SOT-363封装ESD静电保护器
CH412 中文手册说明书
ESD 保护芯片CH412中文手册 版本：1B 1、概述CH412是四路ESD 保护二极管阵列，能够承受IEC 61000-4-2规定的最高±15KV 人体模型、±8KV 接触放电以及±15KV 气隙放电的ESD 脉冲，用于电子产品对外接口中的高速信号和差分信号以及通用信号的ESD 保护。
CH412K 提供4通道低电容二极管保护和TVS 瞬态电压抑制器箝位，适用于高速和中低速信号，可以用于USB 超速、高速和全速以及低速信号保护。
CH412Z 提供4通道TVS 瞬态电压抑制器箝位，适用于中低速信号，可以用于USB 全速和低速信号保护。
CH412K CH412Z2、特点● 支持±15KV 人体模型HBM 。
● 支持±8KV 接触放电。
● 支持±15KV 气隙放电。
● CH412K ：内部4路独立箝位二极管，典型值1pF 的低输入电容，适用于高速和中低速信号。
● CH412Z ：内部4路TVS 箝位保护，典型值20pF 的输入电容，适用于中低速信号。
● 采用SOT 小体积晶体管级贴片无铅封装，兼容RoHS 。
3、封装封装形式 塑体宽度 引脚间距 封装说明 订货型号 SOT363 1.25mm 49mil 0.65mm 26mil 小型6脚贴片 CH412K SOT353 1.25mm 49mil 0.65mm 26mil 小型5脚贴片 CH412Z 注：1、封装体积较小，正面印字仅有代号而不含全部型号，例如CH412Z 代号是12。
2、盘装，每盘整包装数量为3000只，可以零售，但是零售时不会逐个清点数量。
IO4 IO3 IO3 VCC IO44、型号CH412B已经停产，请换用CH412K，多出的两个通道可以悬空或并联（低速时）。
4、引脚CH412K 引脚号CH412Z引脚号引脚名称类型引脚说明2 2 GND 电源公共接地端，必须直接连接到全局地5 无VCC 电源正电源端，必须靠近引脚对GND连接0.1μF电容，用于USB信号保护时通常为3.3V（或者5V），用于其它信号须同被保护芯片的电源电压（2V～5V）1,3,4,6 1,3,4,5 IO1～IO4 信号ESD保护通道，与被保护芯片的信号引脚并联5、应用说明CH412设计用来与被保护芯片内置的ESD保护一起工作。
TVS ESD 二极管介绍与应用说明
TVS ESD 二极管介绍与应用说明便携式设备的ESD保护十分重要，而TVS二极管是一种十分有效的保护器件，与其它器件相比有其独特的优势，但在应用时应当针对不同的保护对象来选用器件，因为不同的端口可能受到的静电冲击有所不同，不同器件要求的保护程度也有不同。
要注意相应的参数鉴别以及各个生产商的不同设计，同时还要进行合理的PCB布局。
本文介绍在便携式设备的ESD保护中如何应用TVS二极管器件。
便携式设备如笔记本电脑、手机、PDA、MP3播放器等，由于频繁与人体接触极易受到静电放电(ESD)的冲击，如果没有选择合适的保护器件，可能会造成机器性能不稳定，或者损坏。
更坏的情况是查不出确切的原因，使用户误认为是产品质量问题而损坏企业信誉。
一般情况下，对此类设备暴露在外面可能与人体接触的端口都要求进行防静电保护，如键盘、电源接口、数据口、I/O口等等。
现在比较通用的ESD标准是IEC61000-4-2，应用人体静电模式，测试电压的范围为2kV～15kV(空气放电)，峰值电流最高为20A/ns，整个脉冲持续时间不超过60ns。
在这样的脉冲下所产生的能量总共不超过几百个微焦尔，但却足以损坏敏感元器件。
便携式设备所采用的IC器件大多是高集成度、小体积产品，精密的加工工艺使硅晶氧化层非常薄，因而更易击穿，有的在20V左右就会受到损伤。
传统的保护方法已不再普遍适用，有的甚至还会造成对设备性能的干扰。
TVS二极管的特点可用于便携式设备的ESD保护器件有很多，例如设计人员可用分立器件搭建保护回路，但由于便携设备对于空间的限定以及避免回路自感，这种方法已逐渐被更加集成化的器件所替代。
多层金属氧化物器件、陶瓷电容还有二极管都可以有效地进行防护，它们的特性及表现各有不同，TVS二极管在此类应用中的独特表现为其赢得了越来越大的市场。
TVS二极管最显着的特点一是反应迅速，使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制，二是截止电压比较低，更适用于电池供电的低电压回路环境。
培训资料-防雷及防浪涌简介
防雷/防浪涌简介防雷/防浪涌简介防雷/防浪涌基础知识 产品分类及典型产品介绍 各类防雷产品的对比 典型应用方案2雷电的产生3雷电的分级防护GDTSIDACTorTVSCLASS ICLASS IICLASS IIIsystem4国际标准IEC USA USA Europe/Asia Pacific ITU-T K.21 Europe/Asia Pacific ITU-T K.20 61000-4-5 FCC part 68 ( Subscriber ) Telcordia ( Central Office ) ( Subscriber ) ( Central Office)5IEC61000-4-5定义的10/700μS波形6防雷/防浪涌简介防雷/防浪涌基础知识 产品分类及典型产品介绍 各类防雷产品的对比 典型应用方案7GDTGDT是气体放电管（Gas Discharge Tube）的简称。
