常用半导体器件及应用
常见半导体
常见半导体
半导体材料是当今科技文明发展的基石,在各个领域的应用中发挥着至关重要的作用。
由于学习成本的降低,各种半导体材料被广泛应用在各种电子元器件中,如电路、晶体管、敏感器件等。
本文将简要介绍半导体材料中最常用的几种,诸如碳、硅、氮化硅和氮化镓等,以及它们的特点、用途和应用。
碳
碳是一种半导体材料,几乎每个电子元器件中都有它的应用,它具有优越的特性,如易于加工,导电性良好,可简便地制造出不同形状的零件等等。
由于它的这些优越的特性,很多电子设备的零件都是由碳材料制成的,比如风扇、电池管、变压器、电视机和微处理器等等。
硅
硅是另一种常见的半导体材料,它具有高硬度,可以耐受比较高的温度,以及可以较容易地被刻录出来的特点。
因此,硅也可以用于制作各类电子元器件,比如晶体管、半导体探测器、激光器、热敏元件等。
氮化硅
氮化硅是由硅和氮组成的半导体材料,它具有优良的热稳定性和热导率,并且具有电子载流子移动率较高的性质。
因此,在微波及高频电子设备中,氮化硅常被用作半导体器件,如微波调制器、无线电台、收发器等。
氮化镓
氮化镓是由氮和镓组成的半导体材料,具有优良的电绝缘性,具有抗热强度和化学稳定性,在高温下仍然能够保持其绝缘性能。
因此,氮化镓经常被用在电力电子技术、传感技术、电力电子设备和科学研究等领域中。
综上所述,碳、硅、氮化硅和氮化镓都是半导体材料中最常见的几种,它们分别具有各自的特点和用途,并且在各个行业中都发挥着重要的作用。
因此,了解半导体材料的性质,能够更好地掌握电子技术的实际应用。
半导体器件及其应用
RL
图1.1.9
设u2= U2 2 sinωtV,
在u2的正半周内,二极管VD正偏导通,此时有电流经过二极管流 过负载,忽略二极管上压降,负载上输出电压uO=u2,输出波形与 u2相同。
在u2负半周内,二极管VD承受反向电压,此时二极管截止, 负载 上无电流流过,输出电压uO=0,此时u2电压全部加在二极管VD上。
反向饱和电流
硅管的反向饱和电流为1微安以下
锗管的反向饱和电流为几十到几百微安
反向击穿电压。
-U(BR)
- 30 IR
发生反向击穿后,
C
造成二极管的永久性损坏,
C′
iV / m A 锗
15 B′
B
10
5
O A′
A
0.2 0.4 0.6 0.8
-5
硅
uV / V
失去单向导电性。
(A)
D D′
1.2.3 温度对二极管特性的影响
当ui>Us1时,VD1处于正向偏置而导通,使输出电压保持在Us1。。
当ui<-Us2时, VD2处于正向偏置而导通,输出电压保持在-Us2。由于输出电压uo被 限制在+Us1与-Us2之间,即|uo|≤5V, 好像将输入信号的高峰和低谷部分削掉一样, 因 此这种电路又称为削波电路。 输入、 输出波形如图1.1.6(b)所示。
五、用汉语拼音字母表示规格号,反映了管子承受反向击穿电压的程 度。如A、B、D….其中A承受反向击穿电压最低,B次之….
例 1.1在图1.1.6中,已知稳压二极管的UVDZ=6.3V, 当 UI=±20V,R=1kΩ时,求UO。已知稳压二极管的正向导通 压降UF=0.7 V。
常用半导体器件原理
高压能力
IGBT可承受高压,适用于高 压应用,如电动汽车和工业 电机控制。
高开关速度
IGBT具有较快的开关速度, 可实现高频率的开关操作。
低饱和压降
由于其低饱和压降,IGBT能 够在低功耗状态下工作。
光电子器件的工作原理和应用
光电子器件将光能转换为电能或通过光控制电流。它们在通信技术、太阳能电池和光传感器等领域发挥 着重要作用。
需要负电压来控制MOSFET的导通,其导通电阻较高。
3
应用领域
从CPU到手机,各种电子设备都离不开MOSFET的快速开关特性。
JFET的工作原理和应用
JFET是一种具有电压控制的场效应管。它基于电场控制电荷分布,实现信号放大和调制功能。JFET广 泛应用于放大电路和高频应用中。
1 结构简单
JFET由一个N型或P型 半导体材料形成,具有 简单可靠的箭头指向的方向代 表电流流动的方向。
整流二极管
整流二极管将交流电转换为直流电。它在电力系 统和电源供应中使用广泛。
三极管的工作原理和分类
三极管是一种三端口的半导体器件。它可以放大电流和电压,是许多电子设备的核心部件。常见的三极 管有NPN型和PNP型。
NPN型
基极与发射极之间的电流决定了集电极电流的放大倍数。
PNP型
NPN型的相反极性。它可以用于特定的电路设计和应用需求。
MOSFET的工作原理和应用
MOSFET是一种重要的场效应管。它通过改变栅电压来控制漏电流,实现开关和放大功能。MOSFET 广泛用于微处理器和功率电子设备。
1
增强型MOSFET
通过提供正向电压来激活MOSFET,其导通电阻较低。
2
耗尽型MOSFET
化合物半导体
常用半导体器件及应用
1.1操作系统的概念
输入设备(input device)是人或外部与计 算机进行交互的一种装置,用于把原始数 据和处理这些数据的程序输入计算机中。 现在的计算机能够接收各种各样的数据, 既可以是数值型的数据,也可以是各种非 数值型的数据,如图形、图像、声音等都 可以通过不同类型的输入设备输入计算机 中,进行存储、处理和输出。
第8章 常用半导体器件及应用
8.1 半导体二极管 8.2 稳压二极管 8.3 发光二极管 8.4 二极管的应用举例(半波整流) 8.5 晶体三极管 8.6 三极管的应用举例
8.1 半导体二极管
8. 1. 1半导体基础知识
1.本征半导体 自然界的物质按其导电性能分为导体、绝缘体和半导体。半
