y >0,从而使D B 承受反压(U B =0)而截止;当U A =U B =E 时,即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位,所以两管同时导通,两个1k Ω的电阻为并联关系。

本题解答如下:(1)由于U A =U B =0,D A 和D B 均处于截止状态,所以U Y =0;(2)由U A =E ,U B =0可知,D A 导通,D B 截止,所以U Y =E ⨯+919=109E ; (3)由于U A =U B =E ,D A 和D B 同时导通,因此U Y =E ⨯+5.099=1918E 。

7-2 在图所示电路中,设D 为理想二极管,已知输入电压u i 的波形。

试画出输出电压u o 的波形图。

解:此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。

首先从(b )图可以看出,当二极管D 导通时,电阻为零,所以u o =u i ;当D 截止时,电阻为无穷大,相当于断路,因此u o =5V ,即是说,只要判断出D 导通与否,就可以判断出输出电压的波形。

要判断D 是否导通,可以以接地为参考点(电位零点),判断出D 两端电位的高低,从而得知是否导通。

u o 与u i 的波形对比如右图所示:7-3 试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有何异同(参考答案:见教材)7-4 某人检修电子设备时,用测电位的办法,测出管脚①对地电位为-;管脚②对地电位为-6V ;管脚③对地电位为-9V ,见图所示。

第6章 半导体器件习题与解答

第6章 半导体器件习题与解答

题 6-4 图
A. 5V
B. 7V
C. 0V
6-5 在题 6-5 图所示的电路中,稳压二极管 Dz1 和 Dz2 的稳定电压分别为 5V 和 7V,其正向
压降忽略不计,则 Uo 为( )。A
题 6-5 图
A. 5 V
B. 7 V
C. 0 V
6-6 在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为 9 V,4 V,3.4 V,则这三个级分别为
题 6-14 图
解:此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。假设图中二极管为理想二极
管,可以看出 A、B 两点电位的相对高低影响了 DA 和 DB 两个二极管的导通与关断。 当 A、B 两点的电位同时为 0 时,DA 和 DB 两个二极管的阳极和阴极(UY)两端电位 同时为 0V,因此均不能导通;当 UA=5V,UB=0V 时,DA 的阳极电位为 5V,阴极电位 为 0(接地) ,根据二极管的导通条件,DA 此时承受正向电压而导通,一旦 DA 导通, 则 UY>0,从而使 DB 承受反向电压(UB=0V)而截止;当 UA=UB=5V 时,即 DA 和 DB 的阳极电位为大小相同的高电位,所以两管同时导通,两个 1kΩ 的电阻为并联关系。 本题解答如下:
6-26 在题 6-26 图所示的各个电路中,试问晶体管工作于何种状态?
(a)
(b)
(c)
题 6-26 图
解:计算结果见下表,设uBE=0.6V。表中,ICS为晶体管饱和时的集电极电流,IBS为晶
体管临界饱和状态时的基极电流。
判断公式
(a)管
(b)管
(c)管
I
CS

