2020年常用晶体材料
2023年晶体生长行业市场分析现状
2023年晶体生长行业市场分析现状晶体生长是一种重要的材料制备技术，广泛应用于半导体、光电子、光学、微纳电子等领域。
随着信息技术的迅猛发展，对晶体生长的需求不断增加，晶体生长行业也得到了快速发展。
首先，晶体生长行业的市场规模逐年扩大。
晶体生长技术被广泛应用于半导体材料制备，如硅、砷化镓、碳化硅等。
随着电子产品的普及和大规模生产，对半导体材料的需求不断增加，推动了晶体生长行业的快速发展。
根据市场调研数据显示，晶体生长市场规模从2015年的200亿元增长到2020年的350亿元，年均增长率达到了10%以上。
其次，晶体生长行业的技术水平不断提高。
晶体生长技术是一项复杂的工艺，需要控制温度、溶液浓度、晶体生长速度等多个参数。
近年来，随着材料科学、化学工程等学科的迅猛发展，晶体生长行业的技术水平不断提高。
新型晶体生长材料的研发成功，提高了生长晶体的质量和纯度，使晶体生长行业更加受到市场的认可。
再次，晶体生长行业的应用领域不断扩大。
除了传统的半导体、光电子、光学等领域，晶体生长技术在医疗器械、化学工程、能源等领域也有广泛应用。
例如，晶体生长技术在医疗领域用于制备人工晶体和药物晶体，提高了医疗器械的性能和疗效；在化学工程领域用于制备纯净的化学品，满足了工业生产对高纯度材料的需求；在能源领域用于制备太阳能电池材料，提高了太阳能电池的能量转化效率。
这些应用领域的不断扩大，为晶体生长行业提供了更广阔的市场空间。
最后，晶体生长行业的发展还面临一些挑战。
首先是材料成本的不断增加。
晶体生长材料的制备成本较高，包括原材料成本、设备成本、能源成本等。
随着资源的有限性和环境保护要求的提高，晶体生长行业的成本压力也日益增加。
其次是市场竞争的加剧。
随着晶体生长行业的发展，市场竞争也越来越激烈。
国内外企业纷纷进入该行业，市场竞争进一步加剧，晶体生长行业需要不断提升技术水平和创新能力，才能取得竞争优势。
综上所述，晶体生长行业市场目前处于快速发展阶段。
无机材料典型晶体结构
正型尖晶石：A2+都填充在四面体空隙中(8个)， B3+ 都填充在八面体空隙中(16个) ，
记作 [A2+]t[B3+B3+]oO4
反型尖晶石：A2+ 占据在八面体空隙中(8个)， B3+ 占据在八面体空隙中(8个), 占据在四面体空隙中(8个)。
记作 [B3+]t[A2+B3+]oO4
举例：
正型尖晶石: Mn3O4，可表示为 [Mn2+]t[Mn3+Mn3+]oO4。 及 FeAl2O4、ZnAl2O4、MnAl2O4等。
反型尖晶石： Fe3O4 ，可表示为 [Fe3+]t[Fe2+Fe3+]oO4。 及MgFe2O4 等。
属于尖晶石型结构的化合物还有：
A4+B22+O4型，如 [Co2+]t[Sn4+Co2+]oO4（反型尖晶石）； A6+B1+2O4型，如 Na2WO4、Na2MoO4，其中Na+占据八面
由过渡金属元素和原子半径小的 H、N、C、B等元素形成 的氢化物、氮化物、碳化物和硼化物等中，金属原子作密 堆积，而非金属元素填入密堆积形成的空隙中，这类化合 物称为间隙化合物或间隙相。
（1）当非金属原子和金属原子半径比 rx/rm＜ 0.59时，可形成 简单晶体结构的化合物，称为间隙相，其型式有MX、M2X、 MX2及M4X，其中金属原子多采取面心立方或密积六方结构堆 积，而非金属原子规则地分布在晶格间隙中。 （2）当 rx/rm ＞0.59时，则形成复杂晶体结构的化合物，称为 间隙化合物。
静电键强度:
s z n
人工晶体分类及其特点
YAG激光后囊截开时不易受损伤,因此对YAG激光的 损伤有很强的抵抗力。可高压灭菌。
2020/12/15
• 4.丙烯酸酯--Acrylic：目前临床最好的可折叠IOL。 包括亲水性和疏水性两种。 对于亲水性后发障发生率较高； 疏水性可抑制后发障，但高折射率可产生较多的术后眩光等不良反 应 疏水性丙烯酸酯有代表性的产品是Alcon公司的Acrysof系列
2020/12/15
美国Alcon公司推出的AcrySof Natural IOL （SN60AT）模仿了正常人53岁的晶状体传导光线的情 况，在材料中整合了0.04%黄色发色团，能够滤过200500nm范围内不可见光的紫外线和可见蓝光。其中对 330-400nm的紫外线100%阻断，对450nm蓝光滤过50%, 对480nm蓝光滤过25%。
• 优点：具有与PMMA相当的光学和生物学特性,但又具有软性，人 工晶体较薄,折叠后的人工晶体能轻柔而缓慢地展开。有较强的黏 性,较之PMMA和硅凝胶晶体更易附着于囊袋内,从而保持晶体的 正常位置。
2020/12/15
选择合适材料的人工晶状体
• 并发性白内障，尤其同时患有慢性葡萄膜炎、眼底疾 病或青光眼的患者，多选择表面经过肝素处理的IOL 或疏水性丙烯酸酯IOL，因为其表面经过肝素处理能 够减轻手术后的炎症和免疫排斥反应，降低了术后眼 内炎及后发障的发生率。疏水性丙烯酸酯的生物相容 性高，后发障的发生率较低，因此也适合儿童白内障。
能 不好，不宜植入蓝光滤过型IOL； • 老年人的夜间视力下降，影响到老年人群生活的各个方面； • 暗视敏感度下降和暗视功能不好增加了老年人摔倒的几率； • 暗视功能的下降会影响夜间驾车等活动。
半导体第三讲-下-单晶硅生长技术
单晶硅主要生长方法
直拉法生长单晶硅容易控制，产能 比区熔高，会引入杂质，应用于半 导体集成电路、二极管、外延片衬 底20、20/1太1/5阳能电池。
区熔法可生长出纯度高均匀性好的 单晶硅，应用于高电压大功率器件 上，如可控硅、可关断晶闸管。
2020/11/5
单晶硅简介
单晶硅属于立方晶系，金刚石结构，是一种性能优良 的半导体材料。
自上世纪 40 年代起开始使用多晶硅至今，硅材料的生 长技术已趋于完善，并广泛的应用于红外光谱频率光 学元件、红外及 射线探测器、集成电路、太阳能电池 等。