1.1操作系统的概念
1.1.1 计算机系统
计算机系统就是按照人的要求接收和存储 信息,自动进行数据处理和计算,并输出 结果信息的机器系统。它是一个相当复杂 的系统,即使是目前非常普及的个人计算 机也是如此。计算机系统拥有丰富的硬件、 软件资源,操作系统要对这些资源进行管 理。一个计算机系统由硬件(子)系统和 软件(子)系统组成。其中,硬件系统是 借助电、磁、光、机械等原理构成的各种 物理部件的有机结合,它构成了系统下本一页身返回
1.1操作系统的概念
1.计算机硬件简介
操作系统管理和控制计算机系统中的所有 软硬件资源。由计算机系统的层次结构可 以看出,操作系统是一个运行在硬件之上 的系统软件,因此有必要对运行操作系统 的硬件环境有所了解。
计算机硬件是指计算机系统中由电子、机 械和光电元件等组成的各种物理装置的总 称。这些物理装置按系统结构的要求构成 一个有机整体,为计算机软件运行提供物 质基础。简而言之,计算机硬上件一的页 功下能一页是返回
半导体器件的基本概念和应用有哪些
半导体器件的基本概念和应用有哪些一、半导体器件的基本概念1.半导体的定义:半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,常见的有硅、锗、砷化镓等。
2.半导体的导电原理:半导体中的载流子(电子和空穴)在外界条件(如温度、光照、杂质)的影响下,其浓度和移动性会发生变化,从而改变半导体的导电性能。
3.半导体器件的分类:根据半导体器件的工作原理和用途,可分为二极管、三极管、晶闸管、场效应晶体管等。
二、半导体器件的应用1.二极管:用于整流、调制、稳压、开关等电路,如电源整流器、数字逻辑电路、光敏器件等。
2.三极管:作为放大器和开关使用,如音频放大器、数字电路中的逻辑门等。
3.晶闸管:用于可控整流、交流调速、电路控制等,如电力电子设备、灯光调节等。
4.场效应晶体管:主要作为放大器和开关使用,如场效应晶体管放大器、数字逻辑电路等。
5.集成电路:由多个半导体器件组成的微型电子器件,用于实现复杂的电子电路功能,如微处理器、存储器、传感器等。
6.光电器件:利用半导体材料的光电效应,实现光信号与电信号的转换,如太阳能电池、光敏电阻等。
7.半导体存储器:用于存储信息,如随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)等。
8.半导体传感器:将各种物理量(如温度、压力、光照等)转换为电信号,用于检测和控制,如温度传感器、光敏传感器等。
9.半导体通信器件:用于实现无线通信功能,如晶体振荡器、射频放大器等。
10.半导体器件在计算机、通信、家电、工业控制等领域的应用:计算机中的微处理器、内存、显卡等;通信设备中的射频放大器、滤波器等;家电中的集成电路、传感器等;工业控制中的电路控制器、传感器等。
以上就是关于半导体器件的基本概念和应用的详细介绍,希望对您有所帮助。
习题及方法:1.习题:请简述半导体的导电原理。
方法:半导体中的载流子(电子和空穴)在外界条件(如温度、光照、杂质)的影响下,其浓度和移动性会发生变化,从而改变半导体的导电性能。
半导体常用器件及应用
半导体常用器件及应用半导体器件是一种能够在电子器件中控制电子流动的材料。
半导体器件通常使用的材料是半导体材料,如硅、锗等。
半导体器件具有控制电流的能力,可根据电流的变化来控制电子的行为,从而实现各种电子功能。
下面将介绍一些常用的半导体器件及其应用。
1. 二极管二极管是最简单的半导体器件之一,具有两个电极,即P型半导体和N型半导体。
它具有允许电流在一个方向上流动,而在另一个方向上阻止电流流动的特性。
二极管的主要应用包括整流器,用于将交流电转换为直流电,还可用于电压稳定器、电源等。
2. 晶体管晶体管是一种可以放大和开关电信号的半导体器件。
它由三个层次的半导体材料组成,分别是基极、射极和集电极。
晶体管的操作基于两种类型的电信号:输入信号和控制信号。
它广泛应用于放大器、开关、计算机存储器、微处理器等。
3. MOSFETMOSFET(金氧半场效应晶体管)是一种常见的半导体器件,用于放大或开关电信号。
它由四个区域构成,包括漏极、源极、栅极和绝缘层。
MOSFET的主要应用包括放大器、开关、电源开关等。
4. SCR(可控硅)可控硅是一种具有触发控制能力的半导体器件,可以在接通状态下保持导通状态,只有在触发条件满足时才能断开。
SCR主要应用于电力控制中,如温度控制、电炉、电焊机等。
5. LED(发光二极管)LED是一种能够将电能转换为光能的半导体器件。
当电流通过LED时,它会发射出可见光。
由于其高效能和长寿命的特性,LED广泛应用于照明、指示灯、电子设备显示等。
6. 激光二极管激光二极管是一种半导体器件,当电流通过它时,会发射出激光光束。
激光二极管具有小尺寸、低成本和高效能的特点,被广泛应用于光通信、激光打印、激光扫描等。
7. CCD(电荷耦合器件)CCD是一种半导体器件,用于将光能转换为电荷,并通过逐行读取电荷来捕捉图像。
CCD广泛应用于数码相机、摄像机、光谱仪等图像传感器领域。
8. 太阳能电池太阳能电池是一种能够将太阳能转化为电能的半导体器件。
半导体材料及器件的研究与应用
半导体材料及器件的研究与应用半导体是一种能在某些条件下导电的材料,因此在现代电子技术中得到了广泛应用。
随着时代的发展,半导体的材料和器件设计也不断更新迭代,使电子设备越来越小型化,效率越来越高。
本文将介绍半导体材料及器件的一些研究和应用方面。
