晶闸管的种类
晶体管电路的调试方法
晶体管电路的调试方法一、为什么必须对电路进行调试由晶体管放大电路的知识可知：晶体管在输入交流信号的同时，必须叠加一个直流电压，使被放大的信号不致产生失真。
为晶体管提供发射结正向偏压的直流偏置电路有图1中的a、b、c、d四种。
在各类偏置电路中，只有将晶体管集电极电流Ic调整在一个适当的范围内，才能保证晶体管的正常工作。
在电源电压Ec、集电极负载电阻Rc、发射极电阻Re(指图1c、d电路)一定时，Ic仅由晶体管电流放大系数β和基极电阻(称偏流电阻)Rb决定。
收音机各级偏置电路中的静态Ic值，都是针对晶体管一定的β值而设定的。
由于同一型号的晶体管的β值存在差异，我们在设置一级放大电路或更换晶体管时，都必须通过调整Rb来获得合适的Ic。
这一调整过程就是电路的调试，其实质是为晶体管寻求一个理想的工作点。
二、电路调试的基本方法调试之前必须弄清楚Rb的变化是如何改变Ic的。
在图1的a、b、c电路中，Rb是唯一的。
并且都是Rb增大时，Ic减小、Rb减小时Ic增大。
而在d电路中，调整Rb1和Rb2均可改变Ic，Rb1增大时Ic减小，但Rb2增大时Ic却亦增大，一般都通过调整Rb1来改变Ic。
电路调试的具体步骤如下：1．选取一只定值电阻和一只电位器(或微调电阻)，串联后接入电路用以代替偏流电阻Rb。
定值电阻能对晶体管起保护作用，其阻值一般取电路图上标注的偏流电阻(标有★号)Rb阻值的一半。
而电位器的阻值通常取Rb的1～2倍。
例如电路图上Rb为62k时，可取30k的定值电阻与5lk～100k的电位器串联。
在调试开始前还应将电位器的阻值调至最大。
2．找到电路板上连接晶体管集电极与电源正极(指NPN管，下同)的铜箔条，条上一般都设计有一个供检测用的缺口(如若没有，可自行用刀片刻断铜箔条形成lmm宽的缝隙)。
将万用表直流毫安挡串联接入缺口，红表笔接电源正极一侧，黑表笔接集电极一侧，见图2。
毫安表的量程应为Ic值的2倍。
例如：需调Ic 为2．5—3mA时，可选用5mA挡。
晶闸管十大品牌
积极拓展市场，与多 家知名企业合作，提 供定制化服务。
拥有先进的晶闸管制 造工艺和技术，具备 批量生产能力。
中国电子科技集团
国内大型电子科技集团，业务 涵盖军工、民用等领域。
具备自主研发和生产晶闸管的 能力，产品性能稳定可靠。
承担多项国家重点工程项目的 研发和供应任务。
株洲中车时代电气股份有限公司
04
晶闸管品牌竞争格局及 未来发展
各品牌竞争优劣势分析
01
A品牌
该品牌在晶闸管市场上具有较高的市场份额，产品线完整，品质稳定。
其优势在于品牌知名度高，客户基础广泛。劣势在于相对于竞品，其产
品价格稍高。
02
B品牌
该品牌在晶闸管市场上拥有较强的研发实力，产品创新性强。其优势在
于技术领先，产品线不断延伸。劣势在于其品牌知名度尚待提高，市场
晶闸管的基本结构与工作原理
晶闸管由P型半导体和N型半导体构成 ，中间有一个P-N结。
当晶闸管两端加正向电压时，电流从P 型半导体流向N型半导体，当加反向电 压时，电流从N型半导体流向P型半导
体。
当晶闸管两端加正向电压且触发电流达 到一定值时，晶闸管会从截止状态转为 导通状态，这时即使去掉触发电流，晶 闸管仍会保持导通状态，直到电流降到
广东风华高新科技股份有限公司
01
国内领先的电子元器件制造商，产品涵盖电容、电感等领域。
02
具备晶闸管自主研发和生产能力，产品广泛应用于家电、工业
控制等领域。
与多家知名企业合作，提供一站式采购服务。
03
中芯国际
1
国内领先的集成电路制造商，具备晶闸管制造的 先进技术和生产线。
2
产品广泛应用于通信、消费电子、汽车电子等领 域。
单向晶闸管与双向晶闸管的区别
单向晶闸管与双向晶闸管的区别
查看: 7974|
评论: 1
摘要: 晶闸管是回一个可以控导点开关，能以弱电去控制强电的各种电路。
晶闸管常用于整流，调压，交直流变化，开关，调光等控制电路中。
具
有提交小，重量轻，耐压高，容量大，效率高，控制灵敏，寿命长，而且操
作非常方便等...