v CC RC
12mA
8mA
IBS=

常用半导体材料测试卷

常用半导体材料测试卷

常用半导体材料测试卷一、单项选择题:(本大题共85个小题,每小题2分,共170分)1.在焊接过程中要使用助焊剂,关于助焊剂的作用,下列说法错误的是A.去除氧化物B.使焊点不出现尖角C.防止工件和焊料加热时氧化D.减小焊料熔化后的表面张力,增加其流动性,有利于浸润2.钎焊分离电子元器件最合适选用的电烙铁是A.25W B.75W C.100W D.150W3.共晶焊锡的熔点为A.327℃B.232℃C.183℃D.212℃4.焊接中焊点凝固前被焊元件移动容易形成A.虚焊B.夹生焊C.漏焊D.预焊5.焊接电子元件最适合的焊剂是A.焊锡膏B.松香C.稀盐酸D.氯化锌6.下面关于虚焊的说法错误的是A.虚焊就是假焊B.焊料与被焊物的表面没有互相扩散C.虚焊主要是由于焊件金属表面不干净和焊剂用量过少造成的D.虚焊主要由于烙铁温度不够高和留焊时间太短造成的7.下面关于镀锡的说法错误的是A.上锡B.预焊C.搪锡D.焊件表面处理8.下列关于焊接说法错误的是A.电烙铁烧死是指焊头因氧化而不吃锡的现象 B.焊接时不能甩动电烙铁,以免锡液伤人C.电烙铁的金属外壳必须接地 D.焊锡膏适用于电子器件的焊接9.关于手工焊接,下列说法不正确的是A.常用的焊锡丝的材料是锡铅合金B.焊剂的作用是焊接时去除氧化物并防止金属表面两次氧化C.焊接中要避免虚焊和夹生焊现象的发生D.焊接时,先用烙铁头加热工件,然后把焊锡丝放在烙铁头上熔化10.信号发生器的输出幅度每衰减20dB,输出信号的电压值即变为原来的A.0.5 B.0.1 C.31.6% D.1/211.信号发生器输出信号时,输出衰减选40dB ,当电压表示数值为5V 时,则输出为A.5V B.0.5V C.0.05V D.50V 12.信号发生器的输出衰减有20dB和40dB,当按下20dB时,输出相对衰减10倍,当按下40dB 时,输出相对衰减为A.10 B.100 C.20 D.4013.用示波器观察某标准正弦波的电压波形,若一个周期的距离为4div,示波器的扫描时间选择开关置于50ms/div,且使用了“扩展×10”,则该电压的频率是A.5Hz B.20Hz C.50Hz D.500Hz14.要使示波器的显示波形向上移动,应调节旋钮A.Y轴移位B.Y轴增幅C.X轴移位D.X轴增幅15.要使示波器显示波形亮度适中,应调节旋钮A.聚焦B.辉度C.辅助聚焦D.X轴衰减16.若Y轴输入信号频率为200Hz,要在荧光屏上看到4个完整的波形,则扫描频率范围要置于A.10――100Hz B.1kHz C.10 kHz D.100 kHz17.用示波器观察一正弦电压的波形,现屏中测出正弦波电压峰峰值为4div,档位为5V/div,探头不衰减,则正弦波电压的有效值为A.20V B.10V C.52V D.102V18.下列关于示波器的说法错误的是A.调整示波器的辉度钮,光点亮度不能太亮B.调节聚焦钮,使示波器的光点成为小圆点,如果不行,可用辅助聚焦钮配合C.示波器长期不用时,会导致内部的电解电容器失效D.为调整示波器的亮度和清晰度,可以让光点长时间停在屏幕中央19.使示波器的显示波形稳定,只显示两个完整波形,除调整垂直方向之外,还要调整A.扫描范围B.X轴衰减C.扫描范围和X轴衰减D.X轴位移20.用示波器观察两个正弦信号如图1所示,已知X轴偏转因数置于0.5μs/div,Y轴偏转因数置于0.1V/div,则两信号的相位差A.30o B.90o C.60o D.45o第 1 页共6 页21.在P型半导体中A.空穴是多数载流子,电子是少数载流子B.没有电子C.空穴的数量略多于电子D.没有空穴22.二极管两端加上正向电压时A.一定导通B.超过死区电压才能导通C.超过0.7V才导通 D.超过0.3V才导通23.在测量二极管反向电阻时,若用两手把管脚捏紧,电阻值将A.变大B.变小C.不变化D.无法判断24.一个硅二极管的正向电压降在0.6V基础上增加10%,它的电流将A.增加10% B.增加10%以上C.基本不变D.不变25.如图2所示,二极管是理想二极管,则电压U AB为A.-3V B.5V C.8V D.-8V26.如图3所示,VD1、VD2的状态是A.VD1导通、VD2截止B.VD1截止、VD2导通C.VD1、VD2都导通D.VD1、VD2都截止27.晶体二极管内部是由所构成的A.一个PN结B.两个PN结 C.两块N型半导体D.两块P型半导体28.当硅二极管加上0.4V的正向电压时,该二极管相当于A.很小的电阻B.很大的电阻C.短路D.中值电阻29.如图4所示,当输入电压U i=12V时,输出电压U0为A.12V B.2V C.5V D.0V30.下列硅二极管中质量最好的是A.正向电阻为1kΩ,反向电阻为100 kΩ B.正向电阻为50kΩ,反向电阻为100 kΩC.正反向电阻均为无穷大 D.正向电阻为20kΩ,反向电阻为20kΩ31.