压阻式传感器的特点
压阻式传感器
4.兵器上的应用
由于固有频率高，动态响应快，体积小等特点，压阻式压力传感器适合测量 枪炮膛内的压力。测量时，传感器安装在枪炮的身管上或装在药筒底部。另 外，压阻式传感器也用来测试武器发射时产生的冲击波。
此外，在石油工业中，硅压阻式压力传感器用来测量油井压力，以便分析油 层情况。压阻式加速度计作为随钻测向测位系统的敏感元件，用于石油勘探 和开发。在机械工业中，可用来测量冷冻机、空调机、空气压缩机、燃气涡 轮发动机等气流流速，监测机器的工作状态。在邮电系统中，用作地面和地 下密封电缆故障点的检测和确定，比机械式传感器精确和节省费用。在航运 上，测量水的流速，以及测量输水管道，天然气管道内的流速等。
利用这种效应制成的电阻称为固态压敏电阻，也叫力 敏电阻。用压敏电阻制成的器件有两类：一种是利用半导 体材料制成黏贴式的应变片；另一种是在半导体的基片上 用集成电路的工艺制成扩散型压敏电阻，用它作传感器元 件制成的传感器，称为固态压阻式传感器，也叫扩散型压 阻式传感器。
2. 体型半导体电阻应变片
这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线， 最后粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体 应变片可分为6种。
3. 扩散型压阻式压力传感器
在弹性变形限度内，硅的压阻效应是可逆的，即在应力作用下硅 的电阻发生变化，而当应力除去时，硅的电阻又恢复到原来的数值。 硅的压阻效应因晶体的取向不同而不同，即对不同的晶轴方向其压阻 系数不同。虽然半导体压敏电阻的灵敏系数比金属高很多，但是有时 还是不够。因此为了进一步增大灵敏度，压敏电阻常常扩散（安装） 薄的硅膜上，让硅膜起一个放大作用。
电桥输出电压与ΔR成正比，环境温度的变化对其没有影响。
2.3 半导体应变片的优缺点
半导体应变片最突出的优点是灵敏度高，这为它的应用提供 了有利条件。另外，由于机械滞后小、横向效应小以及它本身体 积小等特点，扩大了半导体应变片的使用范围。
压力传感器知识点总结
压力传感器知识点总结一、压力传感器的概念及分类压力传感器是一种能够将物体外部施加的压力转变成电信号输出的装置。
它可以将压力大小转化为电信号输出，通常用于测量液体、气体或固体的压力。
根据测量原理和测量对象的不同，压力传感器可以分为多种类型，常见的有压阻式压力传感器、压力变送器、电容式压力传感器和压电式压力传感器等。
1. 压阻式压力传感器压阻式压力传感器是利用压阻效应来测量被测压力的装置。
当被测压力作用在敏感元件上时，敏感元件发生形变，从而改变了电阻值。
通过检测电阻值的变化，就可以得到被测压力的大小。
压阻式压力传感器的优点是价格低廉，输出信号稳定，但灵敏度较低，精度一般较低。
2. 压力变送器压力变送器也是一种常见的压力传感器，它一般由感压元件和信号处理电路组成。
感压元件将被测压力转化为位移，再由信号处理电路将位移信号转化为电信号输出。
压力变送器具有输出信号稳定、精度高、灵敏度高等优点，广泛应用于工业自动化领域。
3. 电容式压力传感器电容式压力传感器是利用被测压力作用下的电容值变化来测量压力大小的装置。
当被测压力作用在感应体上时，感应体发生形变，从而改变了电容值。
通过检测电容值的变化，就可以得到被测压力的大小。
电容式压力传感器具有灵敏度高、精度高的特点，但价格较高。
4. 压电式压力传感器压电式压力传感器是利用压电效应来测量被测压力的装置。
当被测压力作用在压电晶体上时，压电晶体产生电荷，从而产生电压信号输出。
压电式压力传感器具有输出稳定、精度高、频率响应快的优点，但价格较高。
二、压力传感器的工作原理1. 压阻式压力传感器的工作原理压阻式压力传感器是利用压阻效应来测量被测压力的装置。
当被测压力作用在敏感元件上时，敏感元件发生形变，从而改变了电阻值。