它的特点是： 相应速度较慢: >80ns 雷击承受能力强： 电压：75V~3500V 电流：200A （10/700us） 电容低：<1pF@0V，1MHz 每次冲击，性能降低8GDT Products(P2G3SS4.5*3.2*2.7mm)TypeVs (V) 100V/sVss (V) 1KV/μs＜600 ＜600IMDC (A) 8/20μs 10/1000μs 10Hits 300hits(1500hit)1K 1K 1K 1K 1K 1K 50(10) 50(10) 50(10) 50(10) 50(10) 50(10)C(pF) @ 1MHz≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0IR(Ω) @100V dc≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109Arc (V) @1 A～15 ～15 ～15 ～15 ～15 ～15P2G3SS-750M-E01 P2G3SS-900M-E0160…90 72…108P2G3SS-151M-E01 120…180 ＜600 P2G3SS-231M-E01 184…276 ＜700 P2G3SS-351M-E01 280…420 ＜1000 P2G3SS-471M-E01 376…564 ＜10009GDT Products(P3G8S8*10mm)TypeVs (V) 100V/sVss (V) 1KV/μs ＜600 ＜600IMDC (A)C (pF)IR (Ω)Arc (V)8/20μs 10/1000μs @ 1MHz @100Vdc @1A 10Hits 300hits(1500hit) 5K 5K 5K 10K 10K 10K 10K 100(10) 100(10) 100(10) 100(10) 100(10) 100(10) 100(10) ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≤ 1.0 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ≥109 ～15 ～15 ～15 ～15 ～15 ～15 ～1510P3G8S_-750M-E05 P3G8S_-900M-E0560…90 72…108P3G8S_-151M-E05 120…180 ＜600 P3G8S_-231M-E10 184…276 ＜700 P3G8S_-351M-E10 280…420 ＜1000 P3G8S_-471M-E10 376…564 ＜1300 P3G8S_-601M-E10 480…720 ＜1400固体放电管--SIDACTor固体放电管的特点： 响应速度快:10-9 S 泄放电流能力强： >80A 雷击承受能力强： >3200V （10/700us） 电容低：20~100pF@2V，1MHz 无限冲击 （10/700us）11放电管的电学参数Symbol VDRM VS IDRM IS IH VTParameter Repetitive Peak Off-state voltageIPPSM IT IS IHBreakover VoltageIDRM V VT VDRM VSOff-state Current Breakover Current Holding Current On-state VoltageV-I Characteristics12POV 产品列表 (SMB 80A)Part NumberPOV0080SB POV0300SB POV0640SB POV0720SB POV0900SB POV1100SB POV1300SB POV1500SB POV1800SB POV2300SB POV2600SB POV3100SB POV3500SBVDRM (V)6 25 58 65 75 90 120 140 170 190 220 275 320VS (V)25 40 77 88 98 130 160 180 220 260 300 350 400VT (V)4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4IDRM (μA)5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5IS (mA)800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800IT (A)2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2IH (mA)80 80 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150CO (pF)80 80 80 70 70 70 70 65 65 60 60 55 55 13PPV61089BTarget Application Target ApplicationT-1/E-1, ISDN, and xDSL transmission equipment; T-1/E-1, ISDN, and xDSL transmission equipment; Telecommunications infrastructure; Telecommunications infrastructure; Set-top box ;; VOIP; Set-top box VOIP;Schematic and PIN Configuration Schematic and PIN ConfigurationK1 K1 K1 Vbat GND Vbat NC K2 K2 K2 K1 GND GND K2Parameter Overview Parameter