晶闸管是回一个可以控导点开关，能以弱电去控制强电的各种电路。
晶闸管常用于整流，调压，交直流变化，开关，调光等控制电路中。
具有提交
小，重量轻，耐压高，容量大，效率高，控制灵敏，寿命长，而且操作非常
方便等优点。
晶闸管的种类很多，有单/双向晶闸管，可关断晶闸管，快速晶闸管，光控晶闸管等多种，而目前应用最多的就是单向晶闸管和双向晶闸管
两种；常用的两种晶闸管到底有什幺不同之处呢，下面来详细做一些对比说明：
1.单向晶闸管
单向晶闸管是由4 块半导体材料P1，N1,P2，N2 构成的3 个PN 结，并分别用J1，J2，J3 表示，从P1 引出的引脚是阳极的，用A 表示；从N2 引出的是阴极的，用K 表示；从P2 引出的是门极，用G 表示（文字符号用。
常用电子元器件电子教案
常用电子元器件电子教案一、教学目标1. 让学生了解和认识常用的电子元器件，包括电阻、电容、电感、二极管、三极管等。
2. 使学生掌握电子元器件的基本特性和使用方法。
3. 培养学生的动手能力和实际操作技能，能够正确安装和检测电子元器件。
二、教学内容1. 第一节：电阻教学内容：电阻的种类、命名规则、主要特性、阻值检测方法。
2. 第二节：电容教学内容：电容的种类、命名规则、主要特性、容值检测方法。
3. 第三节：电感教学内容：电感的种类、命名规则、主要特性、感值检测方法。
4. 第四节：二极管教学内容：二极管的种类、结构、主要特性、正向和反向电阻检测方法。
5. 第五节：三极管教学内容：三极管的种类、结构、主要特性、放大作用及检测方法。
三、教学方法1. 采用讲授法，讲解电子元器件的基本知识和操作技巧。
2. 采用演示法，展示电子元器件的实际操作和检测过程。
3. 采用实践法，让学生动手操作，加深对电子元器件的理解。
四、教学准备1. 准备电子元器件实物，如电阻、电容、电感、二极管、三极管等。
2. 准备检测仪器，如万用表、示波器等。
3. 准备实验器材，如电路板、导线、焊锡等。
五、教学评价1. 课后作业：让学生绘制电子元器件的符号和简单电路图。
2. 课堂问答：检查学生对电子元器件知识的理解和掌握程度。
3. 实践操作：评估学生在实际操作中正确使用电子元器件的能力。
六、教学内容6. 第六节：场效应晶体管（MOSFET）教学内容：场效应晶体管的种类（N沟道、P沟道）、结构、主要特性、导通和截止条件及检测方法。
7. 第七节：晶闸管教学内容：晶闸管的种类（单向晶闸管、双向晶闸管）、结构、主要特性、触发和关闭条件及检测方法。
8. 第八节：光电器件教学内容：光电器件的种类（光敏电阻、光敏三极管）、结构、主要特性及应用。
9. 第九节：Integrated Circuits（集成电路）教学内容：集成电路的种类、结构、主要特性和应用，以及如何阅读集成电路的封装和引脚识别。
第五节晶闸管简介
第五节 晶闸管简介晶闸管是一种大功率半导体器件，又称可控硅，常用SCR 表示。
其优点是体积小、耐压高、容量大、使用维护简单。
晶闸管的种类很多，有单向型、双向型、可关断型以及快速型等。
一、晶闸管的结构外形、结构常用的晶闸管有塑封式、螺栓式和平板式三种，它有三个引出极，即阳极A 、阴极K 和控制极（门极）G 。
由于大功率晶闸管工作时发热量较大，因此正常工作时必须安装散热器。
晶闸管的符号及其内部结构如图1-5-1所示。
由图可见，晶闸管的阳极和阴极之间为PNPN 四层结构，它们形成三个PN 结J1、J2和J3。
A 阳极(c) 结构(b) KGA符号(a) 外形二、晶闸管的工作状态如图1-5-2（a）所示电路中，当晶闸管阳极和阴极之间加反向电压时，无论控制极与阴极之间施加何种电压，灯泡均不亮，晶闸管不导通，即晶闸管处于反向阻断状态。
当阳极和阴极之间加正向电压时，若控制极与阴极之间施加的电压为零或反向电压时，灯泡也不亮，说明晶闸管仍然不导通，处于正向阻断状态，如图1-5-2（b）所示。
在晶闸管阳极加正向电压，控制极也加上适当正向电压后，灯泡点亮，晶闸管导通。
此时，若去掉控制极电压，灯泡仍然发光，即晶闸管维持导通，控制极失去控制作用，如图1-5-2（c）（d）所示。
UA UUA UUAUGAUGUA可见，要使晶闸管从导通状态变为阻断状态，可以通过两个途径：①在阳极和阴极之间加反向电压或将阳极与电源断开，这种阻断称为反向阻断；②使阳极电流减少到一定数值（约几十~几百毫安）后晶闸管将自行关断，称为正向阻断。
三、晶闸管的型号和主要参数1．晶闸管的型号按照国家规定，普通晶闸管的型号及含义如下：例如，KP200-8D表示普通晶闸管，额定电流为200A，额定电压为800V，管压降0.6~0.7V。
2．晶闸管的主要参数（1）额定正向平均电流I F 指在规定环境温度及标准散热条件下，允许连续通过晶闸管阳极的最大工频正弦半波电流的平均值。
第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介