一、半导体材料的种类半导体材料的常见种类有硅、锗、砷化镓(GaAs)、硒化铟(In2Se3)等。
其中,硅是最为广泛应用的半导体材料之一,因为它的电学性能稳定,并且在制造过程中比较容易控制。
二、半导体器件的种类半导体器件常用的有三极管、场效应管(FET)、整流器、变压器等。
其中,三极管是电子学中最重要的器件之一,它可以用于信号放大、开关、振荡等许多领域。
FET则用于放大和控制电流等方面。
三、半导体材料和器件的研究在半导体材料和器件的研究中,半导体材料的制备和器件的设计优化是两个不可分割的方面。
半导体材料的制备:制备高质量的半导体材料是半导体器件研究的关键。
常用的制备方法包括化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)等。
器件的设计优化:器件的设计优化是半导体器件研究中的另一个关键方面。
通过对器件结构的优化,可以提高器件的性能和稳定性,缩小器件体积,降低器件能耗等。
四、半导体材料和器件的应用半导体材料和器件在现代电子技术中得到了广泛应用。
其中,光电子器件、可穿戴设备、人工智能等领域应用的增长尤为迅速。
光电子器件:光电子器件是指将光电效应与半导体器件相结合的器件。
这些器件包括太阳能电池、光电二极管、激光二极管、LED等,目前已广泛应用于太阳能光伏、通信、信息显示等领域。
可穿戴设备:半导体材料和器件在可穿戴设备中的应用具有重要的意义。
通过半导体技术的应用,可穿戴设备可以在小体积的情况下实现多功能操作,比如智能手表、运动手环等。
这些设备有助于使用者进行健康数据跟踪、音乐播放、通话和浏览网页等多种操作。
人工智能:人工智能(AI)是目前各行业最热门的研究领域之一。
半导体材料和器件在人工智能领域的应用也越来越广泛,比如GPU(图形处理器)等半导体器件就是一种为AI应用量身定制的处理器。
半导体基本器件及应用电路
半导体基本器件及应用电路1. 引言半导体基本器件是现代电子技术的基石,广泛应用于各个领域的电路设计中。
本文将介绍一些常见的半导体基本器件及其在电路中的应用。
2. 二极管二极管是一种具有两个电极的半导体器件,通常由PN结构组成。
它具有单向导电性,当施加正向电压时,电流可以流过二极管;而当施加反向电压时,电流几乎不会通过二极管。
2.1 理论原理二极管的导电特性可以通过PN结构的电子云移动来解释。
当施加正向电压时,P区的空穴趋向于向N区移动,而N区的电子趋向于向P区移动。
因此,在PN结处形成一个空穴和电子云的复合区域,称为耗尽区。
2.2 应用示例二极管广泛应用于电路中的整流器、电压稳定器和开关等电路中。
在整流器中,二极管可以将交流信号转换为直流信号;在电压稳定器中,二极管可以使输出电压稳定在一个恒定的值;在开关电路中,二极管可以用作开启或关闭电路的开关。
3. 三极管三极管是一种具有三个电极的半导体器件,通常由两个PN结构组成。
它可以放大电流和信号,并在电路中起到放大和开关作用。
3.1 理论原理三极管的原理可以通过PNP或NPN三层结构的电子云移动来解释。
当施加正向电压时,电子从PN结中的N区向P区移动,从而导致电流流动;而当施加反向电压时,电子从N区向P区移动,导致电流几乎不流动。
3.2 应用示例三极管在放大器和开关电路中得到了广泛应用。
在放大器电路中,三极管可以放大小信号输入,并将其输出为大信号;在开关电路中,三极管可以打开或关闭电路。
4. MOSFETMOSFET是一种金属氧化物半导体场效应管,是现代电子技术中最常见的半导体器件之一。
它具有高输入阻抗、低功耗和高速开关特性。
4.1 理论原理MOSFET是由一个PN结和一个金属-氧化物-半导体结构组成。
在接通时,当正向电压施加至栅极和源极之间时,形成一个电子通道,导致电流流动。
在截止时,电子通道被切断,电流不再流动。
4.2 应用示例MOSFET在集成电路和功率电子设备中得到了广泛应用。
半导体器件及应用
(2)无标记的二极管,可通过万用表来判断正负极。 正负极的确定是利用了二极管正向电阻小、反向电阻大的 特点。将万用表拨到R×1k档,用表笔分别接触二极管的 两极,测出两个电阻值。在所测得阻值较小的一次,与
第5章 半导体器件及应用
5.1 半导体基础知识
5.2 二极管
5.3 三极管 5.4 三极管基本放大电路 5.5 其他半导体器件 5.6 集成运算放大器
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第5章 半导体器件及应用
本章要求:
理解半导体的导电特性,PN结的概念及特性; 掌握二极管的单向导电性、检测方法及在汽车电子电 路中的典型应用; 掌握三极管的伏安特性及管脚的识别,了解其构成的 各类放大电路的特点及在汽车中的应用;
P
IR
内电场 外电场
N
–
+
PN 结处于截止状态。 PN结正向导通、反向截止的特性称为其单向导电性
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3. PN结的结电容
PN结的结构类似平板电容器 结电容数值很小,在低频电路中,相当于开路,不用考虑 其影响,但在高频电路中,容抗很小,对PN结的电流有影 响,必须加以考虑。 PN结 N 型半导体 P 型半导体
目测法1管型的判别48三极管型号命名方法gb24989第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用阿拉伯数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别用阿拉伯数字表示序号用汉语拼音字母表示规符号意义符号意义pnp型锗材料npn型锗材料pnp型硅材料npn型硅材料化合物低频小功率管高频小功率管低频大功率管高频大功率管晶闸管光电管开关管场效应管如
