最新原理以及制备工艺的资料
合成纤维制备的原理与方法
合成纤维制备的原理与方法合成纤维是一种人造纤维，其制备原理是将聚合物化合物通过加热或其他化学反应转化为可拉伸的溶液或熔体，再通过纺丝成为纤维。
与天然纤维相比，合成纤维具有许多优点，如强度高、耐磨、易染色、易加工等，广泛应用于纺织、化工、医疗等领域。
本文将介绍合成纤维制备的原理与方法。
一、化学合成法化学合成法是制备合成纤维的主要方法之一。
该方法通常将含有合成纤维原料的有机化合物在一定条件下进行反应，生成可拉伸的溶液或熔体，并通过纺丝成为纤维。
常用的化学合成法有溶胶-凝胶法、湿法纺丝法、干法纺丝法等。
1. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种将有机聚合物通过化学反应转化为可拉伸溶液的方法。
该方法主要分为催化凝胶法和热凝胶法两种。
催化凝胶法：将含有合成纤维原料的有机化合物在氯化锂、甲醇和水的共沸溶液中进行反应，生成凝胶。
通过脱水、再生、纺丝等工艺步骤，得到合成纤维。
热凝胶法：将含有合成纤维原料的有机化合物加入亚硝基漆酸或氧化氰等引发剂中，在高温下进行反应，生成凝胶。
通过脱水、再生、纺丝等工艺步骤，得到合成纤维。
2. 湿法纺丝法湿法纺丝法是将含有合成纤维原料的聚合物溶液加入硫酸、盐酸等溶剂中，生成纤维的方法。
通常该方法的步骤包括聚合、溶解、加纺、成纤、拉伸等多个环节。
最终得到的纤维具有优异的拉伸强度和耐久性。
3. 干法纺丝法干法纺丝法是将合成纤维原料经过溶解加工，形成熔体，然后通过经过高温等处理，使熔体变为柔软的纤维状物质。
这种方法需要高温条件，并且设备较为复杂，但是所得到的纤维质量稳定，拉伸强度较高。
二、物理法物理法是制备合成纤维的另一种主要方法。
它主要依靠原料聚合物的物理性质和纤维化条件来制备纤维。
常用的物理法有熔融纺丝法、膨胀法等。
1. 熔融纺丝法熔融纺丝法是将合成纤维原料加热后熔化，然后通过纺丝器将熔体挤出，形成纤维状物质的方法。
该方法相比于湿法纺丝等方法来说，工艺简单，所需要的设备也比较少，成本相对较低。
化学材料制备
化学材料制备化学材料制备是指通过化学方法合成、加工和改性材料的过程。
它是现代材料科学中的重要一环，对于推动材料科技的发展和满足社会对新材料的需求具有重要意义。
本文将从化学材料制备的基本原理、常用方法和发展趋势等方面进行论述。
第一部分：化学材料制备的基本原理化学材料制备的基本原理是根据物质的化学性质，通过控制反应条件和添加适当的反应物，使得原始材料发生化学变化，并最终得到所需的材料。
在制备过程中，需要考虑以下几个方面的因素：1. 反应物的选择：根据所需材料的性质和结构要求，选择适当的反应物。
反应物的选择应考虑其反应活性、纯度和可获得性等因素。
2. 反应条件的控制：包括温度、压力、溶剂选择、pH值等反应条件的控制。
通过合理控制反应条件，可以调节反应速率、选择性和产物纯度等。
3. 反应动力学和平衡性：化学反应涉及到反应速率和平衡性的控制。
了解反应动力学和平衡性的规律，并通过调节反应条件来控制，可以实现高效的材料制备。
第二部分：化学材料制备的常用方法化学材料制备的方法多种多样，根据不同的化学性质和制备要求，可选择适合的方法。
下面介绍几种常用的制备方法：1. 沉淀法：通过将两种溶液中的离子反应生成难溶的盐沉淀，再经过过滤、洗涤和干燥等步骤得到所需材料。
这种方法制备的材料通常具有较好的纯度和均一性。
2. 溶胶-凝胶法：通过溶胶中的化学反应，形成凝胶，并通过热处理或其他方法得到固化的凝胶体。
这种方法可以制备纳米材料、多孔材料和涂层材料等。
3. 气相沉积法：通过将气态反应物在高温下分解反应并沉积在基底上，形成所需材料的薄膜或纤维。
这种方法制备的材料具有较好的成膜性和较高的纯度。
4. 水热合成法：在高温高压的水溶液中，通过溶液中的化学反应，形成所需材料的晶体或纳米颗粒。
这种方法可以制备具有特殊形貌和结构的材料。
第三部分：化学材料制备的发展趋势随着材料科学的发展和人们对材料性能要求的不断提高，化学材料制备也在不断创新和发展。
戈尔质子交换膜的工艺
戈尔质子交换膜的工艺戈尔质子交换膜是一种新型的离子交换膜，其应用被广泛用于制备纯化氢气、制备电池等领域。
关于戈尔质子交换膜的工艺，我们需要了解其制造原理、工艺流程以及应用领域等方面的内容。
一、戈尔质子交换膜的制造原理戈尔质子交换膜的制造原理主要是靠聚合物化学原理。
在这种原理下，利用氟碳聚合物，并将其置于导电阴阳极间，经过高压、高温下的反应，产生了一系列的反应活动，将聚合物膨胀开来，形成了戈尔质子交换膜。
戈尔质子交换膜的制造原理还与反应物的控制有关。
在反应物加入时充分考虑到配平反应，使其反应的过程在稳定的条件下进行，达到制造理想质量的戈尔质子交换膜。
二、戈尔质子交换膜的工艺流程1.激活材料利用耐热且充分吸水的氟碳聚合物，在装有热水的钢网中，将其浸泡在一段时间内，使其充分吸水，达到激活材料的目的。
2. 制造橡胶在制造橡胶的过程中，需要先制造出含四氟乙烯的单体，以获得充分的反应物，同时需要添加一些特殊的助剂，以增加反应的效果。
3. 合成膜层制造橡胶完成后，通过反应的控制，将橡胶膨胀形成戈尔质子交换膜，这里需要充分控制反应温度、时间等工艺条件，以确保戈尔质子交换膜的质量。
4. 质检在完成戈尔质子交换膜的制造后，需要对其进行检测，以确定其质量是否符合要求，同时还需进行质量测试等步骤。
三、戈尔质子交换膜的应用领域1. 制备氢气戈尔质子交换膜可以通过质子交换的方式将氢离子和其他离子分离出来，从而实现制备纯化氢气的目的。
具体而言，它能够帮助将水中的氢离子和氢氧根离子分离出来，产生纯净的氢气。
2. 电池制备戈尔质子交换膜还被广泛应用于电池的制作。
在这里，戈尔质子交换膜作为离子通道，能够使电化学反应在单个极板上发生，从而增加电池的能量密度和存储能力。
3. 其他领域戈尔质子交换膜还可以用于制备和分离有机物、臭氧等化学反应中的电解质、电解水中的离子污染物的净化等领域。