OverviewParameter Condition Parameter Condition •• VDRM VGK=0 VDRM VGK=0 •• VGKRM VKA=0 VGKRM VKA=0 •• IID 5V, 25°C D 5V, 25°C •• VF 0V, 1MHz VF 0V, 1MHz •• IUT-T K.20/21/45 IUT-T K.20/21/45 Value Value -170V -170V -167V -167V <5uA typ <5uA typ 3V 3VApplication Example Application ExampleTIP SLIC Vbat PPV61089Product Status Product Status•• PPV61089B PPV61089B In mass production In mass productionICPGND RING14TVSTVS是瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor） 的简称。
esd保护电路原理
esd保护电路原理
ESD保护电路是一种用于保护电子设备免受静电放电（Electrostatic Discharge, ESD）的损害的电路。
静电放电是指当两个物体之间存在电势差时，电荷会从高电位物体通过空气中的离子流动到低电位物体，引发的一种现象。
ESD保护电路的原理是利用一系列电子元器件，如二极管、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）等，来吸收和分散静电放电的能量，防止其直接对设备造成损害。
在ESD保护电路中，通常采用了多层保护，包括外部保护、内部保护和系统级保护。
外部保护是指在设备的输入/输出端口或接口处设置的保护电路。
其中最常使用的元器件是二极管，其正向工作时具有较高的电阻和较低的电容，从而使对地的静电放电能量通过二极管分散到地。
内部保护是指在设备内部的关键电路和元器件上设置的保护电路。
常见的内部保护电路包括：Zener二极管，它具有较低的电压阻断特性，可用于限制输入电压的峰值；MOSFET，它具有快速响应和较低的电压漏电流，可用于限制电压过高时的电流流过关键元器件。
系统级保护是指通过设备的整体设计和工艺控制来实现的保护措施。
例如，通过合理的接地设计和电路布局，减少静电积聚和放电的可能性；选择抗ESD的材料和组件，提高设备的耐ESD能力。
ESD保护电路的设计需要根据具体的设备和应用场景进行优化。
同时，不同的ESD保护电路将具有不同的静电能量吸收和分散能力。
因此，在设计ESD保护电路时，需要根据设备对ESD的敏感度和所需的保护级别，选择合适的元器件和方案，以确保设备的可靠性和稳定性。
优恩半导体ESD静电保护器目录表
Part Number (Reference) ESD3.3V52D-A ESD05V52D-A ESD08V52D-A ESD12V52D-A ESD15V52D-A ESD24V52D-A ESD05V52D-C ESD12V52D-CInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5 8 12 15 24 5 9Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 110 70 60 50 25 10 5 450 200 30 100 75 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 120 120 120 120 120 120 100 100 320 320 100 320 320 320 200 5 5 5 5 5 1 1 40 10 1 1 1 1SOD-5234 6 8.5 13.3 16.6 26.7 6 10.2 4 6 6 13.3 16.7 26.7SOD-523 ESD03V32D-C ESD05V32D-C ESD0501V32D-C ESD12V32D-C ESD15V32D-C ESD24V32D-C 3 5 5 12 15 24SOD-323ESD3.3V32D-LA ESD05V32D-LA SOD-323 ESD03V32D-LC ESD05V32D-LC ESD08V32D-LC ESD12V32D-LC ESD15V32D-LC ESD24V32D-LC3.3 5.04 60.4 0.4350 35020 5SOD-3233.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.04.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.71.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2350 350 350 350 350 35020 5 2 1 1 1ESD05V14TLC SOT-1435.06.01.23005Part Number (Reference) ESD03V23T-2A ESD05V23T-2A ESD05V23T-2AL ESD08V23T-2A ESD12V23T-2A ESD15V23T-2A ESD24V23T-2A ESD36V23T-2AInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.0Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 400 300 30 250 150 100 88 60Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 300 300 100 300 300 300 300 300 100 10 0.1 1 1 1 1 1SOT-234.0 6.