常见功率半导体器件及其主要特点
常见功率半导体器件及其主要特点一、概述功率半导体器件是现代电子电气设备中不可或缺的组成部分,它承担着电能的调节、放大和转换任务。
在众多功率半导体器件中,普遍应用的包括晶闸管、场效应管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、功率二极管等。
这些器件各自具有不同的特点和应用范围,下文将对其进行详细介绍。
二、晶闸管晶闸管是最早出现的功率半导体器件之一,其主要特点包括:1. 器件结构简单,工作可靠。
2. 具有单向导电性。
3. 具有双向触发能力。
4. 适用于高压、大电流场合。
5. 效率高、损耗小。
晶闸管广泛应用于直流调速、大功率变频器、交流电能控制等领域。
三、场效应管场效应管又称为MOSFET,其主要特点包括:1. 体积小、重量轻。
2. 导通电阻小、功率损耗小。
3. 开关速度快、可靠性高。
4. 控制电路简单、使用方便。
场效应管广泛应用于开关电源、电力电子设备、汽车电子系统等领域。
四、绝缘栅双极晶体管(IGBT)IGBT是由绝缘栅双极晶体管和场效应管结合而成的器件,其主要特点包括:1. 具有MOSFET的输入特性和GTR的输出特性。
2. 导通压降低、导通电阻小。
3. 具有高开关速度。
4. 具有大功率、高频率的特点。
IGBT广泛应用于变频调速、逆变器、电动汽车驱动等领域。
五、功率二极管功率二极管是一种常见的半导体器件,其主要特点包括:1. 低开启电压、低通态电压降。
2. 热稳定性好、动态特性好。
3. 寿命长、可靠性高。
4. 具有快速恢复特性。
功率二极管广泛应用于整流器、逆变器、交流稳压电源等领域。
六、结语功率半导体器件在现代工业生产和生活中发挥着重要作用,不同的器件具有不同的特点和应用范围,能够满足各种电能调节、转换的需求。
随着科技的不断发展,功率半导体器件的性能和应用范围将会不断扩大,为人类创造更加便利和高效的生活和工作环境。
七、功率半导体器件的发展趋势随着现代电子技术的发展和能源的需求不断增长,功率半导体器件的应用也愈发广泛。
几种常用的功率器件(电力半导体)及其应用
常用的功率开关器件及其应用
1
晶闸管
晶闸管是一种常见的功率开关器件,
继电器
2
广泛应用于交流电路的控制和变流。
继电器是控制电流的常用设备,广泛
用于电力系OSFET
功率MOSFET是高效率功率转换的关 键,被广泛用于电力变换和驱动应用。
常用的整流器件及其应用
二极管
二极管是最简单的整流器件,用于将交流电转换为直流电,广泛应用于电源和电能质量控制。
纯正弦波逆变器能够产生高质 量的交流电,适用于对负载要 求严格的应用,如医疗设备和 精密仪器。
修正正弦波逆变器
修正正弦波逆变器是一种经济 实用的逆变器,广泛应用于家 庭电器和车载设备。
功率器件在电力系统中的应用
我们将深入了解功率器件在电力系统中的应用,包括电力传输、配电、控制 和保护等方面的功能。这些器件为电力系统的高效运行和稳定供电提供了关 键的支持。
桥式整流器
桥式整流器通过四个二极管的组合,提供更高效的整流功能,被广泛应用于电子设备和电动 机驱动。
IGBT
IGBT是一种高性能功率开关器件,常用于大功率应用,如工业驱动和逆变器。
常用的逆变器件及其应用
逆变器电路
逆变器是一种将直流电转换为 交流电的器件,广泛用于太阳 能发电和电动车等应用中。
纯正弦波逆变器
功率器件的选择要点
1
负载要求
根据负载特性选择适合的功率器件,如稳态和瞬态负载。
2
效率和损耗
考虑功率器件的效率和损耗,以提高系统的效能和能源利用率。
3
温度和散热
根据应用环境和功率需求,选择适当的散热方案,确保功率器件稳定工作。
总结和回顾
通过对几种常用的功率器件及其应用的介绍,我们深入了解了它们在电力系统中的重要性。正确选择和 使用功率器件,可以提高系统的效率,降低能源消耗,并确保可靠的电力供应。
模电助教版第1章常用半导体器件FE
半导体器件的频率特性
01
02
03
频率响应
描述半导体器件在不同频 率下的工作性能。
频率限制
由于半导体器件内部电子 和空穴的运动速度限制, 存在一个最高工作频率。
频率变换
通过改变半导体器件的结 构和材料,可以实现不同 频率下的工作。
半导体器件的噪声特性
噪声来源
主要包括热噪声、散粒噪 声和闪烁噪声等。
04伏安特性定义
描述半导体器件在工作状态下, 输入电压与输出电流之间的关系。
线性区与饱和区
在一定的工作电压范围内,半导体 器件的伏安特性呈现线性关系;超 过该范围,器件进入饱和区,电流 不再随电压增大而增大。
截止区与击穿区
当输入电压过低或过高时,半导体 器件处于截止区或击穿区,此时电 流极小或为零。
05
04
1970年代
超大规模集成电路技术的突破,使得 电子设备更加微型化和智能化。
02
半导体基础知识
半导体的定义与分类
总结词
半导体的定义与分类
详细描述
半导体的定义是具有导电性,但导电性介于导体和绝缘体之间的材料。根据导 电性能的不同,半导体可以分为n型和p型两种类型。
半导体材料特性
总结词
半导体材料特性
详细描述
半导体材料具有特殊的物理和化学性质,如高掺杂性、光电效应等。这些特性使 得半导体在电子、光电子、微电子等领域具有广泛的应用。
半导体物理基础
总结词
半导体物理基础