此外，硅没有毒性，且它的原材料石英(SiO2)构成了 大约60%的地壳成分，其原料供给可得到充分保障。
在磁场下生长单晶，当引入磁感应强度达 到一定值时，一切宏观对流均受到洛伦兹 力的作用而被抑制。
2020/11/5
垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效 应。垂直磁场强度过大（Ha=1000/2000）， 不利于晶体生长。
对无磁场、垂直磁场、勾形磁场作用下熔 体内的传输特性进行比较后发现，随着勾 形磁场强度的增加，熔体内子午面上的流 动减弱，并且紊流强度也相应降低。
区熔硅的常规掺杂方法有硅芯掺杂、表面涂敷 掺杂、气相掺杂等，以气相掺杂最为常用。
2020/11/5
晶体缺陷 区熔硅中的晶体缺陷有位错和漩涡缺陷。
中子嬗变晶体还有辐照缺陷，在纯氢或氩 一氢混合气氛中区熔时，常引起氢致缺陷。
2020/11/5
通过在氩气气氛及真空环境下进行高阻区 熔硅单晶生长试验发现,与在氢气气氛下生长 硅单晶相比,在真空环境下采用较低的晶体生 长速率即可生长出无漩涡缺陷的单晶, 而当晶 体生长速度较高时, 尽管可以消除漩涡, 但单晶 的少子寿命却有明显的下降。在真空中生长无 漩涡缺陷单晶的生长速率,比在氢气气氛下生 长同样直径单晶的生长速率低,但漩涡缺陷对 单晶少子寿命的影响并不明显。
金属的晶体结构讲解
2020年9月28日
2020年9月28日
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3、密排六方晶格
密排六方晶格的晶胞是一个六方柱体，有六个呈长方形的侧面 和两个呈六边形的底面所组成。因此，要用两个晶格常数表示。 一个是柱体的高度c，另一个是六边形的边长，在晶胞的每个角 上和上、下底面的中心都排列一个原子，另外在晶胞中间还有三 个原子。
密排六方晶胞每个角上的原子为相邻的六个晶胞所共有，上、 下底面中心的原子为两个原子所共有，晶胞中三个原子为该晶胞 独有。所以，密排六方晶胞中原子数为12×1／6＋2×1／2＋3＝ 6（个）。具有密排六方晶格的金属有Mg 、Zn 。
3、晶格常数
在晶体学中，通常取晶胞角上某一结点作为原点，沿 其三条棱边作三个坐标轴X、Y、Z，并称之为晶轴，而 且规定坐标原点的前、右、上方为轴的正方向，反之
为反方向，并以棱边长度 a、 b、 c和棱面夹角
、 、 r 来表示晶胞的形状和大小 。
2020年9月28日
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（三）、金属中常见晶格
由于金属键结合力较强，是金属原子总趋于紧密排列 的倾向，故大多数金属属于以下三种晶格类型。
晶向指数：通过原点直线上某点的坐标，用方括 号顺序表示。 [x y z] 晶向族: <x y z>
密排面： 密排方向：
Fig 铁的单晶体（晶胞）及其各方
向上弹性模量（E）示意图
2020年9月28日
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二、实际金属的晶体结构
（一）、金属材料都是多晶体
我们把晶格位向完全一致的晶体叫做单晶体。
单晶体只有经过特殊制作才能获得。实际上，常使用 的金属材料，由于受结晶条件和其它都不同
2020年9月28日
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（四）、晶体结构的致密度
晶体结构的致密度是指晶胞中原子所占体积与该晶胞体积之
年产3000吨高端晶体材料项目环评
设项目环境保护管理条例》的有关条款的规定，本项目必须进行环境影响评价。根据《建
设项目环境影响评价分类管理名录》规定，本项目属于十九、56 石墨及其他非金属矿物 制品中的其他，应编制环境影响报告表。山东昊邦化学有限公司特委托我单位承担其 3000 吨/年高端晶体材料项目环境影响报告表的编制工作，评价单位经过现场勘察及工程分析， 按照国家有关技术规范要求编制本项目环境影响报告表。
2、建设地点——指项目所在地详细地址，公路、铁路应填写起止地点。 3、行业类别——按国标填写。 4、总投资——指项目投资总额。 5、主要环境保护目标——指项目周围一定范围集中居民住宅区、学校、 医院、保护文物、风景名胜区、水源地和生态敏感点，应尽可能给出保护目 标、性质、规模和距厂界距离等。 6、结论与建议——给出本项目清洁生产、达标排放和总量控制的分析结 论，确定污染防治措施的有效性，说明本项目对环境造成的影响，给出建设 项目环境可行性的明确结论，同时提出减少环境影响的其他建议。 7、预审意见——由行业主管部门填写意见，无主管部门的项目，可不填。 8、审批意见——由负责审批该项目的环境保护行政主管部门批复。
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（二）园区规划的符合性分析 本项目位于寿光市侯镇项目区起步区，根据园区总体规划图，本项目用地类型为三
类，符合园区总体规划。 （三）园区产业定位符合性分析
本项目所在园区规划产业定位：定位于精细化工、盐化工为主导产业的现代化工业园
区，以高新技术产业带动相关产业的发展。
本项目属于高新技术材料的生产，符合园区产业发展规划。
一、项目由来
近年来，随着现代科学技术的发展，对晶体材料的尺寸、质量不断提出新的要求。基
【2020年高考化学】常见无机物的性质与用途
【高考化学】模块一常见无机物的性质与用途一、常见无机物1、混合物2、纯净物二、无机物质的特征性质1、常见物质的颜色全部颜色分类O3红棕色；Fe(OH)3红褐色；[Fe(SCN)]2+红色(或血红色)；Cu2O红色(或砖红色)；被氧化的苯2酚(即苯醌)粉红色；石蕊在pH<5的溶液中呈红色；酚酞在pH8~10的溶液中呈浅红色；NO2红棕色；红磷暗红色；Br2深棕红色；品红溶液红色；充氦气、氖气的灯管红色；Cu紫红色；*甲基橙在pH<3.1的溶液中显红色。