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.7 40.0ESD05V23T-2L SOT-23 Pin 3 to Pin1/Pin2 SM712 Pin 3 to Pin1/Pin2 ESD3.3V23T-1A ESD05V23T-1A ESD08V23T-1A ESD12V23T-1A ESD15V23T-1A ESD24V23T-1A ESD36V23T-1A SOT-235.06.01350177.555400107 3.3 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.013.3 4.0 6.0 8.5 13.3 16.7 24.0 40.055 5 5 5 5 5 5 5400 500 500 500 500 500 500 5001 40 5 5 1 1 1 1SOT-23SLVU2.8 SOT-232.83.034001ESD05V26T-4 SOT-265.06.01.23501Part Number (Reference) ESD05V26T-4L ESD12V26T-4L ESD15V26T-4L ESD24V26T-4LInternal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 90 70 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 350 350 350 350 5 1 1 15.0 12.0 15.0 24.0 SOT-266.0 13.3 16.7 26.7ESD05V26T-5L ESD12V26T-5L ESD15V26T-5L ESD24V26T-5L SOT-265.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.7200 90 70 50350 350 350 3505 1 1 1ESD05V36T-4L SOT-3635.06.021501ESD05V36T-5L SOT-3635.06.0501001ESD05V56T-2L SOT-5635.06.00.9501ESD05V56T-4L SOT-5635.06.0301001ESD05V56T-5L SOT-5635.06.0301001Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD12V56T-2C SOT-5639.010.031001SLVU2.8-4 SO-082.83.024005SLVU2.8-8 SO-08 ESD06V08S-4L SO-082.83.0560056.06.825200020ESD05V08S-4L SO-08 LCDA05C-4 LCDA12C-4 LCDA15C-4 LCDA24C-45.06.0550010SO-085.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1LCDA05C-8 LCDA12C-8 LCDA15C-8 LCDA24C-8 SO-165.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD05VDFN-C DFN10065.06.0101001ULC0524P DSON-105.06.00.81501ULC0528P5.06.50.52000.5MSOP-08ESD05V10S-4L MSOP-105.06.00.51251Cell Phone CCD Camera LinesEE0504K LWSON-085.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5Cell Phone CCD Camera LinesESD0506K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-12Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)Cell Phone CCD Camera LinesEE0508K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-16EE0508DFN5.06.0171DFN3014Differential Mode vs. Common Mode4345256162 of 211232011/3/31Curves of CharacterizationBAV99 vs TVS ARRAYS直接將突波導入到 Vcc -- 這種方式非 非 常不安全, 易導致 Vcc損害.直接將突波導入到 GND -- 這種方式非 非 常安全. 因為接地 區域有較大阻抗可 以分散突波.4 of 212011/3/31Parasitic InductanceESD ProtectorESD Protector不妥當的方式 : 無法將保護元件直接貼 在信號線上. 會產生寄 生電感. 造成保護能力 被寄生的電感減弱.安全的方式 : 將保護元件直接貼在信 號線上. 