详细描述
半导体物理是研究半导体材料中电子状态和运动的学科,包括能带理论、载流子类型与浓度、迁移率等基本概念。 这些理论为理解半导体的性质和应用提供了基础。
三极管
总结词
常用半导体元器件及应用
IF P 区
外电场
N区 内电场
▪ PN结的单向导电性
外加反向电压
▪ 反偏截止,呈高阻状态,电流近似为零
IR P 区
N区 内电场 外电场
PN结具有单向导电性
正偏:在PN结上加正向 电压时,PN结电阻很 低,正向电流较大,P N结处于导通状态。
PN I大
反偏:加反向电压时,PN 结电阻很高,反向电流很小, PN结处于截止状态。
在 Izmin ~Izmax 范围内变化
2.发光二极管
发光二极管是一种光发射器件,能把电能直接转换成光 能的固体发光器件,它是由镓(Ga)、砷(As)、磷(P) 等化合物制成的,其图形符号如图5-6a所示。由这些材料构 成的PN结加上正偏电压时,PN结便以发光的形式来释放能 量。
发光二极管的种类按发光的颜色可分为红、橙、黄、绿 和红外光二极管等多种,按外形可分为方形、圆形等。图56b是发光二极管的外形,它的导通电压比普通二极管高。
图5-4 稳压二极管的图形符号与外形
稳压管的伏安特性曲线
I / mA
工作区域
UZ
UB
UA
UZ O
A
IA(IZmin)
IZ
IZ
B
IB(IZmax)
U/V
稳压管的应用
使用时,阴极接外加电压的正极,阳极接外加电压负极, 管子反向偏置,工作在反向击穿状态,利用它的反向击穿特性 稳定直流电压。
二极管在反向击穿状态下,流过管子的电流变化很大,而 两端电压变化很小,稳压管正是利用这一点实现稳压作用的。 稳压管工作时,必须接入限流电阻,才能使其流过的反向电流
2 .外形 图5-16 几种常见的晶体管的外形结构
1.晶体管的工作电压
项目1模块一:常用半导体元
[安全提示]接触电子线路板时请注意ESD ESD的意思是“静电释放”的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的缩写,静电是一种客观的自然现象,产生的方式多种,如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。人体自身的动作或与其他物体的接触,分离,摩擦或感应等因素,可以产生几千伏甚至上万伏的静电足以损害电子元器件。一个典型的静电值可表现为:如果能感觉到,至少3000V;如果能听到,至少5000V;如果能看到,至少10000V。 为阻止静电对电子元件的损害可按如下操作:1、电子元件放在保护性包装袋内 2、触摸电子元件时请带好能释放静电的静电环 3、不要用手直接接触元件端子
一块P型或N型半导体,虽具有较强的导电能力,但将它接入电路中只起电阻作用,不能成为半导体元件。如果将P型与N型半导体采取一定方法合成一体,在它们的交界面处产生一个特殊结构,即PN结,如图5-8所示。在外电场的作用下,交界处的电子从一个原子移动到另一个原子,N型材料中自由电子移动填充了P型半导体的空穴。由于空穴被电子所填充,没有被填充的空穴以与电子流动相反的方向移动。空穴移动的方向与电子移动的方向相反,这样形成了半导体定向导电,即单向导电性,空穴移动的概念被称为电流流动的空穴理论。PN结是制造半导体元器件的基本结构,其特性十分重要。
各种电子元器件的用途
各种电子元器件的用途电子元器件是构成电子电路的基本单位,广泛应用于各个领域,下面将介绍几种常见电子元器件的用途。
1. 电阻器:用于控制电流和电压的大小,限制电路中的电流流动。
常见的有定值电阻器和可调电阻器,可以用于分压、调节电流等。
2. 电容器:用于储存电荷和电能,是存储能量的元器件。
在电子电路中,电容器可以用来滤波、调节信号频率、存储数据等。
3. 电感器:用于储存磁能并抵抗电流变化的元器件。
电感器在电子电路中常用于滤波、变压、产生振荡等。
4. 二极管:具有单向导电特性的元器件,广泛应用于整流、开关、信号检测等电路中。
5. 三极管:是一种具有放大和开关功能的半导体器件,常用于放大信号和控制电流的电路中。
6. 可控硅:一种具有放大和控制功率的半导体器件,常用于电力电子和调速控制中。
7. 二极管光耦:利用光电二极管和光敏三极管的特性,把输入电信号转化为光信号,实现电隔离和信号传输。
8. 场效应管(FET):一种控制电荷通道的电子元器件,具有低输入电流和高输入阻抗的特性,常用于放大和开关电路中。
9. 继电器:一种将小电流控制大电流的元器件,常用于电力系统中的自动控制和电路保护。
10. 集成电路(IC):在一个芯片上集成了多个电子元器件,是现代电子设备的核心部件。
常见的集成电路有逻辑门、运算放大器、存储器、微处理器等。
11. 传感器:可将非电信号转换为电信号的装置,常用于测量、控制和监测系统中,如温度传感器、压力传感器、光传感器等。
12. 按钮开关:用于控制电路的通断,通过按下或松开按钮来改变电流的流通状态。
13. 变压器:通过电磁感应原理将输入电压变换为输出电压,常用于电力系统的电流变换和功率调节。
14. 发光二极管(LED):是一种半导体发光元件,具有小尺寸、低功耗和高亮度等特点,广泛应用于指示灯、显示屏、照明等领域。
15. 蜂鸣器:一种能够发出声音的元器件,常用于警报、提示和电子音乐装置等场合。
16. 电位器:用于调节电路的电压、电流或信号的大小,常常用于音量调节、亮度调节等。
第7章-半导体元件及其应用
2.光敏性:在无光照时电阻率很高,但一有光照电阻 率则显著下降。