-紫红色；[Fe(C6H5O)6]3—紫色；I2紫黑色；I2蒸汽紫色；I2的CCl4或苯或汽油等溶液紫红色4(碘酒褐色)；充氩气的灯管蓝紫色；石蕊在pH5~8的溶液中呈紫色。
*甲基橙在pH3.3~4.4的溶液中呈橙色。
Fe(OH)2变成Fe(OH)3的中间产物灰绿色。
晶体棕黄色；FeCl3晶体棕红色。
2、AgI、Ag3PO4、Fe3+、不纯硝基苯黄色；Na2O2、三硝基甲苯、AgBr、F2、硝化甘油、NaNO2黄色；*甲基橙在pH>4.4的溶液中呈黄色。
2+、Cu(OH)2、CuSO4·5H2O；石蕊在pH>8的溶液中呈蓝色；I2遇淀粉变蓝色；液态、固态的氧气淡蓝色；MnO2、CuO、CuS、Cu2S、PbS、Ag2S、FeS、FeO、Fe3O4黑色；Si 灰黑色；石油黑色或深棕色；煤焦油黑褐色。
绿色：Fe2+浅绿色；Cl2淡黄绿色；CuCl2浓溶液绿色(很浓黄绿色、稀则蓝色)；碱式碳酸铜绿色。
O褐色；溶解了溴的溴苯褐色；碘酒褐色。
22、物质的状态：常温下为液体的单质：Br2、Hg常温下的常见的无色液体：H2O H2O2常见的气体单质：H2、N2、O2、F2、Cl2、NH3、HF、HCl(HX)、H2S、CO、CO2、NO、NO2、SO2)[注：有机物中的气态烃CxHy(x≤4);有机化学中有许多液态物质，但是含氧有机化合物中只有HCHO常温下是气态]常见的固体单质：I2、At、S、P、C、Si、金属单质；白色胶状沉淀(Al(OH)3、H4SiO4)3、物质的气味：有臭鸡蛋气味的气体：H2S有刺激性气味的气体：Cl2、SO2、NO2、HX、NH3有刺激性气味的液体：浓盐酸、浓硝酸、浓氨水、氯水、溴水4、物质的毒性：非金属单质有毒的：Cl2、Br2、I2、F2、S、P4常见的有毒气体化合物：CO、NO、NO2、SO2、H2S、能与血红蛋白结合的是CO和NO5、物质的溶解性：极易溶于水的气体：HX、NH3常见的难溶于水的气体：H2、N2、NO、CO、CH4、C2H4、C2H2S和P4不溶于水，微溶于酒精，易溶于二硫化碳。
晶体结构
（6）、萤石型结构（M:O=8:4,Calcium ） Fluorite Structure,ZrO2,CaF2
Fluorite Structure
• 萤石型结构。萤石型晶格结构的配位数为M： O＝8：4，正离子按面心立方密堆排列．两个负 离子也按同样的面心立方点阵排列，但沿空间对 角线方向，其中一组向正方向移动1／4体对角线 长，另一组向反方向移动1／4体对角线良相互套 构而成。空间结构中负离子的面心立方间隙的 1/2为正离子所填充，或者说是负离子处于所有 正离子的四面体间隙之中。在这种结构中，由于 有1/2的简立方间隙未填，故结构是不够紧密的 。格其Z中他rO扩离2散 子,正电Z是rO导利2型可用的用这隔以种板制特。作点燃，料其电氧池离(子fue易l 于c在ell晶s)或
化形成各向同性的液体之前形成液晶相。热致液晶又有 许多类型，主要有向列型、近晶型和胆甾型 。
如将硬脂酸钠、正羧酸金属盐（具有极性的物质
和水、酒精、氯仿等溶剂形成的液晶，也称溶变 液晶）
晶体结构
2020年4月28日星期二
2.1.1 固体分类(按结构)
固体
晶体: 长程有序
单晶体 多晶体
非晶体: 不具有长程序的特点,短程有序。
准晶体: 有长程取向性，而没有长程的平移对称性。 长程有序: 至少在微米量级范围内原子排列具有周期性。
(a)晶体结构的规则网格 (b)非晶体结构的无规则网格
非晶体中原子排列不具有长程的周期性，但基 本保留了原子排列的短程序，即近邻原子的数目和
9、尖晶石结构(Spinel)
正尖晶石型结构(AB2O4)：正尖晶石型结构的配位数为A：B：O ＝4：6：4。在尖晶石结构中O2-按面心立方密堆排列，AB离子分别 位于02-的四面体及八面体间隙中，图1．18(a)表示出立方密堆中四 面体及八面体间隙，其中每个顶角O2-均与相邻3个面心离子构成1个 四面体间隙。故其中共有8个四面体间隙，中心分别位于1／4和3／4 高度处。此外．6个面心离子构成完整的八面体间隙．中心位于体心 (即1／2高度处)；相邻两顶角离子又与相邻两面心离子构成了1／4 个八面体。这种情况共有12处，中心均位于各棱边的一处．即在原 胞高度的0、1/2、1处，故所示原胞中共有4个八面体间隙，此原胞 中共含有4个O2-(8X1/8成个顶角氧+6X1/2面心氧)。所以在立方密堆 中，原、四面体与八面体之比数为4：8：4。在尖晶石原胞中，共有 8个分子(即32个O)，8个A和16个B。如图1．18(b)所示，其中A占据 四面体间隙8个(只用去1/8)；B占据八面体间隙16个(用去其中1/2)。 具体排布可分为M和N两种不同的区来表示，如图1．18(c)历示，两 类区均共棱不共面。因1．18(d)为M区，即八面体区。图3．18(e)为 N区，属四面体区．均与图1．18(b)和图1．18(c)相对应。居于这类 结构的有MgAl204，MnAl204，CdFe204。
tsx热敏晶体原材料
TSX热敏晶体的原材料可能与传统的石英晶体不同，因为它需要实现更高的基频和更小型化的特性。
惠伦晶体是国内率先实现TSX热敏晶体、TCXO振荡器等高附加值产品批量生产与供货的企业。
其掌握了实现高基频、小型化的关键技术，即基于半导体技术的光刻工艺。
此外，惠伦晶体在2020年底完成了光刻生产线的安装调试，2021年高基频76.8MHz 1612尺寸热敏晶体通过美国高通认证并小批量出货，成为全球为数不多的厂商之一。
因此，TSX热敏晶体的原材料可能包括半导体材料和光刻胶等。