通过检测电阻值的变化，就可以得到被测压力的大小。
2. 压力变送器的工作原理压力变送器一般由感压元件和信号处理电路组成。
感压元件将被测压力转化为位移，再由信号处理电路将位移信号转化为电信号输出。
压阻式压力传感器工作原理
压阻式压力传感器工作原理
压阻式压力传感器是一种常见的测量压力的传感器。
它的工作原理基于压阻效应。
压阻效应是指当物体受到外界力作用时，其电阻值发生变化的现象。
在压阻式压力传感器中，压阻材料（通常是一种特殊的导电橡胶或金属箔）被制成薄膜形状，并被放置在一个可变形的传感器外壳内。
当外界施加压力到传感器上时，传感器外壳会发生畸变，进而导致压阻材料的形状和电阻值发生变化。
这样的变化可以用一个电压信号来表达。
通常，传感器外接一个适配器电路，将电阻变化转换为与压力成比例的电压输出。
因此，当外界施加压力到压阻式压力传感器上时，传感器会根据压阻效应的变化产生相应的电压输出信号。
这个输出信号可以通过测量电压大小来间接推算出施加到传感器上的压力值。
压阻式压力传感器的优点包括结构简单、响应速度快、价格低廉等。
但也存在一些缺点，比如易受温度影响、精度相对较低等。
因此，在选择使用压阻式压力传感器时，需要根据具体应用场景来综合考虑其优缺点。
第 十五 章 压阻式传感器
3
<011> <001> <011>
<010>
<010>
2
<011>
<001>
<011>
三、影响压阻系数大小的因素
1、压阻系数与杂质浓度的关系 、
P型Si（π44) 型 （
π11
或
π44
N型Si（π11) 型 （ 表面杂质浓度N 表面杂质浓度 s（1/cm3)
•扩散杂质浓度增加，压阻系数都要减小 扩散杂质浓度增加， 扩散杂质浓度增加
分析
• • • • • • 正向压阻系数相等 横向压阻系数相等 剪切压阻系数相等 切应力不可能产生正向压阻效应 正向应力不可能产生剪切压阻效应 剪切应力只能在剪切应力平面内产生压 阻效应
压阻系数矩阵
0 0 π 11 π 12 π 12 0 π π 11 π 12 0 0 0 21 π 12 π 12 π 11 0 0 0 0 0 π 44 0 0 0 0 0 0 0 π 44 0 0 0 0 0 π 44 0
– π44 ≈0 ， π12 ≈ -1/2π 11、 ， 、
关于方向余弦
某晶向<x,y,z>的方向余弦为： 的方向余弦为： 某晶向 的方向余弦为
l= m= n= x x +y +z
2 2 2
= cos α = cos β = cos γ
y x +y +z
2 2 2
z x2 + y2 + z2
例1：计算（100）晶面内〈011〉 ：计算（ ）晶面内〈 〉 晶向的纵向与横向压阻系数
∴
硅压阻式充油芯体(扩散硅传感器)
一、硅压阻式充油芯体（扩散硅传感器）一般介绍：硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时（一般步于400微应变），其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化（G因子突变）。
用此材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应称为压阻效应。
利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥，利用硅材料的弹性力学特性，在同一切硅材料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。
给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一台完整的变送器。
硅压阻式充油芯体（扩散硅传感器）技术特点：1、灵敏度高扩散硅敏感电阻的灵敏因子比金属应变片高50~80倍，它的满量程信号输出在80-100mv左右。