用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到A.R×100或R×1k挡B.R×1挡C.R×10挡D.任意挡32.用万用表测得NPN型三极管各电极对地电位是V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V,则该三极管的工作状态是A.饱和状态B.截止状态C.放大状态D.无法确定33.在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是A.NPN型管的发射极B.PNP型管的发射极C.PNP型的集电极D.无法确定34.一只三极管内部包含个PN结A.1 B.2 C.3 D.035.NPN型和PNP型晶体管的区别是A.由两种不同的材料硅和锗制成B.掺入的杂质不同C.P区和N区的位置不同D.电流的放大倍数不同36.三极管各极电位如图所示,工作在放大状态的是37.3DG6型晶体三极管的P CM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=20V,将其接在电路中,I C=5mA,U CE=10V,则该管A.击穿B.工作正常C.功耗太大,过热甚至烧坏D.无法判断38.在三极管放大电路中,测得某管脚1流进4.6mA的电流,某管脚2流进0.03mA的电流,则该管是A.NPN管B.PNP管C.硅管D.锗管39.晶体管的参数β是指A.晶体管共发射极直流电流放大倍数B.晶体管共发射极交流电流放大倍数C.放大电路的电压放大倍数D.放大电路的电流放大倍数40.正常工作在放大电路中的某晶体管各极对地电位分别是9V、6.3V、6V,则该管管脚分别对应为A.B、C、E B.C、B、E C.E、C、B D.E、B、C41.用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小,则该管A.两个PN结均开路B.两个PN结均击穿C.发射结击穿,集电结正常D.发射结正常,集电结击穿第 2 页共6 页42.某PNP型晶体管β=50,I E=2mA,则I C约等于A.40μA B.1.98m A C.98 m A D.24.5 m A43.NPN型三极管处于放大状态时,各极电位关系是A.V C>V B>V E B.V C<V B<V E C.V C>V E>V B D.V C<V E<V B44.工作于放大状态的三极管在三个电极中,电流最大的是A.集电极B.基极C.发射极D.门极45.三极管放大作用的实质是A.三极管把小能量放大成大能量B.三极管把小电流放大成大电流C.三极管把小电压放大成大电压D.三极管用较小的电流控制较大的电流46.用万用表欧姆挡测量小功率三极管的极性与质量时,应把欧姆挡拨到A.R×1 B.R×10 C.R×100或R×1k D.R×10k47.用万用表的红表笔接触三极管的一只管脚,黑表笔接触另两只管脚,测得电阻均较小,则该三极管为A.NPN型B.PNP型C.不能确定D.三极管已经损坏48.焊接电子元件时,焊点表面粗糙不光滑,是因为A.电烙铁功率太大或焊接时间过长B.电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C.焊剂太多造成的D.焊剂太少造成的49.关于钎焊,下列说法正确的是A.100W且带弯烙铁头的电烙铁应采用正握法 B.松香酒精溶液焊剂中,松香占67%,酒精占23% C.被焊件达到一定温度后,应将焊锡丝放在烙铁头上熔化浸润焊点D.焊锡全部浸润焊点后,应及时以25o角移开电烙铁50.下列关于夹生焊的说法错误的是A.虚焊和夹生焊是两种不同的现象B.夹生焊是指C.D.51.关于普通晶闸管结构,说法正确的是A.4层3端半导体,有2个PN结 B.4层2端半导体,有3个PN结C.4层3端半导体,有3个PN结 D.4层2端半导体,有2个PN结52.晶闸管关断的三个条件中,关断的逻辑关系是A.与B.或C.与非D.或非53.晶闸管关断的条件是A.加反向控制极电压B.去掉控制极电压C.阳极加反向电压或降低正向阳极电压,使流过晶闸管的电流小于维持电流I HD.以上说法都不对54.晶闸管导通的两个条件中,导通时阳极和门极加正极性电压的逻辑关系A.与B.或C.与非D.或非55.对螺栓式结构的晶闸管来说,螺栓是晶闸管的A.阳极B.阴极C.门极D.栅极56.晶闸管控制极的作用是A.只要控制极加正的触发脉冲,就能使晶闸管导通B.只要在晶闸管存在阳极电压的同时,控制极加上足够功率的正脉冲,就可以使晶闸管导通,导通之后控制极就失去作用C.控制极加负电压,可以使晶闸管关断 D.以上说法都不对57.晶闸管是用来的电子元件A.电流放大B.电压放大C.弱电控制强电D.强电控制弱电58.晶闸管导通后,流过晶闸管的电流取决于A.晶闸管的管压降 B.晶闸管的额定电流 C.控制极电压D.阳极电压和负载阻抗59.用万用表R×10挡,判别晶闸管的极性,黑表笔固定一只管脚,红表笔分别接另外两只管脚,当出现正向导通时A.