总之，戈尔质子交换膜是一种新型的离子交换膜，其制造工艺主要涉及到材料激活、制造橡胶、合成膜层和质检等步骤。
原理以及制备工艺的资料
1.2 有机电致发光二极管结构及其发光原理有机电致发光二极管是将电能转化成光能的器件，属于电荷注入型发光器件。
其基本结构如上文所述为夹心结构[5]，最简单的结构是一个发光层薄膜（EML）加在正负两个电极之间，正负电荷分别从两个电极注入到发光层中并进行复合发光。
发光的过程大致可以总结为下面5个步骤：1.载流子的注入；2.载流子的传输；3.激子的产生；4.激子的迁移和衰减（辐射衰减）；5.激子的出射（光的耦合输出）1.载流子的注入：在正向偏压的作用下，空穴从金属阳极费米能级(φa)注入到发光层的最高未占有轨道（HOMO），而电子从金属阴极费米能级(φc）注入到发光层的最低未占有轨道（LUMO）。
形成PLED的正向和负向两种载流子。
载流子注入时，空穴要克服阳极与发光层HOMO之间的能量势垒，而电子要克服阴极与发光层LUMO能级之间的能量势垒，势垒越小，载流子越容易注入，因此金属电极的功函数要与发光层的HOMO和LUMO相匹配。
当势垒高度小于0.3-0.4eV时可认为该接触为欧姆接触[i]，此时可以认为载流子的注入是没有势垒的。
电致发光器件要求两个电极至少一段是透明，光可以由此段出射。
作为底端出射结构，氧化铟锡（ITO）由于具有较高的透光率和优良的导电率以基脚高的功函数，通过溅射的方法，制备成ITO玻璃被广泛用作阳极。
而阴极则常用一些具有较高发射率的低功函数金属，例如钡，钙，镁，铯等[ii，iii，iv]。
图1-1给出了典型器件结构的相应能级示意图。
[v]但是一般的聚合物发光材料的HOMO 和LUMO与阳极和阴极的能级匹配并不是最理想的状态，存在载流子的注入势垒，导致器件高的起亮电压，高的能耗和低的器件性能。
图1-1 器件的能级结构示意图[14]Fig.1-1 The sketch of PLED’s energy level[14]载流子的注入有两种理论机制，分别是隧穿机制[vi，vii，viii ]和空间电荷限制效应机制[ix，x，xi]。
超纯水制备技术工艺及其原理全面解析
超纯水制备技术工艺及其原理全面解析对于超纯水的需求随着半导体工业的发展，对超纯水质量要求提高，从而大大的推动了纯水技术的发展，膜技术得到了广泛的应用，微滤，超滤，电渗析和反渗透技术先进的水处理技术得到了飞速的发展，膜法制备纯水取代了传统的离子交换器系统，解决了TOC问题，满足了电子行业对纯水质量的要求。
超纯水制备工艺1.传统超纯水制备工艺流程：原水—多介质过滤器—活性炭过滤器—一级除盐—混床—超纯水2.膜法超纯水制备工艺流程：原水—超滤—反渗透—EDI—超纯水在膜法工艺中，超滤，微滤替代澄清，石英砂过滤器，活性炭过滤器，除去水中的悬浮物胶体和有机物，降低浊度，SDI，COD等，可以实现反渗透装置对污水回用的安全，高效运行，以反渗透替代离子交换器脱盐，进一步除去有机物，胶体，细菌等杂志，可以保证反渗透出水满足EDI进水的要求，以EDI代替混床深度脱盐，利用电而不是酸碱对树脂再生，避免了二次污染。
原水水质概论水中的杂质按存在的形态的不同可以分为悬浮物，胶体和溶解性固体三种，其中固体含量用总固体量作为指标，把一定量水样在105-110°烘箱中烘干到恒重，所得的重量及为总固含量。
第一类是悬浮物物指悬浮于水中的物质，颗粒直径在10-4mm 以上，如泥沙，粘土，动植物残骸，微生物，有机物，藻类等第二类是胶体，指水中带电荷的胶体为例，颗粒直径在10-5mm之间，胶体颗粒是许多分子或离子集合体，这种细小颗粒具有较大的比表面积，从而使他具有特殊的吸附能力，而被吸附的物质往往是水中的离子，因此胶体颗粒带有一定的电荷，如硅铁铝化合物及一些高分子有机物如腐殖质等，也有一些在此粒径范围的细菌，病毒等。
第三类是溶解物，只被水所溶解的，分子或离子状态的溶质或气体如氯化物，硫酸盐等。
悬浮物和胶体是使天然水产生浑浊的主要原因。
原水的预处理反渗透因为膜材料及元件的关系，对进水水质有一定的要求，预处理解决的问题是赌赛，结构，污染和波坏，堵塞时指水中的颗粒，悬浮物，胶体，铁氧化物沉淀等堵塞膜元件的流道，结垢是指难溶盐在浓水侧浓缩厚结晶析出，可预先除去或加阻垢剂。
新材料的制备原理
新材料的制备原理随着科技的不断进步，新材料的研发和应用越来越受到人们的关注。
新材料的出现不仅推动了各个领域的发展，而且为社会和经济的可持续发展做出了贡献。
在新材料的制备过程中，原理是关键所在。
本文将从新材料的制备原理入手，为大家介绍新材料的制备过程。
1. 新材料的制备原理新材料的制备原理与传统材料的不同之处在于，新材料制备过程中不仅需要特殊的材料配方，还需要关注制备工艺和条件等多个方面。
新材料的制备原理可以分为以下几个方面：1.1 物理原理物理原理是新材料制备过程中最基本的原理之一。
物理原理主要包括分子聚集态形成原理、物理场作用原理等。
分子聚集态形成原理是指分子在空间中会聚集成一定的状态，这种状态可以影响物质的性能和结构。
物理场作用原理是指利用物理场如电场、磁场、声场等对材料进行加工或制备过程中的过程，如超声波、电磁辐射等。
1.2 化学原理化学原理是新材料制备过程中最重要的原理之一。
化学原理主要包括化学反应、离子交换、溶解、氧化还原等。
化学反应是指通过反应生成新物质的过程。
离子交换是指利用吸附剂对离子进行选择性吸附、交换。
在溶解过程中，原材料溶解到溶液中的过程也是一种化学过程。
氧化还原是指将一个物质氧化或还原成另一种物质的反应，常见的氧化还原反应有金属的腐蚀等。
1.3 细胞学原理细胞学原理是指从生物体中提取材料制备新材料的技术过程。
在这个过程中，细胞体积很小，但是细胞内的材料分布非常丰富，具有深厚的基础研究价值。
细胞学原理的一些应用有生物医学应用、生物材料应用等。
2. 新材料制备过程新材料制备过程主要涉及到物理、化学、机械等方面的过程。