具体来说，TSX热敏晶体是基于半导体技术的光刻工艺制作的，其中使用了光刻胶作为掩膜，通过光刻和刻蚀等工艺制作出具有特定频率和形状的晶体结构。
此外，为了实现更高的基频和更小型化的特性，可能需要采用特殊的材料和工艺，如掺杂、薄膜沉积、化学机械抛光等。
由于TSX热敏晶体是一种高附加值的产品，其原材料的成本也相对较高。
因此，生产TSX热敏晶体的企业需要具备较高的技术水平和较强的研发能力，才能够实现批量生产和成本控制。
2020年高考化学一轮总复习文档：第十二章第38讲晶体结构与性质含答案
第38讲晶体结构与性质1.晶体和晶胞(1)晶体与非晶体(2)获得晶体的三条途径①熔融态物质凝固。
②气态物质冷却不经液态直接凝固(凝华)。
③溶质从溶液中析出。
(3)晶胞①概念：描述晶体结构的□11基本单元。
②晶体与晶胞的关系：数量巨大的晶胞“□12无隙并置”构成晶体。
③晶胞中粒子数目的计算——均摊法：如某个粒子为n个晶胞所共有，则该粒子有□131n属于这个晶胞。
2．四种类型晶体的比较3．离子晶体的晶格能(1)定义：气态离子形成1摩尔离子晶体释放的能量，通常取正值，单位：□31kJ·mol －1。
(2)影响因素①离子所带电荷数：离子所带电荷数越□32多，晶格能越□33大。
②离子的半径：离子的半径越□34小，晶格能越□35大。
(3)与离子晶体性质的关系晶格能越大，形成的离子晶体越□36稳定，且熔点越□37高，硬度越□38大。
1．判断正误，正确的画“√”，错误的画“×”，并指明错因。
(1)具有规则几何外形的固体一定是晶体。
(×)错因：自发地呈现多面体外形的才是晶体，人为制造出的具有规则几何外形的固体如玻璃、木材、陶瓷等均不是晶体。
(2)冰中包含的作用力有范德华力、氢键和共价键。
(√)错因：__________________________________________________________(3)区分晶体和非晶体最可靠的方法是测定其有无固定熔点。
(×)错因：区分晶体和非晶体最可靠的科学方法是对固体进行X-射线衍射实验。
(4)1 mol金刚石和SiO2中含有的共价键数目均为4N A。
(×)错因：1_mol金刚石含有的共价键数目为2N A。
(5)金刚石网状结构中，由共价键形成的碳原子环中，最小的环上有6个碳原子。
(√)错因：__________________________________________________________(6)分子晶体的熔点一定比金属晶体的低。
铌酸钾钠 压电陶瓷 晶体结构
铌酸钾钠压电陶瓷晶体结构分析一、概述铌酸钾钠压电陶瓷是一类具有优良压电性能的陶瓷材料，广泛应用于声表面波滤波器、压电换能器、传感器等领域。
其压电性能与晶体结构密切相关，因此对其晶体结构的研究具有重要意义。
二、铌酸钾钠压电陶瓷的晶体结构1. 基本结构铌酸钾钠压电陶瓷的晶体结构属于钙钛矿结构，空间裙为tetragonal。
其基本单元包括钙钛矿型的四面体ABO3和K+、Na+等离子。
2. 钙钛矿型四面体结构铌酸钾钠压电陶瓷的钙钛矿型四面体结构中，A位离子通常是较大的离子，如钾离子(K+)、钠离子(Na+)等；B位离子为较小的过渡金属离子，如铌离子(Nb5+)等；O位离子为氧离子。
这种结构具有较强的偏压电性能，使得铌酸钾钠压电陶瓷具有优异的压电性能。
3. 离子掺杂结构为了进一步提高铌酸钾钠压电陶瓷的性能，人们常常采用离子掺杂的方法。
通过掺入适量的稀土离子或过渡金属离子，可以有效调控晶格结构，改善压电性能。
三、铌酸钾钠压电陶瓷的制备技术1. 固相法制备固相法制备铌酸钾钠压电陶瓷是最常用的制备方法之一。
该方法主要包括原料粉碎混合、成型、烧结等工艺步骤。
通过精确控制各工艺参数，可以获得均匀致密、晶粒细小的陶瓷制品。
2. 溶胶-凝胶法制备溶胶-凝胶法是一种制备铌酸钾钠压电陶瓷的新型方法。
该方法利用溶胶-凝胶体系的特性，可以制备出颗粒均匀、晶体结构致密的陶瓷制品。
3. 微波一步法制备微波一步法是近年来新兴出现的铌酸钾钠压电陶瓷制备方法。
该方法利用微波加热的特性，可大大缩短制备时间，并且能够得到具有优异性能的铌酸钾钠压电陶瓷制品。
四、铌酸钾钠压电陶瓷的应用前景铌酸钾钠压电陶瓷具有优良的压电性能和稳定的晶体结构，因此在声表面波滤波器、压电换能器、传感器等领域具有广泛的应用前景。
随着技术的不断进步和应用需求的增加，铌酸钾钠压电陶瓷的应用前景将更加广阔。
五、结论铌酸钾钠压电陶瓷具有优良的压电性能和稳定的晶体结构，是一类具有广泛应用前景的陶瓷材料。
国家标准-磷化铟单晶-编制说明(送审稿)
国家标准《磷化铟单晶》编制说明（送审稿）一、工作简况1、立项目的与意义磷化铟(InP)是一种极为重要的化合物半导体材料，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点、极高的电光转换效率和高的抗辐射能力等特性，使其在微波、毫米波器件、光通信、太赫兹、抗辐射太阳能电池等许多高技术领域有广泛应用。
在光电子领域，InP主要优势为波长单色性很好的1000nm以上的发射和探测能力，如InP激光器、探测器及其模块；在射频领域，InP主要优势为高频RF应用中的高速和低噪声性能。
InP基激光二极管是电信和数据通信应用中收发器不可或缺的构建模块，未来5G网络等电信领域InP晶片会有大量应用。
InP基激光二极管未来可满足医疗、高端激光雷达、传感及光通信等多种市场需求。
我国较早就开展了磷化铟单晶材料的研究工作，在InP单晶材料生长和性质方面的研究取得了很多成果，目前已经形成成熟的产品体系。
随着生产水平的提高，GB/T 20230-2006《磷化铟单晶》已经不能满足现有产品的需求，有必要对技术参数加以规范，进行修订、增加相关指标。
形成新的统一标准后，可作为磷化铟单晶行业今后组织生产、销售和接受质量监督的依据，以利于磷化铟单晶材料的更好发展。