目录目录.............................................................................................................................................................................. 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . 09.1 电力二极管的应用简介 09.1.1 电力二极管的种类 09.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 09.1.3 电力二极管的主要参数 09.1.4 电力二极管的选型原则 (1)9.2 电力晶体管的应用简介 (2)9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)9.3 晶闸管的应用简介 (3)9.3.1 晶闸管的种类 (3)9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)9.4 总结 (6)第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介9.1 电力二极管的应用简介电力二极管（Power Diode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能。
电力二极管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
9.1.1 电力二极管的种类电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。
9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途名称结构特点、用途实例图片整流二极管多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。
其反向恢复时间较长，一般在5s以上，其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。
晶闸管分类
晶闸管分类晶闸管是电子设备中使用最广泛的元器件之一，晶闸管可以控制电流和电压，它具有体积小、功耗低、反应迅速、结构简单等特点，因此在电子产品中有广泛的应用。
晶闸管的分类根据其功能、内部结构及特性方面可以分为很多种类。
一、按照功能分类1、保险型晶闸管保险型晶闸管是在芯米双极晶闸管的基础上发展而来的，主要功能是进行负载输出，以防止负载短路，节省能源，节约电费。
它有很多种，如双极保险型晶闸管、防磁脉冲保险型晶闸管、超宽电压调节保险型晶闸管等。
2、驱动型晶闸管驱动型晶闸管常用于驱动大功率芯片，主要功能是增强芯片的电流传输能力，充分发挥芯片的功效和性能。
根据用途可以分为两种：升压驱动型晶闸管和恒定电压驱动型晶闸管。
3、延迟型晶闸管延迟型晶闸管是利用晶闸管延时，来控制电路启动和运行的一种电路元件。
它有单极延时型晶闸管和双极延时型晶闸管等。
4、放大型晶闸管放大型晶闸管一般采用双极晶闸管，可以将小信号放大到某种需要的电压大小，用来激励电路和其他电子元件。
它有电压放大型晶闸管、电流放大型晶闸管等。
5、滤波型晶闸管滤波型晶闸管也叫做低通滤波器，可以过滤掉某一频率之外的其它信号，使电路中只有特定的信号通过。
分为三种型号：单极低通滤波器、单极模拟低通滤波器、双极低通滤波器。
二、按照内部结构分类1、单极晶闸管单极晶闸管是最常见的晶闸管，其内部包括一个可控硅管和一个调节电容，调节电容可以控制输出电压，可以用作放大器电源，可以把晶体管输出功率放大到需要的程度。
2、双极晶闸管双极晶闸管是由两个晶体管和一个调节电容组成，两个晶体管采用同一个桥路，调节电容可以控制电路的输出电流和电压。
双极晶闸管可以用于驱动大功率的电子设备，也可以用于控制电压。
三、按照特性分类1、快关式晶闸管快关式晶闸管采用了快速反应、低功耗和稳定性强的特性，可以在短时间内完成对负载的控制，在电脑、家用电器等产品中有广泛的应用。
2、静止形晶闸管静止形晶闸管的特性是反应迅速，具有良好的动态特性，可以实现更精确的控制，可以在电磁干扰较强的环境中工作，是高精度领域的优选元件。
场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测