材料制备前需要进行物理、化学和结构分析等前处理工作，对工艺条件和生产环境进行优化，在加工和成型过程中，需要注意选择适当的加工方法和工艺，以保证新材料的质量和性能。
2.1 先进的物理加工技术先进的物理加工技术是新材料制备过程中必不可少的环节。
利用超声波、激光等物理加工技术可以制备出具有微纳尺度结构的复合材料等特殊材料，从而实现对材料的特定性能调控。
3邻乙基抗坏血酸制备工艺-概述说明以及解释
3邻乙基抗坏血酸制备工艺-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述：3邻乙基抗坏血酸是一种具有抗氧化和抗衰老功能的化合物，广泛应用于食品、化妆品和医药领域。
目前，其制备工艺存在一些技术难题和瓶颈。
因此，本文旨在探讨一种新的制备工艺，以提高产品质量和产量，满足市场需求。
文章将介绍该制备工艺的原理、实验步骤和产品性能，并对其优势和应用前景进行展望。
希望通过这篇文章的研究，能够为3邻乙基抗坏血酸的生产和应用带来新的突破和发展。
"1.2文章结构":{本文主要包括以下部分：1. 引言：介绍研究的背景和目的，引出对3邻乙基抗坏血酸制备工艺的探讨。
2. 正文：2.1 工艺原理：详细介绍3邻乙基抗坏血酸的制备原理，包括反应机理和关键步骤。
2.2 实验步骤：列出具体的实验步骤和操作流程，以供读者参考。
2.3 产品性能：分析制备得到的3邻乙基抗坏血酸的性能指标，包括纯度、稳定性等。
3. 结论：3.1 制备工艺优势：总结3邻乙基抗坏血酸制备工艺的优势和特点。
3.2 应用前景展望：展望3邻乙基抗坏血酸在实际应用中的潜在价值和发展前景。
3.3 总结：对全文内容进行总结，强调研究的重要性和意义。
}1.3 目的本文旨在研究和探讨3邻乙基抗坏血酸的制备工艺，通过实验步骤的具体操作，分析产品性能及其在应用中的优势。
此外，通过本文的研究，旨在为今后该化合物的生产提供可靠的工艺流程，为相关领域的研究和发展提供新的思路和方法。
通过对3邻乙基抗坏血酸的制备工艺进行深入研究，可以更好地了解其在抗氧化、美白、抗衰老等方面的潜在应用价值，为其在医药、保健品、化妆品等领域的应用打下坚实的基础。
2.正文2.1 工艺原理:3邻乙基抗坏血酸（ETVC）是一种抗氧化剂，具有抗氧化性能强、稳定性高等特点。
其制备工艺主要通过化学合成方法进行。
具体工艺原理如下：首先，以丙酸为原料，通过酯化、氧化、还原等反应步骤，合成得到3-溴辛酸。
随后，将3-溴辛酸与乙烯进行烷基化反应，生成3-丁基溴代丙烯酸。
纳米材料制备方法与其原理
目前这一方法主要是进行Ag、Al、Cu、Au等低 熔点金属的蒸发。
纳米材料的制备方法和其原理
气体冷凝法根据加热源分类
• 电阻发热体是用Al2O3等耐火材料将钨丝进行包覆， 熔化了的蒸发材料不与高温发热体直接接触，可 以用于熔点较高的金属的蒸发：Fe, Ni等(熔点～ 1500C)。
• 缺点： • 难以获得高熔点的纳米微粒。 • 主要用于Ag、Al、Cu、Au等低熔点金属纳米
粒子的合成。
纳米材料的制备方法和其原理
§3.1.1 气体冷凝法
• 根据加热源进行分类： 不同的加热方法制备出的超微粒的量、品种、粒径 大小及分布等存在一些差别。
• 1）电阻加热； • 2）高频感应加热； • 3）阴极溅射加热； • 4）激光加热； • 5）微波加热； • 6）等离子体加热 • ……
气相分解法
化学气相法 气相合成法
纳
气－固反应法
米
气相法
气体冷凝法 氢电弧等离子体法
粒
子 合
纳 米 粒
成
子
物理气相法
溅射法 真空沉积法
加热蒸发法
混合等离子体法
共沉淀法
沉淀法 均匀沉淀法 水热法 水解沉淀法
方 法
制
液相法 溶胶－凝胶法
备
冷冻干燥法 喷雾法
方
分
法
干式粉碎 粉碎法 湿式粉碎
类
热分解法
固相法 固相反应法
纳米材料的制备方法和其原理
其它方法
• 1. 定义： • 气相法指直接利用气体或者通过各种手段将物质
三氧化二铝催化剂材料的制备—催化剂制备原理及其工艺技术
（4）干燥、焙烧和活化
焙烧的目的：
• ①通过物料的热分解，除去化学结合水和挥发性 杂质（如CO2、NO2、NH3），使之转化为所需要 的化学成分，其中可能包括化学价态的变化。
• ②借助固态反应、互溶、再结晶，获得一定的晶 型、微粒粒度、孔径和比表面积等。
• ③让微晶适度地烧结，提高产品的机械强度。
a）成型前物料的物理性质； b）成型后催化剂的物理、化学性质，选择适宜的 成型方法； c）催化剂运输、压力降等； d）催化剂使用条件。
3）成型用助剂
a）粘结剂 粘结剂的作用主要是增加固体催化剂的机械
强度； b）润滑剂
润滑剂的作用主要是降低成型时物料内部或 物料与模具间的摩擦力，使成型压力均匀，产 品容易脱模。
1. 混合法生产DBP催化剂
1.1 催化剂生产方法
研究催化剂的制造方法，具有极为重要的现实意义。一方面， 与所有化工产品一样，要从制备、性质和应用这三个基本方面来对 催化剂加以研究；另一方面，工业催化剂又不同于绝大多数以纯化 学品为主要形态的其它化工产品。催化剂（尤其是固体催化剂）多 数有较复杂的化学组成和物理结构，并因此形成千差万别的品种系 列、纷繁用途以及专利特色。因此研究催化剂的制备技术，便会有 更大的价值及更多的特色，而不可简单混同于通用化学品。
（4）干燥、焙烧和活化 焙烧温度的确定： 焙烧温度的下限——取决于干燥后物料中氢氧化物、硝酸 盐、碳酸盐、草酸盐、铵盐之类易分解化合物的分解温 度； 焙烧温度的上限——要结合焙烧时间一并考虑。当焙烧温 度低于烧结温度时，时间愈长，分解愈完全；若焙烧温度 高于烧结温度，时间愈长，烧结愈严重。
材料制备的原理与技术
材料制备的原理与技术
材料制备的原理与技术涉及到材料的选择、合成和加工过程。
以下是常见的材料制备原理和技术：
1. 合成原理：材料的合成原理主要包括化学反应、物理化学方法和生物合成等。
化学反应通常是指通过化学反应来合成材料，如溶液法、气相法和固相法等。
物理化学方法主要包括高温熔炼、物理气相沉积、溅射和蒸发等。