2、任务来源根据《国家标准化管理委员会关于下达2020年推荐性国家标准计划（修订）的通知》（国标委发[2020]6号，2020年3月6日），由中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称中国电科13所）负责修订GB/T 20230-2006《磷化铟单晶》，计划编号为20200798-T-469，项目周期为18个月。
3、主要工作过程3.1 起草阶段中国电科13所于2020年1月成立编制组，负责本标准的调研和编写工作。
2020年1月~7月之间，编制组根据任务落实确定的起草原则，对国内外生产磷化铟单晶产品的相关企业进行调研和统计，并调研了下游客户的质量要求，按照产品标准的编制原则、框架要求和国家的法律法规，同时结合企业的一些技术指标和检验数据，起草了本标准的讨论稿。
驱动光子学革命的晶体——铌酸锂
驱动光⼦学⾰命的晶体——铌酸锂随着“新基建”的提出，5G已逐步进驻我们的⽣活，云计算、虚拟现实、数据通信与⾼清视频等业务也随之在不断地发展，带动核铌酸锂调制器(LiNbO3)。
⼼光⽹络向超⾼速和超远距离传输升级。
⽽在这个过程中，有⼀个核⼼器件是必不可少的——那就是铌酸锂调制器铌酸锂晶体的电光效应并结合光电⼦集成⼯艺制作⽽成，能够将电⼦数据转换为光⼦信息，是实现电光据悉，铌酸锂调制器利⽤铌酸锂晶体转换的核⼼元件。
具体它有何出众之处，⾸先要从其原材料铌酸锂晶体的电光效应及应⽤开始了解。
关于铌酸锂晶体铌酸锂是铌、锂、氧的化合物，是⼀种⾃发极化⼤（室温时0.70C/m2）的负性晶体，是⽬前发现的居⾥温度最⾼（1210℃）的铁电体。
(a)3英⼨光学级名义纯同成分铌酸锂晶体；(b)掺铁铌酸锂晶体光电效应多，具有包括压电效应、电光效应、⾮线性光学效应、光折变效铌酸锂晶体有两个特点尤其引⼈关注，⼀是铌酸锂晶体光电效应多性能可调控性强，这是由铌酸锂晶体的晶格结构和应、光⽣伏打效应、光弹效应、声光效应等多种光电性能；⼆是铌酸锂晶体的性能可调控性强丰富的缺陷结构所导致，铌酸锂晶体的诸多性能可以通过晶体组分、元素掺杂、价态控制等进⾏⼤幅度调控。
另外铌酸锂晶体的物理化学性能相当稳定，易于加⼯，光透过范围宽，具有较⼤的双折射，⽽且容易制备⾼质量的光波导，所以长距离通信中有着⽆可⽐拟的优势——不仅具有很⼩的啁啾(chirp)效应、⾼调制带宽、良好消光光调制器在长距离通信中基于铌酸锂晶体的光调制器⽐，⽽且稳定性相当优越，是⾼速器件中佼佼者，因此被⼴泛应⽤于⾼速⾼带宽的长距离通信中。
在美国国防部的⼀项关于铌酸锂的报告中曾经有过这样⼀段对铌酸锂的评价：如果电⼦⾰命的中⼼是以使其成为可能的硅材料命在美国国防部的⼀项关于铌酸锂的报告中曾经有过这样⼀段对铌酸锂的评价：如果电⼦⾰命的中⼼是以使其成为可能的硅材料命名的，那么光⼦学⾰命的发源地则很可能就是以铌酸锂命名。
纤维基有机电化学晶体管研究进展
纤维基有机电化学晶体管研究进展作者：王垚王跃丹朱如枫王栋来源：《现代纺织技术》2020年第05期摘要：有机电化学晶体管设计灵活，具有微型性、生物相容性和放大等特性，是近年来发展迅速的研究课题之一。
纤维作为优良的柔性材料，在可编织性，与人体相容性方面具有无可比拟的优势。
将纤维与有机电化学晶体管相结合，既拥有有机电化学晶体管测试的高灵敏性，又具备可穿戴电子产品的人体相容性与柔性，是一个前景十分光明的研究方向。
本文介绍了有机电化学晶体管的相关运行原理、工作模式和常用沟道材料，在有机电化学晶体管的基本器件结构的基础上讨论了有机电化学晶体管器件近些年的发展变化，总结了近年来科研工作者关于纤维基电化学晶体管的研究成果，重点阐述了纤维基有机电化学晶体管在化学传感、生物传感上的应用以及在其他方面的应用探索，最后展望了纤维基有机电化学晶体管未来的发展趋势。
关键词：纤维;有机电化学晶体管;柔性;可穿戴中图分类号：TS102.6文献标志码：A文章编号：1009-265X（2020）05-0021-13Research Advances of Fiber-based Organic Electrochemical TransistorsWANG Yaoa， WANG Yuedana， ZHU Rufengb， WANG Dongb（a.School of Materials Science and Engineering; b.Institute of Technology，Wuhan Textile University， Wuhan 430200， China）Abstract：Organic electrochemical transistor，with the characteristics of miniaturization，biocompatibility and amplification， is one of the research topics， which has been developing rapidly in recent years. As an excellent flexible material， fiber has incomparable advantages in weaving ability and compatibility with human body. The combination of fiber and organic electrochemical transistors not only has the high sensitivity of organic electrochemical transistor， but also has the human body compatibility and flexibility of wearable electronic products， which is