对接口电路适配性好，应用成本相应较低。
由于它输入激励电压低，输出信号大，且无机械动件损耗，因而分辨率极高。
2、精度高扩散硅压力传感器的感受、敏感转换和检测三位一体，无机械动件连接转换环节，所以重复性和迟滞误差很小。
由于硅材料的刚性好，形变小，因而传感器的线性也非常好。
因此综合表态精度很高。
3、可靠性高扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级，膜片最大位移量在来微米数量级，且无机械磨损，无疲劳，无老化。
平均无故障时间长，性能稳定，可靠性高。
4、频响高由于敏感膜片硅材料的本身固有频率高，一般在50KC。
制造过程采用了集成工艺，膜片的有效面积可以很小，配以刚性结构前置安装特殊设计，使传感器频率响应很高，使用带宽可达零频至100千赫兹。
5、温度性能好随着集成工艺技术进步，扩散硅敏感膜的四个电阻一致性得到进一步提高，原始的手工补偿已被激光调阻、计算机自动修整技术所替代，传感器的零位和灵敏度温度系数已达10-5/℃数量级，工作温度也大幅度提高。
6、抗电击穿性能好由于采用了特殊材料和装配工艺，扩散硅传感器不但可以做到130℃正常使用，在强磁场、高电压击穿试验中可抗击1500V/AC电压的冲击。
压阻压力传感器的主要特点
压阻压力传感器的主要特点
压阻式压力传感器是一种常见的传感器类型之一，其基本原理是通过检测压力
对薄膜或陶瓷材料的变形程度而测量所感知的压力大小。
压阻压力传感器具有以下几个主要特点：
高精度
压阻压力传感器通常具有高精度的特点，它们可以测量非常微小的压力变化，
例如，小于1kPa的压力变化。
范围广
压阻压力传感器可以应用于各种应用场景，例如，军事、医疗、工业、航空、
汽车等领域。
反应迅速
压阻压力传感器具有非常快速的响应速度，可以对瞬态压力进行准确和及时的
检测。
易于安装
压阻压力传感器的机械结构通常相对简单，安装和维护比其他类型的压力传感
器更加容易。
成本低廉
相对于其他类型的压力传感器，压阻压力传感器通常具有较低的成本，这使得
其在大规模应用中越发具有优势。
耐用性好
压阻压力传感器通常具有较好的耐用性，能够在恶劣的环境条件下长期稳定地
工作。
总之，压阻压力传感器是一种非常实用的压力传感器类型，具有高精度、范围广、反应迅速、易于安装、成本低廉、耐用性好等多种优点。
随着科技的不断进步，它们在工业、军事、医疗、航空、汽车等领域的应用将会越来越广泛，成为现代化工业的不可或缺的重要组成部分。
压阻传感器的原理与结构
2 1 5 4
－ 3 ＋
6 7
1—靶,2—阴极, 3—直流高压, 4—阳极,5—基片, 6—惰性气体入口, 7—接真空系统。
4.压阻式传感器的制造工艺
1.薄膜技术---化学气相淀积 化学气相淀积是将有待积淀物质的化合物升华成气体,与 另一种气体化合物在一个反应室中进行反应,生成固态的淀积 物质,淀积在基底上生成薄膜。
(a )
(b )
(c)
压阻式传感器的制造工艺
2.微细加工技术---表面腐蚀加工
该工艺的特点是利用称为“牺牲层”的分离层,形成各种 悬式结构。
Si3 N4 SiO2
N-Si[1 00 ] (a ) PoLy-Si Al (b ) 空气腔
(c)
(d )
5.压阻式传感器的测量电路
压阻式传感器的测量电路
压阻式压力传感器结构简图 1—低压腔 2—高压腔 3—硅杯 4—引线 5—硅膜片
2.压阻式传感器的结构
压阻式传感器的结构
压阻传感器采用集成工艺将电阻条集成在单 晶硅膜片上,制成硅压阻芯片,并将此芯片的周 边固定封装于外壳之内，引出电极引线（如 图）。压阻式压力传感器又称为固态压力传感 器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元 件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被 测压力的。图中硅膜片的一面是与被测压力连 通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。 硅膜片一般设计成周边固支的圆形。在圆形硅 膜片(N型)定域扩散4条P杂质电阻条,并接成全 桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应 力区，相对于膜片中心对称。
