用模板法制备取向Si纳米线阵列
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
关键词 ｓｉ纳米线阵列化学气相沉积（ＣＶＤ） 阳极氧化铝模板（ＡＡＯ）
硅是半导体材料领域应用最广泛的材料，随着碳 纳米管（ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ＣＮＴｓ）制备技术及物理化学 性质研究的进一步深入，ｓｉ纳米线（ｓｉｌｉｃｏｎ ｎａｎｏｗＪｒｅｓ， ＳｉＮＷｓ）的研究也开始受到人们的重视““．实现ｓｌ纳 米线特别是取向ｓｉ纳米线阵列的制备，可使人们继
ｗｗｗ．ｓｃｉｃｈｉｎａ．ｃｏｍ
电子衍射（ＳＡＥＤ）谱图对应．虽然ＸＲＤ实验表明利用 ＡＡＯ模板制备的大面积ｓｉ纳米阵列表面附着一定量 的模板物质Ａ１：Ｏ，，但我们可充分利用ＮａＯＨ溶液的 选择溶解特性，将制备好的纳米阵列在ＮａＯＨ溶液中 处理一下，保证单根ｓｉ纳米线在纳米阵列两面的连 续性，就可使Ａｌ：０３模板物质对采用ｓｉ纳米阵列制作 的光电子器件的性能影响减到最小
Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ １９９６ ５２ ５１ ７９—５１ ８９
５
Ｔｏｋｕｙａｍａ Ｈ Ｙａｍａｇｏ Ｓ Ｎａｋａｍｕｒａ Ｅ ｅｔ ａｌ Ｐｈｏｔｏｉｎｄｕｃｅｄ
ｂｉｏｃｈｅｍｉｃａｌ ａｃｔｉｖｉＤ ｏｆｆｕｌｌｅｒｅｎｅ ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ａｃｉｄ Ｊ Ａｍ Ｃｈｅｍ Ｓｏｃ
１９９ ３ Ｉｌ ５：７９Ｉ ８～７９１９
“¨＊Ⅲ∞ＫｍｍＨｆｍｍｆ№Ｅ ｌ ２㈣，１忆Ⅺ＆，一
ｍ＾《Ⅲ∞～……删ｄｍ”１５．＝№＊Ⅲ ｉ”’Ｉｎ ｍ＃Ⅶ“＊∞“％＊ｍｍ』＾～４１１一Ｉ ２【】ｖ
叠ｉ
４，０～Ⅻ“ｍ彳Ｌｎ自Ⅻ一ａⅢｎｎ＇＾ｈⅢＩ’４ｍｉｒ¨
¨“ｒＡ Ｐ ４Ｔ＂ＭＭＩ）Ｉ ｍ十～Ｈｍ№０々Ⅻ＊Ｍ№
Ｒ Ｆ日Ⅻ自０Ｆｎｎ＆《∞＾ｍ＃＊目ｎ¨＇ｎ’ｏｌ／Ｉ ”ｑ№＃一Ⅲ－”ｍⅧＡ自１ｍＲｍⅡｍ‘ｂⅢ☆４０ ｖ
图３是对沉积ｓ·纳米线的模板进行ｘ射线衍射 扫描获得的谱峰图，经化学物质比对证明，该谱峰只 包含多晶硅（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｙｎ，标识号２７－１４０２）和ｄ— ＡＩ：Ｏｊ（标识号０４—０８７７），图形中有５个可分辨谱峰与 硅有关．对其衍射晶面已做了标定，其中两个最强峰 分别对应硅的［１００］晶面和【２２０１晶面其他未标定的 衍射峰皆与Ａ１二０，模板有关，说明经ＣＶＤ高温过程， 模板具有６一Ａｊ２０３晶体结构．没有发现文献ｆ１４１报道 的ＳｉＯ：由此得出结论，我们制备的是多晶ｓｊ纳米 线．其结果与在ＴＥＭ上对单根ｓｉ纳米线进行的选区
Ⅻ”＊ｍ４ｑ…‘ｃⅫＭ１Ｉ Ｋ…‘＊￡“＃＊ｍ＾ ｎ ｍ目Ⅲ＾“女女ⅢｆＩｑ¨“＊ｎ日＾％＂ｍ＾ “＊Ⅲ∞＊ｆ｝ｍ№＊Ⅱ｛Ｅ ＡｍＨ№镕№ｃｌ｜ｉ…＊
Ｈ４｛㈣＋、Ｌ１｛ｌ‘％ ｎ／。＿ｍ堑 ｊ’ｎ－ｍ·ｍｌｎⅡｑ＾…Ⅲｎｑ々∞ｃ＊…４）ｎ＃＊｛Ⅻ“ ｓｌ㈣☆ｌ州Ｉ’．１ｔ．＊Ｍ目 Ⅲ“Ｉ＊ｕ·ｌ０十 一『＾ＬＪⅢ 目９…Ⅱ ｊｉｍ＾Ｗ