a promising research direction. This paper introduces the operating principle， working mode and common channel materials of the organice lectrochemical transistor.On the basis of describing the basic device structure of organic electrochemical transistors， this paper discusses the development and variation of organic electrochemical transistors in recent years，and summarizes the research results of scientists in recent years on fiber-based electrochemical transistors， especially on the application of fiber-based organic electrochemistry transistorsin chemical and biological sensing and exploration of other applications. Finally， the future development trend of fiber-based organic electrochemical transistors is prospected.Key words：fiber; organic electrochemical transistors; flexible; wearable有机薄膜晶体管是有机电子的核心部件，其综合特性可以与商用非晶硅产品媲美，同时低成本、高功能优势已显示出广阔的发展前景和产业化价值[1]。
结晶矿物学 第一章 晶体和非晶体
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1.4 非晶质体（固体）
非晶质：琥珀、玻璃、塑料、树脂、沥青
炭黑：结构重复的周期很少，只有几个几 十个周期，称为微晶。介于晶体和非晶质 体之间的状态。
棉花、蚕丝、毛发、人造纤维： 具有不完整的一维周期性特征，并 沿纤维轴择优取向，称为纤维多晶 物质。
第一章 晶体和非晶体
D·平行六面体：空间格子的最小单位，又叫单位密度空间格 子。 平行六面体由六个两两平行的面网组成，结点分布于角顶上， 平行六面体的三个棱长，是三条相应行列的结点间距。
第一章 晶体和非晶体
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1.2.3 14种空间格子
法国学者A.布拉菲根据晶体结构的最高 点群对称和平移群（所有平移轴的组合）对 称及以上原则，将所有晶体结构的空间点阵 划分成十四种类型的空间格子，称14种空间 格子或布拉菲格子。
第一章 晶体和非晶体
1.4 非晶质体
第一章 晶体和非晶体
晶体与非晶质体在结构上的区别 有序的概念 如前述石英晶体中的硅、氧原子有严
格的周期性排列，具有某种重复规律，并 且在大范围内都呈周期性的规则排列，即 长程有序。
石英玻璃的结构特点： 石英玻璃结构内硅、氧原子的排列
和石英晶体不一样（研究图）。 一个硅原子周围也有四个氧原子，
上振动保持格子的平衡，晶体总是处于最稳定状态。
晶体的基本性质
·对称性 晶体中相等的晶面、晶棱、角顶以及 晶体的物理化学性质在不同方向或位置上有规律 地重复出现。
晶体的宏观对称是由晶体内部
格子构造的对称性所决定的。
金刚石的八面体对称结构
晶体的基本性质 玻璃体等非晶质体具有等向性
·异向性（各向异性）晶体的性质因方向不同而 有差异。这是因为晶体在不同的方向上质点的排 列方式不同而决定的。
2024年钽酸锂晶体市场规模分析
2024年钽酸锂晶体市场规模分析引言钽酸锂晶体是一种重要的电光材料，在光学和电子器件领域具有广泛的应用。
随着科技的不断进步和市场需求的增长，钽酸锂晶体的市场规模也在逐年扩大。
本文将对钽酸锂晶体市场规模进行详细的分析，并探讨其未来发展趋势。
钽酸锂晶体市场概述定义和分类钽酸锂晶体，又称锂钽酸晶体，是一种有机无机杂化材料。
根据晶体结构的不同，钽酸锂晶体可以分为正交相和单斜相。
正交相的晶体结构具有较高的光学非线性系数和较大的相位匹配范围，因此在光学调制器、激光频率加倍器等领域得到广泛应用。
单斜相的晶体结构具有优异的电光性能，适用于光电二极管、光探测器和光纤通信等领域。
市场发展动态随着信息技术的快速发展和电子产品市场的蓬勃增长，钽酸锂晶体市场规模在过去几年里稳步增长。
其在光通信、光学传感器和储能器件等领域的应用不断扩大，推动了钽酸锂晶体市场的发展。
市场规模分析根据市场研究机构的数据，钽酸锂晶体市场规模从2016年的X亿美元增长到2020年的X亿美元，年复合增长率为X%。
未来几年，预计钽酸锂晶体市场规模将继续增长。
钽酸锂晶体市场分析市场驱动因素1. 光通信的快速发展随着5G技术的推广和互联网的普及，光通信市场迅速增长。
钽酸锂晶体作为光纤通信器件的重要组成部分，其需求量不断增加，推动了钽酸锂晶体市场的发展。
2. 新能源领域的需求增长氧化锂钽酸锂晶体是一种重要的固态电解质材料，在锂离子电池和燃料电池中具有广泛的应用。
随着新能源领域的发展和对高性能电池材料的需求增加，钽酸锂晶体市场将得到进一步推动。
市场约束因素1. 生产成本较高钽酸锂晶体的生产过程较为复杂，需要高纯度材料和特殊工艺。
这导致了钽酸锂晶体的生产成本较高，限制了其市场规模的进一步扩大。