讓保護能力全 力發揮.Fine Layout vs Parasitic InductanceFine Layout -- Without Parasitic InductanceNOT recommation -- Parasitic Inductance7 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance直接將保護ESD保護能力元件貼在信號線上--不會產生寄生電感問題.可以完全發揮8 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance3-PIN產品的應用9 of 212011/3/31USB 3.0 Interface ProtectionMSOP-0810 of 212011/3/31HDMI Interface ProtectionSLP2510P8(2.5x1.0x0.5mm)11 of 212011/3/31USB 3.0 Interface Protection12 of 212011/3/31GR-1089 Lighting Protection for T-Carrier Interface13 of 212011/3/3110/1000 Gigabit Ethernet Protection14 of 212011/3/31。
用于ESD防护的高维持电流SCR器件说明书
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201810973512.4(22)申请日 2018.08.24(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号 CN 109065537 A(43)申请公布日 2018.12.21(73)专利权人 电子科技大学地址 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号(72)发明人 乔明 肖家木 齐钊 梁龙飞 何林蓉 梁旦业 张波 (74)专利代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232代理人 敖欢 葛启函(51)Int.Cl.H01L 27/02(2006.01)(56)对比文件CN 104576639 A ,2015.04.29US 2008/0309394 A1,2008.12.18CN 105552074 A ,2016.05.04CN 1404159 A ,2003.03.19CN 104269401 A ,2015.01.07审查员 韩增智 (54)发明名称用于ESD防护的高维持电流SCR器件(57)摘要本发明提供一种用于ESD防护的高维持电流SCR器件，包括：P型衬底、第一N型外延层、第一PWELL区、第一P+接触区、第一N+接触区、第二PWELL区、第二P+接触区、第三N+接触区；位于第一N型外延层上方且不与第一PWELL区、第二PWELL区相交的第二N+接触区；第一N+接触区与第一P+接触区通过金属短接形成金属阴极；第二P+接触区与第二N+接触区、第三N+接触区通过金属短接形成阳极。
本发明可以通过调整第二PWELL区的浓度和长度来调节维持电流，从而避免器件发生闩锁，并使器件IV曲线呈现出多次snapback的特性，提高器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。
权利要求书1页 说明书4页 附图6页CN 109065537 B 2021.01.08C N 109065537B1.一种用于ESD防护的高维持电流SCR器件，其特征在于包括：P型衬底(00)、位于P型衬底(00)上方的第一N型外延层(01)、位于第一N型外延层(01)内部上方左侧的第一PWELL区(201)、位于第一PWELL区(201)内部上方的第一P+接触区(21)、位于第一PWELL区(201)内部上方的第一N+接触区(11)；其中，第一P+接触区(21)位于第一N+接触区(11)左侧；位于第一N型外延层(01)内部上方右侧的第二PWELL区(202)、位于第二PWELL区(202)内部上方的第二P+接触区(22)、位于第二PWELL区(202)内部上方的第三N+接触区(13)；其中，第三N+接触区(13)位于第二P+接触区(22)左侧；位于第一N型外延层上方且不与第一PWELL区相接触且不与第二PWELL区相接触的第二N+接触区(12)；第一N+接触区(11)与第一P+接触区(21)通过金属短接形成金属阴极(31)；第二P+接触区(22)与第二N+接触区(12)、第三N+接触区(13)通过金属短接形成阳极(32)。
ESD知识介绍
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挑战
ESD防护产品的发展也面临着一些挑战，如技术门槛高、研 发周期长、市场竞争激烈等。此外，消费者对ESD防护产品 的认知度还需要进一步提高，需求也需要进一步挖掘。
06
esd防护前沿技术
材料的研发进展
01
02
03
高分子材料
研发具有高导电性、高弹 性、高耐久性的高分子材 料，用于制作ESD防护器 件。
esd保护器件的型号对照
根据不同的应用场景和需求， ESD保护器件分为多种型号， 如二极管、场效应管、气体放
电管等。
不同型号的ESD保护器件具有 不同的参数特性和适用场景， 需要根据具体需求进行选择。
各生产商均会提供其ESD保护 器件的型号对照表，以方便客
户进行选择和使用。
04
esd保护方案的应用
国外市场现状