生物合成是指利用生物体内部或外部的生物体系和生物单元来制备材料，如生物矿化和生物胶体等。
2. 材料选择：材料选择是根据所需材料的功能和性能要求来选择合适的原材料。
选择原材料时需要考虑材料的物理、化学和力学性质，以及制备过程中可能出现的问题和限制，如材料的可用性、稳定性和成本等。
3. 加工技术：加工技术是将原材料转变为最终制品的过程。
常见的加工技术包括烧结、热处理、注塑、挤压、抽拉、铸造和焊接等。
加工技术的选择取决于所需制品的形状、尺寸、特性和生产效率等因素。
4. 表征和分析：制备完成后，对材料进行表征和分析是评估材料性能和结构的关键步骤。
常用的表征和分析技术包括X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜和拉曼光谱等。
总之，材料制备的原理与技术是通过合适的合成和加工方法将原材料转变为所需材料，以满足特定功能和性能要求。
同时，表征和分析技术的应用可以评估材料的质量和性能。
纳米材料的制备方法及原理 (整理)
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9、流动液面上真空蒸度法
流动液面上真空蒸度法的基本原理
• 简称VEROS法。在高真空中蒸发的金属原子在流动的油面内形成超微粒子，产品为含有大量 超微粒的糊状油；
高真空中的蒸发是采用电子束加热，当水 冷却坩埚中的蒸发原料被加热蒸发时，打 开快门、使物质蒸发在旋转的圆盘下表面上， 从圆盘中心流出的油通过圆盘旋转时的离 心力在下表面上形成流动的油膜，蒸发的 原子在油膜中形成了超微粒子。
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是采用高能球磨的纳米化。
其机理主要是产生大量缺陷，位错，发展成交错的位错墙， 将大晶粒切割成纳米晶。
球磨工艺的目的是减小微粒尺寸、固态合金化、混合以及改变 微粒的形状。球磨的动能是它的动能和速度的函数，致密的材 料使用陶瓷球，在连续严重塑性形变中，位错密度增加，在一 定的临界密度下松弛为小角度亚晶晶格畸变减小，粉末颗粒的 内部结构连续地细化到纳米尺寸
利用静电加速器或电子直线加速器得到高能电子束，在电子透镜 聚焦作用下使电子束聚焦于待蒸发物质表面。受到电子轰击后，材 料获得能量（通过与电子的碰撞）而被加热和蒸发，然后凝聚为纳 米粒子。
➢ 优点：用电子束作为加热源可 以获得很高的能量密度，特别 适合于用来蒸发W、Ta、Pt等
高熔点金属，制备出相应的金属 、氧化物、碳化物、氮化物等纳 米粒子。 ➢ 缺点：通常在高真空中使用。
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1、气相法制备纳米微粒的生长机理
•加热方式 1) 电阻加热(电阻丝) 使用螺旋纤维或者舟状的 电阻发热体
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1、气相法制备纳米微粒的生长机理
•2) 高频感应加热： 电磁感应现象产生的热来加热。
类似于变压器的热损耗。 高频感应加热是利用金属和磁 性材料在高频交变电磁场中存 在涡流损耗和磁滞损耗，因而 实现对金属和铁磁性性材料工 件内部直接加热。
现代集成电路制造工艺原理
现代集成电路制造工艺原理
集成电路制造工艺原理是指将电子器件以微细尺寸集成在单片半导体晶体上的技术过程。
该工艺原理的关键步骤包括晶圆制备、光刻、薄膜沉积、电离辐照和金属沉积等。
在晶圆制备过程中，首先需要选择高纯度的硅片作为基片。
然后，通过化学气相沉积或物理气相沉积将一层薄膜（通常为二氧化硅）沉积在硅片上，以保护硅片表面不受损伤。
接下来是光刻步骤，这是制造集成电路中最关键的步骤之一。
通过在光刻胶上投射紫外线光源，并通过光遮罩进行光刻，将光刻胶图案转移到硅片上。
这一步骤决定了电路图案的精度和分辨率。
薄膜沉积是将金属或绝缘材料以薄膜形式沉积在硅片上。
这可以通过物理气相沉积、化学气相沉积或溅射等方法实现。
通过薄膜沉积，可以形成多层结构和导电通路。
电离辐照步骤是利用离子束进行掺杂和修饰。
通过将离子束束缚在硅片表面，可以改变硅表面的电学特性和晶体结构，从而形成电子器件的特性。
最后一个关键步骤是金属沉积。
通过物理气相沉积或电镀等方法，在芯片上沉积金属层，形成电子器件之间的连线和连接。
总的来说，现代集成电路制造工艺原理是一个复杂的多步骤过程，它将电子器件集成在微小的硅片上。
这些步骤包括晶圆制
备、光刻、薄膜沉积、电离辐照和金属沉积等，每一步骤都起着至关重要的作用，确保最终的芯片质量和性能。
熔体纺丝的原理及工艺流程,最新进展
熔体纺丝的原理及工艺流程,最新进展下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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PN结原理及制备工艺
PN结原理及制备工艺PN结是一种半导体器件，由p型和n型半导体材料构成，两种半导体材料通过特定的工艺结合在一起形成结。
PN结的原理是基于半导体材料中的电子和空穴，以及特定的能带结构。
半导体材料中的电子和空穴是导电的两种载流子。
在p型半导体中，材料内部的导电主要是由自由电子导电，而在n型半导体中，导电主要由空穴导电。
当p型和n型材料结合在一起形成PN结时，p区和n区之间会发生电子和空穴的扩散。
在p区中，自由电子会向n区扩散，而在n区中，空穴会向p区扩散。
这种扩散使得p区和n区表面形成一个带电层，即空间电荷区或耗尽层。
在PN结的制备工艺中，一种常见的方法是熔融法。
该方法首先需要将对应的p型和n型半导体材料准备好，然后将它们放在高温炉中熔化。
当两种材料熔化后，将它们以特定的方式混合在一起，形成一个混合液体。
混合液体中的p区和n区会相互扩散，形成PN结。