6.1 场效应管的识别与检测 场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、 噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小 等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。 场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但 由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的 差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应 管是一种电压控制器件。 场效应管（FET）是一种电压控制型半导体器件 （通过改变栅极和源极之间电压来控制其漏极电 流），在电路中主要起信号放大、阻抗变换等作用； 晶体闸流管简称晶闸管（可控硅），是可控整流半 导体器件，主要用于交直流无触点开关、调光、调 速、过压保护等电路中；单结晶体管因只有一个PN 结，但它与二极管的特性却不相同，多用于触发电 路、振荡电路及双稳态等电路中。
（2）单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A～10A的晶闸管，可用万用表的R×1档，红表笔接A极，黑表笔 接K极，表针不动；然后使红表笔周与A极相接的情况下，同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变 小，指针停在几欧到十几欧处，晶闸管因触发处于导通状态。给G极一 个触发电压后离开，仍保持红表笔接A极，黑表笔接K极，若晶闸管处于 导通状态不变，则表明晶闸管是好的；否则，晶闸管可能是损坏的。
6.1.2 场效应管的命名法 国产场效应管的型号命名方法有两种：第一种是与 普通三极管相同，第一部分用数字3表示主称；第 二部分用字母表示材料：D是P型硅N沟道，C是N 型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类：字母J 代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管；第四 部分用数字表示序号。 例如，3DJ6D表示结型N沟道场效应三极管， 3DO6C表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法采用字母“CS”+“XX﹟”的形式，其 中“CS”代表场效应管，“XX”以字代表型号的序号， “﹟”用字母代表同一型号中的不同规格，如CS16A、 CS55G等。
电力电子与现代控制_电力电子器件_第三部分
P1 N1 P2 N2
K
iG
iK
ts 存储 时间 tf 下降 时间
i tail
ttail 拖尾 时间
电感 L
阴极
GTO关断过程
1、晶闸管工作模式， 门极电流变负，满足关 断条件，此时GTO 中 两个等效三极管开始退 出饱和导通过程，清除 N1和P2区的存储过剩 载流子，所需时间为存 储时间。
2、GTO工作模式， α1+α2 < 1，此时GTO阳极 电压上升，阳极电流下降， 需要采用关断缓冲限制阳 极电压的上升速度，所需 时间为下降时间。
双向晶闸管
逆导晶闸管
光控晶闸管
门极可关断晶闸管
1. 可关断晶闸管的结构 ������ 可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)， GTO的内部包含着数百个共阳极的小
GTO元，可用门极信号控制其关断。目前，GTO的容量水平达6kA/6kV，开关频率<1kHz。
GTO结构，等效电路及符号 2. 可关断晶闸管的工作原理 (1) 开通过程 ������ GTO也可等效成两个晶体管P1N1P2和N1P2N2互连，开通过程与晶闸相同。
栅极
G P
N2
G
绝缘栅
++++++
D
N N2
D
S
源极
N1
D S
N1
J1
J2 空 间 电 荷漏极 区
P
D
G S
G S
符号
J1
导电原理
J2 空 间 电 荷 区
基本结构
MOSFET基本结构，导通原理和符号 MOSFET导通原理： 利用栅极和源极之间的正电压，吸引自由电子堆积在P区上表面层，并使该层反型为N型；之后 N1-N-N2之间电子可以流动导电。 功率MOSFET导通时只有一种极性载流子（多子）参与导电。
晶闸管的结构与工作原理
晶闸管的结构与工作原理晶闸管（Thyristor），又称为双极型晶体管，是一种半导体器件，具有可控的开关特性。
它广泛应用于电力电子设备、变流器、电机驱动器等领域。
本文将详细介绍晶闸管的结构和工作原理。
一、晶闸管的结构晶闸管由四个半导体层组成，分别是P型半导体（阳极）、N型半导体、P型半导体（门极）和N型半导体。
整个结构组成了一个PNPN的结构，类似于一个双极型晶体管，但晶闸管比双极型晶体管多了一个所有电流都能通过的门极。
在晶闸管结构中，阳极和门极是两个主要的电极。
阳极承受电流，而门极用于控制晶闸管的导通和关断。
在正常工作状态下，阳极上的电压高于门极，晶闸管处于关断状态。
只有当门极施加一个合适的触发脉冲时，晶闸管才能实现导通，形成通路，电流开始流动。
晶闸管还具有反并联二极管，它被连接在晶闸管的两个半导体层之间。
它的作用是提供反向偏置，以避免晶闸管在关断状态下被击穿。
同时，反并联二极管还能够保护晶闸管免受反向电压的损害。