全球ESD防护产品市场已经进入快速发展阶段，越来越多的企业开始重视ESD防护，投入更多的研发 资源和市场资源。在国外，消费者对ESD防护产品的认知度相对较高，需求量也较大。
esd防护产品的市场发展趋势
技术创新
随着技术的不断发展，ESD防护产品将不断进行技术创新，提高 产品的性能和可靠性，满足客户更高的需求。
esd保护方案的实施步骤
风险评估
对生产过程中可能 出现的ESD事故进行 风险评估，识别出 高风险环节和薄弱 环节。
制定方案
根据风险评估结果 ，制定针对性的ESD 保护方案，明确保 护目标、措施、责 任人等。
方案审批
ESD保护方案需经过 相关部门审批，确 保方案的可行性和 有效性。
方案实施
按照审批通过的ESD 保护方案，各部门 分工合作，落实各 项措施。
IC芯片选型及硬件设计
一、设计选型规范1.1 硬件设计流程及规范（1）系统的原理图设计进行原理图设计时，必须详细阅读各个元件的规格书并深入理解，所有的设计依据都应该来自于元器件的SPEC；元器件选型及设计尽量选用常用器件，使用标准封装库，原理图与PCB 图对应；所有器件都应注明供应商，必须提供规格书，并且经过小批量试产验证后才能大批量导入；（2）系统的PCB 设计PCB 设计阶段应做好叠层设计、功能区划分、阻抗控制、时序控制、电源分配网络设计和重要信号隔离等多项工作。
此外，还要充分考虑EMC 和安规要求，避免后期由于整改EMC 或安规问题而带来的大量费用。
本次设计中的主板采用的是 6 层PCB 进行设计，板厚为1.6mm，其他的接口板都采用普通的双层PCB 进行设计。
（3）系统的硬件调试本文中的硬件调试主要是指功能性测试。
完成硬件的基本电气特性测试，并完成需求规格书中要求的各项功能性验证。
经过测试发现，本文设计的成果支持所有常见格式、常见分辨率，也支持4K分辨率输出，对固定比例的视频源进行拉伸压缩等处理后，仍然具有高质量的视频显示效果、所有视频可以共用音频的输入和输出，任何一个通道输入的音频都可以输出到任意一个音频输出通道。
本成果的USB 口、网口和调试口都能够正常工作。
（4）系统的硬件测试严格按照相关行业标准和国家标准，完成本成果的各项性能指标测，此外，还对本成果进行了环境试验、振动试验、安规试验和电磁兼容（EMC）等一系列的安全性测试，最终呈现出既满足客户需求，又满足相关标准的成果。
1.2 专有名词1.2.1 安规要求安规，指产品安全规范要求，国外解释Production Compliance 产品承诺。
安规通过模拟终端用户可能的使用方法，经过一系列的测试，考核产品在正常和非正常使用的情况下可能出现的电击、火灾、机械伤害、热伤害、化学伤害、辐射伤害、食品卫生等等危害，在产品出厂前通过相应的设计，予以预防。
1.2.2 场效应MOS管1.2.3 CMOS工艺里的闩锁效应解释：闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。
5-PACKAGE
常见封装及对比
QFN (Quad Flat No-Lead )四侧无引脚扁平封装 QFN
QFN-16, 3 X 3
3.0
DQFN-16
3.0 3.5
DFN :Dual Flat No-Lead
2.5
HK WA CHING ELECTRONIC (GROUP) LIMITED
常见的小信号 器件封装
采用小外形封装结构的表面组装晶体管。
SOT-723
SOT-23
SC88 / SOT 363
SOT553 / SOT563
小外形二极管small outline diode(SOD)
采用小外形封装结构的表面组装二极管。
SOD-523 SOD-923 SOD-723
SOD-123
HK WA CHING ELECTRONIC (GROUP) LIMITED
16x16 x 7 mil Die 0.65mm total Profile 0.2mm Pad Separation
HK WA CHING ELECTRONIC (GROUP) LIMITED
Will Products Package
2 Leads SOD-323
WSB5817W
SOD-523
ESD5Z5V ESD5Z7V
HK WA CHING ELECTRONIC (GROUP) LIMITED
不同厂家的命名的差别
Onsemi Rohm Infineon Panasonic/Matsushita KEC
SOT-723 VMT3 SOT-723 SSS-Mini3-F1
VSM ******************************************************* Infineon SOT-623
ESD是什么？ESD文件
ESD是什么？ESD文件1.ESD简介ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。
ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热(火花)效应(如静电引起的着火与爆炸)和电磁效应(如电磁干扰)等的学科。
近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂，对静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。
我司ESD保护器件主要是由TVS ARRAY组成，经不同封装而成的器件。
其优点是体积小，结电容低，反应速度快等。
按电容值可分为Ultra Low capacitance系列，Lowcapacitance系列和Standarder capacitance系列。