1.薄膜技术---真空蒸镀
2 1 3
4
在真空室内,将待蒸发的材料 置于钨丝制成的加热器上加热,当 真空度抽到0.0133Pa以上时,加大 钨丝的加热电流,使材料融化,继续 加大电流使材料蒸发,在基底上凝 聚成膜。
四种压力传感器的基本工作原理及特点
四种压力传感器的基本工作原理及特点四种压力传感器的基本工作原理及特点一：电阻应变式传感器一：电阻应变式传感器1 1电阻应变式传感器定义被测的动态压力作用在弹性敏感元件上，被测的动态压力作用在弹性敏感元件上，使它产生变形，使它产生变形，在其变形的部位粘贴有电阻应变片，电阻应变片感受动态压力的变化，电阻应变片感受动态压力的变化，按这种原理设计的传感器称按这种原理设计的传感器称为电阻应变式压力传感器。
为电阻应变式压力传感器。
1.2 电阻应变式传感器的工作原理电阻应变式传感器所粘贴的金属电阻应变片主要有丝式应变片与箔式应变片。
箔式应变片是以厚度为0.002——0.008mm 的金属箔片作为敏感栅材料，，箔栅宽度为0.003——0.008mm 。
丝式应变片是由一根具有高电阻系数的电阻丝(直径0．015--0．05mm)，平行地排成栅形(一般2——40条)，电阻值60——200 Ω，通常为120 Ω，牢贴在薄纸片上，电阻纸两端焊有引出线，表面覆一层薄纸，即制成了纸基的电阻丝式应变片。
制成了纸基的电阻丝式应变片。
测量时，测量时，用特制的胶水将金属电阻应变片粘贴于待测的弹性敏感元件表面上，待测的弹性敏感元件表面上，弹性敏感元件随着动态压力而产生变形时，弹性敏感元件随着动态压力而产生变形时，弹性敏感元件随着动态压力而产生变形时，电阻片电阻片也跟随变形。
如下图所示。
B 为栅宽，L 为基长。
为基长。
材料的电阻变化率由下式决定：材料的电阻变化率由下式决定：d d d R A R A r r=+ （1） 式中；式中；R —材料电阻由材料力学知识得；由材料力学知识得； [(12)(12)]dRR C K m m e e =++-= (2) K —金属电阻应变片的敏感度系数式中K 对于确定购金属材料在一定的范围内为一常数，将微分dR 、dL 改写成增量ΔR 、ΔL,可得可得 R L K K R Le D D == (3) 由式(2)可知，可知，当弹性敏感元件受到动态压力作用后随之产生相应的变形当弹性敏感元件受到动态压力作用后随之产生相应的变形ε,而形应变值可由丝式应变片或箔式应变片测出，从而得到了ΔR 的变化，也就得到了动态压力的变化，基于这种应变效应的原理实现了动态压力的测量。
压阻式压力传感器的工作原理
压阻式压力传感器的工作原理
压阻式压力传感器是一种常见的传感器，它能够将机械压力转换
成电信号，并输出到载波、微处理器等电子设备中。
压阻式压力传感器的工作原理是：通过机械受力，将受力区域内
的电阻片加以拉伸或压缩，使电阻片的电阻发生变化，电阻的变化大
小与机械压力的大小成正比。
这个原理又被称为压阻效应。
压阻式压力传感器可以分为：薄膜式压力传感器、箔片式压力传
感器和微应变片式压力传感器。
薄膜式压力传感器是将压力感受器下面的薄膜受力区域做成一个
电阻器，当薄膜受到压力时，在电极之间会产生电压信号，这个电压
信号随着压力变化而变化。
这样的传感器结构简单，易于制造。
箔片式压力传感器是将薄膜变成箔式，其受力特性更好，更灵敏，输出稳定。
微应变片式压力传感器也是一种常见的压力传感器，与薄膜式压
力传感器类似，同样将感受器下面的微应变片或桥式微应变传感器成