致谢 本工作为国家自然科学基金资助项目（批准号：
６９８９０２２０ ６９８７１０１３１．
参考 文献
眦胁
Ⅲ鼠
删
：三一
薰燮一 兰滕雾赫蠢～要篆嚣 帅㈣篙曩ｌ盏焉州呱Ｈ”㈦雌㈣ｍ兹淼黧嚣鬻
嚣～黑嚣甓 蚶脚娜 舞一黑扰一
万方数据
辫孝屯矗 第４８卷第１４期２００１年７月
简报
西藏嗜盐菌ｘｚ５１５紫红膜中类菌紫质 分子的ＡＦＭ成像
唐琳１ 孙庆安２ 李庆国２ 黄一波１ 魏青青５ 张益‘ 胡钧。１ 张志鸿２＋李民乾１ 杨福家嘲
ｒ中国科学院上海原于｝衰研究昕单分子探刊与单分于操纵实验享．上海２０１ ８００：孕复巳大学生命科学学院生理学和牛物物理学系立＾ 吏验室．上海２００４３３：妻中ＩＸｌ科学院上海生理研究所神经生物学实骑室．上海２０００３１、多上海交通大学Ｂｉｏ—Ｘ科学研究中心．上海
＆’￡Ａ＂＾ｈ｜ｊ＃￥“ａ ５ ＪｅＥ…ｎｍｍⅡｔｌ＊％ Ⅱｆｊ Ｌｍ＊＊ＬⅢ∞ｒｌ＊ｆ ｒ≈ｍ∞々ｍ№
“ ２∞Ⅻ”ｌｑ“镕☆Ⅲｍ＊％＆ｊＬ”“＊Ｈ“
∞ｌ，ｒ＊’￡Ｋ＃＃＆’¨ｎ０＊Ｒ＃＾２
《ｍ镕￥
ｄ＊ＨＢ＾《ｗ自∞ｆｊ％＆ｉ｛，：＊ｍ＃ｎ№Ｋ
Ｉ＂ｗ（ｖｕ“＃☆ｍ‘ｌＩＫ＊÷ｐ＊＊ｑ＂ｆＵ…《 “ｍｎ∞ｎＭ¨＆彳Ｌ％ｍ№自ⅢⅢＨＨｔⅫｇ¨＾¨
４
Ａｎ Ｙ Ｚ．Ｃｈｅｎ Ｃ Ｂ．Ａｎｄｅｒｓｏｎ Ｊ Ｌ．ｃｌ ａｌ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ
ｍｏｄｉｆｉｃａｌｉｆＪａ ｏｆ ｇｕａｎｏｓｉｎｅ ｉｎ ＤＮＡ ｂｙ ａ Ｃ”ｈｎｋｅｄ ｄｅｏｘ，ｏｌｉｇｏｎｕ
ｅｌｅｏｄｄｅ
ｅｖｉｄｅｎｃｅ ｆｏ ｒ ａ ｔ２０ｌｌ ｓｉｎｇｌｅｌ ｏｘ）ｇｅｎ ｍｅｃｈａｕｉｓ…
拜学ｔ矗第４６卷第１４期２００１年７ ＥＪ
简｝＆
图６不同浓耋的样品对自由基ＴＥＭＰＯＬ的清除效果 ▲，下样ｌ吊１．●示样品２
更好的效果．而表现出更好的抗氧化性 具有较好抗氧化作用的受阻酚可以通过Ｆｒｉｅｄｅｌ—
Ｃｒａｆｔｓ反应与Ｃ６０反直形成多加成产物该化合物在 极性溶剂中有较好的溶解度，并具有较好的清除自 由基的能力．
续利用现有的大规模集成电路材料和生产技术，开 发制备出～维高效量子器件和高效发光阵列器件及 各种新型的电学和光学传感器
近两年来、为制备ｓｊ纳米线和取向ｓｉ纳米线阵 列．各圜先后开发出湿法化学腐蚀”Ｉ、掩膜电子束刻
１１７１
ｗｗｗ．ｓｃｌｃｈｉｎａ．ｃｏｒｎ
万方数据
！蔓…～…一 ～一——！！堕墨塑ｊ！！盟！Ｌ兰量皇
ｆ２００１ ０３－２０收｛１１６ ２００１ ０５－１７收修改稿）
用模板法制备取向Ｓｉ纳米线阵列
李梦轲王成伟 力虎林＋
兰州大学化学系．兰州７ ３００００＊联系凡，Ｅｔｍａｉｌ：ｌｉｈｌ＠Ｉｚｕ ｅ‘ｌｕ Ｃｌｌ
摘要用化学气相沉积（ＣＶＤ）技术，在阳极氧化铝模板的有序徽孔内，制备了高度取向的多晶ｓｌ纳生 鼗阵列用厚子力显徽镜（ＡＦＭ）、扫描电子显徽镜（ＳＥＭ）、透射电子显徽镜（ＴＥＭ）分别观察了模板及ｓｉ 纳朱线阵ｉｉ的表面、断面形貌及单根ｓｉ纳米发的显徽结构，用ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）分析了ｓｉ纳米线阵 刮的晶体结构．此方法制备出的ｓｉ纳米线阵列生长方向高度有序，直径和长度易于控制，较少发生属 期陛不稳定生长而声生的弯曲和缠绕现象，相对其他方法具有工艺简单、成本低、可控性强、辱实现 走面积生长等优点．