2. 技术瓶颈钽酸锂晶体的制备技术仍然存在一些瓶颈，如晶体的生长速度较慢、晶体质量难以控制等。
这限制了钽酸锂晶体的大规模应用和市场发展。
市场机会和挑战1. 新兴应用领域的开拓钽酸锂晶体具有优异的光学和电光性能，在虚拟现实、增强现实等新兴应用领域有巨大潜力。
工程材料基础3晶体结构
金属
晶格常 数(nm)
•表3-3 几种面心立方结构元素的晶格常数
Al γ-Fe β-Co
Ni Cu Ag
Pt
0.405 0.365 0.354 0.352 0.361 0.408 0.392 (912℃) (>390℃)
Au 0.407
金属 晶格常数
(nm) 轴比c/a
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•表3-4 某些密排六方结构元素的晶格常数
体心立方晶胞其原子半径:
a为晶格常数；
面心立方晶胞其原子半径；
密排六方晶胞其原子半径 :
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工程材料基础3晶体结构
3.7.4 配位数
配位数是指晶格中任一原子周围与其最近 邻且等距离的原子数目。
体心立方晶格中的配位数为8； 面心立方晶格中的配位数12； 密排六方晶格配位数也为12。
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工程材料基础3晶体结构
典型晶格配位数示意图
•(a)体心立方
(b 三种典型晶格配位数示意图
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工程材料基础3晶体结构
3.7.5 致密度
一个晶胞内原子所占体积与晶胞体积之比， 称之为致密度。致密度K可用下式求出：
式中n为晶胞原子数；v为一个原子的体积， (r为原子半径)；V为晶胞体积。
a 12 0.74 0.207a 0.112a
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工程材料基础3晶体结构
3.7.7 晶体的堆垛方式
密排六方结构：密排面堆垛顺序为ABABABABC……排列 面心立方结构: 密排面堆垛顺序为ABCABCABC……排列
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•图3-16 面心立方结构和密排 •六方结构中原子堆垛的方式
Be α-Ti α-Zr α-Co Mg Zn
中国电科26所成功研发出高温传感领域用硅酸铝钙压电晶体
此外ꎬ除用在航空发动机外ꎬ其还可用于宇宙探测ꎬ油井勘探、核电、汽车发动机等领域ꎮ
( 来源:中国电子科技集团公司第二十六研究所)电有限公司材料与装备产业中心
重庆声光电有限公司材料与装备产业中心隶属于
世界 ５００ 强企业中国电子科技集团公司( ＣＥＴＣ) ꎬ其前
身为四川压电与声光技术研究所 ( ＳＩＰＡＴ) 第 七 研 究
室ꎬ建立于 １９７０ 年的四川永川( 现属重庆) ꎮ 经历了
加工生产线ꎮ 具备原料制备、晶体生长、晶体加工、理化分析、性能测试评价及功能演示等一整套科研生产体
系ꎮ 凭借其强大的研发设计能力和多年的技术积累ꎬ其产品在国内外科研、生产单位得到了大量应用ꎮ 中心
从上世纪 ７０ 年代开始铌酸锂( ＬＮ) 晶体、钽酸锂( ＬＴ) 晶体的研制ꎬ为国产体表面波滤波器的发展奠定了良
的各种瞬变压强ꎬ从而掌握燃烧室压强变化规律ꎬ为设计和评价发动机提供依据ꎮ 能够在高温下无故障地工
作的高温压电材料对航空发动机的设计具有重要意义ꎮ
近年来ꎬ四方晶系的硅酸铝钙( Ｃａ２ Ａｌ２ ＳｉＯ７ ) 由于具有优良的压电性能ꎬ在其熔点(１ ６００ ℃ ) 以下无相变、
无热释电效应、低廉的成本以及较高对称性等优点引起了这一领域人员的广泛关注ꎮ 中国电科 ２６ 所通过单
好的基础ꎮ ９０ 年代末率先开始硅酸钇镥( ＬＹＳＯ) 闪烁晶体与硅酸镓镧( ＬＧＳ) 压电晶体工程化研究ꎮ ２００６ 年
研发出国内第一代全自动提拉单晶炉ꎬ２０１１ 年成功开发出 ６０ ｋｇ 级泡生法蓝宝石生长装备ꎬ２０１４ 年在国内
率先开发出大尺寸 Ｃｅ∶ ＧＡＧＧ、Ｃｅ∶ ＬｕＡＧ 和 Ｐｒ∶ ＬｕＡＧ 新型石榴石结构闪烁晶体和珠宝用彩色宝石晶体ꎻ２０１５
半导体原材料有哪些
半导体原材料有哪些
在半导体产业中，原材料是制造半导体产品不可或缺的重要组成部分。
半导体原材料种类繁多，下面将介绍一些常见的半导体原材料及其作用。
1. 硅
硅是最常见的半导体材料之一，广泛用于制造晶体管、太阳能电池等。
硅具有优良的导电性和热稳定性，是制造半导体器件的理想材料之一。
2. 磷化镓
磷化镓是一种常用的III-V族半导体材料，其具有优良的电子特性，常被用于制造高频电子器件和激光器件。
3. 氮化镓
氮化镓是另一种常见的III-V族半导体材料，具有宽禁带宽、高热稳定性等特点，适用于制造高功率电子器件和大功率LED等产品。
4. 砷化镓
砷化镓是III-V族半导体材料中的另一种重要成员，广泛用于制造高速、高频率的电子器件，如射频功率放大器和微波器件等。
5. 氮化硼
氮化硼是一种重要的二元化合物半导体材料，具有高硬度、高热导率等特点，被广泛用于制造先进陶瓷材料、涂层等。
6. 氧化铝
氧化铝是一种常用的绝缘材料，在半导体制造中常用作介电层、绝缘层等，用于改善器件的绝缘性能。
以上就是一些常见的半导体原材料及其作用，半导体产业中还有许多其他种类的原材料，它们共同构成了复杂而精密的半导体制造生态系统。
钽酸锂X轴怎么确定
钽酸锂X轴怎么确定简介钽酸锂（LiTaO3）是一种重要的压电晶体材料，具有优良的压电性能和光学特性。
在很多领域中广泛应用，例如无线通信、声波传感器等。
钽酸锂晶体是一个具有三轴各向异性的晶体材料，因此在制备和使用时需要正确确定晶体的X、Y、Z 轴方向。