一个电阻器，当感受器下面的微应变片受到压力时，所产生的应变同样会造成其电阻值的变化，进而产生电压信号，从而实现输出压力信号的目的。
除了压阻式压力传感器以外，流式传感器，如流量传感器、液位传感器，温度传感器，光电传感器等等都是常见的传感器，而他们的工作原理都各有不同。
在生产和实际使用中，根据场合和需要选择适合的传感器，可以更好地胜任各类测量需求。
压阻式压力传感器原理及其应用
压阻式压力传感器利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。
单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。
压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量〔如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度〕的测量和控制〕。
压阻效应当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。
这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。
硅的压阻效应不同于金属应变计〔见电阻应变计〕，前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化，而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。
压阻式压力传感器的构造这种传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上,制成硅压阻芯片,并将此芯片的周边固定封装于外壳之，引出电极引线。
压阻式压力传感器又称为固态压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。
硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。
硅膜片一般设计成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20～60。
在圆形硅膜片(N型)定域扩散4条P杂质电阻条,并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。
硅柱形敏感元件也是在硅柱面*一晶面的一定方向上扩散制作电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。
开展状况1954年C.S.史密斯详细研究了硅的压阻效应，从此开场用硅制造压力传感器。
早期的硅压力传感器是半导体应变计式的。
后来在N型硅片上定域扩散P型杂质形成电阻条，并接成电桥,制成芯片。
此芯片仍需粘贴在弹性元件上才能敏感压力的变化。
采用这种芯片作为敏感元件的传感器称为扩散型压力传感器。
这两种传感器都同样采用粘片构造，因而存在滞后和蠕变大、固有频率低、不适于动态测量以及难于小型化和集成化、精度不高等缺点。
压阻式压力传感器的测量原理
压阻式压力传感器的测量原理压阻式压力传感器是一种常见的压力测量装置，其测量原理基于材料的电阻随外力变形而发生变化。
该传感器结构简单，成本低廉，广泛应用于汽车、航空、航天、工业自动化等领域。
压阻式压力传感器的测量原理是基于材料的电阻随外力变形而发生变化。
在传感器中，通常采用金属片、金属箔或碳膜等电阻材料作为敏感元件。
当外力作用于该材料时，材料会发生微小的变形，从而导致其电阻值发生变化，通过测量电阻值的变化来反映外力的大小。
具体来说，当外力作用于电阻材料时，材料内部的导体排列会发生微小的变化，从而导致内部电阻的变化。
这种变化可以通过测量传感器两端的电压或电流来反映。