Ⅺ∞ｍｍ｛ｍ∞＊％ｍⅧ＂ｊ¨心１№Ⅻ＊ｍ＆№ｍＨ
ｑ＾１ Ｋｊ二“自Ｆｍ＾【ｍ一＊Ｋｍ４№ｃｍ∞ｏ！¨＿ｕｌｎ． ∞Ⅲ７；ｊｎ‘Ｉ镕＊十＆№：ｏ ｍｉｎｍｆ ｒ｛ｒｎ镕＊ｍ ＫＥ＃¨ＨｍＵ ｍ－“ｎⅢ一☆ｍ≯ｐａ＊ｒ＊Ⅲ ｌｌ【１４％ｍⅡｗ－＿『ｍ镕∞口ｎⅨ《∞、Ｕ№目《＾ｔ＊Ⅻ ＾¨∞ｍ＃ｍ—ｆｍⅫ十¨彳Ｌ＊∞ｍ№ｍ《＾０ｎ＂ ‘ｒｊ、ｌ＃·１＾ｌｍ＊ｍｉ土Ｗｎ０‘ＵⅡ“Ⅲ＆ｍ＃№“＊
Ｊ Ａｍ Ｃｈｅｍ Ｓｕｃ ９９１ １１ ３：９３８７—９３Ｒ８
０ Ｈｏｋｅ Ｓ Ｈ Ｍｏｔｓｔａｄ Ｊ Ｐａｉｎｅ Ｇ Ｌ．ｅｌ ａｌ Ａｒｏｍａｌｉｅ ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ
ｄｅｒｉｖａ【ｉｒｅｓ ｏｆ ｆｕＩｌｅｒｅｎｅｓ Ｒａｐ Ｃｏｍｍｌｌｌｔ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃ Ｊ９９ｉ，５．
４７２－４７５
ｆ“《～…＇ｒＭ＊∞＾『ｎ№《＆Ⅲ∞＾ＦＭⅧ
￡…ｆｔｔ Ｌ月ｎ【ｑｌｔ（Ⅵ）琳ｔ ｒｌ＿ｍ“¨“】｝ｍ
ｎｎＭ☆ｈ＊日。Ａ≈ｗ＾＆＃№“ｎ＾“＊Ｉｑｍ
ｍ¨｛ｔ＊自’＊ｊ℃“＊Ｍｍｆ目＃Ｈ¨自ｌ，“｝Ⅲｌ∞
“＊目－｝，Ｉｌ＂ｌ＃Ⅲｎ¨ｔ Ｌ“ｒ＝ｑ㈣Ｉ Ｆ ｎｔ‘＾＾
万方数据
简报
第４６卷第１４期２００１年７月错带电盘
岛１
赣１
套来自百度文库
堡
鬟
图３模板上沉积硅ｓ１米线阵列后的Ｘ射线衍射谱峰图
利用阳极氧化法制备的多孔Ａ１：０３有序模板，采 用ＣＶＤ技术，在有序微孔内可制备出高度有序的多 晶ｓｉ纳米线阵列实验证明，纳米线的几何参量可 由模板的厚度、面积及孔径和沉积时间控制，ｓｉ纳米 线阵列的生长特性与模板的结构、反应气体热解温 度、流量等因素有关．生长出的ｓｉ纳米线结构均匀 一致，生长方向高度有序，直径和长度易于控制，较 少发生弯曲和缠绕现象．该方法工艺简便，成本低， 重复性好，ｓｉ纳米线结构缺陷少，易实现大面积生长， 为ｓｊ纳米线性质、纳米量子器件研究及大面积ｓｉ纳 米传感器的制作提供了较好的手段．
№％￥＆＊∞’｝＊％“Ｒ＂ｎ’＿『”＃Ｂ∞ｍ∞Ⅻ
Ｒ目～”Ｂ ｎ＊￥ｍｍ“｝ｔｎ目ｆ■Ｊ＂ｉ（ｖｎｂｎ
ｎ＃ｎ罔］Ⅲ《ｆｔ％ｍＫ｛＾＾ｎ《＊）“４ｍＨｊ‰ｎ¨Ｍ
ｊ蕊
＊＾ｍｍ“Ｊ￡ｎｍ』ＬＨ￥ｎ一４ｎ∞￥∞ｍ∞＊
＾＊ｑ＂Ｉ”
Ｉ蛮验过雕
；ｎ目％”ＫＫＥ“＊１￡ｔ…Ⅲ９ｊｉ ２｛”Ｒ ｊ、ⅢＬ＆＾ｊ＿上＂ｔ＃￥＆１。 ａ‘ｌＩ＊＊＃“≈ ｊ ｎ＂％女ｍｍ《Ⅸ“＊““ｒＩ，№“《∞ｍ％ｍＭ ｍＵ＆Ｋ¨ｍｍ彳Ｌｍ”ｆ∞”ｎ０＃自ｍｍ ｃｖＤ？ＩＬｍ ·Ｉｊ：‘ｊＨ＃Ｐ，Ｉ＾０∞自＃Ｈ ｒ“ｎ《“ｍ￥ｎ十《“
６ Ｋｒｕｓｉｃ Ｐ ｇⅦ＇ａ￥ｓｅｒｆｌｌａｎ Ｅ．Ｋｅｉｚｅｒ Ｐ Ｎ．ｅｔ ａｌ Ｒａｄｉｃａｌ ｒｅａｃｌｉｎｎｓ ｏｆ
Ｃ卅Ｓｃｉｅｎｃｅ．Ｊ９９Ｉ．２５２：Ｉ【８３—１【８５
７ 郑大贵．辛七良．束道本ｃ。ｎ的【３＋２】环加成臣应．科学通撤
１９９６ ４Ｉ（１１－１０～１４