黑表笔接控制极 B.黑表笔接阴极 C.红表笔接控制极D.红表笔接阳极60.用万用表测试小功率晶闸管的极性时,某两个电极之间的正反向电阻相差不大,说明这两个电极是A.阳极和门极B.阴极和门极C.阳极和阴极D.无法确定61.用于整流的二极管是A.2AK4 B.2CW20A C.2CZ14F D.2AP962.三极管极间电流满足I C=βI B关系时,三极管一定工作在A.饱和区B.截止区C.放大区D.击穿区63.晶体管作开关使用时,是工作在其A.放大区B.饱和区C.截止区D.饱和区和截止区64.大功率三极管的外壳往往做三极管的使用A.基极B.集电极C.发射极D.三个电极都可能65.放大电路中某晶体管极间电压如图5所示,则该管类型及1、2、3极分别为A.NPN型硅管,E、C、B B.NPN型硅管,B、C、EC.PNP型硅管,E、C、B D.PNP型硅管,B、C、E66.XD7型低频信号发生器面板上用来选择输出信号频率范围的调节旋钮是A.频率旋钮B.波段旋钮C.阻抗衰减旋钮D.电压调节旋钮第 3 页共6 页67.关于示波器的说法正确的是A.顺时针转动“辉度旋钮”,辉度变亮;反之减弱直至消失B.第二阳极与第一阳极、控制栅极相比处于正电位,可实现辉度调节C.控制栅极是顶端有孔的圆筒,套装在阴极之外,其电位比阴极电位高D.“扩展拉×10”按下时X轴扫描速度扩大10倍68.在输入信号频率较高时实现双踪显示应选择的显示方式A.断续B.YA+YB C.YA或YB D.交替69.某一正弦交流电压在示波器上所显示的波形峰峰值为4div,此时示波器的输入灵敏度开关置于0.5V/div,被测信号经探极10∶1接入,则该交流电的有效值为A.10V B.7.07V C.14.14V D.0.2V70.2DW47是A.P型锗材料稳压二极管B.N型锗材料稳压二极管C.N型锗材料普通二极管D.P型硅材料稳压二极管71.如图6所示晶体管测试电路中,合上开关S1、S2后,电压表读数为1.5V,毫安表没有指示,可能是下面原因的那一种A.集电极内部开路B.发射极内部开路C.B、E间已击穿D.发射结已击穿72.测得晶体管电路三个电位如图7所示,其中二极管、三极管均为硅管,则晶体管的工作状态为A.饱和B.放大C.截止D.无法确定73.3AX31是三极管A.NPN型锗材料、高频小功率B.NPN型锗材料、低频小功率C.PNP型锗材料、低频小功率D.PNP型硅材料、低频小功率74.实践中判断三极管是否饱和、截止,最简单可靠的方法是测量A.I B B.I C C.U BE D.U CE 75.关于穿透电流I CEO,下列说法正确的是A.I CEO是指发射极开路时,集电极和基极之间的反向电流B.I CEO越小,管子性能越稳定C.硅管穿透电流比锗管大,因此硅管比锗管稳定性差D.I CEO随温度的升高而减小76.晶闸管作为变流技术理想的可控开关元件,原因之一是其导通后的管压降很小,一般在A.0.7V以下B.0.4V以下C.1V以下D.0.3V以下77.关于普通晶闸管和普通二极管的不同,说法正确的是A.晶闸管具有单向可控导电性,二极管不具备B.二极管有一个PN结,晶闸管有三个PN结C.二极管有阳极、阴极两个电极,晶闸管有阳极、阴极和控制极D.以上三种说法都正确78.如图8所示,S1、S2闭合时,白炽灯正常发光;当S2断开时,白炽灯将A.变亮B.亮度不变C.变暗D.熄灭79.用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用挡A.R×1 B.R×10 C.R×100或R×1k D.R×10k80.由于晶闸管的过载能力有限,在选用时至少要考虑倍的电流裕量A.1――2 B.1.5――2 C.1.8――2.5 D.3――3.581.选取普通晶闸管额定电压的依据是A.正向重复峰值电压B.反向重复峰值电压C.正向重复峰值电压和反向重复峰值电压二者中较小者D.击穿电压82.在晶闸管标准散热和全导通时,允许通过的工频最大阳极电流为A.半波电流的峰值B.半波电流的平均值C.半波电流的有效值D.全波电流的平均值83.当晶闸管导通后,可以维持导通状态,是因为管子本身存在A.放大作用B.正反馈作用C.负反馈作用D.开关作用84.要使导通的普通晶闸管关断,必须使其阳极电流减小到低于A.额定电流B.擎住电流C.阳极电流D.维持电流85.在电路中,晶闸管承受的正反向峰值电压值为311V,为安全起见,晶闸管应选择A.KP20-3 B.KP400-4 C.KP700-3 D.KP20-7第 4 页共6 页卷Ⅱ(非选择题)二、分析题1.用示波器测量正弦电压如图所示,已知“t/div”置于“5ms/div”,X轴扩展(K=10),“V/div”置于“1.5V/div”,则被测电压的周期、振幅、峰-峰值、有效值分别为多少?2.用示波器观察到某负载电压、电流的波形如图所示,垂直偏转因数为2V/div,水平偏转因数为1ms/div,探头衰减倍数为10∶1,请说明该电压的峰值、周期、该负载的性质。