压阻式压力传感器的工作原理可以用以下公式表示：ΔR/R = K * ΔL/L其中，ΔR表示电阻值的变化量，R表示电阻值，K表示电阻材料的灵敏度，ΔL表示电阻材料的变形量，L表示电阻材料的长度。
可以看出，当外力作用于电阻材料时，电阻值的变化量与变形量成正比，而与材料的长度无关。
压阻式压力传感器的优点在于结构简单、成本低廉、响应速度快、适用范围广等。
其缺点在于精度相对较低，易受到温度和湿度的影响，需要进行温度和湿度的补偿。
在实际应用中，压阻式压力传感器通常需要经过校准才能获得准确的测量结果。
校准的过程包括确定灵敏度、线性度、重复性、稳定性等参数，并进行误差补偿和温度补偿等操作。
此外，传感器的安装位置和方式也会影响测量结果的准确性，因此需要进行合理的安装和布线。
压阻式压力传感器是一种常见的压力测量装置，其测量原理基于材料的电阻随外力变形而发生变化。
通过测量电阻值的变化量来反映外力的大小，具有结构简单、成本低廉、响应速度快、适用范围广等优点。
但其精度相对较低，易受到温度和湿度等环境因素的影响，需要进行校准和补偿。
压阻压力传感器的主要特点
压阻压力传感器的主要特点1. 弹性体封装结构压阻式压力传感器一般由弹性体、两个电极和两个引线组成。
其中，弹性体是传感器的核心部件，具有良好的电压响应特性和高度的灵敏度。
弹性体主要由导电材料或高分子材料制成，其内部静电电场随压力发生变化，导致导电材料的电阻值发生变化。
在弹性体封装方面，目前常用的有金属封装和聚合物封装两种，且聚合物封装已成为主流。
聚合物封装具有良好的耐腐蚀性、高温稳定性和易于制造等优点，能够满足多种工程领域的应用需求。
2. 高精度的压力测量压阻式压力传感器的输出信号与压力呈正比关系，因此具有高精度、高灵敏度和低漂移等特点。
传感器的检测精度和稳定性，取决于温度特性和含铝或含夹雜物的弹性体本身电性质的控制。
同时，为保证传感器的高精度，还需要采用合适的检测装置、校准方法和环境条件等。
3. 全方位压力测量压阻式压力传感器的测量范围较广，可以进行全方位的压力测量，并且在实际应用中还具有较强的抗干扰能力和可靠性。
此外，传感器的尺寸较小，安装便捷，可在多种环境下进行测量。
4. 可编程性现代化的压阻式压力传感器通常具有可编程性的特点。
用户可以通过适当地调整模拟电路或微处理器控制器的工作参数，实现传感器输出信号电压值和测量范围等的调整。
这样就可以根据实际应用场景对传感器进行定制化设计，提高传感器的适用性和智能化程度。
5. 应用领域广泛由于具有高精度、高灵敏度和全方位测量等特点，压阻式压力传感器被广泛应用于多种领域中，包括工业自动化、医疗设备、汽车工程、天文学、海洋工程、气象学以及农业生产等领域。
综上所述，压阻式压力传感器具有封装结构好、高精度、全方位测量、可编程性强和应用范围广等特点。
在实际应用中，用户可根据具体应用场景选择适宜的压力传感器型号，从而满足不同测量需求。
压阻式传感器
（4）压阻式传感器的应用
压阻式传感器主要用于测量压力和加速度，应用最多的是压阻式压力 传感器，广泛应用于流体压力、差压、液位测量，特别是它可以微型化， 已有直径为0.8mm的压力传感器。
➢ 恒流工作测压电路
传感器为需恒流1.5mA驱 动的扩散硅绝对压力传感器。
当膜片两边存在压力差时，膜片发生变形，产生应变，从而使扩散电阻的 电阻值发生变化，电桥失去平衡，输出相对应的电压，其大小就反映了膜片 所受压力差值。
(a)为扩散型硅压阻式传感器的结构 (b)硅膜片尺寸 (c)应变电阻条排列方式。
（3）压阻式传感器的温度漂移
由于半导体材料对温度的敏感性，压阻式传感器受到温度变化 影响后，将产生零点漂移和灵敏度漂移。
半导体压阻效应可解释为：由应变引起能带变形，从而使能带中的载 流子迁移率及浓度也相应地发生相对变化，因此导致电阻率变化。
❖ 半导体应变片的制作方法
1. 将半导体材料按所需晶向切割成片或条，