利用这个特性可以制成光敏元件。 3.杂敏性:在纯净的半导体中加入杂质,导电能力猛
增几万倍至百万倍。
2019/11/2
广东海洋大学
主讲:张波
电工电子学
第七章 半导体元件及其应用
本征半导体:纯净的半导体
硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。在本征半导 体中有电子和空穴2种载流子,而金属导体中只有电子一种载流 子。
五个价电子,其中四个与相邻的半导体原子形成共价键,必
定多出一个电子,成为自由电子
因为掺杂浓度远 大于本征半导体 中载流子浓度, 所以,自由电子 浓度远大于空穴 浓度。自由电子 称为多数载流子 (多子),空穴 称为少数载流子 (少子)。 2019/11/2
广东海洋大学
杂质原子提供 的多余电子
杂质原子失去一个 电子成为正离子
发射结正偏,集电结反偏:放大模式(最常用)
发射结正偏,集电结正偏:饱和模式 (用于开关电路中)
发射结反偏,集电结反偏:截止模式
2019/11/2
广东海洋大学
主讲:张波
电工电子学
第七章 半导体元件及其应用
总结:在放大电路中三极管主要工作于放大状态,
即要求,发射结正偏(正偏压降近似等于其 PN结的导通压降),集电结反偏(反偏压降
电工电子学
第七章 半导体元件及其应用
2、PN结的单向导电性
2019/11/2
广东海洋大学
主讲:张波
电工电子学
第七章 半导体元件及其应用
PN 结加正向电压(正向偏置) : P 区接电压正极和 N 区接电压负极。
PN 结加反向电压(反向偏置): P 区接电压负极和N 区接电压正极。
几种常用的功率器件电力半导体及其应用
电力半导体是电力电子学中应用广泛的一种器件,用于电源的变换和控制。 本次讲解几种常见的功率器件的特点和应用
二极管
特点
只允许电流在一个方向上流动,具有单向性能,开关速 度快,体积小
应用
整流器、恒流源、保护等领域
普通开关管
特点
具有低电阻和高通断能力,能承受大电流和高压, 工作在低频率范围中
应用
开关电源、电机驱动等领域
可控硅
1
特点
具有单向导电性和可控导电性,可控硅驱动、电压控制、直流电源、光控开关等
3
应用
变流器、交流调压、交流电源、温度控制等领域
高压晶闸管
特点
工作在高压环境下,结构简单,导通损耗小,能承受大 电流
应用
电动机启动控制、加热调节、电炉控制等领域
未来发展
1 SiC和GaN功率器件市场快速增长
得益于其在各种新型应用中的技术进步与发展, 尤其是智能家居、5G、新能源等领域的需求增 多
2 功能集成和模块化呈现出重要的趋势
将复杂的功率电子系统集成在一个芯片或一个模 块中,实现了系统的紧凑和快速设计,并提高了 功率电子系统的可靠性和性能
功率MOS管
1 特点
2 应用
高速开关能力,负载能力强,只要控制电路输出 的电压达到一定的要求即可驱动
高频逆变、开关电源、逆变电焊、电机驱动等领 域
IGBT
特点
电压下降低,频率响应快,集成度高,可实现智能化 和模块化设计等
应用
新能源支架、风机变频、新风机、大功率照明等领域
GaN和SiC功率器件
1
SiC
2
具备高温、高电压、大电流、低电阻和低频 损耗等特点,广泛应用于高效电源和能源转
几种常用的功率器件(电力半导体)及其应用
目录
• 引言 • 几种常用功率器件介绍 • 电力半导体器件工作原理及特性 • 几种常用功率器件应用领域探讨 • 选型指南与使用注意事项 • 总结与展望
01
引言
背景与意义
功率器件是电力电子 技术的核心,广泛应 用于能源、交通、工 业等领域
功率器件的性能和可 靠性对电力电子系统 的效率和稳定性具有 重要影响
随着新能源、电动汽 车等产业的快速发展, 功率器件的需求不断 增长
功率器件概述
1
功率器件是一种能够控制、转换和传输电能的半 导体器件
2
主要类型包括二极管、晶体管、晶闸管、 MOSFET、IGBT等
3
功率器件具有耐压高、耐流大、开关速度快等特 点,是实现电力电子变换的关键元件
02
几种常用功率器件介绍
注意器件的开关顺序和时序
不正确的开关顺序或时序可能会导致电路故障或器件损坏。
确保良好的散热条件
功率器件在工作时会产生热量,需要确保良好的散热条件以防止器件 过热损坏。
06
总结与展望
回顾本次项目成果
深入研究了几种常用的功率器件(电力半导体)的工作原理和特性,包括晶 闸管、可关断晶闸管、电力晶体管、绝缘栅双极晶体管等。
描述器件在异常工作条件下的承受能力, 如过压、过流、过热等保护功能,确保器 件在恶劣环境下能够安全运行。
04
几种常用功率器件应用领 域探讨
电源供应器与适配器
开关电源
功率器件如MOSFET和IGBT在开 关电源中起到关键作用,实现高 效能、小体积的电源设计。
适配器
功率器件用于电压转换和电流控 制,使得适配器能够为各种设备 提供稳定的电源。
半导体产品分类及对应作用
半导体产品分类及对应作用1. 整流器(Rectifiers):整流器用于将交流电转换为直流电。
它是半导体产品中最基本的一种,常用于电源和电机驱动等领域。
整流器通常采用二极管或硅可控整流器(SCR)的形式,可以有效地实现电流的单向流动。
2.可控硅(SCR):可控硅是一种功能强大的半导体开关,可以控制电流的导通和截止。
它具有高开关速度、高功率处理能力和可靠性,常用于电力控制、电机控制和电炉等高功率电器的驱动。
3. 功率晶体管(Power Transistor):功率晶体管是一种用于放大和控制高功率信号的半导体器件。
它主要用于功率放大、开关和频率转换等领域,具有高电流、高频率和高耐压等优点。