８ 石志强．李卡良．葛忠新，等舍稳定氯氧自由基的ｆ。ｕ惭生物
的合成受其磁｜生质科学通撤．１９９９ ４４（２４１：２６２８～２６３１
９
Ｇｅｏｒｇｅ Ａ Ｏ ｌｍｒｅ Ｂ．Ｃｈｒｉ，ｔｉａｎ Ｌ．“ａｌ Ｐｏｌｙａｒｅｎｅｆｕｌｌｅｒｅｎｅ
Ｃｄ０（Ｈ—Ａｒ）ｎ、ｏｂｔａｉｎｅｄ ｂｙ ａｃｉｄ ｒｃａｔａｌｙｚｅｄ ｆｕｆｆｅｒｅｎａｔｍｎ ｏｆ ａｒｏｍａ（ｉｔｓ
有关在模板结构一定的情况下．适当减小反应气体 温旺、流量可使沉积率降低．该方法工艺简便，成本 低廉，易实现ｓｉ纳米线阵列的大面积生长．
图２（ｂ）和（ｃ）分别是单根和多根ｓ·纳米线的精细 ＴＥＭ显微照片．从放大１万倍的ＴＥＭ照片可看出， 采用ＣＶＤ技术在模板中制备出的是ｓｉ纳米线而不是 纳米管，单根ｓｊ纳米线粗细均匀，取向一致，表面元 明显的缺陷，较少发生弯曲和缠绕现象，且重复性较 好．因周期性不稳定生长而导致的各种形态和缺陷 相对较少其良好的取向和稳定的形态为下一步利 用ＡＦＭ测试其量子效应和加工相关器件创造了良好 条件，相对于采用激光蒸发沉积法制备ｓｉ纳米线工 艺【ｌ…．又提供ｒ一种新的手段经ＴＥＭ观察，采用 此种方法在微孔内沉积出的单根ｓｉ纳米线两头并无 明显圆帽形生长头．说明利用Ａ１２０３模板的有序微 孔沉积生长ｓｉ纳米线的机理与文献１１３］的报道不同． 实验前我们在模板的有序微孔中未加入任何纳米结 晶核．ＳｉＨ－气体热解后形成的原子硅在微孔中长出了 极好的ｓ１纳米线，这主要是由于硅原子以气液固 （ＶＬＳ）生长机制”“沉积到微孔壁后以符合热动力学 的表面碰撞理论逐渐在表面形成原始结晶核，由于 ｓｉ原子团表面存在大量的悬挂键，因此易和微孔壁 和其Ｅ的其他ｓｉ原子团簇结合长大，其生长过程在 傲孔壁内各处应是同时进行的，最后形成纳米线模 板内微孔壁起到了控制ｓｉ纳米线生长的外鞘作用”…． 由图２ｆｂ）右仁角的在进行ＴＥＭ观察时同步所作的 ｓｉ纳米线晶体的选区电子衍射图（ＳＡＥＤ）可看出，此 方法获得的ｓｉ纳米线是由许多小单晶组成的多晶体， 图２（ｄ）显示了ＣＶＤ沉积后的模板断面经碱液浸泡 １０ ｈ后，在ＳＥＭ电子显微镜下获得的断面照片，其 中部为模板中沉积的ｓｉ纳米线阵列，可看出有序性 较佳．七下部为模板外部沉积的硅膜层．
致谴ｔ 丰工怍为国家自然辑学基金（批准号２９８７１０３２）和 蓍幕重点基础研究发展规划资助项目
参
考
文
献
ｗ虬ｅｒ—ｓｏｌｕｂｌｅ ｆｕｌｌｅｒｅｎｏｌｓ
２８３一ｌ ２８４
２ 孙大勇．祝严师刘于阳，等水溶｜生寓勒醇对活眭氧自巾基的 清除科学通报，１９９７ ４２（８）：８３６～８３９
３ Ｓｌｊｂｅｓｍａ Ｒ Ｓｒｄａｎｏ～Ｇ，Ｗｕｄｌ Ｆ ｅｔ ａｌ Ｓｓｎｔｈｃｓｉｓ ｏｆ ａ ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ ｄｅｒｉｖａｌｉｖｅ ｆｏｒ ｔｈｅ ｉｎｈｉｂｉｔｉｏｎ ｏｆ ＨＩＶ ｅｎｚｙｍｅｓ Ｊ Ａｍ Ｃｈｅｍ Ｓｏｃ １９９３ １１５ ６５ｊ０－６５１２
¨ｍ｛镕№ｎ№Ｍ＊｛¨∞ｍ∞＊‰＾Ⅲ““ ＵＨ ｝∞ＨｍＨ Ｐｍ＃目自＊￥＊∞№１ＥＩ々““ｎ
－Ｉ∞＂～，’＿｛㈣ｈ ｍ＊’口ｆＭ目Ｉ—Ｊ ｈ－Ｈ口ｔｍ＾一
Ｊ孙０ｉＫ＃，Ⅻｔ１，ⅫＨ、＃％ＩＩｔ＋ｃ’＾ｍ·Ｌ＊｝，ｄ＊ｒ＃ｍ