在混合液体冷却过程中，PN结会固化，形成一个结构稳定的PN结体。
最后，通过切割、研磨、抛光等工艺将PN结体加工成所需要的形状和尺寸。
除了熔融法，还有其他一些制备工艺可以制备PN结，如扩散法、外延法和离子注入法等。
这些工艺的基本原理都是通过控制半导体材料中的杂质掺杂或外源溶质的扩散来形成PN结。
PN结的制备工艺需要严格控制各种参数，如温度、时间、材料浓度等，以确保PN结的性能和稳定性。
制备工艺的优化可以改善PN结的性能，提高器件的可靠性和效率。
总之，PN结作为半导体器件的基础结构，其原理是基于半导体材料中电子和空穴的自由扩散。
制备工艺是通过控制半导体材料的特定条件和参数，将p型和n型材料结合在一起，形成PN结。
PN结在电子器件中有广泛的应用，如二极管、晶体管、光电二极管等。
如何实现陶瓷的制备原理
如何实现陶瓷的制备原理
陶瓷的制备原理主要包括成分设计、配料、制备工艺、成型和烧结等几个步骤。
1. 成分设计：根据陶瓷的用途和性能要求，选择合适的原材料，确定主要成分和辅助成分的比例。
主要成分通常是粘土、瓷土、石英、长石等，辅助成分可以调节陶瓷的硬度、耐温性、透明度等。
2. 配料：按照成分设计的比例，将原材料进行粉碎、筛分等处理，使其均匀混合。
3. 制备工艺：
- 干法制备：将配料中的液体去除，为干粉状。
干法制备包括干压成型和注浆成型两种方法。
- 湿法制备：保持配料处于悬浮状态，进行成型。
湿法制备常用的方法有砂浆成型、旋涂成型、浸渍成型等。
4. 成型：将制备好的配料通过成型工艺成型为所需形状的陶瓷制品。
常见的成型方法有挤压成型、注射成型、压制成型等。
5. 烧结：成型后的陶瓷制品需要进行烧结，即在高温下使之获得所需的密度和强度。
烧结温度和时间根据不同的陶瓷材料和所需性能而定。
在烧结过程中，原料中的成分会发生反应和结晶，使陶瓷固化。
以上是一般陶瓷的制备原理，不同类型的陶瓷制备原理会有一些差异，比如玻璃陶瓷需要先制备成玻璃，再进行烧结。
硬质合金制备过程中的基本原理、烧结工艺及应用培训
硬质合金制备过程中的基本原理、烧结工艺及应用培训硬质合金是一种由金属粉末和粉末冶金工艺制备而成的高强度、高硬度材料。
其制备过程包括原料选择、粉末的制备、混合、成型和烧结等步骤。
硬质合金的基本原理是以金属粉末为基础材料，通过添加适量的碳化物粉末（如钨碳化钴粉末）作为增强相，经过混合、压制和烧结等工艺步骤形成。
在烧结过程中，金属粉末首先在高温下熔化，然后通过熔湿作用与碳化物相互反应生成金属碳化物结合相，使金属基体形成牢固且均匀分布的增强相颗粒。
烧结工艺是硬质合金制备过程中至关重要的一步。
主要包括预压、烧结及后处理三个阶段。
在预压阶段，通过将混合好的金属粉末和碳化物粉末放入模具中，利用压力将其预压成坯体。
这一步骤旨在提高粉末的绿密度和可压性，并为后续的烧结提供条件。
然后，将预压好的坯体放入高温的烧结炉中进行烧结。
烧结过程中，坯体在高温下逐渐熔化，金属与金属碳化物进行反应，并合成出独特的金属碳化物相。
同时，由于烧结炉中的高温和压力作用，使得金属碳化物颗粒之间发生颗粒扩散和晶粒长大现象，从而形成致密且强度高的硬质合金。
最后，在后处理阶段，将烧结好的硬质合金进行加工和调质，以达到所需的硬度和强度。
这包括切割、切磨、车削、磨削等工艺，以及热处理过程，如回火和时效处理等。
硬质合金的应用非常广泛，常见的应用包括切削工具、矿业工具、电子元件等领域。
由于硬质合金具有极高的硬度、耐磨性和耐腐蚀性，因此在切削加工领域被广泛应用于车削、钻孔、铣削和切割等工艺中。
同时，在矿业工具领域，硬质合金可以用作凿岩钻头、矿山钻头等，因为它的耐磨性和强度能够满足严苛的工况要求。
在电子元件领域，由于硬质合金具有优异的导热性和耐腐蚀性能，因此常用于制造散热器、金属工具接触点等。
总之，硬质合金的制备是一个复杂的过程，包括原料选择、混合、成型和烧结等多个步骤。
通过控制工艺参数和多次迭代优化，可以获得具有优异性能的硬质合金材料，满足不同领域的应用需求。
现代提取工艺制备的原理
现代提取工艺制备的原理现代提取工艺制备是一种通过物理、化学或生物学方法，从天然物质中提取所需成分的技术。
它主要应用于药物制剂、植物萃取、食品加工、化妆品等领域。
提取物的质量直接关系到产品的质量，因此提取过程的控制和改进非常重要。
现代提取工艺制备的原理基于化学分离。
提取过程中通常会利用化学物质的物化性质和化学反应原理分离、浓缩和纯化所需的化合物。
提取工艺通常包括以下步骤:1. 选材：对提取原料进行评估和筛选，分析其化学成分，确定目标化合物。
选择最适合提取所需化合物的原材料，同时考虑成本和特定需求。
2. 预处理：原料经过洗涤、干燥、粉碎等预处理步骤，以使其更易于提取所需的化合物。
预处理工序的质量直接影响提取效率和产量。
3. 提取：将预处理好的原料与萃取剂混合，使目标物质溶解在其中。
萃取剂的选择取决于所需化合物的性质和化学反应。
常见的萃取剂包括水、有机溶剂（乙醇、乙醚、丙酮等）和超临界流体（如二氧化碳）。
提取重点是提高目标化合物的浓度和纯度，同时尽可能减少杂质的存在。
4. 分离和纯化：通过分离和纯化的过程，从混合物中分离出所需要的化合物。
分离过程可以通过重力、温度、压力、蒸馏等物理方法来实现。
纯化过程能够进一步去除残留杂质，提高化合物的纯度和活性。
纯化通常包括结晶、过滤、蒸发、干燥等步骤。
5. 活性评价：通过活性评价并比较提取物与已知标准品之间的差异，确定提取物的纯度和活性。
例如，药物提取工艺可以评估提取物的药效和毒性，以确定是否符合药用要求。
6. 质量控制：在所有提取工艺步骤中，质量控制是非常重要的一环。
从原材料采集到最终产品的全过程中，需要监控物料、关键中间产物以及最终产品的质量。
对生产工艺进行合理的控制，以确保最终产品的质量符合标准，从而防止任何可能的质量问题。
总之，现代提取工艺制备通过多种过程的控制和优化，能够提高化合物的纯度和活性，从而为各个领域提供高质量、高效率的提取方法。
化学纤维常见制备技术与工艺流程原理