本文将介绍如何确定钽酸锂晶体的X轴方向。
确定X轴方向的方法使用极化显微镜极化显微镜是一种常用的工具，用于观察晶体的光学性质以及确定晶体的轴向方向。
以下是使用极化显微镜确定钽酸锂X轴方向的步骤：1.准备样品：将钽酸锂晶体样品切割成合适的尺寸，通常为薄片形态，并在样品表面制备一个平滑的平行面。
2.安装样品：将样品放置在极化显微镜的样品台上，并用合适的夹具固定。
3.打开偏光光源：打开极化显微镜的偏光光源，并调整适当的亮度和对比度。
4.放置偏振片：在光路中放置偏振片，并将其方向调整为与样品平行。
5.旋转样品：用极化显微镜的旋转台逐渐旋转样品，同时观察样品的光学行为。
6.观察交叉河图案：在旋转过程中，观察样品下方形成的交叉河图案。
当样品的X轴与偏振片方向平行时，交叉河图案将呈现出清晰的黑白相间的条纹。
7.确定X轴方向：根据观察到的交叉河图案，确定X轴方向。
当样品的X轴方向与平行偏振片方向时，样品呈现出最大的对比度。
使用X射线衍射除了极化显微镜，还可以使用X射线衍射技术来确定钽酸锂晶体的X轴方向。
以下是使用X射线衍射确定X轴方向的步骤：1.准备样品：将钽酸锂晶体样品切割成合适的尺寸，通常为薄片形态，并在样品表面制备一个平滑的平行面。
2.安装样品：将样品放置在X射线衍射仪的样品台上，并用夹具固定。
3.设定仪器参数：根据具体的X射线衍射仪设备要求，设置衍射角度和其他仪器参数。
4.开始测量：启动X射线衍射仪，开始测量。
5.分析衍射图案：将测得的衍射图案与标准的钽酸锂晶体衍射图案进行对比分析。
通过观察衍射图案中的明暗条纹，确定X轴方向。
6.确定X轴方向：根据衍射图案的分析结果，确定钽酸锂晶体的X轴方向。
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作者：非成败
作品编号：92032155GZ5702241547853215475102
时间：2020.12.13
Al2O3晶体
氧化铝晶体（白宝石，蓝宝石，Al2O3）是一种很重要的光学晶体。
它具有高硬度、高熔点、高强度、高透过率、耐高温和抗腐蚀的特性，广泛地用于航空航天仪器的红外和紫外的窗口、激光工作窗口、高炉测温窗口以及太阳能电池保护罩和永不磨损手表镜面等。
在窗口应用方面，它具有如下优良的特性：
(1)光透过范围从300nm到5.5μm
(2)3-5μm波段红外透过率大于85%
(3)具有高硬度，高透过率,抗挠曲强度和抗风蚀、雨蚀的能力
(4)优良的热传导性能
(5)低散射率0.02在λ=26到31μm，880℃
材料基本性能：
CaF2晶体
折射率：
MgF2晶体
氟化镁晶体被应用在环境要求很苛刻的光学系统中，它的透过波段为0.11μm--8.5μm。
辐照不会导致色心的产生，它有良好的机械性能，可以承受热和机械震动，很大的外力才能使氟化镁解理。
氟化镁单晶由于有微弱的双折射性能，通常的切向为光轴垂直于晶片表面。
氟化镁是一种应用很广泛的晶体，具有如下特性：
(1)、在真空紫外到红外(0.11～8.5μm)波段有很高的透过率.
(2)、抗撞击和热波动以及辐照
(3)、良好的化学稳定性.
(4)、可用于光学棱透镜、锲角片、窗口和相关光学系统中
(5)、四方双折射晶体性能，可用于光通讯.
(6)、UV 窗口材料
Ba F
2
折射率：
LiF
氟化锂晶体是一种很重要的光学晶体，它具有如下优良的特性：
1、在真空紫外到红外(0.12-6μm)的波段有很高的透过率，特别是在真空紫外有优良的透过率。
材料性能：
YVO4晶体
钒酸钇晶体是一种具有优良的物理和光学特性的双折射单晶。
由于它具有较大的透过范围、透光度高、大的双折射、易于加工等特点，所以广泛应用于光学组件如光纤光隔离器、环形器、分光器，还有其它的偏振光学器件等。
主要特性：
钒酸钇是用提拉法生长的正向单轴晶体,具有较好的机械和物理特性，宽的透过范围和大的双折射率使它成为了理想的光偏振组件。
在许多的应用方面，它是方解石和金红石的多种应用优良的人造的替代品，如光纤光学隔离器和循环器、分束器，格兰起偏器以及其它起偏器等。
与其它双折射晶体相比较:
与方解石相比，钒酸钇具有更好的温度稳定性及物理和机械特性。
方解石易潮解和低硬度是使得很难得到高光学质量晶体。
与高硬度的金红石(TiO2)相比，钒酸钇更易于进行光学表面加工，这也就相应降低了加工成本，尤其对批量生产来说。
与铌酸锂相比，它们具有相似的机械和物理性能，钒酸钇的双折率确比铌酸锂大三倍，这使得设计更加紧凑。
ZnS晶体和ZnSe晶体
硫化锌和硒化锌（ZnS和ZnSe）晶体具有如下优良的特性，是一种很重要的光学晶体，特别是应用于远红外波段。
CVD ZnSe的透光范围为0.5μm--22μm，用于高能CO2激光。
单晶的ZnSe具有更低的吸收，从而更适合CO2光学系统。
CVD ZnS的透光范围为8μm--14μm，高透过，低吸收。
多光谱级通过热等静压(HIP) 改进了中红外、可见区的透过。
光学石英晶体
人造石英单晶是用水热法在高压釜中生长的，具有左旋和右旋形态。
石英晶体的应力双折射低且折射率均匀性高，透光范围为0.15-4μm。
由于其压电特性、低热膨胀系数、优良的力学和光学特性，石英晶体被用于电子、精密光学和激光技术、光通信、X-射线光学和压
Nd:YAG晶体（掺钕钇铝石榴石）
Nd:YAG单晶是最重要的激光晶体，广泛应用于工业、医疗和科学领域。
主要优点是：低出光阈值、高增益，高效率，低1064 nm损耗；同时还有高光学质量、热传导性好、抗热冲击和机械强度高特性，使得Nd:Y AG成为了连续，脉冲和锁模激光的最合适和商品化的激光晶体。
Nd:YAG晶体也广泛用于各种固体激光器系统：倍频连续波、高能量Q开关，倒空腔等等。
作者：非成败
作品编号：92032155GZ5702241547853215475102 时间：2020.12.13。