半导体器件习题及答案

半导体器件习题及答案

半导体器件习题及答案(总14页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--1第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。

( )2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。

( )3、在N 型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。

( )4、P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( )5、N 型半导体的多数载流子是电子,所以它带负电。

( )6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。

( )7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。

( )8、施主杂质成为离子后是正离子。

( )9、受主杂质成为离子后是负离子。

( )10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

( )11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

( )12、由于PN 结交界面两边存在电位差,所以,当把PN 结两端短路时就有电流流过。

( )13、PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( )14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,还可以描述二极管的反向击穿特性。

( )15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。

( )16、有人测得某晶体管的U BE =,I B =20μA ,因此推算出r be =U BE /I B =20μA=35kΩ。

( )17、有人测得晶体管在U BE =,I B =5μA ,因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =Ω。

( )18、有人测得当U BE =,I B =10μA 。

考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆-( )二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度(0K )时,本征半导体中_________ 载流子。

常用半导体器件及应用单元测验(附答案)

常用半导体器件及应用单元测验(附答案)

8 B
9 A
10 C
1.半导体中传导电流的载流子是( ) 。 A.电子 B.空穴 C.自由电子和空穴 D.杂质离子 2.P 型半导体中的多数载流子是( ) A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 3.晶体二极管正极电位是-8V,负极电位是-3V,则二极管处于( ) 。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上答案都不对 4.共射极放大器的输入信号加在三极管的( )之间。 A.基极和射极 B.基极和集极 C.射极和集极 D.电源和基极 5.在共射极放大电路中,输出电压与输入电压的关系是( ) 。 A.相位相同,幅度增大 B.相位相反,幅度增大 C.相位相同,幅度近似相等 D.幅度增大 6.晶体三极管发射结正偏,集电结正偏时,处于( )状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.微导通 7.三极管处于放大状态时,其电流分配关系为( ) 。 A. I E I B I C B. I C I B C. I B I C I E D. I C I B I E 8.晶体三极管的穿透电流 ICEO 的大小体现了三极管的( ) A.工作状态 B.温度稳定性 C.放大能力 D.质量好坏 9.对于 NPN 型晶体三极管处于放大时各极电位的关系应满足( )。 A. VC VB VE B. VC VB VE C. VC VE VB D. VC VE VB 10.已知某三极管的极限参数分别为 ICM=600mA,PCM=2W,V(BR)CEO=20V,以下哪个工作状态, 三极管能正常工作?( ) A.IC=500mA,VCE=25V B.IC=800mA,VCE=10V C.IC=30mA,VCE=15V D.IC=200mA,VCE=12V
L 解: (1)V2=0.45 =
V
IL R L 0.45

2章常用半导体器件及应用题解

2章常用半导体器件及应用题解

第二章常用半导体器件及应用一、习题2.1填空1.半导材料有三个特性,它们是 ________ 、______ 、 ______ 。

2.在本征半导体中加入 _____ 元素可形成N型半导体,加入 _________ 元素可形成P型半导体。

3.二极管的主要特性是 ______________ 。

4•在常温下,硅二极管的门限电压约为_______ V,导通后的正向压降约为—V ;锗二极管的门限电压约为_____ V,导通后的正向压降约为_V。

5•在常温下,发光二极管的正向导通电压约为__________ V,考虑发光二极管的发光亮度和寿命,其工作电流一般控制在 _________ mA。

6.晶体管(BJT)是一种______ 控制器件;场效应管是一种_________ 控制器件。

7.晶体管按结构分有 _______ 和 ____ 两种类型。

8.晶体管按材料分有 ______ 和 ____ 两种类型。

9.NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的__________ 不同。

10.晶体管实现放大作用的外部条件是发射结—、集电结—。

11.从晶体管的输出特性曲线来看,它的三个工作区域分别是_________ 、_____ 、____ 。

12.晶体管放大电路有三种组态________ 、________ 、 ______ 。

13.有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A 的输入电阻______ 。

14. ______________________________ 三极管的交流等效输入电阻随变化。

15. ______________________________ 共集电极放大电路的输入电阻很,输出电阻很___________________________________________ 。

16.射极跟随器的三个主要特点是.、、。

(完整版)常用半导体元件习题及答案

(完整版)常用半导体元件习题及答案

第5章常用半导体元件习题5。

1晶体二极管一、填空题:1.半导体材料的导电能力介于和之间,二极管是将封装起来,并分别引出和两个极。

2.二极管按半导体材料可分为和 ,按内部结构可分为_和,按用途分类有、、四种。

3.二极管有、、、四种状态,PN结具有性,即。

4.用万用表(R×1K档)测量二极管正向电阻时,指针偏转角度,测量反向电阻时,指针偏转角度。

5.使用二极管时,主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。

6.二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。

7.硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为 V;硅二极管的死区电压约为V,锗二极管的死区电压约为 V。

8.当加到二极管上反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为现象。

9.利用万用表测量二极管PN结的电阻值,可以大致判别二极管的、和PN结的材料。

二、选择题:1。

硅管和锗管正常工作时,两端的电压几乎恒定,分别分为( ).A。

0。

2-0.3V 0。

6—0.7V B. 0.2—0.7V 0.3-0。

6VC.0.6-0。

7V 0.2-0.3V D。

0。

1—0.2V 0.6-0.7V的大小为( ).2。

判断右面两图中,UABA. 0。

6V 0.3V B。

0。

3V 0.6VC. 0.3V 0。

3V D。

0。

6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时,应将万用表欧姆档拨到( )Ω档.A。

1×10 B. 1×1000 C. 1×102或1×103 D。

1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大,说明( ) .A. 内部短路 B。

内部断路 C。

正常 D. 无法确定5。

当硅二极管加0。

3V正向电压时,该二极管相当于( ) 。

A. 很小电阻 B。

很大电阻 C。

短路 D。

开路6.二极管的正极电位是—20V,负极电位是-10V,则该二极管处于()。

A.反偏 B.正偏 C.不变D。

断路7.当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A.增大 B.减小 C.不变D。

半导体器件(附答案)

半导体器件(附答案)

第一章、半导体器件(附答案)一、选择题1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 ________A. 变窄 B 。

基本不变 C 。

变宽2.设二极管的端电压为 u ,则二极管的电流方程是 ________A 。

B. C.3.稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4.V U GS 0=时,能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管 C 。

耗尽型 MOS 管5.对PN 结增加反向电压时,参与导电的是 ________A 。

多数载流子 B. 少数载流子 C. 既有多数载流子又有少数载流子6.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少 C 。

不变7.用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大 C 。

第一次测量植比第二次小8.面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9.下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是: ____A. 2CZ11B. 2CP10 C 。

2CW11 D.2AP610.当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=.若其他参数不变,当温度上升到40℃,则D U 的大小将 ____A. 等于 0。