化学纤维常见制备技术与工艺流程原理哎呀，这可是个大课题啊！不过别着急，小二我这就给你说说化学纤维常见制备技术与工艺流程原理。
我们得知道，化学纤维是由天然高分子化合物或合成高分子化合物经过加工制成的。
这些天然高分子化合物和合成高分子化合物都是从哪儿来的呢？它们又是怎么被加工成纤维的呢？别急，听我慢慢道来。
我们来说说天然高分子化合物。
这些化合物通常来自于植物、动物和矿物等自然界中的物质。
比如说，棉花、麻、羊毛、蚕丝等都是天然高分子化合物。
这些物质在经过加工处理后，就可以变成我们熟悉的纤维了。
这些加工过程可不是简单的几步就能完成的，需要经过一系列复杂的化学反应和物理变化。
我们来看看合成高分子化合物。
这些化合物通常是通过化学反应制造出来的。
比如说，聚酯、聚酰胺、聚丙烯等都是合成高分子化合物。
这些化合物在经过加工处理后，也可以变成纤维。
不过，合成高分子化合物的种类要比天然高分子化合物多得多，而且性能也更加优越。
这些天然高分子化合物和合成高分子化合物是如何被加工成纤维的呢？这就要涉及到化学纤维的制备技术了。
化学纤维的制备技术有很多种，其中最常见的有：聚合纺丝法、溶液纺丝法、湿法纺丝法和机械加工法等。
每种方法都有其特点和适用范围，下面我们就来一一了解一下吧。
1. 聚合纺丝法聚合纺丝法是将聚合物溶液或熔融物通过喷丝头挤出成细丝，然后将这些细丝加热牵伸成纤维。
这种方法的优点是生产效率高、成本低，适用于大规模生产。
由于喷丝头的直径限制，这种方法只能生产出较短的纤维。
2. 溶液纺丝法溶液纺丝法是将聚合物溶液通过喷嘴挤出成细丝，然后将这些细丝加热牵伸成纤维。
这种方法的优点是可以生产出较长的纤维，但是生产效率较低，成本较高。
3. 湿法纺丝法湿法纺丝法是将聚合物颗粒加入到水中，然后通过高压空气将其雾化成细丝，最后将这些细丝加热牵伸成纤维。
这种方法的优点是可以生产出非常细的纤维，但是生产效率较低，成本较高。
4. 机械加工法机械加工法是将聚合物颗粒或细丝通过机械力量进行拉伸、压缩和扭转等加工过程，使其成为纤维。
PN结原理及制备工艺ppt课件
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1
在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分为 导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。
si
硅原子
GGee
+ 44
锗原子
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硅和锗最外层轨道上的 四个电子称为价电子。
2
• 【n型半导体】“n”表示负电的意思，在这类半导体中，参与导电的主要是带负 电的电子，这些电子来自半导体中的“施主”杂质。所谓施主杂质就是掺入 杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的 五价元素砷、锑、磷等原子都是施主杂质。如果在某一半导体的杂质总量中， 施主杂质的数量占多数，则这种半导体就是n型半导体。如果在硅单晶中掺入 五价元素砷、磷。则在硅原子和砷、磷原子组成共价键之后，磷外层的五个 电子中，四个电子组成共价键，多出的一个电子受原子核束缚很小，因此很 容易成为自由电子。所以这种半导体中，电子载流子的数目很多，主要kao电 子导电，叫做电子半导体，简称 n型半导体。
★PN结：
P区
- ---- ---- ----
+ ++++ + ++++
+ + + + + N区
建立内电场
扩散运动和 漂移运动达到
动态平衡，
交界面形成稳定的 空间电荷区，即
ＰＮ结
最新版整理ppt
内电场对载 流子的作用
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pn结的形成-形成PN结的原理
• PN结 及其形成过程
•
在杂质半导体 中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中
生产工艺原理
生产工艺简介(1)生产技术原理从钛白酸性废水回收氧化钪，一般采用液-液萃取法。
在钛白粉的生产过程中，钛铁矿中的钪有70%~80%以Sc3+存在于水解废液中，其余部分在硫酸亚铁结晶和钛白水解的洗涤尾液中流失，由于原矿中Sc含量很低，一般为80~120g/t，因此在钛白废水中Sc3+的含量也很低，一般为10~20mg/L，而废水的其它杂质Fe、TiO2等都大大高于Sc2O3的含量，要使微量的钪富集，采取先除杂的办法是不经济的，因而只能采取先萃取后除杂的工艺路线。
萃取是利用溶剂中的溶质在两种不同的溶液中达到平衡后其分配比不一样，来使被提取的元素与杂质分离。
本项目采用的萃取剂是TBP+P204+溶剂煤油溶液组成的有机萃取剂，其萃取反应为：在卒取过程中绝大部分Sc3+被萃取，同时大量Fe2+、Ti4+等杂质亦被萃取进入有机相中，因此萃取后必须，进行酸洗除杂，先酸洗除铁，再以硫酸加双氧水进行洗钛，由于Fe2+、Ti4+等极易被酸化，生成硫酸盐而进入废酸中，而Sc3+则仍能紧密结合在有机络合物中而保留在有机相中，其主要反应为：钪保留在经酸洗除杂后的有机相中，则采用加碱反萃使Sc3+从络合物中解脱出来，而有机相仍可返回使用，其主要反应式为：经反萃后，Sc在沉淀物中含量增高，但杂质仍是主要的，为了得到纯度较高的氧化钪，必须进行精制。
精制的原理是利用溶度积原理，控制一定的不同酸碱条件，使各项杂质与Sc在溶液中进一步分离后，再调整使其生成Sc(OH)3沉淀，而得到钪富集物产品，其反应式为：最后烘干或灼烧,得到氢氧化钪或在高温下灼烧氧化而生成S C2O3的初级产品,附录：钛白废酸提钪项目工艺1、钛白粉厂实施工艺部分项目采用的工艺不产生新的污染源，萃余液和酸洗液返回钛白废酸原有工序。