二、晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理可以分为三个阶段：关断状态、触发状态和导通状态。
1. 关断状态：在关断状态时，门极的控制电压低于晶闸管的临界触发电压。
此时，PNPN结构的两个PN结正向偏置，形成一个高反向电压，导致整个结构处于关断状态。
晶闸管的主要特点是具有很高的绝缘能力，能够承受很高的反向电压。
2. 触发状态：当门极施加一个合适的触发脉冲时，晶闸管就会从关断状态切换到触发状态。
触发脉冲使得PN结发生反向电流扩散，导致PN结正向偏置被打破。
一旦PN结正向偏置被打破，PNPN结构中的第一个PN结就会形成一个电流驱动器，使得整个结构逐渐变得导电。
3. 导通状态：在晶闸管进入导通状态后，发生一种被称为“自持现象”的反馈作用。
即使移除控制电压，晶闸管也会保持导通状态，直到通过它的电流下降到一个非常低的水平。
此时，晶闸管具有很低的压降和很高的电流承受能力，使其能够在高功率电子设备中广泛应用。
单向晶闸管的基础常识
单向晶闸管的基础常识
晶闸管(Thyristor)是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。
单向晶闸管是其中的一种，通常也叫可控硅或整流元件，它既有单向导电的整流作用,又有可以控制的开关作用.利用它可用较小的功率控制较大的功率。
以下内容，我们主要看看晶闸管有什么特性及作用。
单向晶闸管的特性及作用
单向晶闸管属于PNPN 四层半导体器件，共有三个电极，即控制极(门极) G、阳极A 和阴极K，只能单向导通。
单向晶闸管种类很多，常用的有3CT 系列和KP 系列，广泛地用于可控整流、交流调压、逆变器和开关电源电路中。
常见单向晶闸管的外形见图1(a)，其内部结构及电路符号见图(b)。
单向晶闸管的导通条件是：除在阳、阴极间加上一定大小的正向电压外，还要在控制极和阴极间加正向触发电压。
一旦管子触发导通，控制极即失去控制作用，即使控制极电压变为零，单向晶闸管仍然保持导通。
要使单向晶闸管关断，必须去掉阳极正向电压，或者给阳极加反向电压，或者降低阳极正向电压，使通过单向晶闸管的电流降低到维持电流(单向晶闸管导通的最小电流)以下。
单向晶闸管按功率大小，可分为小功率、屮功率和大功率三种。
一般从外观上即可进行识别：小功率管多采用塑封或金属壳封装;中功率管控制极引脚比阴极引脚细，阳极带有螺栓;大功率管控制极上带有金厉编织套，像一条辫子。
一般额定电流小于200A 的多为螺栓形晶闸管，大于200A 的多为平板形晶闸管。
由于螺栓形和平板形单向晶闸管的三个电极外部形状有很大的区别，因此可。
晶闸管特性、作用
③最大可关断阳极电流 I A T O ——GTO额定电流。 ④ 电流关断增益off ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电 流最大值IGM 之比称为电流关断增益。
o ff
I ATO I GM
off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。
⑵ GTO的动态特性
开通过程：与普通晶闸管相同 关断过程：与普通晶闸管有所不同 储存时间 t ，使等效晶体退出饱 s 和 。 下降时间 t ， f
iG
O
t
尾部时间 —残存载流子复 t 合。
t
iA IA 90%IA
td
tr
ts
tf
tt
10%IA 0
t0
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t
图1.14
GTO的开通和关断过程电流波形
⑴GTR的结构和工作原理
在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流与基极电流之比为
ic ib
——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电
极电流的控制能力 。
当考虑到集电极和发射极间的漏电流时，
ic i iceo b
单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左 右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。
截止区
②动态特性
开通过程 90% I b1 延迟时间 t d 和上升时间 ， 10% I b1 t 二者之和为开通时间 。 0 on tr 加快开通过程的办法 。 关断过程 储存时间 和下降时间 ts 二者之和为关断时间 tf 加快关断速度的办法。 t o ff 。
90% ，Ics
晶闸管及其工作原理
晶闸管及其工作原理晶闸管（Thyristor），又称为大功率半导体开关，是一种可以控制电流的半导体器件。
它具有单向导电性和可控性的特点，被广泛应用于各种电力电子设备中。
它的工作原理基于PN结和二极管的导通和截止特性。
晶闸管由四层PNPN结构构成，具有一个控制电极（G）和两个主电极（A和K），其中A为阳型主电极，K为阴型主电极。