ｔＥ＾ｔ＾＆￥＃“４“＊．｛；∞ｍ％ｍ＃目Ｍ¨∞
４∞＿ｌ－ｔｍ ｓ“ｌ’Ｌ＊ｄ ｒ Ｌ０｜ｌ＊Ⅲｍｍ≈№’Ｌ
硅是半导体材料领域应用最广泛的材料，随着碳 纳米管（ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ＣＮＴｓ）制备技术及物理化学 性质研究的进一步深入，ｓｉ纳米线（ｓｉｌｉｃｏｎ ｎａｎｏｗＪｒｅｓ， ＳｉＮＷｓ）的研究也开始受到人们的重视““．实现ｓｌ纳 米线特别是取向ｓｉ纳米线阵列的制备，可使人们继
ｗｗｗ．ｓｃｉｃｈｉｎａ．ｃｏｍ
电子衍射（ＳＡＥＤ）谱图对应．虽然ＸＲＤ实验表明利用 ＡＡＯ模板制备的大面积ｓｉ纳米阵列表面附着一定量 的模板物质Ａ１：Ｏ，，但我们可充分利用ＮａＯＨ溶液的 选择溶解特性，将制备好的纳米阵列在ＮａＯＨ溶液中 处理一下，保证单根ｓｉ纳米线在纳米阵列两面的连 续性，就可使Ａｌ：０３模板物质对采用ｓｉ纳米阵列制作 的光电子器件的性能影响减到最小
Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ １９９６ ５２ ５１ ７９—５１ ８９
５
Ｔｏｋｕｙａｍａ Ｈ Ｙａｍａｇｏ Ｓ Ｎａｋａｍｕｒａ Ｅ ｅｔ ａｌ Ｐｈｏｔｏｉｎｄｕｃｅｄ
ｂｉｏｃｈｅｍｉｃａｌ ａｃｔｉｖｉＤ ｏｆｆｕｌｌｅｒｅｎｅ ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ａｃｉｄ Ｊ Ａｍ Ｃｈｅｍ Ｓｏｃ
１９９ ３ Ｉｌ ５：７９Ｉ ８～７９１９
“¨＊Ⅲ∞ＫｍｍＨｆｍｍｆ№Ｅ ｌ ２㈣，１忆Ⅺ＆，一
ｍ＾《Ⅲ∞～……删ｄｍ”１５．＝№＊Ⅲ ｉ”’Ｉｎ ｍ＃Ⅶ“＊∞“％＊ｍｍ』＾～４１１一Ｉ ２【】ｖ
叠ｉ
４，０～Ⅻ“ｍ彳Ｌｎ自Ⅻ一ａⅢｎｎ＇＾ｈⅢＩ’４ｍｉｒ¨
¨“ｒＡ Ｐ ４Ｔ＂ＭＭＩ）Ｉ ｍ十～Ｈｍ№０々Ⅻ＊Ｍ№
Ｒ Ｆ日Ⅻ自０Ｆｎｎ＆《∞＾ｍ＃＊目ｎ¨＇ｎ’ｏｌ／Ｉ ”ｑ№＃一Ⅲ－”ｍⅧＡ自１ｍＲｍⅡｍ‘ｂⅢ☆４０ ｖ
图３是对沉积ｓ·纳米线的模板进行ｘ射线衍射 扫描获得的谱峰图，经化学物质比对证明，该谱峰只 包含多晶硅（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｙｎ，标识号２７－１４０２）和ｄ— ＡＩ：Ｏｊ（标识号０４—０８７７），图形中有５个可分辨谱峰与 硅有关．对其衍射晶面已做了标定，其中两个最强峰 分别对应硅的［１００］晶面和【２２０１晶面其他未标定的 衍射峰皆与Ａ１二０，模板有关，说明经ＣＶＤ高温过程， 模板具有６一Ａｊ２０３晶体结构．没有发现文献ｆ１４１报道 的ＳｉＯ：由此得出结论，我们制备的是多晶ｓｊ纳米 线．其结果与在ＴＥＭ上对单根ｓｉ纳米线进行的选区
Ⅻ”＊ｍ４ｑ…‘ｃⅫＭ１Ｉ Ｋ…‘＊￡“＃＊ｍ＾ ｎ ｍ目Ⅲ＾“女女ⅢｆＩｑ¨“＊ｎ日＾％＂ｍ＾ “＊Ⅲ∞＊ｆ｝ｍ№＊Ⅱ｛Ｅ ＡｍＨ№镕№ｃｌ｜ｉ…＊
Ｈ４｛㈣＋、Ｌ１｛ｌ‘％ ｎ／。＿ｍ堑 ｊ’ｎ－ｍ·ｍｌｎⅡｑ＾…Ⅲｎｑ々∞ｃ＊…４）ｎ＃＊｛Ⅻ“ ｓｌ㈣☆ｌ州Ｉ’．１ｔ．＊Ｍ目 Ⅲ“Ｉ＊ｕ·ｌ０十 一『＾ＬＪⅢ 目９…Ⅱ ｊｉｍ＾Ｗ
致谢 本工作为国家自然科学基金资助项目（批准号：
６９８９０２２０ ６９８７１０１３１．