提钪项目与钛白工艺的接口图示：偏钛酸生产钛白粉钛白工艺流程图示一本项目采用的工艺流程如下图：钛白水解母液（废酸清亮液）----萃取（萃余废酸液，返回钛白工序流程）----有机相洗涤----反萃----反萃物溶解----沉淀----氧化钪富集物产品我们应用新工艺将钛白厂方提供的保持稳定酸度和清亮度的钛白水解母液经过工艺处理，提取其中的大部分稀有元素钪，然后仍将处理后的钛白水解母液返回钛白生产工序，达到回收Sc2O3富集物的目的。
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原理以及制备工艺的资料1.2 有机电致发光二极管结构及其发光原理有机电致发光二极管是将电能转化成光能的器件，属于电荷注入型发光器件。
其基本结构如上文所述为夹心结构[Error! Bookmark not defined.]，最简单的结构是一个发光层薄膜（EML）加在正负两个电极之间，正负电荷分别从两个电极注入到发光层中并进行复合发光。
发光的过程大致可以总结为下面5个步骤：1.载流子的注入；2.载流子的传输；3.激子的产生；4.激子的迁移和衰减（辐射衰减）；5.激子的出射（光的耦合输出）1.载流子的注入：在正向偏压的作用下，空穴从金属阳极费米能级(φa)注入到发光层的最高未占有轨道（HOMO），而电子从金属阴极费米能级(φc）注入到发光层的最低未占有轨道（LUMO）。
形成PLED的正向和负向两种载流子。
载流子注入时，空穴要克服阳极与发光层HOMO之间的能量势垒，而电子要克服阴极与发光层LUMO能级之间的能量势垒，势垒越小，载流子越容易注入，因此金属电极的功函数要与发光层的HOMO和LUMO相匹配。
当势垒高度小于0.3-0.4eV时可认为该接触为欧姆接触[i]，此时可以认为载流子的注入是没有势垒的。
电致发光器件要求两个电极至少一段是透明，光可以由此段出射。
作为底端出射结构，氧化铟锡（ITO）由于具有较高的透光率和优良的导电率以基脚高的功函数，通过溅射的方法，制备成ITO玻璃被广泛用作阳极。
而阴极则常用一些具有较高发射率的低功函数金属，例如钡，钙，镁，铯等[ii，iii，iv]。
图1-1给出了典型器件结构的相应能级示意图。
[v]但是一般的聚合物发光材料的HOMO和LUMO与阳极和阴极的能级匹配并不是最理想的状态，存在载流子的注入势垒，导致器件高的起亮电压，高的能耗和低的器件性能。
图1-1 器件的能级结构示意图[14]Fig.1-1 The sketch of PLED’s energy level[14]载流子的注入有两种理论机制，分别是隧穿机制[vi，vii，viii ]和空间电荷限制效应机制[ix，x，xi]。
一般情况下，当载流子的注入都不存在势垒时的载流子注入机制符合空间电荷限制效应理论。
即此时的注入情况取决于发光层材料的载流子迁移率，低的载流迁移率会导致电荷在界面层的积累，阻止载流子的进一步注入[xii，xiii，xiv]。
当界面的接触不是欧姆接触时，要将加在器件上的电场增大到一定的程度才能使载流子注入，载流子开始注入时的电压称为阈值电压，阈值电场的大小取决于注入的能量势垒的高低，此时的载流子注入机制符合隧道贯穿机制。
但是，实际情况下这两种载流子注入情况并不是孤立存在的。
2.载流子的传输：诸如的载流子在电场作用下，在器件中向对面的电极迁移。
一般认为载流子在聚合物材料中的迁移是“跳跃模型”（hoping）[xv]。
由于聚合物一般为无定型态，电子基本上局限在一个分子的内部，要从一个分子向另一个分子跳跃式比较困难的，所以聚合物的载流子迁移率比较低。
一般在10-5 cm2/Vs的量级。
载流子的迁移率是指在单位电场下，单位时间内载流子迁移的距离。
聚合物中有很多的杂质和缺陷，因此低的载流子迁移率容易使载流子被俘获而失活，将减少激子的形成率。
载流子在发光层中传输时有几个相互竞争的过程发生：1）电子和空穴复合成激子；2）不经过复合直接向电极迁移；3）被缺陷等俘获而失活。
其中只有激子的辐射衰减才能发光，因此载流子的迁移率对PLED的器件性能的提高是一个很关键的参数。
聚合物载流子的测量方法有多种，其包括1）渡越时间法（TOF），其测试图1-2渡越时间法测量迁移率示意图过程示意图如图1-2，给样品加上固定直流电压，在激光的激发下，样品内载流子从电极一端详另一端迁移，当载流子到达另一端电极，将在RC回路上引起电信号，并通过示波器收集，由此可以确定渡越时间T。
载流子的迁移率通过公式（1-1）计算可得。
（1-1）V Td2=μ准备TOF测试样品时候，待测材料的厚度，即d，需要达到微米级，一般旋涂不容易达到，因此多使用滴膜的方式成膜，另外为保证示波器收集的信号为材料载流子收集的信号，而不是回路中的RC效应，因此需要对回路中的电阻R满足测试电路的积分时间常数RC<t。
[xvi] 渡越时间法测可以直接获得载流子的迁移率而不需要通过某些模型以及假设推算出结果，但由于材料通过滴膜所成的薄膜状态跟传统的旋涂方法所成的膜有时候并不一致，因此会引起测试结果的存在一定的差距。
2）通过制备单载流子器件，通过器件的I-V曲线，估计载流子的迁移情况。
此方法需要保证器件的但载流子特性，因此需要在阳极处沉积低功函数的薄膜（单电子器件），或者在阴极处沉积高功函数的薄膜（单空穴器件），工艺比较复杂，且较难得到理想的单载流子传输状态。
3）通过薄膜晶体管（TFT）来计算迁移率。
其方法是通过将待测材料作为有源层制备成场效应晶体管，根据公式（1-2）计算出迁移率[xvii]：I d= (WCi/2L)/μFET(Vg-Vth)2 （1-2）其中，Id为饱和区电流，W/L为TFT器件的沟道宽长比，Ci为绝缘层的电容，Vg为栅极电压，Vth为阈值电压。
但由于在薄膜晶体管中载流子的传输方向跟电致发光器件中的传输方向垂直，因此此方法只适用于各向同性的材料的迁移率的估算。
电子和空穴相遇后复合成激子，这就要求发光层中的电子和空穴电流相平衡。
电子和空穴电流的平衡需要在两电极都是欧姆接触的前提下，有相同的载流子迁移率，否则将引起空间电荷的积累，形成高的注入势垒。