粘贴在弹性元件上，制成单根状敏感栅
使用，称作“体型半导体应变片”。
2. 将P型杂质扩散到N型硅片上，形成极薄 的导电P型层，焊上引线即成应变片称作 “扩散硅应变片”。
（1）半导体的压阻系数 （2）压阻式传感器的组成和工作原理 （3）压阻式传感器的温度漂移 （4）压阻式传感器的应用
（1）半导体材料的压阻系数
材料电阻的变化为
R 1 2
R
对半导体材料， 1 2 ，几何尺寸变化（机械变形）引起的电阻变化
可忽略，电阻阻值的变化主要是因电阻率变化引起的，即 R
❖ 半导体电阻应变片的测量电路
一般采用直流电桥电路，但须 采用温度补偿措施，如图所示。
压阻式传感器的检测原理及应用
压阻式传感器的检测原理及应用一、压阻式传感器的工作原理压阻式传感器是一种能够根据外力大小来改变其电阻值的传感器。
其工作原理基于材料的压阻效应，即当外力作用于传感器时，传感器内部的导电材料会发生形变，进而改变其电阻值。
压阻式传感器通常由导电薄膜、电极和基座等组成。
当外力施加在传感器的感应面上时，导电薄膜会发生微小的形变，导致电阻值发生变化。
通过测量电阻值的变化，可以推算出外力的大小。
二、压阻式传感器的特点1. 灵敏度高：压阻式传感器的灵敏度较高，能够检测到微小的压力变化。
2. 响应速度快：由于压阻式传感器的结构简单，响应速度较快。
3. 成本较低：相比其他类型的传感器，压阻式传感器的制造成本较低。
4. 可靠性高：压阻式传感器没有机械零件，因此具有较高的可靠性和耐久性。
三、压阻式传感器的应用1. 触摸屏：压阻式传感器被广泛应用于触摸屏技术中。
在传感器的感应面上布置导电薄膜，当用户用手指或触控笔对触摸屏施加压力时，传感器可以检测到压力的变化，并将其转化为电信号，从而实现触摸操作。
2. 工业自动化：压阻式传感器在工业自动化领域中也有广泛的应用。
例如，用于测量机械设备或生产线上的压力变化，实现对设备运行状态的监测和控制。
3. 医疗器械：压阻式传感器在医疗器械中的应用也很常见。
例如，用于测量血压、呼吸机上的气压变化以及人体接触的力度等。
4. 汽车领域：压阻式传感器在汽车领域中的应用广泛，例如用于测量车轮胎的压力，实现对胎压的监测和报警功能。
5. 体育器材：压阻式传感器也被应用于体育器材中，例如高尔夫球杆上的传感器可以测量球杆与球的接触力度，从而帮助球员改进击球技术。
总结：压阻式传感器是一种能够根据外力大小改变电阻值的传感器。
其工作原理基于材料的压阻效应，通过测量电阻值的变化可以推算出外力的大小。
压阻式传感器具有灵敏度高、响应速度快、成本低和可靠性高等特点。
在触摸屏、工业自动化、医疗器械、汽车领域和体育器材等领域都有广泛的应用。
(完整版)四种压力传感器的基本工作原理及特点
四种压力传感器的基本工作原理及特点一：电阻应变式传感器1 1电阻应变式传感器定义被测的动态压力作用在弹性敏感元件上，使它产生变形，在其变形的部位粘贴有电阻应变片，电阻应变片感受动态压力的变化，按这种原理设计的传感器称为电阻应变式压力传感器。
1.2 电阻应变式传感器的工作原理电阻应变式传感器所粘贴的金属电阻应变片主要有丝式应变片与箔式应变片。
箔式应变片是以厚度为0.002——0.008mm的金属箔片作为敏感栅材料，，箔栅宽度为0.003——0.008mm。
丝式应变片是由一根具有高电阻系数的电阻丝(直径0．015--0．05mm)，平行地排成栅形(一般2——40条)，电阻值60——200 ?，通常为120 ?，牢贴在薄纸片上，电阻纸两端焊有引出线，表面覆一层薄纸，即制成了纸基的电阻丝式应变片。
测量时，用特制的胶水将金属电阻应变片粘贴于待测的弹性敏感元件表面上，弹性敏感元件随着动态压力而产生变形时，电阻片也跟随变形。
如下图所示。
B为栅宽，L为基长。