晶闸管的工作原理主要包括初始化、触发和保持三个过程。
首先，晶闸管进行初始化。
当无控制信号作用在控制电极上时，晶闸管处于截止状态，即无法导电。
此时整个晶闸管的结的退火和电场分布是非均匀的。
然后，进行触发过程。
当控制电极加上一个足够的正脉冲电压时，电压将穿透绝缘氧化膜（SiO2）并通过PNP结，这将使得PNP结逆偏，从而导致PNP结发生击穿。
当前作用的触发电流会加热PNP结，并形成大量的少数载流子，此时电压会下降到击穿电压以下，而且正在形成的NPN区域由于二极管效应会传导从而支持自身。
最后，进行保持过程。
当触发电流通过PNP结时，将会形成一个NPN区域，此时PNP和NPN是串联的。
在触发电流消失的时候，由于NPN的存在，整个电流依然能继续流动，这种状态被称为保持态，晶闸管被触发并继续导通。
总结来说，晶闸管的工作原理是通过控制电极的信号来触发晶闸管的导通，当晶闸管被触发后可以持续导通，直到电流被切断或者控制信号消失。
晶闸管的应用非常广泛。
在交流电控制中，晶闸管可以用来实现调光、变频、逆变等功能。
它适用于高电压、大电流、双向导通等需求场合。
此外，晶闸管还常用于电力系统中的保护和控制设备，如电动机控制、电力输电线路的变电站、电力电容消耗器等。
总之，晶闸管作为一种具有单向导电性和可控性的半导体器件，通过控制电极的信号来控制电流的导通。
它的工作原理基于PN结和二极管的导通和截止特性。
由于其可靠性高、性能稳定等优点，晶闸管在电力电子领域有着广泛的应用。
单向可控硅与双向的区分判断好坏
单向双向可控硅的判断
首先：可控硅（也叫晶闸管）分为单向可控硅和双向可控硅两种类型。
这两种类型都有着三个引脚，但三个引脚的种类两种类型的可控硅却不一样。
单向可控硅的三个引脚分别为：G（控制极）、A（阳极）、K（阴极）；
双向可控硅的三个引脚则是：G（控制极）、T1（输入端）、T2（输出端）。
其实，双向可控硅就是由两个单向可控硅反向并联所组成的。
说一下单向可控硅与双向可控硅的区分方法：
1、区分单向、双向可控硅的方法：拿来一只万用表，用万用表的RX1档来分别对可控硅三个引脚进行两两正反的测量，这样一共需要测量这个可控硅六次，且这六次中，如果只有一次测得可控硅的数值在几十到几百欧之间，则可以判定测量的这个可控硅是单向可控硅。
万用表上的红笔所接的引脚是K极，黑笔接的则是G极，剩下的那个引脚是A极。
如果在测量当中的结果上，有两个引脚的正反值都在几十到几百欧之间的话，那么这个可控硅就是双向可控硅。
2、区分可控硅的好坏：
在单向可控硅中：把万用表打到RX1档上，红笔连接到K极，黑笔则同时连接到G极和A极上，然后，松开G极的同时，不要断开A极，这时候的万用表指针应该在几十到一百欧之间，然后在断开A极，这个时候指针就退回原位去了，这就说明这个单行可控硅是好的。
在双向可控硅中：用万用表的红笔接T1极，黑笔同时连接G、T2极，然后和单向可控硅的步骤一样，第一次指针完了之后，再次重复指针要比上一次大十几几十欧左右，则可以说明双向可控硅是正常的。
区分单向和双向可控硅的方法，你学会了吗？。
可控硅
一、可控硅的概念和结构？晶闸管又叫可控硅。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
可控硅最主要的作用之一就是稳压稳流。
可控硅在自动控制控制，机电领域，工业电气及家电等方面都有广泛的应用。
可控硅是一种有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通，一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个值以下。
二、可控硅的种类可控硅有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。
其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。
通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
晶闸管的种类
晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
（二）按引脚和极性分类
晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
（三）按封装形式分类
晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。
其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。
通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类
晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。