而且，没有复合的载流子将在外加偏压的作用下，迁移到对面电极，引起淬灭而降低器件性能，造成低的器件性能。
但是绝大多数的聚合物为“空穴传输型”或“电子传输型”材料[xviii，xix，xx]，载流子电流严重失衡。
为了改善载流子在阳极或阴极引起淬灭的情况，可以采用在空穴传输层和发光层之间加入电子阻挡层，或在电子传输层和发光层之间加入空穴阻挡层的方法，来阻挡载流子的迁移。
电子阻挡层材料的LUMO足够高，如：PVK（-2 .2 eV）；而空穴阻挡层材料的HOMO要足够低，如BCP(-6.7 eV)，TPBI（-6.1eV）。
3.激子的产生由于电子是费米子，具有量子数为1/2的自旋，在Z方向，自旋角动量的分量可以取为2/±。
当两个电子的自旋角动量发生耦合时，根据量子力学耦合法则，耦合后自旋角动量量子数可取为0或1。
当量子数为0时，自旋角动量在Z方向的分量只能取0，只有这一个状态，而当量子数为1时自旋角动量在Z方向的分量可以为2/-，有3个不同的状态。
根据Pauli不相+，0，2/容原理，每一个量子态上最多能容纳自旋相反的两个电子，它们总的自旋角动量为零。
当其中一个电子被激发到激发态(LUMO)上时，它和处于基态(HOMO)的电子总的自旋角动量仍然为0。
这种总的自旋为零的激发状态，叫做单线态(singlet)激子。
如果形成激子的电子和空穴不是来自光激发，而是来自外部注入，则所形成的激子的总的自旋角动量量子数既可能是0，也可能是1，此时，由于在Z方向它的分量可以取为2/- 3个不同的状态，因此，处+，0，2/于这3个状态的激子叫做三重态（triplet）激子。
根据泡利不相容原理，只有自旋相反的两个电子才能处在同一个量子态上，对于通常的聚合物发光材料来说，处于激发态上的电子退激发时，电子的自旋保持不变，因此只有处于单重态上的、和基态的电子自旋相反的电子才能跃迁回到基态而复合。
处于三重态上的电子由于自旋角动量守恒而不能直接跃迁到基态。
但是，以上对激子跃迁的自旋选择法则是建立在分子的自旋波函数与轨道波函数能够或近似能够分离处理的条件上。
当存在较强的自旋轨道耦合作用时，体系的定态波函数将成为自旋单态和三重态的组合态，三线态发光的限制法则将在一定程度上解除。
因此，通常情况下，荧光材料的理论最大内量子效率为25%，要想获得高效发光二极管，必须开发磷光材料，其理论最大内量子效率可达到100%。
图（1-3）为三线态发光原理示意图。
[xxi]图1-3 三线态发光原理示意图4．激子的衰减激子的衰减分为辐射衰减和非辐射衰减两种。
只有辐射衰减的激子可以发光。
这两种衰减是一个竞争的过程。
一般来说，材料的激子的辐射衰减的几率取决于材料本身。
但是，器件的一些外在的条件也会影响这个几率。
实验表明，蒸镀金属阴极时，金属材料会渗透进入发光层，造成发光层污染，而有杂质的发光材料的激子更容易发生非辐射衰减，从而降低辐射衰减的几率。
这种金属掺杂降低器件性能还有另外一个原因，当激子与扩散到发光层中的金属离子距离很近时，很容易将能量直接转移给金属离子的电子，而发生非辐射衰减。
最直接的解决方法是，在发光层金属电极之间插入缓冲层，从而避免金属扩散到发光层，引起激子的淬灭[xxii]。
5．光的耦合输出激子辐射衰减后发射的光将由透明电极透射出去。
这个过程中，光线将被分反射、吸收、折射、波导，只有一小部分透射出去而被利用。
如图1-4所示，为光线从图1-4 有机发光器件中典型的光耦合过程Fig.1-4 The output of the light excited in the organic layer有机层中发射后，可能经历的几种过程。
有机层、玻璃和ITO的折射率分别为1.6~2.0、1.5和1.8~2.1。
所以当光线透过ITO，入射到玻璃界面时，只有当入射角小于arcsin(nglass /nITO)时，才能避免全反射的发生，入射到玻璃内，同样只有当入射到玻璃与空气界面的光线的入射角小于arcsin(nair /nglass) 时，光线才能出射而被人眼观测到。
如果记光密介质的折射率为n1，光疏介质的折射率为n2，则当光透过光密介质到达光疏介质时的吸收B可以用下面的公式计算，(1-6)2nn11B212⎪⎭⎫⎝⎛--=最后计算出，大概有20%左右的光线出射。
由此可见，光的耦合作用造成的损失是不可忽略的。
为了改善这种情况，人们采用了多种方法来提高光的输出，如：改变玻璃基底的形成，将外量子效率提高近两倍；在ITO与玻璃之间蒸镀消反射膜；在基底底部增加层状透镜排列等方法，都取得了可喜的成果。
2.1.1实验设备本实验用于制备电致发光器件的仪器设备列于表2-1中表 2-1 PLED主要实验设备列表Table 2-1 List of the main instruments for the fabrication of PLED设备名称设备型号生产厂商超声清洗器18001美国Cole-Pamer仪器公司超纯去离子水系统67120美国Millipore公司氧等离子微波仪II-862美国Plasma-Preen公司真空烘箱DEF-6020上海精宏实验设备有限公司旋转匀胶机KW-4A中国科学院微电子中心表面轮廓测厚仪Alpha-Step 500美国Tencor公司半导体试验手套箱NEXUS美国VAC公司磁力搅拌器04644美国Cole-Pamer 仪器公司真空镀膜机DM-300B北京仪器厂微型镀膜测厚仪STM-100美国Sycon仪器公司程控真空计DL-7 北京大学电子系紫外/可见光吸收光谱仪HP 8453A Agilent公司半导体性能测试系统Keithley 236Keithley公司荧光光谱仪Fluorolog-3法国JOBIN YVON INC. CCD光谱仪Instaspec IV美国Oriel公司分光辐射度计PR705Photo Research公司2.1.2聚合物溶液配制溶在聚合物溶液中的杂质有可能成为很强的淬灭中心，制备成器件后会俘获载流子影响复合几率，从而影响PLED的发光效率。