4. 晶闸管(Thyristor):晶闸管是一种由SCR演变而来的特殊型号半导体器件,也被称为双向可控硅。
晶闸管具有双向导流性能和较高的电流承受能力,广泛应用于交流电控制和交流电源的调节。
5. 三极管(Transistor):三极管是一种最常见的半导体器件,用于放大和开关电路。
它根据不同的构造形式分为有源和无源两种,包括NPN型和PNP型。
三极管被广泛应用于放大器、振荡器和开关电路等领域。
6.双极型场效应管(BJT):双极型场效应管也称为双栅晶体管,是一种可控电流的、双极性的半导体器件。
它具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点,被广泛应用于电子放大器、功率放大器和开关电路等领域。
7.金属氧化物半导体场效应管(MOSFET):MOSFET是一种基于金属-氧化物-半导体结构的场效应管。
它具有高输入阻抗、低功耗和快速开关速度的特点,被广泛应用于逻辑电路、功率放大和高频电路等领域。
8. 集成电路(Integrated Circuit,IC):集成电路是将多个半导体器件和电子元件集成在一颗芯片上的电路。
它具有体积小、功耗低和性能稳定等优点,广泛用于计算机、通信、消费电子和工控等领域。
9. 光电器件(Optoelectronic Devices):光电器件是利用半导体材料的光电效应制造的器件,可以将光能转换为电能或反之。
半导体的应用及原理
半导体的应用及原理1. 什么是半导体半导体是一种材料,其电阻在导体和绝缘体之间,具有一定的电导性。
它的原子结构介于金属(导体)和非金属(绝缘体)之间。
半导体材料的特点是在低温下表现为电阻较高的绝缘体,但在高温下却能表现出接近导体的电性能。
2. 半导体的应用领域半导体材料由于其独特的电性能,在各个领域得到了广泛的应用。
以下是半导体在不同领域的应用示例:2.1 电子器件半导体在电子器件中的应用非常广泛,包括但不限于: - 集成电路(IC):IC是一种由数亿个晶体管组成的电子器件,用于存储和处理信息。
- 晶体管:晶体管是一种最基本的半导体器件,被广泛应用于各种电子设备。
- 二极管:二极管用于控制电流的方向,被广泛应用于电源和信号处理电路中。
2.2 光电子器件半导体材料在光电子器件中的应用越来越重要,其中代表性的应用有: - 光伏电池:光伏电池将太阳光转化为电能,被广泛应用于太阳能系统和便携式充电设备等。
- 发光二极管(LED):LED是一种能将电能转化为光能的器件,被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
- 激光器:激光器利用半导体材料产生的光放大效应,产生高强度、一束平行的激光光束,被广泛用于医疗、通信和材料加工等领域。
2.3 电力电子器件半导体在电力电子器件中的应用有助于提高电力质量和系统效率,代表性应用包括: - 变流器:变流器将直流电转换为交流电,被广泛应用于电动车、风能和太阳能发电系统中。
- 调光器:调光器用于控制灯光的亮度,被广泛应用于家居、商业和工业照明系统中。
- 储能系统:半导体器件在储能系统中起到充放电控制和能量转换的作用,被广泛应用于电网调峰和储能设备中。
3. 半导体的工作原理半导体的电性能是通过控制载流子(电子和空穴)的流动来实现的。
当材料中掺杂有杂质(如硼、磷等),称为N型半导体,载流子主要是电子;当掺杂的杂质为P型(如锗、砷等),则载流子主要是空穴。
当N型半导体与P型半导体接触时,形成一个PN结。
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空穴
多数载流子(简称多子)
自由电子
少数载流子(简称少子)
一 半导体的基础知识
3 N型半导体和P型半导体
多子—空穴 P型半导体
- - --
+
- - --
+
- - --
+
多子—电子 N型半导体 + ++ +++ + ++
少子—电子
少子—空穴
无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的,通常对外不显电性。
掺入的杂质元素的浓度越高,多数载流子的数量越多。 只有将两种杂质半导体做成PN结后才能成为半导体器件。
这一现象称为本征激发,也称热激发。
一 半导体的基础知识 2 本征半导体
自由电子,带负电荷,电子流
载流子
空穴 ,带正电荷,空穴流
本征半导体的导电性取决于外加能量: 温度变化,导电性变化;光照变化,导电性变化。
一 半导体的基础知识 2 杂质半导体
在中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。
N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素,例如磷,砷等,称为N型半导体。 P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等,称为P型半导体。
P
内电场
N
外电场
–+
PN结加正向电压时,具有较大的正向扩散电流,呈现低电阻, PN结导通; PN结加反向电压时,具有很小的反向漂移电流,呈现高电阻, PN结截止。
由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。
二 晶体二极管
1 晶体二极管的结构
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制 成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等,不过从国内的习惯上讲,晶 体管有时多指晶体三极管。