材料的电阻变化率由下式决定：R Ad d d（1）R A式中；R—材料电阻由材料力学知识得；[(12)(12)]dRR C K (2)K —金属电阻应变片的敏感度系数式中K 对于确定购金属材料在一定的范围内为一常数，将微分dR 、dL 改写成增量ΔR 、ΔL,可得RLK K R L (3) 由式(2)可知，当弹性敏感元件受到动态压力作用后随之产生相应的变形ε,而形应变值可由丝式应变片或箔式应变片测出，从而得到了ΔR 的变化，也就得到了动态压力的变化，基于这种应变效应的原理实现了动态压力的测量。
1.3电阻应变式传感器的分类及特点测低压用的膜片式压力传感器常用的电阻应变式压力传感器包括测中压用的膜片——应变筒式压力传感器测高压用的应变筒式压力传感器1.3.1膜片——应变筒式压力传感器的特点该传感器的特点是具有较高的强度和抗冲击稳定性，具有优良的静态特性、动态特性和较高的自震频率，可达30khz 以上，测量的上限压力可达到9.6mp a 。
压阻式传感器原理
压阻式传感器原理
压阻式传感器是一种将物理量转换为电阻变化的传感器。
它由弹性层、电阻层和基底层组成。
当物体施加在传感器上的压力变化时，弹性层会产生弯曲变形，进而引起电阻层内阻值的改变。
当外部施加压力时，弹性层会发生变形，使其对电阻层施加应力。
电阻层是由导电材料制成的，应力的改变会导致导电材料的电阻值发生变化。
通常情况下，当传感器受到更大的压力时，导电材料的电阻值会减小，反之则会增加。
为了测量电阻层的电阻值变化，需要将传感器连接到一个电路中，通常是一个电桥电路。
电桥电路会通过测量电阻层两个相对端口之间的电压，来确定电阻层的电阻值。
从而可以将物理量转化为电信号。
压阻式传感器的原理可以用于测量各种物理量，如力、压力、重量等。
通过校准和精确设计，可以实现高精度的测量。
压阻式压力传感器
第二节压阻式传感器固体受到作用力后，电阻率就要发生变化，这种效应称为压阻效应。
半导体材料的这种效应特别强。
利用半导体材料做成的压阻式传感器有两种类型：一种是利用半导体材料的体电阻做成的粘贴式应变片；另一类是在半导体材料的基片上用集成电路工艺制成扩散电阻，称扩散型压阻传感器。
压阻式传感器的灵敏系数大，分辨率高。
频率响应高，体积小。
它主要用于测量压力、加速度和载荷参数。
因为半导体材料对温度很敏感，因此压阻式传感器的温度误差较大，必须要有温度补偿。
1.基本工作原理根据式（2－3）式中，项，对金属材料，其值很小，可以忽略不计，对半导体材料，项很大，半导体电阻率的变化为(2－22)式中为沿某晶向的压阻系数，σ为应力，为半导体材料的弹性模量。
如半导体硅材料，, ，则，此例表明，半导体材料的灵敏系数比金属应变片灵敏系数(1＋2μ)大很多。
可近似认为。
半导体电阻材料有结晶的硅和锗，掺入杂质形成P型和N型半导体。
其压阻效应是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的。
由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的压阻系数不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关，还与晶向有关。
所谓晶向，就是晶面的法线方向。
晶向的表示方法有两种，一种是截距法，另一种是法线法。
1．截距法设单晶硅的晶轴坐标系为x、y、z，如图2－29所示，某一晶面在轴上的截距分别为r、s、t(2－23)1/r、1/s、1/t为截距倒数，用r、s、t的最小公倍数分别相乘，获得三个没有公约数的整数a、b、c，这三个数称为密勒指数，用以表示晶向，记作〈a bc〉，某数（如a）为负数则记作〈 b c〉。
例如图2－30(a)，截距为－2、－2、4，截距倒数为－、－、，密勒指数为〈1〉。
图2－30(b)截距为1、1、1，截距倒数仍为1、1、1，密勒指数为〈1 1 1〉。
图2－30(c)中ABCD 面，截距分别为1、∞、∞，截距倒数为1、0、0，所以密勒指数为〈1 0 0〉。