参考 文献
眦胁
Ⅲ鼠
删
：三一
薰燮一 兰滕雾赫蠢～要篆嚣 帅㈣篙曩ｌ盏焉州呱Ｈ”㈦雌㈣ｍ兹淼黧嚣鬻
嚣～黑嚣甓 蚶脚娜 舞一黑扰一
万方数据
辫孝屯矗 第４８卷第１４期２００１年７月
简报
西藏嗜盐菌ｘｚ５１５紫红膜中类菌紫质 分子的ＡＦＭ成像
唐琳１ 孙庆安２ 李庆国２ 黄一波１ 魏青青５ 张益‘ 胡钧。１ 张志鸿２＋李民乾１ 杨福家嘲
ｒ中国科学院上海原于｝衰研究昕单分子探刊与单分于操纵实验享．上海２０１ ８００：孕复巳大学生命科学学院生理学和牛物物理学系立＾ 吏验室．上海２００４３３：妻中ＩＸｌ科学院上海生理研究所神经生物学实骑室．上海２０００３１、多上海交通大学Ｂｉｏ—Ｘ科学研究中心．上海
＆’￡Ａ＂＾ｈ｜ｊ＃￥“ａ ５ ＪｅＥ…ｎｍｍⅡｔｌ＊％ Ⅱｆｊ Ｌｍ＊＊ＬⅢ∞ｒｌ＊ｆ ｒ≈ｍ∞々ｍ№
“ ２∞Ⅻ”ｌｑ“镕☆Ⅲｍ＊％＆ｊＬ”“＊Ｈ“
∞ｌ，ｒ＊’￡Ｋ＃＃＆’¨ｎ０＊Ｒ＃＾２
《ｍ镕￥
ｄ＊ＨＢ＾《ｗ自∞ｆｊ％＆ｉ｛，：＊ｍ＃ｎ№Ｋ
Ｉ＂ｗ（ｖｕ“＃☆ｍ‘ｌＩＫ＊÷ｐ＊＊ｑ＂ｆＵ…《 “ｍｎ∞ｎＭ¨＆彳Ｌ％ｍ№自ⅢⅢＨＨｔⅫｇ¨＾¨
４
Ａｎ Ｙ Ｚ．Ｃｈｅｎ Ｃ Ｂ．Ａｎｄｅｒｓｏｎ Ｊ Ｌ．ｃｌ ａｌ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ
ｍｏｄｉｆｉｃａｌｉｆＪａ ｏｆ ｇｕａｎｏｓｉｎｅ ｉｎ ＤＮＡ ｂｙ ａ Ｃ”ｈｎｋｅｄ ｄｅｏｘ，ｏｌｉｇｏｎｕ
ｅｌｅｏｄｄｅ
ｅｖｉｄｅｎｃｅ ｆｏ ｒ ａ ｔ２０ｌｌ ｓｉｎｇｌｅｌ ｏｘ）ｇｅｎ ｍｅｃｈａｕｉｓ…
拜学ｔ矗第４６卷第１４期２００１年７ ＥＪ
简｝＆
图６不同浓耋的样品对自由基ＴＥＭＰＯＬ的清除效果 ▲，下样ｌ吊１．●示样品２
更好的效果．而表现出更好的抗氧化性 具有较好抗氧化作用的受阻酚可以通过Ｆｒｉｅｄｅｌ—
Ｃｒａｆｔｓ反应与Ｃ６０反直形成多加成产物该化合物在 极性溶剂中有较好的溶解度，并具有较好的清除自 由基的能力．
续利用现有的大规模集成电路材料和生产技术，开 发制备出～维高效量子器件和高效发光阵列器件及 各种新型的电学和光学传感器
近两年来、为制备ｓｊ纳米线和取向ｓｉ纳米线阵 列．各圜先后开发出湿法化学腐蚀”Ｉ、掩膜电子束刻
１１７１
ｗｗｗ．ｓｃｌｃｈｉｎａ．ｃｏｒｎ
万方数据
！蔓…～…一 ～一——！！堕墨塑ｊ！！盟！Ｌ兰量皇
ｆ２００１ ０３－２０收｛１１６ ２００１ ０５－１７收修改稿）
用模板法制备取向Ｓｉ纳米线阵列
李梦轲王成伟 力虎林＋
兰州大学化学系．兰州７ ３００００＊联系凡，Ｅｔｍａｉｌ：ｌｉｈｌ＠Ｉｚｕ ｅ‘ｌｕ Ｃｌｌ
摘要用化学气相沉积（ＣＶＤ）技术，在阳极氧化铝模板的有序徽孔内，制备了高度取向的多晶ｓｌ纳生 鼗阵列用厚子力显徽镜（ＡＦＭ）、扫描电子显徽镜（ＳＥＭ）、透射电子显徽镜（ＴＥＭ）分别观察了模板及ｓｉ 纳朱线阵ｉｉ的表面、断面形貌及单根ｓｉ纳米发的显徽结构，用ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）分析了ｓｉ纳米线阵 刮的晶体结构．此方法制备出的ｓｉ纳米线阵列生长方向高度有序，直径和长度易于控制，较少发生属 期陛不稳定生长而声生的弯曲和缠绕现象，相对其他方法具有工艺简单、成本低、可控性强、辱实现 走面积生长等优点．