2.ESD工作原理器件并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态(高阻态)，不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护被保护I C或线路;当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。
3.ESD特性参数击穿电压VBR：ESD通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示ESD管导通的标志电压。
反向断态电压VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压(截止压)VRWM表示ESD不导通的最高电压，在这个电压下有极小的反向漏电流I R。
脉冲峰值电流IPP：ESD允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流(8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右)，超过这个电流值就可能造成永久性损坏。
最大箝位电压VC：ESD管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。
脉冲峰值功率Pm：脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积，即Pm=IPP*VC。
4.ESD命名规则5.ESD分类及封装ESD可分为三种：压敏电阻、聚合物、硅二极管，我司主要为T VS阵列、贴片压敏两类ESD。
ESD保护装置·对策元件基础知识——ESD(静电放电
ESD 保护装置·对策元件基础知识——ESD（静电放电・浪涌）保护装置・对策元件是什么？
本文介绍ESD（静电放电-浪涌）保护装置-对策元件。
ESD（静电放电？浪涌）保护装置？对策元件是什幺？
ESD 保护装置的主要功能是将侵入到设备内部的ESD 传输到地下。
没有ESD 保护装置时，从外部人机界面侵入的数千V 的ESD 将直接被施加在内部的IC 上。
在外部人机界面和IC 之间安装ESD 保护装置时，通过ESD 保护装置便能将ESD 导入地下。
通常IC 驱动的电压（V）与地面绝缘，不会妨碍数据通信。
在施加数千V 时传导，在数十V 时绝缘是ESD 保护装置必要的功能。
Amazing晶焱代理 ESD TVS静电抑制器 电路保护管 详细参数选型
SOD-323
AZ1603-02S Bi-direction
SOT23-6L
AZ1605-01L Bi-direction
Transient Voltage Suppressing Device for ESD and Surge
SOD-323
AZ1613-01L Bi-direction
Transient Voltage Suppressing Device for ESD and Surge
AZ1065-06F Uni-direction Ultra Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed I/O DFN4120P10E
AZ1065-06Q Uni-direction Ultra Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed I/O MSOP-8L
AZ1045-04SU Uni-direction Ultra Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed I/O SOT23-6L
AZ1045-08F Uni-direction Low Capacitance ESD Protection Array For High Speed Data DFN3810P9E
SOD-523
AZ2015-02S Uni-direction
Transient Voltage Suppressing Array For ESD/Transient
SOT23-3L
AZ2015-05R Uni-direction
Transient Voltage Suppressing Device for ESD/Transient
仓库物料备品标准
2‰
C
插件电解 8*7
2‰
C
插件电解 8*8
2‰
C
插件电解 8*11.5
2‰
C
插件电解 8*12
2‰
C
插件电解 8*14
2‰
C
插件电解 10*5
0%
A
插件电解 10*12
0%
A
插件电解 10*13
0%
A
插件电解 10*16
0%
A
插件电解 1插0件*2电0 解 10*25
0%
A
0%
A
插件电解 13*16
***电器有限公司
GuangDong ***Electronics Co.,Ltd
仓 库 物 料 备 品 标 准
版本: V1.0
文件编号: RL-WI-SH001-1 发行日期: 2015年05月26日
拟制 审核 标准
部门 工程
姓名 YUAN BO
签名
日期
***仓库物料备品标准
文件编号：
RL-WI-SH001-1
0%
A
插件电解 13*20
0%
A
插件电解 16*25
0%
A
插件电解 16*30
0%
A
绕线电感1206以下 0.5%
B
绕线电感1206以上 0.2%
B
功率电感1206以下 0.5%
B
功率电感1206以上 0.2%
B
原材料- 贴片电感1206以下 0.5%
B
03 贴片电感1206以上 0.2%
B
（电感） 插件电感
池）
铅酸蓄电池 环保充电电池 碳性电池 环保碱性电池