陶瓷、玻璃等。 半导体: 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、
锗(Ge)、金属氧化物等。硅和锗是4价元素,原子的 最外层轨道上有4个价电子。
一 半导体的基础知识 1 半导体的特性
热敏性:当环境温度升高时,导电能力明显増强。 光敏性:当受到光照时,其导电能力明显变化。(可制成
各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏 三极管、光电池等)。 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,使其导电能力 明显改变。
+4
+4 +4
束缚电子
,接近绝缘体。
一 半导体的基础知识 2 本征半导体
+4
+4 +4
+4 空穴 +4
+4
自由电子
+4
+4 +4
当温度升高或受到光的 照射时,束缚电子能量增 高,有的电子可以挣脱原 子核的束缚,而参与导电 ,成为自由电子。
自由电子产生的同 时,在其原来的共价键 中就出现了一个空位, 称为空穴。
4 PN结及其单向导电性
(2)PN结的单向导电性
①外加正向电压(也叫正向偏置)——电源正极接P区,负极接N区
外加电场与内电场方向相反,内电场削弱,扩散运动大大超过漂移运动,N 区电子不断扩散到P区,P区空穴不断扩散到N区,形成较大的正向电流,这 时称PN结处于低阻导通状态。
空间电荷区
变窄
+
P
+N
+
I 外电场
一 个 PN 结 加 上 相 应 的 电 极 引 线 并 用管壳封装起来,就构成了半导体 二极管,简称二极管。符号一般用 VD表示。
结构
二极管 = PN结 + 管壳 + 引线
+
-
符号
阳极
阴极
图片
二 晶体二极管
一 半导体的基础知识
4 PN结及其单向导电性
(1)PN结的形成
半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。 在半导体中,如果载流子浓度分布不均匀,因为浓度差,载流 子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种运动称为扩 散运动。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体,另一侧掺杂成N型半导 体,在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。
内电场
E
R
一 半导体的基础知识
4 PN结及其单向导电性
(2)PN结的单向导电性
②外加反向电压(也叫反向偏置)——电源正极接N区,负极接P区
外加电场加强内电场,漂移运动超过扩散运动,N区空穴飘移到P区,P区电 子漂移到N区,形成很小的反向漂移电流,称为反向饱和电流,这时称PN结 处于高阻截止状态。
--- - -- + + + + + + --- - -- + + + + + + --- - -- + + + + + +
一 半导体的基础知识
2 本征半导体
本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。
制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,
常称为“九个9”。 本征半导体的共价键结构
+4
+4 +4
在绝对温度T=0K时, 所有的价电子都被共价键
紧紧束缚在共价键中,不
+4
+4 +4
会成为自由电子,因此本
征半导体的导电能力很弱
激发形成的空穴为少数载流子)。
自由电子
多数载流子(简称多子)
空穴
少数载流子(简称少子)
一 半导体的基础知识
3 N型半导体和P型半导体
(2) P型半导体
在纯净半导体硅或锗(4价)中掺入硼、铝等3价元素,由于这类元素 的原子最外层只有3个价电子,故在构成的共价键结构中,由于缺少价 电子而形成大量空穴,这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运 动,称为空穴半导体或P型半导体(其中空穴为多数载流子,热激发形 成的自由电子是少数载流子)。
一 半导体的基础知识
3 N型半导体和P型半导体
(1) N型半导体
在纯净半导体硅或锗(4价)中掺入磷、砷等5价元素,由于这类元素
的原子最外层有5个价电子,故在构成的共价键结构中,由于存在一
个多余的价电子而产生大量自由电子,这种半导体主要靠自由电子导
电,称为电子半导体或N型半导体(其中自由电子为多数载流子,热
电工电子技术
——电子技术与实训
第一章 常用半导体器件
一 半导体的基础知识 二 晶体二极管 三 晶体三极管 四 场效应管
一 半导体的基础知识
在物理学中,根据材料的导电能力,可以将他们划分导 体、绝缘体和半导体。 导 体: 很容易导电的物体,如金、银、铜、铁等。 绝缘体: 不容易导电或者完全不导电的物体,如塑料、橡胶、
一 半导体的基础知识
4 PN结及其单向导电性
(1)PN结的形成 扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结
多子扩散
阻止
形成空间电荷 区产生内电场
促使
少子漂移
P区
N区
+ ++
+ ++
+ ++
载流子的扩散运动
P 区 空间电荷区 N 区
++ + ++ + ++ +
内电场方向 PN 结及其内电场
一 半导体的基础知识