Ⅺ∞ｍｍ｛ｍ∞＊％ｍⅧ＂ｊ¨心１№Ⅻ＊ｍ＆№ｍＨ
ｑ＾１ Ｋｊ二“自Ｆｍ＾【ｍ一＊Ｋｍ４№ｃｍ∞ｏ！¨＿ｕｌｎ． ∞Ⅲ７；ｊｎ‘Ｉ镕＊十＆№：ｏ ｍｉｎｍｆ ｒ｛ｒｎ镕＊ｍ ＫＥ＃¨ＨｍＵ ｍ－“ｎⅢ一☆ｍ≯ｐａ＊ｒ＊Ⅲ ｌｌ【１４％ｍⅡｗ－＿『ｍ镕∞口ｎⅨ《∞、Ｕ№目《＾ｔ＊Ⅻ ＾¨∞ｍ＃ｍ—ｆｍⅫ十¨彳Ｌ＊∞ｍ№ｍ《＾０ｎ＂ ‘ｒｊ、ｌ＃·１＾ｌｍ＊ｍｉ土Ｗｎ０‘ＵⅡ“Ⅲ＆ｍ＃№“＊
Ｊ Ａｍ Ｃｈｅｍ Ｓｕｃ ９９１ １１ ３：９３８７—９３Ｒ８
０ Ｈｏｋｅ Ｓ Ｈ Ｍｏｔｓｔａｄ Ｊ Ｐａｉｎｅ Ｇ Ｌ．ｅｌ ａｌ Ａｒｏｍａｌｉｅ ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ
ｄｅｒｉｖａ【ｉｒｅｓ ｏｆ ｆｕＩｌｅｒｅｎｅｓ Ｒａｐ Ｃｏｍｍｌｌｌｔ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃ Ｊ９９ｉ，５．
４７２－４７５
ｆ“《～…＇ｒＭ＊∞＾『ｎ№《＆Ⅲ∞＾ＦＭⅧ
￡…ｆｔｔ Ｌ月ｎ【ｑｌｔ（Ⅵ）琳ｔ ｒｌ＿ｍ“¨“】｝ｍ
ｎｎＭ☆ｈ＊日。Ａ≈ｗ＾＆＃№“ｎ＾“＊Ｉｑｍ
ｍ¨｛ｔ＊自’＊ｊ℃“＊Ｍｍｆ目＃Ｈ¨自ｌ，“｝Ⅲｌ∞
“＊目－｝，Ｉｌ＂ｌ＃Ⅲｎ¨ｔ Ｌ“ｒ＝ｑ㈣Ｉ Ｆ ｎｔ‘＾＾
万方数据
简报
第４６卷第１４期２００１年７月错带电盘
岛１
赣１
套来自百度文库
堡
鬟
图３模板上沉积硅ｓ１米线阵列后的Ｘ射线衍射谱峰图
利用阳极氧化法制备的多孔Ａ１：０３有序模板，采 用ＣＶＤ技术，在有序微孔内可制备出高度有序的多 晶ｓｉ纳米线阵列实验证明，纳米线的几何参量可 由模板的厚度、面积及孔径和沉积时间控制，ｓｉ纳米 线阵列的生长特性与模板的结构、反应气体热解温 度、流量等因素有关．生长出的ｓｉ纳米线结构均匀 一致，生长方向高度有序，直径和长度易于控制，较 少发生弯曲和缠绕现象．该方法工艺简便，成本低， 重复性好，ｓｉ纳米线结构缺陷少，易实现大面积生长， 为ｓｊ纳米线性质、纳米量子器件研究及大面积ｓｉ纳 米传感器的制作提供了较好的手段．
№％￥＆＊∞’｝＊％“Ｒ＂ｎ’＿『”＃Ｂ∞ｍ∞Ⅻ
Ｒ目～”Ｂ ｎ＊￥ｍｍ“｝ｔｎ目ｆ■Ｊ＂ｉ（ｖｎｂｎ
ｎ＃ｎ罔］Ⅲ《ｆｔ％ｍＫ｛＾＾ｎ《＊）“４ｍＨｊ‰ｎ¨Ｍ
ｊ蕊
＊＾ｍｍ“Ｊ￡ｎｍ』ＬＨ￥ｎ一４ｎ∞￥∞ｍ∞＊
＾＊ｑ＂Ｉ”
Ｉ蛮验过雕
；ｎ目％”ＫＫＥ“＊１￡ｔ…Ⅲ９ｊｉ ２｛”Ｒ ｊ、ⅢＬ＆＾ｊ＿上＂ｔ＃￥＆１。 ａ‘ｌＩ＊＊＃“≈ ｊ ｎ＂％女ｍｍ《Ⅸ“＊““ｒＩ，№“《∞ｍ％ｍＭ ｍＵ＆Ｋ¨ｍｍ彳Ｌｍ”ｆ∞”ｎ０＃自ｍｍ ｃｖＤ？ＩＬｍ ·Ｉｊ：‘ｊＨ＃Ｐ，Ｉ＾０∞自＃Ｈ ｒ“ｎ《“ｍ￥ｎ十《“
６ Ｋｒｕｓｉｃ Ｐ ｇⅦ＇ａ￥ｓｅｒｆｌｌａｎ Ｅ．Ｋｅｉｚｅｒ Ｐ Ｎ．ｅｔ ａｌ Ｒａｄｉｃａｌ ｒｅａｃｌｉｎｎｓ ｏｆ
Ｃ卅Ｓｃｉｅｎｃｅ．Ｊ９９Ｉ．２５２：Ｉ【８３—１【８５
７ 郑大贵．辛七良．束道本ｃ。ｎ的【３＋２】环加成臣应．科学通撤
１９９６ ４Ｉ（１１－１０～１４
８ 石志强．李卡良．葛忠新，等舍稳定氯氧自由基的ｆ。ｕ惭生物
的合成受其磁｜生质科学通撤．１９９９ ４４（２４１：２６２８～２６３１