7V B 。

大于 0。

7V C 。

小于 0。

7V11.当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来,可组成的稳压值有 _____ A 。

两种 B. 三种 C 。

四种12.在图中,稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ,且工作在稳压状态,由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0V D 。

1V13.将一只稳压管和一只普通二极管串联后,可得到的稳压值是( )A 。

半导体材料检测考核试卷

半导体材料检测考核试卷
A.霍尔效应测试
B.四点探针测试
C. CV测试
D.光谱分析
5.半导体材料的光电特性包括以下哪些?()
A.光生伏特效应
B.光电导效应
C.量子效率
D.介电常数
6.以下哪些材料可以作为半导体器件的绝缘层?()
A.硅氧化物
B.硅氮化物
C.聚酰亚胺
D.金
7.下列哪些因素会影响PN结的正向电流?()
A.温度
B.掺杂浓度
C.热电子发射
D.磁阻效应
17.以下哪种技术常用于半导体材料的薄膜制备?()
A.磁控溅射
B.化学气相沉积
C.热蒸发
D.以上都是
18.下列哪种材料不适合用于高频、高速半导体器件?()
A.硅
B.砷化镓
C.硅锗合金
D.碳纳米管
19.以下哪种现象是半导体材料的光电导效应?()
A.光照条件下,电阻率降低
B.光照条件下,电阻率增大
4.讨论半导体材料在光电子器件中的应用,并举例说明半导体材料在光电子技术中的重要作用。
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. C
3. C
4. D
5. B
6. D
7. A
8. A
9. D
10. A
11. D
12. B
13. A
14. D
15. C
16. D
17. A
18. C
19. A
20. A
二、多选题
B.电流减小,电压增大
C.电流减小,电压降低
D.电流增大,电压增大
11.下列哪种材料具有最高的热导率?()
A.硅
B.锗
C.碳纳米管
D.金

习题解01

习题解01
(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值? 各为多少?
解:(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V 和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8 已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小 值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。试求图示电 路中电阻R的取值范围。 解:稳压管的最大稳定电流
1.21 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、 ②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流 区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、 增强型、耗尽型),并说明 ①、②、③与G、S、D 的对应关系。
解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管












1.22 已知场效应管的输出特性曲线如图,画出它在恒 流区的转移特性曲线。
(2)若UI=35V时负载开路, 则会出现什么现象?为什么?
解:(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则IZ=4mA<IZmin,
所以稳压管未击穿。故
UO
RL R RL
UI
3.33V
当UI=15V时, IZ>IZmin ,所以
UO=UZ=6V
同理,当UI=35V时,UO=UZ=6V。
UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定 电流IZmax=25mA
3
uo1 3
uo2
t
3
1.12 在温度20℃时某晶体管的ICBO=2μA,试问 温度是60℃时ICBO≈?
解:60℃时:
I CBO
I 5 CBO(T=20C)
32μA

半导体器件的有机半导体应用考核试卷

半导体器件的有机半导体应用考核试卷
18. ABCD
19. ABCD
20. ABCD
三、填空题
1.柔韧性制造成本低
2.有机发光二极管电致发光
3.给体材料受体材料
4.空穴导电性
5.掺杂交联
6.溶液加工真空蒸发
7.温度湿度
8.显示技术柔性电子
9.材料组成光谱范围
10.材料选择结构设计
四、判断题
1. √
2. √
3. ×
4. √
5. ×
6. ×
C.环境条件
D.所有以上选项
12.以下哪些材料可以作为有机太阳能电池的活性层?()
A.聚乙炔
B.聚噻吩
C.富勒烯
D.所有以上选项
13.有机发光二极管(OLED)的发光原理涉及到()
A.载流子的注入
B.载流子的传输
C.电致发光
D.所有以上选项
14.以下哪些技术可以用于有机半导体材料的表征?()
A.光谱分析
4. OFET原理:载流子传输。影响性能因素:材料导电性、源漏接触、结构设计。改进措施:优化分子结构、掺杂、混合材料。
半导体器件的有机半导体应用考核试卷
考生姓名:__________答题日期:__________得分:__________判卷人:__________
一、单项选择题(本题共20小题,每小题1分,共20分,在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)
1.有机半导体与无机半导体的主要区别是()
A.材料组成
五、主观题(本题共4小题,每题10分,共40分)
1机半导体材料及其应用。
2.描述有机发光二极管(OLED)的工作原理,并讨论影响OLED器件性能的几个关键因素。
3.有机太阳能电池的活性层通常由哪些类型的材料组成?请阐述这些材料在太阳能电池中的作用,并讨论提高有机太阳能电池效率的几种方法。

半导体器件基础习题答案(完美版)

半导体器件基础习题答案(完美版)
1062109053 杨旭一整理 (仅供参考) 5
半导体器件习题答案
片的电阻率较大?说明理由。 A:

1 , n型半导体 q n N D 1 , p型半导体 q p N A
两片晶片的掺杂浓度相同,而电子的迁移率大于空穴的迁移率,因此 p 型半导体即晶片 2 的电阻率较大。 Q: (e) 在室温下硅样品中测得电子的迁移率 cm2/V .s 。求电子的扩散系数。 A:
第二章 2.2 使用价键模型,形象而简要地说明半导体 (a) 失去原子 (b) 电子 (c) 空穴 (d) 施主 (e) 受主
2.3 Q: 使用能带模型,形象而简要地说明半导体: (a) 电子 (b) 空穴 (c) 施主
(d) 受主
(e) 温度趋向于 0 K 时,施主对多数载流子电子的冻结
(f) 温度趋向于 0 K 时,受主对多数载流子空穴的冻结 (g) 在不同能带上载流子的能量分布 (h) 本征半导体
说明:当材料内存在电场时,能带能量变成位置的函数,称为“能带弯曲” Q: (b) 电子的动能为零,即 K.E.=0 A: 说明:
Q: (c) 空穴的动能 K.E.=EG/4 A: 说明:
Q: (d) 光产生 A:
说明:从外部输入的光被吸收,电子被激发后,直接从价带进入导带 Q: (e) 直接热产生
1062109053 杨旭一整理 (仅供参考)
* m* p 2 m p ( Ev E )
g v ( E )[1 f ( E )] ( Ev E ) e
1/ 2

2
3
e ( E EF ) / kT
( E E F ) / kT
...
* m* p 2m p
d g c ( E ) f ( E ) dE e ( E EF ) / kT ( Ev E )1/ 2 e ( E EF ) / kT 1/ 2 2( Ev E ) kT 0 EE

半导体器件电路设计与应用考核试卷

半导体器件电路设计与应用考核试卷
A.减小器件尺寸
B.增加驱动电流
C.使用高介电常数材料
D.降低器件温度
14.以下哪些情况下二极管正向电流会增大:( )
A.温度升高
B.二极管尺寸增大
C.正向电压增加
D.反向偏压增加
15.在模拟开关中,以下哪些因素会影响开关的导通与截止:( )
A.控制电压
B.开关管的阈值电压
C.负载电流
D.电源电压
16.以下哪些是场效应晶体管的特点:( )
A.导通损耗
B.开关损耗
C.线路损耗
D.热损耗
11.在设计放大器时,以下哪些因素需要考虑:( )
A.频带宽度
B.电压增益
C.输入阻抗
D.输出阻抗
12.以下哪些存储器属于易失性存储器:( )
A. DRAM
B. SRAM
C. EEPROM
D. FLASH
13.以下哪些技术可以用于提高半导体器件的开关速度:( )
2. NPN型三极管的发射极掺杂浓度高于集电极。( )
3.二极管的正向压降随温度升高而降低。( )
4.在共基极放大电路中,电压增益小于1。( )
5. MOSFET的输入阻抗与温度无关。( )
6.逻辑门电路的输出只能是高电平或低电平。( )
7.功率电子器件在开关过程中不需要考虑电磁干扰。( )
8. EEPROM存储器可以在不加电的情况下长期保存数据。( )
17. __________
18. __________
19. __________
20. __________
三、填空题(本题共10小题,每小题2分,共20分,请将正确答案填到题目空白处)
1.在N型半导体中,主要的载流子是_______。
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项目六常用半导体器件及应用
班级姓名成绩
一、填空题:(35分)
1.制作半导体器件时,使用最多的半导体材料是硅和锗。

2.根据载流子数目的不同,可以将半导体分为本征半导体、P型半导体和N型半导体三种。

3.PN结的单向导电性是指:加正向电压导通,加反向电压截止。

PN结正偏是指P区接电源正极,N区接电源负极。

4.半导体二极管由一个PN结构成,它具有单向导电特性。

5.硅二极管的门坎电压是0.5V,正向导通压降是0.7V;锗二极管的门坎电压是0.2V,正向导通压降是0.3V。

6.半导体稳压二极管都是硅材料制成的。

它工作在反向击穿状态时,才呈现稳压状态。

7.晶体三极管是由三层半导体、两个PN结构成的一种半导体器件,两个PN 结分别为发射结和集电结;对应的三个极分别是发射极e、基极b、集电极c。

8.半导体三极管中,PNP的符号是,NPN的符号是。

9.若晶体三极管集电极输出电流I C=9 mA,该管的电流放大系数为β=50,
则其输入电流I B=_0.18_mA。

10.三极管具有电流放大作用的实际是:利用基极电流实现对集电极电流的控制。

因此三极管是电流控制型器件。

11.三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即_放大_区,__饱和_区和_截止_区。

12.放大电路静态工作点随温度变化而变化,分压式偏置电路可较好解决此问题。

13.对于一个晶体管放大器来说,一般希望其输入电阻要大些,以减轻信号源的负担,提高抗干扰能力;输出电阻要小些,以增大带动负载的能力。

二、判断题:(10分,将答案填在下面的表格内)
题号12345678910答案××√××√√×√×
1.P型半导体带正电,N型半导体带负电。

()
2.半导体器件一经击穿便即失效,因为击穿是不可逆的。

()
3.桥式整流电路中,若有一只二极管开路,则输出电压为原先的一半。

()
4.用两个PN结就能构成三极管,它就具有放大作用。

()
5.β越大的三极管,放大电流的能力越强,管子的性能越好。

6.三极管和二极管都是非线性器件。

()
7.三极管每一个基极电流都有一条输出特性曲线与之对应。

()
8.放大器的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响。

( )
9.放大器的输出信号与输入信号反相。

( )
10.放大器常采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入阻抗。

( ) 三、单项选择题:(10分,将答案填在下面的表格内)
题号1234567
8910答案C B B A B B A B A C
1.半导体中传导电流的载流子是( )。

A.电子 B.空穴 C.自由电子和空穴 D.杂质离子
2.P 型半导体中的多数载流子是( )A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
3.晶体二极管正极电位是-8V ,负极电位是-3V ,则二极管处于( )。

A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上答案都不对
4.共射极放大器的输入信号加在三极管的( )之间。

A.基极和射极 B.基极和集极 C.射极和集极 D.电源和基极
5.在共射极放大电路中,输出电压与输入电压的关系是( )。

A.相位相同,幅度增大 B.相位相反,幅度增大 C.相位相同,幅度近似相等 D.幅度增大
6.晶体三极管发射结正偏,集电结正偏时,处于( )状态。

A.放大 B.饱和 C.截止 D.微导通
7.三极管处于放大状态时,其电流分配关系为( )。

A. B. C. D.C B E I I I +=B C I I β=E C B I I I +=E B C I I I +=
8.晶体三极管的穿透电流I CEO 的大小体现了三极管的( )A.工作状态 B.温度稳定性 C.放大能力 D.质量好坏
9.对于NPN 型晶体三极管处于放大时各极电位的关系应满足( )。

A. B. C. D.E B C V V V >>E B C V V V <<B E C V V V >>B E C V V V <<10.已知某三极管的极限参数分别为I CM =600mA ,P CM =2W ,V (BR)CEO =20V ,以下哪个工作状态,三极管能正常工作?( )A.I C =500mA ,V CE =25V B.I C =800mA ,V CE =10V C.I C =30mA ,V CE =15V D.I C =200mA ,V CE =12V
四、问答题:(25分)
1.如何判定二极管的好坏?(3分)
万用表选择R*100或R*1K 挡,红黑表笔分别接二极管两管脚测量一次,交换表笔再测量一次。

若两次测得的阻值为一大一小,则质量较好;若两次测得的阻值均为∞,则管子内部断路;若两次测得的阻值均为0,则管子内部短路;若两次测得的阻值相差不大,则质量不好。

2. 当开关闭合后,如图(a )、(b )所示,分别判断二极管和灯的状态。

(2分)
二极管导通二极管截止(填“导通”或“截止”)
指示灯亮指示灯不亮(填“亮”或“不亮”)
3.判断下列三极管的工作状态。

(6分)
放大截止放大
截止饱和饱和
4.该晶体三极管处于放大状态,分析判断管脚名称、所用材料及管型。

(5分)
①:c 硅材料
②:b NPN型
③:e
5.测得三极管各极电流如图,判断①、②、③管脚名称、管型及它的放大系
数(5分)
①:c
②:b PNP型
③:e
β=I C I B =1.980.02=99
6.若放大器的输出波形如下图所示,判断(a )、(b )分别是什么失真?该如何调整?(4分)
截止失真 R B 调小 饱和失真 R B 调大五、计算题:(20分)1.如图所示二极管半波整流电路,若负载R L =0.9KΩ,负载电流I L =10mA ,试求:
(1)电源变压器二次电压V 2;(2)整流二极管承受的最大反向电压V RM ;(3)流过二极管的平均电流I V 。

(6分)解:(1)V 2=V L 0.45=I L R L 0.45=0.9×100.45=20V
(2)V RM =2V 2=202=28.28V
(3)I V =I L =10mA 2.如图所示桥式全波整流电路,若输出电压V L =9V ,负载电流I L =1A ,试求:(1)电源变压器二次电压V 2;(2)整流二极管承受的最大反向电压V RM ;(3)流过二极管的平均电流I V 。

(6分)
解:(1)V 2=V L 0.9=90.9=10V (2)V RM =2V 2=102=14.14V (3)I V =I L =0.5A 12
3.在下面图示放大电路中,已知,50=β,,,,。

回答问题:Ω=k R b 300Ω=K R C 3Ω=K R L 3V Vcc 15=V V BEQ 7.0=(1)画出直流通路,求Q 点;(2)画出交流通路,求电压放大倍数A V 、输
入电阻r i 、输出电阻r o 。

(8分)
解:(1)I BQ =V CC ‒V BEQ R B =15‒0.7300=0.0477mA I CQ =βI BQ =50×0.0477=2.385mA V CEQ =V CC ‒I CQ R C =15‒2.385×3=7.845V (2)r be =300+(1+β)26(mV )I E (mA )=0.85kΩr i = r be =0.85kΩr o =Ω=K R C 3=R 'L R C //R L =1.5KΩA V =‒βR 'L
r be =‒88.2。

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