９
Ｇｅｏｒｇｅ Ａ Ｏ ｌｍｒｅ Ｂ．Ｃｈｒｉ，ｔｉａｎ Ｌ．“ａｌ Ｐｏｌｙａｒｅｎｅｆｕｌｌｅｒｅｎｅ
Ｃｄ０（Ｈ—Ａｒ）ｎ、ｏｂｔａｉｎｅｄ ｂｙ ａｃｉｄ ｒｃａｔａｌｙｚｅｄ ｆｕｆｆｅｒｅｎａｔｍｎ ｏｆ ａｒｏｍａ（ｉｔｓ
有关在模板结构一定的情况下．适当减小反应气体 温旺、流量可使沉积率降低．该方法工艺简便，成本 低廉，易实现ｓｉ纳米线阵列的大面积生长．
图２（ｂ）和（ｃ）分别是单根和多根ｓ·纳米线的精细 ＴＥＭ显微照片．从放大１万倍的ＴＥＭ照片可看出， 采用ＣＶＤ技术在模板中制备出的是ｓｉ纳米线而不是 纳米管，单根ｓｊ纳米线粗细均匀，取向一致，表面元 明显的缺陷，较少发生弯曲和缠绕现象，且重复性较 好．因周期性不稳定生长而导致的各种形态和缺陷 相对较少其良好的取向和稳定的形态为下一步利 用ＡＦＭ测试其量子效应和加工相关器件创造了良好 条件，相对于采用激光蒸发沉积法制备ｓｉ纳米线工 艺【ｌ…．又提供ｒ一种新的手段经ＴＥＭ观察，采用 此种方法在微孔内沉积出的单根ｓｉ纳米线两头并无 明显圆帽形生长头．说明利用Ａ１２０３模板的有序微 孔沉积生长ｓｉ纳米线的机理与文献１１３］的报道不同． 实验前我们在模板的有序微孔中未加入任何纳米结 晶核．ＳｉＨ－气体热解后形成的原子硅在微孔中长出了 极好的ｓ１纳米线，这主要是由于硅原子以气液固 （ＶＬＳ）生长机制”“沉积到微孔壁后以符合热动力学 的表面碰撞理论逐渐在表面形成原始结晶核，由于 ｓｉ原子团表面存在大量的悬挂键，因此易和微孔壁 和其Ｅ的其他ｓｉ原子团簇结合长大，其生长过程在 傲孔壁内各处应是同时进行的，最后形成纳米线模 板内微孔壁起到了控制ｓｉ纳米线生长的外鞘作用”…． 由图２ｆｂ）右仁角的在进行ＴＥＭ观察时同步所作的 ｓｉ纳米线晶体的选区电子衍射图（ＳＡＥＤ）可看出，此 方法获得的ｓｉ纳米线是由许多小单晶组成的多晶体， 图２（ｄ）显示了ＣＶＤ沉积后的模板断面经碱液浸泡 １０ ｈ后，在ＳＥＭ电子显微镜下获得的断面照片，其 中部为模板中沉积的ｓｉ纳米线阵列，可看出有序性 较佳．七下部为模板外部沉积的硅膜层．
致谴ｔ 丰工怍为国家自然辑学基金（批准号２９８７１０３２）和 蓍幕重点基础研究发展规划资助项目
参
考
文
献
ｗ虬ｅｒ—ｓｏｌｕｂｌｅ ｆｕｌｌｅｒｅｎｏｌｓ
２８３一ｌ ２８４
２ 孙大勇．祝严师刘于阳，等水溶｜生寓勒醇对活眭氧自巾基的 清除科学通报，１９９７ ４２（８）：８３６～８３９
３ Ｓｌｊｂｅｓｍａ Ｒ Ｓｒｄａｎｏ～Ｇ，Ｗｕｄｌ Ｆ ｅｔ ａｌ Ｓｓｎｔｈｃｓｉｓ ｏｆ ａ ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ ｄｅｒｉｖａｌｉｖｅ ｆｏｒ ｔｈｅ ｉｎｈｉｂｉｔｉｏｎ ｏｆ ＨＩＶ ｅｎｚｙｍｅｓ Ｊ Ａｍ Ｃｈｅｍ Ｓｏｃ １９９３ １１５ ６５ｊ０－６５１２
¨ｍ｛镕№ｎ№Ｍ＊｛¨∞ｍ∞＊‰＾Ⅲ““ ＵＨ ｝∞ＨｍＨ Ｐｍ＃目自＊￥＊∞№１ＥＩ々““ｎ
－Ｉ∞＂～，’＿｛㈣ｈ ｍ＊’口ｆＭ目Ｉ—Ｊ ｈ－Ｈ口ｔｍ＾一
Ｊ孙０ｉＫ＃，Ⅻｔ１，ⅫＨ、＃％ＩＩｔ＋ｃ’＾ｍ·Ｌ＊｝，ｄ＊ｒ＃ｍ
ｔＥ＾ｔ＾＆￥＃“４“＊．｛；∞ｍ％ｍ＃目Ｍ¨∞
４∞＿ｌ－ｔｍ ｓ“ｌ’Ｌ＊ｄ ｒ Ｌ０｜ｌ＊Ⅲｍｍ≈№’Ｌ